KR20160079689A - 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

절연재로 이루어지는 링 부재가 그 주위에 배치된 탑재대에 있어서, 파티클이나 이상 방전의 발생을 억제하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것. 플라즈마 처리 장치에 마련되는 탑재대(3)는, 각기둥 형상의 금속제의 탑재대 본체와, 탑재대 본체의 측부에 형성된 결합부를 이루는 오목부(61)와, 오목부(61)에 결합하여 상기 탑재대 본체에 장착된 위치결정 부재(7)를 구비한다. 위치결정 부재(7) 위에는 돌기부(72, 73)가 마련되고, 이 돌기부(72, 73)에 링 부재(5)의 하면에 형성된 오목부(55, 56)를 감합하도록 링 부재(5)를 탑재하여 마련한다. 따라서 링 부재(5) 상면은 상하 방향의 관통 구멍이 마련되지 않은 평탄면으로서 구성되고, 파티클의 발생 원인이 되는 간극이나, 링 부재의 상면으로부터 나사로 탑재대에 고정하는 경우와 같은 이상 방전으로 이어지는 간극이 형성되지 않기 때문에, 파티클이나 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.

Description

탑재대 및 플라즈마 처리 장치{SUBSTRATE STAGE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 처리를 실행하기 위한 진공 용기 내에 기판을 탑재하기 위해서 마련되는 탑재대, 및 이 탑재대를 구비하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
FPD(Flat Panel Display)의 제조 공정에 있어서는, 유리 기판 등에 에칭 처리나, 성막 처리 등의 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 공정이 있다. 이러한 공정을 실행하는 플라즈마 처리 장치로서, 특허문헌 1에는, 챔버 내에 하부 전극을 이루는 서셉터(susceptor)와, 상부 전극을 이루는 샤워 헤드를 구비하는 구성이 기재되어 있다. 이 구성에서는, 서셉터에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 것에 의해, 샤워 헤드로부터 챔버 내로 공급된 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 대해서 플라즈마 처리가 실시된다.
특허문헌 1의 서셉터는 단면 볼록 형상으로 형성되고, 단면 볼록 형상체의 상부 평면이 기판 탑재면이 되고, 단차부 표면이 플랜지부로서 구성되어 있다. 또한 기판 탑재면을 둘러싸도록, 기판 상에 플라즈마를 균일하게 분포시키기 위한 포커스 링 등으로 불리는 절연재로 이루어지는 링 부재가 마련되고, 이 링 부재는 플랜지부의 상면에 나사에 의해 고정되어 있다. 링 부재에는 상하 방향으로 관통하는 개구부가 형성되고, 이 개구부 내에 나사부가 삽입되어 플랜지부의 상면에 고정되지만, 금속제의 나사부가 플라즈마에 노출되지 않도록, 나사부를 상방측으로부터 덮는 커버를 마련하는 구성도 알려져 있다.
이와 같이 링 부재의 표면에 커버를 마련하는 구성에서는, 플라즈마 처리에 의해 커버와 링 부재의 간극에 막이 퇴적하면, 이 퇴적물은 그 외의 영역의 퇴적물보다 박리하기 쉽고, 파티클의 발생 원인이 될 우려가 있다. 또한 커버가 플라즈마에 노출되기 때문에, 커버와 링 부재의 간극으로부터 플라즈마가 들어가서 나사부에 이상 방전이 발생하고, 제품 불량의 원인이 되는 염려도 있다.
또한 특허문헌 1에는, 플랜지부에 일부가 매설되어 서셉터에 대해서 이동 불능하게 가이드를 마련하는 한편, 링 부재에 가이드가 유합되는 오목부인 가이드 구멍을 마련하는 구성도 기재되어 있다. 그렇지만 이 예에 있어서도 개구부인 체결부가 형성되어 있기 때문에, 본 발명의 과제를 해결할 수 없다. 또한 일반적으로 서셉터의 표면에는 용사막(溶射膜)이 형성되어 있고, 플랜지부의 표면에 가이드를 마련하는 경우에는, 고정을 위해 나사 구멍 등을 마련할 필요가 있고, 해당 개소는 용사막이 마련되어 않기 때문에, 절연성이 저하하는 염려도 있다.
일본 공개 특허 제 2013-46002 호 공보: 단락 [0042]~[0045], [0073], 도 1, 도 10 등
본 발명은 이러한 사정에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은 플라즈마 처리에 이용되고, 절연재로 이루어지는 링 부재가 그 주위에 배치된 탑재대에 있어서, 파티클이나 이상 방전의 발생을 억제하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 다른 목적은 상기 탑재대를 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 때문에 본 발명의 탑재대는, 기판에 대해서 플라즈마 처리를 실행하기 위한 진공 용기 내에 상기 기판을 탑재하기 위해서 마련되는 탑재대에 있어서,
기판이 탑재되는 각기둥 형상의 금속제의 탑재대 본체와,
상기 탑재대 본체의 측부에 형성된 결합부와,
상기 결합부에 결합하여 상기 탑재대 본체에 장착된 위치결정 부재와,
그 상면이 플라즈마 발생 공간에 면하여, 상기 탑재대 본체를 둘러싸도록 마련되는 동시에, 상기 위치결정 부재에 의해 위치결정된 상태에서 해당 위치결정 부재의 위에 탑재되어 있는 절연재로 이루어지는 링 부재와,
상기 링 부재의 하방측에서 상기 탑재대 본체를 둘러싸도록 마련된 측부 절연 부재를 구비하며,
상기 링 부재에는 상하 방향의 관통 부분이 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 플라즈마 처리 장치는,
진공 용기 내에 마련된 기술의 탑재대와,
상기 진공 용기 내에 플라즈마화하기 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
진공 용기 내에 전계를 발생시켜서 상기 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 플라즈마 발생부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 플라즈마 처리에 이용되고, 절연재로 이루어지는 링 부재가 그 주위에 배치된 탑재대에 있어서, 탑재대 본체의 측부에 결합부를 형성하고, 이 결합부에 결합하도록 위치결정 부재를 장착하고, 이 위치결정 부재의 위에 위치결정된 상태에서 탑재하도록 링 부재를 마련하고 있다. 이 때문에 링 부재에는 상하 방향의 관통 부분이 형성되어 있지 않고, 이 상면은 평탄면으로서 구성된다. 이와 같이 파티클의 발생 원인이 되는 간극이나, 링 부재의 상면으로부터 나사로 탑재대에 고정하는 경우와 같은 이상 방전으로 이어지는 간극이 형성되지 않기 때문에, 파티클이나 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 탑재대를 구비하는 플라즈마 처리 장치를 도시하는 종단면도,
도 2는 제 1 실시형태의 탑재대에 마련된 링 부재를 도시하는 평면도,
도 3은 제 1 실시형태의 탑재대에 마련된 링 부재를 도시하는 저면도,
도 4는 제 1 실시형태의 탑재대를 도시하는 횡단면도,
도 5는 제 1 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 6은 제 1 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 7은 제 1 실시형태의 위치결정 부재를 도시하는 평면도,
도 8은 제 1 실시형태의 위치결정 부재를 도시하는 측면도,
도 9는 제 1 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 횡단면도,
도 10은 제 1 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 11은 제 1 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 12는 제 1 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 13은 제 1 실시형태의 변형예의 탑재대의 일부를 도시하는 횡단면도,
도 14는 제 1 실시형태의 변형예의 탑재대의 일부를 도시하는 평면도,
도 15는 제 1 실시형태의 변형예의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 16은 본 발명의 제 2 실시형태의 탑재대를 구비하는 플라즈마 처리 장치를 도시하는 종단면도,
도 17은 제 2 실시형태의 탑재대를 도시하는 횡단면도,
도 18은 제 2 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 19는 제 2 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 종단면도,
도 20은 제 2 실시형태의 탑재대의 일부를 도시하는 횡단면도.
