TW201637120A - 載置台及電漿處理裝置 - Google Patents
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Abstract
提供一種在由絕緣材料所構成之環構件被配置於其周圍的載置台中,抑制微粒或異常放電的產生之技術。
設置於電漿處理裝置的載置台(3),係具備有:載置台本體,為角柱狀且金屬製;凹部(61),構成形成於載置台本體之側部的卡合部;及定位構件(7),卡合於凹部(61)並安裝於前述載置台本體。在定位構件(7)上,係設置有突起部(72、73),以在該突起部(72、73)嵌合形成於環構件(5)之下面之凹部(55、56)的方式,載置環構件(5)而設置。因此,環構件(5)上面,係構成為未設置有上下方向之貫穿孔的平坦面,且由於不會形成有成為微粒之產生原因的間隙,或像在從環構件的上面以螺紋來固定於載置台時那樣之可能導致異常放電的間隙,因此,可抑制微粒或異常放電的產生。
Description
本發明,係關於為了在用以進行電漿處理之真空容器內載置基板而設置的載置台及具備有該載置台的電漿處理裝置。
在FPD(Flat Panel Display)的製造工程中,係存在有對玻璃基板等施予蝕刻處理或成膜處理等之預定電漿處理的工程。作為進行該些工程的電漿處理裝置,在專利文獻1中,記載有一種構成,其係具備有:基座,在腔室內構成下部電極;及噴頭,構成上部電極。在該構成中,係藉由對基座施加高頻電力而生成電漿的方式,使從噴頭供給至腔室內的處理氣體電漿化,對基板實施電漿處理。
專利文獻1的基座,係形成為剖面凸狀,剖面凸狀體的上部平面形成為基板載置面,段差部表面構成為凸緣部。又,以包圍基板載置面的方式,在基板上設置有由用以使電漿高均勻地分布的被稱為聚焦環等之絕緣材料所構成的環構件,該環構件,係藉由螺紋固定於凸緣部
的上面。亦已知如下述之構成:在環構件,雖係形成有貫通於上下方向的開口部,螺紋部被插入於該開口部內且固定於凸緣部的上面,但金屬製之螺紋部是以不曝露於電漿的方式,設置從上方側覆蓋螺紋部的蓋體。
如此一來,在將蓋體設置於環構件之表面的構成中,係當因電漿處理導致膜沈積於蓋體與環構件的間隙時,有該沈積物比其他區域的沈積物易剝離,而成為微粒的產生原因之虞。又,由於蓋體曝露於電漿,因此,亦擔心電漿從蓋體與環構件的間隙進入,在螺紋部產生異常放電而成為製品不良的原因。
又,在專利文獻1中,亦記載有如下述之構成:一部分埋設於凸緣部而相對於基座不可移動地設置導引件,另一方面,在環構件設置與導引件餘隙配合的凹部即導引孔。然而,由於在該例子中,亦形成有開口部即緊固部,因此,無法解決本發明之課題。又,一般在基座的表面,係形成有熔射膜,在將導引件設置於凸緣部的表面時,係為了固定而必須設置螺孔等,由於該部位未設置有熔射膜,因此,亦擔心絕緣性下降。
[專利文獻1]日本特開2013-46002號公報:第0042~0045、0073、圖1、圖10等
本發明,係有鑑於像這樣之情事所進行研究者,其目的,係在於提供如下述之技術:可在使用於電漿處理,由絕緣材料所構成之環構件被配置於其周圍的載置台中,抑制微粒或異常放電的產生。又,本發明之其他目的,係在於提供一種具備有前述載置台的電漿處理裝置。
因此,本發明之載置台,係為了在用以對基板進行電漿處理之真空容器內載置前述基板而設置,該載置台,其特徵係,具備有:載置台本體,為角柱狀且金屬製,載置有基板;卡合部,形成於前述載置台本體的側部;定位構件,卡合於前述卡合部並安裝於前述載置台本體;環構件,設置為其上面面臨電漿產生空間,包圍前述載置台本體,並且在藉由前述定位構件所定位的狀態下,由載置於該定位構件上的絕緣材料所構成;及側部絕緣構件,在前述環構件的下方側,以包圍前述載置台本體的方式而設置,在前述環構件,係未形成有上下方向的貫通部分。