(제 1 실시형태)
이하, 본 발명의 탑재대를 구비한 플라즈마 처리 장치의 제 1 실시형태의 구성예에 대해서, 도 1 내지 도 11을 참조하면서 설명한다. 이 플라즈마 처리 장치는, 예를 들면 액정 표시 장치(LCD) 제조용의 유리 기판(G)에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 것이며, 진공 용기(2)와, 이 진공 용기(2) 내의 저면 중앙에 배설된 탑재대(3)와, 탑재대(3)의 상방에 해당 탑재대(3)와 대향하도록 마련된 상부 전극(4)을 구비하고 있다.
진공 용기(2)는 접지되어 있고, 또 진공 용기(2)의 저면의 배기구(21)에는 배기로(22)를 거쳐서 진공 배기 기구(23)가 접속되어 있다. 이 진공 배기 기구(23)에는 도시하지 않은 압력 조정부가 접속되어 있고, 이에 의해 진공 용기(2) 내가 소망한 진공도로 유지되도록 구성되어 있다. 진공 용기(2)의 측면에는, 게이트 밸브(25)에 의해 개폐되는 기판용의 반송구(24)가 마련되어 있다.
탑재대(3)는 예를 들면 한 변이 수 m의 직사각형상의 유리 기판(이하 「기판」이라고 함)(G)이 탑재되는 것이며, 제 1 전극체(31)와, 이 제 1 전극체(31)의 하방에 마련된 제 2 전극체(32)를 구비하고 있고, 진공 용기(2)의 저면에 절연 부재(33)를 거쳐서 배설되어 있다. 제 1 전극체(31) 및 제 2 전극체(32)는 예를 들면, 표면이 알루마이트(alumite) 처리된 알루미늄이나 스테인레스 등으로 이루어지고, 이 예에서는 제 1 전극체(31) 및 제 2 전극체(32)에 의해, 기판(G)을 탑재하는 금속제의 탑재대 본체가 구성되어 있다. 제 1 전극체(31)의 표면은 기판 탑재면(30)을 이루고, 기판(G)에 맞춰서 기판 탑재면(30)도 직사각형상으로 형성되고, 예를 들면 제 1 전극체(31) 및 제 2 전극체(32)는 각각 평면 형상이 어울리는 사각 기둥 형상으로 구성되어 있다. 제 1 전극체(31)에는, 예를 들면 플라즈마 생성용의 고주파 전원(341) 및 이온 인입용의 바이어스 전력을 공급하기 위한 고주파 전원(342)이 각각 정합기(351, 352)를 거쳐서 접속되어 있다. 고주파 전원(341)은 진공 용기(2) 내에 전계를 발생시켜서 후술하는 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 플라즈마 발생부에 상당하는 것이다.
또한 제 1 전극체(31)는 상부에 정전 척(36)이 마련되어 있는 정전 척 유닛이고, 그 상면뿐만이 아니라 측주면(側周面)에 대해서도, 세라믹 용사막으로 덮여져 있다. 정전 척(36)은 고압 직류 전원(37)으로부터 도시되지 않은 스위치를 거쳐서 전압이 인가되는 것에 의해, 탑재대(3) 상에 기판(G)이 정전 흡착되도록 되어 있다. 또한, 도 4 내지 도 6 및 도 9 내지 도 11에서는 정전 척(36)은 도시를 생략하고 있다. 게다가 탑재대(3)에 도시되지 않은 히터를 내장하거나, 온조(溫調) 매체가 통과하는 도시되지 않은 온조 유로를 형성하는 것에 의해, 기판(G)을 설정 온도로 유지하도록 구성해도 좋다. 게다가 또한 탑재대(3)에는, 기판(G)의 수수에 이용되는 승강 핀(38)이 승강 기구(39)에 의해 승강 가능하도록 관통 삽입되어 있다.
상부 전극(4)은 중공 형상으로 형성되어 있고, 그 하면에는, 진공 용기(2) 내에 처리 가스를 분산 공급하기 위한 다수의 구멍(41)이 예를 들면 균등하게 배치되어 가스 공급부를 구성하고 있다. 또한 상부 전극(4)의 상면 중앙에는 가스 공급로(42)가 마련되는 동시에, 가스 공급로(42)는 상류측에 있어서, 밸브(V1)와 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(43)를 거쳐서 가스 공급원(44)에 접속되어 있다. 이들 밸브(V1), 매스 플로우 컨트롤러(43)는 후술의 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해서 가스 유량 및 급단의 제어를 실행할 수 있도록 구성되어 있다.