又,本發明之電漿處理裝置,其特徵係,具
備有:前述的載置台,設置於真空容器內;氣體供給部,對前述真空容器內供給用以電漿化的處理氣體;及電漿產生部,用以在真空容器內產生電場,使前述處理氣體電漿化。
根據本發明,在使用於電漿處理,由絕緣材料所構成之環構件被配置於其周圍的載置台中,在載置台本體的側部形成卡合部,以卡合於該卡合部的方式,安裝定位構件,並以在被定位於該定位構件上的狀態下進行載置的方式,設置環構件。因此,在環構件,係未形成有上下方向的貫通部分,其上面構成為平坦面。如此一來,由於不會形成有成為微粒之產生原因的間隙,或像在從環構件的上面以螺紋來固定於載置台時那樣之可能導致異常放電的間隙,因此,可抑制微粒或異常放電的產生。
2‧‧‧真空容器
3、8‧‧‧載置台
30、80‧‧‧基板載置面
31‧‧‧第1電極體
32‧‧‧第2電極體
4‧‧‧上部電極
5‧‧‧環構件
51~54‧‧‧帶狀部分
55、56‧‧‧凹部
61‧‧‧凹部
62‧‧‧側部絕緣構件
7‧‧‧定位構件
72、73‧‧‧突起部
[圖1]表示具備有本發明之第1實施形態之載置台之電漿處理裝置的縱剖面圖。
[圖2]表示設置於第1實施形態之載置台之環構件的平面圖。
[圖3]表示設置於第1實施形態之載置台之環構件的底視圖。
[圖4]表示第1實施形態之載置台的橫剖面圖。
[圖5]表示第1實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖6]表示第1實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖7]表示第1實施形態之定位構件的平面圖。
[圖8]表示第1實施形態之定位構件的側視圖。
[圖9]表示第1實施形態之載置台之一部分的橫剖面圖。
[圖10]表示第1實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖11]表示第1實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖12]表示第1實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖13]表示第1實施形態之變形例之載置台之一部分的橫剖面圖。
[圖14]表示第1實施形態之變形例之載置台之一部分的平面圖。
[圖15]表示第1實施形態之變形例之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖16]表示具備有本發明之第2實施形態之載置台
之電漿處理裝置的縱剖面圖。
[圖17]表示第2實施形態之載置台的橫剖面圖。
[圖18]表示第2實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖19]表示第2實施形態之載置台之一部分的縱剖面圖。
[圖20]表示第2實施形態之載置台之一部分的橫剖面圖。
參閱圖1~圖11,說明具備有本發明之載置台之電漿處理裝置之第1實施形態的構成例。該電漿處理裝置,係例如對液晶顯示裝置(LCD)製造用的玻璃基板G實施預定電漿處理者,具備有:真空容器2;載置台3,配設於該真空容器2內的底面中央;及上部電極4,以與該載置台3相對向的方向,設置於載置台3的上方。
真空容器2,係接地,又,在真空容器2之底面的排氣口21,係經由排氣路徑22而連接有真空排氣機構23。在該真空排氣機構23,係構成為連接有未圖示的壓力調整部,藉此,真空容器2內維持於所期望的真空度。在真空容器2的側面,係設置有藉由閘閥25來予以開關之基板用的搬送口24。
載置台3,係載置有例如每邊為數m之矩形狀的玻璃基板(以下,稱為「基板」)G者,具備有第1電極體31與設置於該第1電極體31之下方的第2電極體32,經由絕緣構件33而配設於真空容器2的底面。第1電極體31及第2電極體32,係由例如表面經耐酸鋁處理的鋁或不鏽鋼等所構成,在該例中,係藉由第1電極體31及第2電極體32,構成有載置基板G之金屬製的載置台本體。第1電極體31的表面,係構成基板載置面30,配合基板G,基板載置面30亦形成為矩形狀,例如第1電極體31及第2電極體32,係分別構成為平面形狀一致的四角柱狀。在第1電極體31,係例如分別經由匹配器351、352,連接有電漿生成用之高頻電源341及用以供給離子引入用之偏壓電力的高頻電源342。高頻電源341,係相當於用以在真空容器2內產生電場而使後述之處理氣體電漿化的電漿產生部者。
又,第1電極體31,係在上部設置有靜電夾具36的靜電夾具單元,不僅其上面,側周面亦會被陶瓷熔射膜覆蓋。靜電夾具36,係從高壓直流電源37經由未圖示的開關施加電壓,藉此,基板G便靜電吸附於載置台3上。另外,在圖4~圖6及圖9~圖11中,靜電夾具36,係省略圖示。而且,亦可構成為以在載置台3內建加熱器,或形成調溫媒體所通過之未圖示之調溫流路的方式,將基板G維持於設定溫度。再者,在載置台3,係藉由升降機構39可升降地插通有使用於基板G之收授的升
降銷38。
上部電極4,係形成為中空狀,在其下面,係例如均等地配置有用以將處理氣體分散供給至真空容器2內的多數個孔41,以構成氣體供給部。又,在上部電極4之上面中央,係設置有氣體供給路徑42,並且氣體供給路徑42,係在上游側,經由閥V1與質流控制器(MFC)43而連接於氣體供給源44。該些閥V1與質流控制器43,係構成為可藉由來自後述之控制部100的控制訊號來進行氣體流量及供給遮斷的控制。
在載置台3,係以包含第1電極體31之基板載置面30的方式,配置有由絕緣材料所構成的環構件(聚焦環)5。由於該環構件5,係配置為面臨電漿產生空間,因此,經由該環構件5,電漿便集中於載置台3上的基板G。例如載置有環構件5之環構件5的上面,係構成為與基板載置面30一致。
環構件5,係由絕緣材料例如氧化鋁等的絕緣性陶瓷所構成,如圖2及圖3所示,藉由組合例如長條體即帶狀部分51~54的方式,形成為平面視圖矩形型環形狀。圖2,係環構件5的平面圖;圖3,係其底視圖。
如圖2所示,該例之環構件5,係組合沿著矩形之基板載置面30的各邊中之相互對向之2個短邊而分別配置之平面視圖長方形狀的帶狀部分51、53,與沿著基板載置面30的各邊中之相互對向之2個長邊而分別配置之平面視圖長方形狀之帶狀的帶狀部分52、54而構
成。將各帶狀部分51~54的兩端部中之長邊方向上的一端側設成為固定端511、521、531、541,將另一端側設成為自由端512、522、532、542。而且,各帶狀部分51~54,係配置為如圖2及圖3所示,在帶狀部分51~54之固定端511~541的各端面抵接於鄰接之其他帶狀部分51~54之自由端512~542之側面的狀態下,其相互鄰接的帶狀部分正交。
接著,參閱圖4~圖11,說明環構件5的安裝構造。圖4,係沿著圖1之A-A’線切斷的橫剖面圖;圖5,係沿著圖4之B-B’線切斷的縱剖面圖;圖6,係沿著圖4之C-C’線切斷的縱剖面圖。