탑재대(3)에는, 제 1 전극체(31)의 기판 탑재면(30)을 둘러싸도록 절연재로 이루어지는 링 부재(포커스 링)(5)가 배치되어 있다. 이 링 부재(5)는 플라즈마 발생 공간에 면하도록 배치되어 있으므로, 이 링 부재(5)를 거쳐서 플라즈마가 탑재대(3) 상의 기판(G)에 집속한다. 예를 들면 링 부재(5)가 탑재되었을 때의 링 부재(5)의 상면은 기판 탑재면(30)과 어울리도록 구성되어 있다.
링 부재(5)는 절연재, 예를 들면 알루미나 등의 절연성 세라믹에 의해 구성되고, 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 예를 들면 장척체인 띠형상 부분(51 내지 54)을 조합하는 것에 의해, 평면에서 볼 때 직사각형 링 형상으로 형성되어 있다. 도 2는 링 부재(5)의 평면도, 도 3는 그 저면도이다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 이 예의 링 부재(5)는 직사각형의 기판 탑재면(30)의 각변 중 서로 대향하는 2개의 단변을 따라서 각각 배치된 평면에서 볼 때 직사각형상의 띠형상 부분(51, 53)과, 기판 탑재면(30)의 각변 중 서로 대향하는 2개의 장변을 따라서 각각 배치된 평면에서 볼 때 직사각형상의 띠형상의 띠형상 부분(52, 54)을 조합하여 구성되어 있다. 각 띠형상 부분(51 내지 54)의 양단부 중, 길이 방향에 관한 일단측을 고정단(511, 521, 531, 541), 타단측을 자유단(512, 522, 532, 542)으로 한다. 그리고 각 띠형상 부분(51 내지 54)은 도 2 및 도 3에 도시되는 바와 같이, 띠형상 부분(51 내지 54)의 고정단(511 내지 541)의 각각의 단면이, 인접하는 다른 띠형상 부분(51 내지 54)의 자유단(512 내지 542)의 측면에 접촉하는 상태에서, 서로 인접하는 띠형상 부분이 직교하도록 배치되어 있다.
계속해서, 링 부재(5)의 장착 구조에 대해서, 도 4 내지 도 11을 참조하여 설명한다. 도 4는 도 1의 A-A'선을 따라서 절단한 횡단면도, 도 5는 도 4의 B-B'선을 따라서 절단한 종단면도, 도 6은 도 4의 C-C'선을 따라서 절단한 종단면도이다.
탑재대 본체의 각부, 이 예에서는 제 1 전극체(31)의 4개의 각부(301, 302, 303, 304)의 각각의 측부에는, 도 4 및 도 5에 도시되는 바와 같이, 결합부를 이루는 오목부(61)가 형성되는 동시에, 이 오목부(61)에 결합하도록 위치결정 부재(7)가 장착되어 있다. 이 위치결정 부재(7)는 그 위에 링 부재(5)가 위치결정된 상태에서 탑재되는 것이다. 이 예에서는 제 1 전극체(31)의 외주에 링 부재(5)가 마련되기 때문에, 도 2 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 탑재대 본체의 각부는 띠형상 부분(51 내지 54)이 교차하여 있는 영역(S)의 기판 탑재면(30) 측의 교점이다.
도 4에 도시되는 바와 같이, 위치결정 부재(7)는 제 1 전극체(31)의 4개의 오목부(61)에 대응하고, 제 1 전극체(31)의 4개의 각부(301, 302, 303, 304)에 배치되어 있다. 이 위치결정 부재(7)는 절연재, 예를 들면 세라믹으로 이루어지고, 제 1 전극체(31)의 오목부(61)에 결합되는 기부(71)와, 기부(71)로부터 상방으로 돌출하는 돌기부(72, 73)를 구비하여 구성되어 있다. 이 예의 위치결정 부재(7)는 링 부재(5)의 띠형상 부분(51 내지 54) 중, 제 1 전극체(31)의 각부를 거쳐서 서로 인접하는 2개의 띠형상 부분(51, 52), (52, 53), (53, 54), (54, 51)의 4조를 위치결정하도록 마련되어 있다. 이 때문에 도 7의 평면도 및 도 8의 측면도에 각각 도시되는 바와 같이, 기부(71)는 예를 들면 평면에서 볼 때 L자형으로 형성되는 동시에, 일방의 띠형상 부분용의 돌기부(72)와, 타방의 띠형상 부분용의 돌기부(73)를 구비하고 있다.
이 위치결정 부재(7)의 형상에 대응하고, 이 예에 있어서의 제 1 전극체(31)에 형성되는 오목부(61)는 예를 들면 도 9에 각부(301)를 예로 하여 도시되는 바와 같이, 기판 탑재면(30)에 있어서의 서로 인접하는 양변에 걸쳐 형성되고, 그 평면 형상이 대략 L자형을 이루고 있다. 또한 기부(71)에 있어서의 오목부(61)와 결합하는 영역을 결합 영역(70)이라고 부르기로 하면, 오목부(61)의 높이(상하 방향의 크기)는 기부(71)의 결합 영역(70)의 두께에 어울려서 형성되고, 위치결정 부재(7)를 오목부(61)에 결합시켰을 때에, 예를 들면 기부(71)의 내단면(711)이 오목부(61)의 저부를 이루는 면(611)에 접촉하도록 구성되어 있다(도 10 참조). 돌기부(72, 73)는 예를 들면 평면에서 볼 때 L자형의 기부(71)의 양단부 근방이며, 결합 영역(70)의 외측에 각각 마련되어 있다.
제 1 전극체(31) 및 제 2 전극체(32)의 주위에는, 링 부재(5)의 하방측에 있어서, 이들 제 1 전극체(31) 및 제 2 전극체(32)의 측면을 덮도록 측부 절연 부재(62)가 배치되어 있다. 이 측부 절연 부재(62)는 예를 들면 알루미나 등의 절연성의 세라믹이나 폴리테트라플루오르에틸렌 등의 절연성의 수지에 의해, 평면에서 볼 때 직사각형 링 형상으로 형성되어 있다. 이 예에 있어서의 측부 절연 부재(62)는 도 5 및 도 6에 도시되는 바와 같이, 종단면 형상이 각각 대략 L자형으로 마련되는 동시에, 각각 평면에서 볼 때 직사각형 링 형상으로 마련된 내측 부재(63)와 외측 부재(64)를 조합하여 구성되어 있다.