在載置台本體的角部,該例中為第1電極體31之4個角部301、302、303、304的各側部,係如圖4及圖5所示,形成有構成卡合部的凹部61,並且以卡合於該凹部61的方式,安裝有定位構件7。該定位構件7,係在環構件5被定位於其上的狀態下而載置者。在該例中,由於在第1電極體31的外周圍設置有環構件5,因此,如圖2及圖4所示,載置台本體的角部,係帶狀部分51~54交叉之區域S之基板載置面30側的交點。
如圖4所示,定位構件7,係以與第1電極體31之4個凹部61相對應的方式,配置於第1電極體31的4個角部301、302、303、304。該定位構件7,係構成為具備有:基部71,由絕緣材料例如陶瓷所構成,卡合於第1電極體31的凹部61;及突起部72、73,從基部
71向上方突出。該例之定位構件7,係設置用來定位環構件5的帶狀部分51~54內,經由第1電極體31之角部而相互鄰接之2個帶狀部分(51,52)、(52,53)、(53,54)、(54,51)的4組。因此,分別如圖7之平面圖及圖8之側視圖所示,基部71,係例如形成為平面視圖L字型,並且具備有一方之帶狀部分用的突起部72與另一方之帶狀部分用的突起部73。
與該定位構件7之形狀相對應而形成於該例中之第1電極體31的凹部61,係例如在圖9中以角部301為例所示,橫跨基板載置面30中之相互鄰接的兩邊而形成,其平面形狀形成略L字型。又,將基部71中之與凹部61卡合的區域稱為卡合區域70時,凹部61的高度(上下方向的大小),係構成為與基部71之卡合區域70的厚度一致地形成,在使定位構件7卡合於凹部61時,例如基部71之內端面711會抵接於構成凹部61之底部的面611(參閱圖10)。突起部72、73,係例如分別設置於平面視圖L字型之基部71的兩端部附近且卡合區域70的外側。
在第1電極體31及第2電極體32的周圍,係在環構件5的下方側,以覆蓋該些第1電極體31及第2電極體32之側面的方式,配置有側部絕緣構件62。該側部絕緣構件62,係藉由例如氧化鋁等之絕緣性的陶瓷或聚四氟乙烯等之絕緣性的樹脂,形成為平面視圖矩形型環形狀。該例中之側部絕緣構件62,係如圖5及圖6所
示,縱剖面形狀分別設置為略L字型,並且將分別設置為平面視圖矩形型環形狀的內側構件63與外側構件64加以組合而構成。
而且,在側部絕緣構件62的周圍,係配置有覆蓋側部絕緣構件62之側面並位於載置台之側部的最外側的外側環構件65。該外側環構件65,係藉由例如與環構件5相同的材質,形成為平面視圖矩形型環形狀,在該外側環構件65的表面載置有環構件5的背面側周緣部。
定位構件7,係如圖9及圖10所示,在使基部71卡合於第1電極體31的凹部61後,藉由將例如內側構件63從外周面側加以螺合而貫通,緊固其前端部抵接於定位構件7之外側面的定位用之螺紋構件74的方式,朝向第1電極體31推壓。該螺紋構件74,係例如藉由絕緣構件所構成,分別設置於定位構件7的兩端部附近,在內側構件63中,係在與定位構件7相對應的位置形成有缺口部631,並且形成有螺紋構件74用之開口部632。另一方面,如圖4及圖6所示,在未設置有定位構件7的區域,係藉由相互隔著間隔而設置的多數個螺紋構件741,內側構件63被固定於第1電極體31。圖6中633,係螺紋構件741用之開口部。螺紋構件741為金屬製的情況下,係為了抑制異常放電,而在開口部633設置有由絕緣構件所構成的蓋體634。
而且,藉由螺紋構件741來將側部絕緣構件62之內側構件63從其外周面側朝向第1電極體31的側
周面緊固,藉此,定位構件7便在被壓接於內側構件63與第1電極體31之間的狀態下予以安裝。藉由將內側構件63固定於第1電極體31的方式,定位構件7雖被推壓至第1電極體31,但藉由以螺紋構件74來將定位構件7推壓至第1電極體31的方式,定位構件7會更確實地在被定位於第1電極體31的狀態下予以卡合。
螺紋構件74,係例如設置為收納於內側構件63內,在例如藉由螺紋構件74來緊固內側構件63後,安裝外側構件64及外側環構件65。像這樣,定位構件7,係藉由第1電極體31來分別限制其內端側之高度方向及橫方向(水平方向)的位置。另外,在圖1中,係省略螺紋構件74。
另一方面,在環構件5的背面,係在與定位構件7之突起部72、73相對應的位置形成有該些突起部72、73所嵌合的凹部55、56。一個定位構件7的2個突起部72、73,係分別將夾著第1電極體31之角部而相互鄰接之2個帶狀部分(51,52)、(52,53)、(53,54)、(54,51)的各組加以定位者。因此,在各帶狀部分51~54的兩端側,係分別形成有凹部55、56。當例如參閱圖3,以帶狀部分51為例而加以說明時,帶狀部分51之固定端511側的凹部55,係形成為與突起部72卡合而限制帶狀部分51之固定端511側之高度方向及橫方向之位置的大小。另外,在圖3中,係重疊描繪凹部55與突起部72。
另一方面,帶狀部分51之自由端512側的凹部56,係形成為在帶狀部分51的長邊方向具有長平面形狀,與突起部73卡合而限制除了帶狀部分51之自由端側之高度方向及長邊方向以外之方向的位置。在帶狀部分51熱膨脹後時,係由於固定端511側的位置被限制,因此,自由端512側會延伸於帶狀部分51的長邊方向。因此,自由端512側的凹部56,係即便帶狀部分51因熱而延伸,亦設定為突起部73收納於凹部56內的形狀。另一方面,固定端511,係由於位置被限制,因此,即便帶狀部分51熱膨脹,亦沒有按壓其固定端511所鄰接之帶狀部分54之自由端542的側面而使環構件5變形之虞。如此一來,定位構件7的突起部72、73,係一方的突起部72具有帶狀部分51~54之固定端511~541側之定位用的功能,另一方的突起部73具有帶狀部分51~54之自由端512~542側之定位用的功能。
像這樣,在載置台本體(第1電極體31)之各角部的側部形成構成卡合部的凹部61,並且以卡合於該些凹部61的方式,安裝定位構件7(參閱圖10)。而且,如圖11所示,以將凹部55、56嵌合於定位構件7之突起部72、73的方式,將環構件5載置於定位構件7上,藉此,環構件5在被定位的狀態下而予以載置。藉此,環構件5,係其外端側被載置於外側環構件65而限制高度方向的位置,其內端側經由定位構件7而藉由第1電極體31分別限制高度方向的位置及橫方向的位置。
在電漿處理裝置,係設置有由例如電腦所構成的控制部100。該控制部100,係具備有程式、記憶體、由CPU所構成的資料處理部等,在前述程式,係編入有命令,以藉由從控制部100對電漿處理裝置之各部發送控制訊號並進行後述之各步驟的方式,對基板G施予電漿處理。該程式,係儲存於電腦記憶媒體例如軟碟片、光碟、MO(光磁碟)等之未圖示的記憶部,並被安裝於控制部100。
在上述的電漿處理裝置中,係首先在將閘閥25開啟,藉由未圖示之搬送機構來將基板G搬入至真空容器2內,並水平地載置於載置台3上後,使基板G靜電吸附於載置台3。其後,在使搬送機構從真空容器2退去,將閘閥25關閉,藉由真空排氣機構23而經由排氣路徑22進行真空排氣,使真空容器2內維持於預定真空度後,供給處理氣體即蝕刻氣體。另一方面,將電漿產生用之高頻及離子引入用之高頻分別施加至第1電極體31,利用形成於基板G之上方側之空間的電漿,對基板G執行蝕刻處理。藉此,由於電漿中的離子,係藉由偏壓用之高頻被吸引至載置台3側,因此,進行垂直性高的蝕刻處理。又,由於在基板G的周圍,係設置有由絕緣構件所構成的環構件5,因此,電漿會被吸引至基板側,像這樣使電漿集中於基板G上,從而提升蝕刻速度。