게다가 측부 절연 부재(62)의 주위에는, 측부 절연 부재(62)의 측면을 덮어서 탑재대의 측부의 가장 외측에 위치하는 외측 링 부재(65)가 배치되어 있다. 이 외측 링 부재(65)는 예를 들면, 링 부재(5)와 같은 재질에 의해, 평면에서 볼 때 직사각형 링 형상으로 형성되어 있고, 이 외측 링 부재(65)의 표면에 링 부재(5)의 이면측 주연부가 탑재된다.
위치결정 부재(7)는 도 9 및 도 10에 도시되는 바와 같이 기부(71)를 제 1 전극체(31)의 오목부(61)에 결합시킨 후, 예를 들면 내측 부재(63)를 외주면측으로부터 나사 결합하여 관통하고, 그 선단부가 위치결정 부재(7)의 외측면에 접촉하는 위치결정용의 나사 부재(74)를 체결하는 것에 의해 제 1 전극체(31)를 향해 가압되어 있다. 이 나사 부재(74)는 예를 들면 절연 부재에 의해 구성되어, 위치결정 부재(7)의 양단부 근방에 각각 마련되어 있고, 내측 부재(63)에는, 위치결정 부재(7)에 대응하는 위치에 절결부(631)가 형성되는 동시에, 나사 부재(74)용의 개구부(632)가 형성되어 있다. 한편, 도 4 및 도 6에 도시되는 바와 같이, 위치결정 부재(7)가 마련되지 않은 영역에는, 서로 간격을 두고 마련된 다수의 나사 부재(741)에 의해 내측 부재(63)가 제 1 전극체(31)에 고정되어 있다. 도 6 중 633은 나사 부재(741)용의 개구부이다. 나사 부재(741)가 금속제인 경우에는 이상 방전을 억제하기 위해서, 개구부(633)에는 절연 부재에 의한 덮개(634)가 마련된다.
그리고 측부 절연 부재(62)의 내측 부재(63)를 나사 부재(741)에 의해, 그 외주면측으로부터 제 1 전극체(31)의 측주면을 향해 체결하는 것에 의해, 위치결정 부재(7)가 내측 부재(63)와 제 1 전극체(31) 사이에 압접(壓接)된 상태에서 장착된다. 내측 부재(63)를 제 1 전극체(31)에 고정함으로써 위치결정 부재(7)가 제 1 전극체(31)에 가압되지만, 위치결정 부재(7)를 나사 부재(74)에 의해 제 1 전극체(31)에 가압되는 것에 의해서, 보다 확실히 위치결정 부재(7)가 제 1 전극체(31)에 위치결정된 상태에서 결합된다.
나사 부재(74)는 예를 들면 내측 부재(63) 내에 들어가도록 마련되고, 예를 들면 나사 부재(74)에 의해 내측 부재(63)를 체결한 후, 외측 부재(64) 및 외측 링 부재(65)가 장착된다. 이렇게 해서, 위치결정 부재(7)는 제 1 전극체(31)에 의해 그 내단측의 높이 방향 및 횡방향(수평 방향)의 위치가 각각 규제된다. 또한 도 1에서는 나사 부재(74)는 생략하고 있다.
한편 링 부재(5)의 이면에는, 위치결정 부재(7)의 돌기부(72, 73)에 대응하는 위치에 이들 돌기부(72, 73)가 감합하는 오목부(55, 56)가 형성되어 있다. 하나의 위치결정 부재(7)의 2개의 돌기부(72, 73)는, 제 1 전극체(31)의 각부를 사이에 두고, 서로 인접하는 2개의 띠형상 부분(51, 52), (52, 53), (53, 54), (54, 51)의 각 조를 각각 위치결정시키는 것이다. 이 때문에 각 띠형상 부분(51 내지 54)의 양단측에는 각각 오목부(55, 56)가 형성된다. 예를 들면 도 3을 참조하여 띠형상 부분(51)을 예로 하여 설명하면, 띠형상 부분(51)의 고정단(511)측의 오목부(55)는 돌기부(72)와 결합하고, 띠형상 부분(51)의 고정단(511)측의 높이 방향 및 횡방향의 위치를 규제하는 크기로 형성된다. 또한 도 3에서는 오목부(55)와 돌기부(72)를 중첩하여 그리고 있다.
한편, 띠형상 부분(51)의 자유단(512)측의 오목부(56)는, 띠형상 부분(51)의 길이 방향으로 긴 평면 형상을 갖고, 돌기부(73)와 결합하여, 띠형상 부분(51)의 자유단측의 높이 방향 및 길이 방향을 제외하는 방향의 위치를 규제하도록 형성된다. 띠형상 부분(51)이 열팽창했을 때에는, 고정단(511)측의 위치가 규제되어 있기 때문에, 자유단(512)측이 띠형상 부분(51)의 길이 방향으로 신장된다. 이 때문에 자유단(512)측의 오목부(56)는, 띠형상 부분(51)이 열에 의해 신장되었다고 해도 돌기부(73)가 오목부(56) 내로 들어가는 형상으로 설정되어 있다. 한편, 고정단(511)은 위치가 규제되기 때문에, 띠형상 부분(51)이 열팽창해도, 그 고정단(511)이 인접하는 띠형상 부분(54)의 자유단(542)의 측면을 가압하고, 링 부재(5)를 변형시킬 우려는 없다. 이와 같이 위치결정 부재(7)의 돌기부(72, 73)는 일방의 돌기부(72)가 띠형상 부분(51 내지 54)의 고정단(511 내지 541)측의 위치결정용, 타방의 돌기부(73)가 띠형상 부분(51 내지 54)의 자유단(512 내지 542)측의 위치결정용으로서 각각 기능한다.