根據上述的實施形態,在設置包圍載置台3之第1電極體31的環構件5時,在第1電極體31之側部
形成卡合部即凹部61,另一方面,以卡合於該凹部61的方式,安裝定位構件7,且在被定位於該定位構件7上的狀態下載置環構件5。因此,不需要在環構件5的上面設置螺孔等而加以固定,環構件5的上面,係構成為沒有上下方向之貫通部分的平坦面。因此,藉由電漿處理,即便膜沈積於環構件5之上面,亦與在環構件5之上面存在有間隙或段差部等的情形相比,沈積的膜更難以剝離,可抑制微粒的產生。又,像從環構件5的上面用螺絲栓鎖那樣的情形所示,由於不會形成有可能導致電漿之異常放電的間隙,因此,可抑制異常放電的產生。
又,由於環構件5,係藉由以卡合於第1電極體31之方式而設置的定位構件7予以定位,因此,環構件5,係根據第1電極體31予以定位,且環構件5之安裝位置的精度高。再者,與將環構件用螺絲栓鎖在載置台的構成相比,更可實現環構件5之薄型化,且可有助於降低成本。而且,由於定位構件7,係藉由熱膨脹係數低的陶瓷所形成,因此,即便安裝於第1電極體31,亦難以因熱而變形,且可抑制環構件5的位置偏移。
再者,由於定位構件7,係在以平面觀看時,安裝成卡合於第1電極體31的各角部,因此,即便第1電極體31因熱膨脹而重複伸縮,亦由於定位構件7的安裝位置為第1電極體31的各角部,因此,不易引起位置偏移。
而且,藉由將定位構件7形成為平面視圖L字型的方
式,可藉由1個定位構件7來定位環構件5之帶狀部分51~54內鄰接的2個帶狀部分51~54。因此,不易產生經由角部而相互鄰接之2個帶狀部分(51,52)、(52、53)、(53、54)、(54、51)彼此的位置偏移。
再者,由於是使用平面視圖L字型的定位構件7來進行正交之2個帶狀部分51~54的定位,因此,即便帶狀部分51~54因熱膨脹而延伸於長邊方向,亦可使熱變形時所產生的間隙最小化。
而且,由於是藉由螺紋構件74,將側部絕緣構件62從外周面側朝向第1電極體31之側周面緊固,因此,經由側部絕緣構件62,定位構件7被壓接於第1電極體31從而限制位置,並且抑制電漿的短路。
在上述中,本實施形態的載置台3,係如圖12所示,亦可構成為在第1電極體31與第2電極體32之間設置定位構件7。在該例中,構成形成於載置台本體之側部之卡合部的凹部67,係藉由形成於第2電極體32之上面與第1電極體31的缺口部所構成。其他構成及效果,係與圖1~圖11所示的實施形態相同。
接著,作為第1實施形態之變形例,參閱圖13~圖15,說明形成於載置台本體之卡合部為缺口部的情況。圖13,係在載置台本體(第1電極體31)的角部301附近安裝有定位構件75之部位的橫剖面圖;圖14,係其概略平面圖;圖15,係沿著圖13之α-α’線切斷的縱剖面圖。在該例中,第1電極體31的各角部301~304,
係切取成例如三角柱狀而形成為缺口部310,相當於像這樣所切取之三角柱之底面的區域,係露出成平面視圖三角形狀而形成載置區域311。
另一方面,定位構件75,係構成為例如在基部76的內端具備有與載置區域311相對應之形狀的卡合區域761,並且以將經由載置台本體之角部而鄰接之2個帶狀部分加以定位的方式,在與設置於2個帶狀部分之凹部55、56相對應的位置設置突起部77、78。由於該例的定位構件75,係在沿著角部所形成之基部76的兩端部具備有突起部77、78,因此,呈平面視圖L字型形狀。又,在定位構件75之基部76的下面,係設置有平面視圖L字型狀之垂直的足部762,該足部762,係沿著夾著第1電極體31之角部而鄰接的側部予以設置。