이렇게 해서 탑재대 본체[제 1 전극체(31)]의 각 각부의 측부에 결합부를 이루는 오목부(61)를 형성하는 동시에, 이들 오목부(61)에 결합하도록 위치결정 부재(7)를 장착한다(도 10 참조). 그리고 도 11에 도시되는 바와 같이, 위치결정 부재(7)의 돌기부(72, 73)에 오목부(55, 56)를 감합하도록 링 부재(5)를 위치결정 부재(7) 상에 두는 것에 의해, 링 부재(5)가 위치결정된 상태로 탑재된다. 이에 의해 링 부재(5)는, 그 외단측이 외측 링 부재(65)에 탑재되어 높이 방향의 위치가 규제되고, 그 내단측이 위치결정 부재(7)를 거쳐서 제 1 전극체(31)에 의해 높이 방향의 위치 및 횡방향의 위치가 각각 규제된다.
플라즈마 처리 장치에는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 마련되어 있다. 이 제어부(100)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있고, 상기 프로그램에는 제어부(100)로부터 플라즈마 처리 장치의 각부로 제어 신호를 보내고, 후술의 각 스텝을 진행시키는 것에 의해 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리를 실시하도록 명령이 편입되어 있다. 이 프로그램은 컴퓨터 기억 매체, 예를 들면 플렉시블 디스크(flexible disk), 콤팩트 디스크, MO(광학 자기 디스크) 등의 도시되지 않은 기억부에 격납되어 제어부(100)에 인스톨된다.
상술의 플라즈마 처리 장치에서는, 먼저 게이트 밸브(25)를 열어서 진공 용기(2) 내로 도시되지 않은 반송 기구에 의해 기판(G)을 반입하여, 탑재대(3) 상에 수평으로 탑재한 후, 기판(G)을 탑재대(3)에 정전 흡착시킨다. 그 후 반송 기구를 진공 용기(2)로부터 퇴거시켜 게이트 밸브(25)를 닫고, 진공 배기 기구(23)에 의해 배기로(22)를 거쳐서 진공 배기하여 진공 용기(2) 내를 소정의 진공도로 유지한 후, 처리 가스인 에칭 가스를 공급한다. 한편 플라즈마 발생용의 고주파 및 이온 인입용의 고주파를 각각 제 1 전극체(31)에 인가하고, 기판(G)의 상방측의 공간에 형성된 플라즈마를 이용하고, 기판(G)에 대한 에칭 처리를 실행한다. 이에 의해 플라즈마 중의 이온이 바이어스용의 고주파에 의해 탑재대(3) 측으로 끌어당길 수 있으므로, 수직성이 높은 에칭 처리가 진행되고 있다. 또한 기판(G)의 주위에는 절연 부재로 이루어지는 링 부재(5)가 마련되어 있으므로, 플라즈마가 기판측으로 끌어당겨지고, 이렇게 해서 기판(G) 상에 플라즈마를 집중시켜서 에칭 속도가 향상된다.
상술의 실시형태에 의하면, 탑재대(3)의 제 1 전극체(31)를 둘러싸는 링 부재(5)를 마련할 때, 제 1 전극체(31)의 측부에 결합부인 오목부(61)를 형성하는 한편, 이 오목부(61)에 결합하도록 위치결정 부재(7)를 장착하여, 이 위치결정 부재(7) 위에 위치결정된 상태에서 링 부재(5)를 탑재하고 있다. 이 때문에 링 부재(5)의 상면에 나사 구멍 등을 마련하여 고정할 필요가 없고, 링 부재(5)의 상면은 상하 방향의 관통 부분이 없는 평탄면으로서 구성된다. 따라서 플라즈마 처리에 의해서 링 부재(5)의 상면에 막이 퇴적해도, 링 부재(5)의 상면에 간극이나 단차부 등이 존재하는 경우에 비해, 퇴적한 막이 박리되기 어렵고, 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한 링 부재(5)의 상면으로부터 나사 고정하는 경우와 같이, 플라즈마의 이상 방전으로 이어지는 간극이 형성되지 않기 때문에, 이상 방전의 발생을 억제할 수 있다.
또한 제 1 전극체(31)에 결합하도록 마련된 위치결정 부재(7)에 의해 링 부재(5)는 위치결정되기 때문에, 링 부재(5)는 제 1 전극체(31)에 근거하여 위치결정되도록 되고, 링 부재(5)의 장착 위치의 정밀도가 높다. 게다가 또한 링 부재를 탑재대에 나사 고정하는 구성에 비해, 링 부재(5)의 박육화를 도모할 수 있어서 코스트 다운에 기여할 수 있다. 게다가 위치결정 부재(7)는, 열팽창율이 낮은 세라믹에 의해 형성되어 있으므로, 제 1 전극체(31)에 장착해도 열에 의해 변형되기 어렵고, 링 부재(5)의 위치 편차를 억제할 수 있다.
게다가 또한 위치결정 부재(7)는, 평면에서 보았을 때에 제 1 전극체(31)의 각 각부에 결합시켜서 장착되기 때문에, 제 1 전극체(31)가 열팽창에 의해서 신축을 반복했다고 해도, 위치결정 부재(7)의 장착 위치는 제 1 전극체(31)의 각 각부이기 때문에, 위치 편차가 일어나기 어렵다.
게다가 위치결정 부재(7)를 평면에서 볼 때 L자형으로 형성함으로써, 1개의 위치결정 부재(7)에 의해서, 링 부재(5)의 띠형상 부분(51 내지 54) 중, 인접하는 2개의 띠형상 부분(51 내지 54)을 위치결정할 수 있다. 이 때문에 각부를 거쳐서 서로 인접하는 2개의 띠형상 부분(51, 52), (52, 53), (53, 54), (54, 51) 끼리의 위치 편차가 발생하기 어렵다.
게다가 또한 평면에서 볼 때 L자형의 위치결정 부재(7)를 이용하여, 직교하는 2개의 띠형상 부분(51 내지 54)의 위치결정을 하고 있으므로, 띠형상 부분(51 내지 54)이 열팽창에 의해 길이 방향으로 신장되었다고 해도, 열변형 시에 발생하는 간극을 최소화할 수 있다.
게다가 측부 절연 부재(62)를 나사 부재(74)에 의해 외주면측으로부터 제 1 전극체(31)의 측주면을 향해 체결하고 있으므로, 측부 절연 부재(62)를 거쳐서 위치결정 부재(7)가 제 1 전극체(31)에 압접되어 위치가 규제되는 동시에, 플라즈마의 합선을 억제할 수 있다.
이상에 있어서, 본 실시형태의 탑재대(3)는 도 12에 도시되는 바와 같이, 제 1 전극체(31)와 제 2 전극체(32) 사이에 위치결정 부재(7)를 마련하도록 구성하여도 좋다. 이 예에서는, 탑재대 본체의 측부에 형성된 결합부를 이루는 오목부(67)는, 제 2 전극체(32)의 상면과 제 1 전극체(31)에 형성된 노치부에 의해 구성되어 있다. 그 외의 구성 및 효과는 도 1 내지 도 11에 도시되는 실시형태와 마찬가지이다.
계속해서 제 1 실시형태의 변형예로서, 탑재대 본체에 형성되는 결합부가 노치부인 경우에 대해 도 13 내지 도 15를 참조하여 설명한다. 도 13은 탑재대 본체[제 1 전극체(31)]의 각부(301) 근방에 있어서의 위치결정 부재(75)가 장착된 개소의 횡단면도, 도 14는 그 개략 평면도, 도 15는 도 13의 α-α'선을 따라서 절단한 종단면도이다. 이 예에서는, 제 1 전극체(31)의 각 각부(301 내지 304)는, 예를 들면 삼각 기둥 형상으로 절취하여 노치부(310)가 되어 있고, 이렇게 해서 절취된 삼각 기둥의 저면에 해당하는 영역이 평면에서 볼 때 삼각형상으로 노출하여 탑재 영역(311)을 형성하고 있다.
한편 위치결정 부재(75)는, 예를 들면 기부(76)의 내단에 탑재 영역(311)에 대응하는 형상의 결합 영역(761)을 구비하는 동시에, 탑재대 본체의 각부를 거쳐서 인접하는 2개의 띠형상 부분을 위치결정하도록, 2개의 띠형상 부분에 마련한 오목부(55, 56)에 대응하는 위치에 돌기부(77, 78)를 마련하여 구성되어 있다. 이 예의 위치결정 부재(75)는 각부를 따라서 형성된 기부(76)의 양단부에 돌기부(77, 78)를 구비하고 있기 때문에, 평면에서 볼 때 L자형 형상을 이루는 것으로 한다. 또한 위치결정 부재(75)의 기부(76)의 하면에는 평면에서 볼 때 L자형 형상의 수직인 족부(762)가 마련되어 있고, 이 족부(762)는 제 1 전극체(31)의 각부를 사이에 두고 인접하는 측부를 따라서 마련되어 있다.
이렇게 해서 결합부를 이루는 노치부(310)에 의해 형성된 탑재 영역(311)의 상면에 위치결정 부재(75)의 결합 영역(761)이 탑재되는 것에 의해, 위치결정 부재(75)가 탑재대 본체의 제 1 전극체(31)에 결합해서 장착된다. 또한 제 1 및 제 2 전극체(31, 32)의 바깥쪽에는, 이들 전극체(31, 32)를 둘러싸도록 측부 절연 부재(621)가 마련되어 있다. 측부 절연 부재(621)에는, 위치결정 부재(75)에 대응하는 위치에 절결부(622)가 형성되어 있는 동시에, 위치결정 부재(75)의 위치결정용의 나사 부재(79)의 개구부(623)와, 측부 절연 부재(621)의 고정용의 나사 부재(791)의 개구부(624)가 각각 형성되어 있다. 위치결정용의 나사 부재(79)는 예를 들면 절연 부재에 의해 구성되고, 위치결정 부재(75)의 양단부 근방에 각각 마련되어 있다. 고정용의 나사 부재(791)는 측부 절연 부재(621)의 둘레 방향 전체에 걸쳐서 서로 간격을 두고 형성되어 있다. 나사 부재(791)가 금속제인 경우에는 이상 방전을 억제하기 위해서, 개구부(624)에는 절연 부재에 의한 덮개(625)가 마련된다.
위치결정 부재(75)는 제 1 전극체(31)에 결합해서 장착된 후, 그 외단면에 접촉하는 나사 부재(79)에 의해 측부 절연 부재(621)측으로부터 제 1 전극체(31)를 향해서 압입된다. 그리고 나사 부재(791)에 의해 측부 절연 부재(621)를 그 외주면측으로부터 제 1 및 제 2 전극체(31, 32)의 측주면을 향해 체결하는 것에 의해, 위치결정 부재(75)가 제 1 및 제 2 전극체(31, 32)측으로 압접된다. 이에 의해 위치결정 부재(75)는 제 1 및 제 2 전극체(31, 32)에 의해 그 내단측의 높이 방향 및 횡방향(수평 방향)의 위치가 규제된다.
그 외의 구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이고, 동일한 구성 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략하지만, 탑재대 본체에 형성되는 결합부, 위치결정 부재의 형상 및 측부 절연 부재의 장착 구조 이외에 대해서는 제 1 실시형태와 마찬가지로 구성되어 있으므로, 제 1 실시형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(제 2 실시형태)
계속해서 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 도 16 내지 도 20을 참조하여 설명한다. 도 16은 제 2 실시형태의 탑재대(8)를 구비한 플라즈마 처리 장치의 종단면도, 도 17은 도 16의 D-D'선을 따라서 절단한 횡단면도, 도 18은 도 17의 E-E'선을 따라서 절단한 종단면도, 도 19는 도 17의 F-F'선을 따라서 절단한 종단면도이다.
본 실시형태의 탑재대(8)는 탑재대 본체의 외연부에 플랜지부(단부)를 구비한 것이다.
탑재대 본체는 제 1 전극체(81)와, 그 하방측의 제 2 전극체(82)로 이루어지고, 이들은 예를 들면 사각 기둥 형상으로 형성된다. 제 1 전극체(81)의 표면은 기판 탑재면(80)을 이루고 있고, 제 2 전극체(82)의 평면 형상은 기판 탑재면(80)의 평면 형상보다 한층 더 크게 형성되어 있다. 제 1 전극체(81)의 평면 형상은 기판 탑재면(80)의 하방측에, 제 2 전극체(82)의 평면 형상과 어울리는 크기로 확대하여 플랜지부(단부)(811)를 형성하고 있다.