藉由在像這樣以構成卡合部之缺口部310所形成之載置區域311的上面載置有定位構件75之卡合區域761的方式,定位構件75被安裝成卡合於載置台本體的第1電極體31。又,在第1及第2電極體31、32的外方,係以包圍該些電極體31、32的方式,設置有側部絕緣構件621。在側部絕緣構件621中,係在與定位構件75相對應的位置形成有缺口部622,並且分別形成有定位構件75之定位用之螺紋構件79的開口部623與側部絕緣構件621之固定用之螺紋構件791的開口部624。定位用之螺紋構件79,係藉由例如絕緣構件所構成,分別設置於定位構件75的兩端部附近。固定用之螺紋構件791,係
跨過側部絕緣構件621的周方向全體而相互隔著間隔予以形成。螺紋構件791為金屬製的情況下,係為了抑制異常放電,而在開口部624設置有由絕緣構件所構成的蓋體625。
定位構件75,係在安裝成卡合於第1電極體31後,藉由抵接於其外端面的螺紋構件79,從側部絕緣構件621側朝向第1電極體31推入。而且,藉由螺紋構件791來將側部絕緣構件621從其外周面側朝向第1及第2電極體31、32的側周面加以緊固,藉此,定位構件75會被壓接於第1及第2電極體31、32。藉此,定位構件75,係藉由第1及第2電極體31、32,限制其內端側之高度方向及橫方向(水平方向)的位置。
其他構成,係與第1實施形態相同,相同的構成構件,雖係賦與相同符號並省略說明,但由於除了形成於載置台本體的卡合部、定位構件的形狀及側部絕緣構件的安裝構造以外,係構成為與第1實施形態相同,因此,可獲得與第1實施形態相同的效果。
接著,參閱圖16~圖20,說明本發明之第2實施形態。圖16,係具備有第2實施形態之載置台8之電漿處理裝置的縱剖面圖;圖17,係沿著圖16之D-D’線切斷的橫剖面圖;圖18,係沿著圖17之E-E’線切斷的縱剖面圖;圖19,係沿著圖17之F-F’線切斷的縱剖面圖。
該實施形態的載置台8,係在載置台本體的外緣部具備有凸緣部(段部)者。
載置台本體,係由第1電極體81與其下方側的第2電極體82所構成,該些,係形成為例如四角柱狀。第1電極體81的表面,係構成基板載置面80,第2電極體82的平面形狀,係形成為較基板載置面80的平面形狀要大上一圈。第1電極體81的平面形狀,係在基板載置面80的下方側,擴大至與第2電極體82之平面形狀一致的大小,而形成凸緣部(段部)811。
在該情況下,係例如如圖18及圖19所示,雖在其內緣部之下面被載置於凸緣部811上的狀態下配置有環構件5,但在該情況下,亦由於環構件5被設置為包圍比載置台本體中之凸緣部811更上部側,因此,也包含於「設置為包圍載置台本體」這樣的意思。
在該例中,係在載置台本體之第1電極體81之4個角部801、802、803、804附近的側部,形成有構成卡合部的缺口部812。在圖20中,以角部801為例所示,在各角部801~804的附近區域,係例如形成有平面視圖四角形狀的缺口部812,且第2電極體82的上面會露出而形成載置區域821。
另一方面,在圖18中表示定位構件9的側視圖,在圖20中表示定位構件9的平面圖,定位構件9,係構成為平面視圖長方形狀,例如在基台91的內端具備有與載置區域821相對應之形狀的卡合區域90,並且設置有用
以將環構件5加以定位的突起部92。而且,在藉由缺口部812所形成之載置區域821的上面載置有定位構件9的卡合區域90,藉此,構成為安裝成定位構件9卡合於由第1及第2電極體81、82所構成的載置台本體。
在第1電極體81及第2電極體82的周圍,係以覆蓋該些電極體81、82之側面的方式,配置有由內側構件831與其外側構件832所構成的側部絕緣構件83,並且在側部絕緣構件83的周圍,係以覆蓋側部絕緣構件83之側面的方式,設置有外側環構件65。