이 경우에는 예를 들면 도 18 및 도 19에 도시되는 바와 같이, 그 내연부의 하면이 플랜지부(811) 상에 탑재되는 상태에서 링 부재(5)가 배치되지만, 이 경우에 있어서도, 링 부재(5)가 탑재대 본체에 있어서의 플랜지부(811)보다 상부측을 둘러싸도록 마련되어 있는 것으로부터, 「탑재대 본체를 둘러싸도록 마련되어 있다」라고 하는 의미에 포함된다.
이 예에서는, 탑재대 본체의 제 1 전극체(81)의 4개의 각부(801, 802, 803, 804)의 근방의 측부에, 결합부를 이루는 노치부(812)가 형성되어 있다. 도 20에 각부(801)를 예로 하여 도시되는 바와 같이, 각 각부(801 내지 804)의 근방 영역에는, 예를 들면 평면에서 볼 때 사각형상의 노치부(812)가 형성되고, 제 2 전극체(82)의 상면이 노출하여 탑재 영역(821)을 형성하고 있다.
한편, 도 18에 위치결정 부재(9)의 측면도, 도 20에 위치결정 부재(9)의 평면도를 각각 도시하는 바와 같이, 위치결정 부재(9)는 평면에서 볼 때 직사각형상으로 구성되고, 예를 들면 기대(基臺)(91)의 내단에 탑재 영역(821)에 대응하는 형상의 결합 영역(90)을 구비하는 동시에, 링 부재(5)를 위치결정하기 위한 돌기부(92)가 마련되어 있다. 그리고 노치부(812)에 의해 형성된 탑재 영역(821)의 상면에 위치결정 부재(9)의 결합 영역(90)이 탑재되는 것에 의해, 위치결정 부재(9)가 제 1 및 제 2 전극체(81, 82)로 이루어지는 탑재대 본체에 결합해서 장착되도록 구성되어 있다.
제 1 전극체(81) 및 제 2 전극체(82)의 주위에는, 이들 전극체(81, 82)의 측면을 덮도록, 내측 부재(831)와 그 외측 부재(832)로 이루어지는 측부 절연 부재(83)가 배치되는 동시에, 측부 절연 부재(83)의 주위에는, 측부 절연 부재(83)의 측면을 덮도록 외측 링 부재(65)가 마련되어 있다.
위치결정 부재(9)는 전극체의 노치부(812)에 결합시킨 후, 그 외단면에 접촉하는 예를 들면 절연 부재에 의해 구성된 나사 부재(94)에 의해서 측부 절연 부재(83)의 내측 부재(831)측으로부터 제 1 전극체(31)를 향해서 압입된다. 또한 도 17 및 도 19에 도시되는 바와 같이, 탑재대(8)의 각부 이외의 영역에 있어서는, 서로 간격을 두고 마련된 나사 부재(95)에 의해 측부 절연 부재(83)를 그 외주면측으로부터 제 1 및 제 2 전극체(81, 82)의 측주면을 향해 체결하고 있다. 또한 내측 부재(831)에는 위치결정 부재(9)의 노치부(833), 나사 부재(94)의 개구부(834) 및 나사 부재(95)의 개구부(835)가 각각 형성되어 있다. 나사 부재(95)가 금속제인 경우에는, 이상 방전을 억제하기 위해서, 개구부(835)에는 절연 부재에 의한 덮개(836)가 마련된다.
이렇게 해서 위치결정 부재(9)는 그 외단면에 접촉하는 나사 부재(94)에 의해 내측 부재(831)측으로부터 제 1 전극체(81)를 향해서 압입되고, 나사 부재(95)의 체결에 의해 측부 절연 부재(83)를 거쳐서 제 1 및 제 2 전극체(81, 82) 측에 압접된다. 이 예에 있어서도 외측 링 부재(65)의 표면에 링 부재(5)의 이면측 주연부가 탑재되고, 위치결정 부재(9)는 제 1 및 제 2 전극체(81, 82)에 의해 그 내단측의 높이 방향 및 횡방향(수평 방향)의 위치가 규제된다. 한편 링 부재(5)의 구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이고, 이 예에서는 하나의 위치결정 부재(9)의 돌기부(92)는, 하나의 띠형상 부분(51 내지 54)의 고정단(511 내지 541) 또는 자유단(512 내지 542)측 중 어느 일방의 위치결졍용으로서 기능한다.
이와 같이 탑재대 본체[제 1 전극체(81)]의 각부 근방에 결합부를 이루는 노치부(812)가 마련된다. 탑재대 본체의 각부는, 기술한 바와 같이 링 부재(5)의 띠형상 부분(띠형상 부분)이 교차하고 있는 영역(S)의 기판 탑재면(80)측의 교점이다.
이렇게 하여 제 1 전극체(81)의 각 각부의 측부에 결합부를 이루는 노치부(812)를 형성하는 동시에, 이들 노치부(812)에 결합하도록 위치결정 부재(9)를 마련한다. 그리고 도 18 및 도 19에 도시되는 바와 같이, 위치결정 부재(9)의 돌기부(92)에 오목부(55, 56)를 끼우도록 링 부재(5)를 위치결정 부재(9) 상에 두는 것에 의해, 링 부재(5)가 위치결정된 상태에서 탑재된다.
이 수법에 있어서도, 링 부재(5)는 그 외단측이 외측 링 부재(65)에 탑재되어서 높이 방향의 위치가 규제되고, 그 내단측이 위치결정 부재(9)를 거쳐서 제 1 전극체(81)에 의해 높이 방향의 위치 및 횡방향의 위치가 규제된다. 그 외의 구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이고, 동일한 구성 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략하지만, 탑재대 본체에 형성되는 결합부, 위치결정 부재의 형상 및 측부 절연 부재의 장착 구조 이외에 대해서는 제 1 실시형태와 마찬가지로 구성되어 있으므로, 제 1 실시형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
이상에 있어서, 플라즈마 처리 장치에서 실시되는 플라즈마 처리는 에칭 처리에 한정하지 않고, 성막 처리 등이어도 좋고, 이 경우는 탑재대에 바이어스 전력을 인가하기 위한 고주파 전원을 마련할 필요는 없다. 또한 링 부재는 4개의 띠형상 부분의 조합체로 하였지만, 일체로 구성되는 것이어도 좋고, 조합에 의해 구성하는 경우여도, 띠형상 부분은 2개, 또는 3개 또는 4개 이상이어도 좋다. 또한 링 부재와 위치결정 부재란, 링 부재의 하면으로부터 하방으로 돌출하는 돌출부가 있고, 이 돌출부가 위치결정 부재에 마련한 오목부에 감합하는 것에 의해 위치결정되는 구조여도 좋다.
게다가 탑재대 본체에 마련되는 결합부는, 탑재대 본체의 각부 또는 각부 근방 영역에 더하여, 각부 또는 각부 근방 영역 이외의 다른 영역에 마련하도록 하여도 좋다. 게다가 또한 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 평행 평판형으로 한정되지 않고, 예를 들면 ICP(Inductive Coupled Plasma) 등으로 불리는, 진공 용기에 감겨진 코일로부터 전계 및 자계를 처리 가스에게 주는 방법 등에 의해 플라즈마를 생성하는 장치를 플라즈마 처리 장치에도 적용할 수 있다. 또한 헬리콘파 플라즈마 등으로 불리는, 예를 들면 13.56㎒의 고주파와 자기 코일에 의해 인가된 자장과의 상호작용에 의해 헬리콘 플라즈마를 생성하는 장치나, 마그네트론 플라즈마 등으로 불리는 2매의 평행한 캐소드에 거의 평행을 이루도록 자계를 인가하는 것에 의해서 플라즈마를 생성하는 장치에도 적용할 수 있다. 따라서 탑재대 본체는 반드시 전극체로서 구성할 필요는 없다.
2 : 진공 용기 3, 8 : 탑재대
30, 80 : 기판 탑재면 31 : 제 1 전극체
32 : 제 2 전극체 4 : 상부 전극
5 : 링 부재 51 내지 54 : 띠형상 부분
55, 56 : 오목부 61 : 오목부
62 : 측부 절연 부재 7 : 위치결정 부재
72, 73 : 돌기부

Claims (8)

  1. 기판에 대해서 플라즈마 처리를 실행하기 위한 진공 용기 내에 상기 기판을 탑재하기 위해서 마련되는 탑재대에 있어서,
    상기 기판이 탑재되는 각기둥 형상의 금속제의 탑재대 본체와,
    상기 탑재대 본체의 측부에 형성된 결합부와,
    상기 결합부에 결합하여 상기 탑재대 본체에 장착된 위치결정 부재와,
    그 상면이 플라즈마 발생 공간에 면하여, 상기 탑재대 본체를 둘러싸도록 마련되는 동시에, 상기 위치결정 부재에 의해 위치결정된 상태에서 상기 위치결정 부재 위에 탑재되어 있는 절연재로 이루어지는 링 부재와,
    상기 링 부재의 하방측에서 상기 탑재대 본체를 둘러싸도록 마련된 측부 절연 부재를 구비하며,
    상기 링 부재에는 상하 방향의 관통 부분이 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 링 부재에는 그 하면에 미관통의 오목부가 형성되고,
    상기 미관통의 오목부와 상기 위치결정 부재의 상면의 볼록부가 결합되어 상기 링 부재가 위치결정되어 있는 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 탑재대 본체의 측부에 형성된 결합부는 노치부 또는 오목부인 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측부 절연 부재는 상기 위치결정 부재를 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체에 고정되고,
    상기 측부 절연 부재를 외주면측으로부터 나사 결합하여 관통하고, 그 선단부가 상기 위치결정 부재의 외측면에 접촉하는 나사 부재가 마련되고,
    상기 위치결정 부재는 상기 나사 부재를 체결하는 것에 의해 상기 탑재대 본체에 가압되는 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 링 부재는 평면적으로 보았을 때의 상기 탑재대 본체의 각변을 따라서 신장되는 띠형상 부분으로 분할되고,
    평면적으로 보았을 때의 상기 탑재대 본체의 각 각부에, 각부를 거쳐서 서로 인접하는 링 부재의 1개의 띠형상 부분 및 다른 띠형상 부분에 대해서 공통의 위치결정 부재가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 링 부재는 평면적으로 보았을 때의 상기 탑재대 본체의 각변을 따라서 신장되는 띠형상 부분으로 분할되고,
    평면적으로 보았을 때의 상기 탑재대 본체의 각 각부의 근방의 각변에 대응하는 부위에, 각 띠형상 부분마다 위치결정 부재가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치결정 부재는 세라믹에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    탑재대.
  8. 진공 용기 내에 마련되고, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 탑재대와,
    상기 진공 용기 내에 플라즈마화하기 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 진공 용기 내에 전계를 발생시켜서 상기 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 플라즈마 발생부를 구비한 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020177785A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 日本電産株式会社 プラズマ処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980021870U (ko) * 1996-10-24 1998-07-15 문정환 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리
KR20110056465A (ko) * 2008-06-19 2011-05-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포커스 링
JP2013046002A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Tokyo Electron Ltd リング状シールド部材、その構成部品及びリング状シールド部材を備えた基板載置台

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3279038B2 (ja) * 1994-01-31 2002-04-30 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
US6283130B1 (en) * 1995-05-30 2001-09-04 Anelva Corporation Plasma cleaning method and placement area protector used in the method
JPH11135442A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Canon Inc 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
JP4186536B2 (ja) * 2002-07-18 2008-11-26 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
JP4782733B2 (ja) * 2007-06-12 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 載置台およびそれを用いたプラズマ処理装置
JP5650935B2 (ja) * 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980021870U (ko) * 1996-10-24 1998-07-15 문정환 반도체 에칭장치의 페데스탈어셈블리
KR20110056465A (ko) * 2008-06-19 2011-05-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 포커스 링
JP2013046002A (ja) 2011-08-26 2013-03-04 Tokyo Electron Ltd リング状シールド部材、その構成部品及びリング状シールド部材を備えた基板載置台
KR20130023116A (ko) * 2011-08-26 2013-03-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 링 형상 실드 부재, 그 구성부품 및 링 형상 실드 부재를 구비한 기판 탑재대

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