定位構件9,係在卡合於電極體之缺口部812後,藉由以抵接於其外端面之例如絕緣構件所構成的螺紋構件94,從側部絕緣構件83之內側構件831側朝向第1電極體31推入。又,如圖17及圖19所示,在除了載置台8之角部以外的區域,係藉由相互隔著間隔而設置的螺紋構件95,將側部絕緣構件83從其外周面側朝向第1、第2電極體81、82的側周面加以緊固。另外,在內側構件831,係分別形成有定位構件9的缺口部833、螺紋構件94的開口部834及螺紋構件95的開口部835。螺紋構件95為金屬製的情況下,係為了抑制異常放電,而在開口部835設置有由絕緣構件所構成的蓋體836。
像這樣,定位構件9,係藉由抵接於其外端面的螺紋構件94,從內側構件831側朝向第1電極體81推入,且藉由螺紋構件95的緊固,經由側部絕緣構件83而被壓接於第1及第2電極體81、82側。在該例子中,亦
在外側環構件65的表面載置有環構件5的背面側周緣部,定位構件9,係藉由第1及第2電極體81、82,限制其內端側之高度方向及橫方向(水平方向)的位置。另一方面,環構件5的構成,係與第1實施形態相同,在該例中,一個定位構件9的突起部92,係具有一個帶狀部分51~54之固定端511~541或自由端512~542側的任一方之定位用的功能。
如此一來,在載置台本體(第1電極體81)的角部附近,設置有構成卡合部的缺口部812。載置台本體的角部,係如前述,為環構件5之帶狀部分(帶狀部分)交叉之區域S之基板載置面80側的交點。
像這樣,在第1電極體81之各角部的側部形成構成卡合部的缺口部812,並且以卡合於該些缺口部812的方式,設置定位構件9。而且,如圖18及圖19所示,以將凹部55、56嵌合於定位構件9之突起部92的方式,將環構件5載置於定位構件9上,藉此,環構件5在被定位的狀態下予以載置。
在該手法中,亦環構件5其外端側被載置於外側環構件65而限制高度方向的位置,其內端側經由定位構件9,藉由第1電極體81來限制高度方向的位置及橫方向的位置。其他構成,係與第1實施形態相同,相同的構成構件,雖係賦與相同符號並省略說明,但由於除了形成於載置台本體的卡合部、定位構件的形狀及側部絕緣構件的安裝構造以外,係構成為與第1實施形態相同,因
此,可獲得與第1實施形態相同的效果。
在上述中,由電漿處理裝置所實施的電漿處理,係不限於蝕刻處理,亦可為成膜處理等,在該情況下,係不需設置用以對載置台施加偏壓電力的高頻電源。又,環構件雖係設成為4個帶狀部分的組合體,但亦可為一體構成者,或即便為藉由組合來加以構成的情況下,帶狀部分,係亦可為2個或3個或4個以上。又,環構件與定位構件,係亦可為如下述之構造:具有從環構件之下面向下方突出的突出部,藉由該突出部嵌合於設置在定位構件之凹部的方式來予以定位。
而且,設置於載置台本體的卡合部,係除了載置台本體的角部或角部附近區域以外,亦可設置於除了角部或角部附近區域以外的其他區域。再者,本發明的電漿處理裝置,係不限於平行平板型,亦可將藉由被稱為例如ICP(Inductive Coupled Plasma)等之從捲繞於真空容器的線圈對處理氣體施加電場及磁場的方法等而生成電漿的裝置應用於電漿處理裝置。又,亦可應用於藉由被稱為螺旋波電漿等之例如13.56MHz的高頻與由電磁線圈所施加之磁場的相互作用來生成螺旋電漿的裝置,或藉由對被稱為磁控管電漿等之2片平行的陰極大致平行地施加磁場的方式來生成電漿的裝置。因此,載置台本體,係並不一定構成為電極體。
5‧‧‧環構件
7‧‧‧定位構件
31‧‧‧第1電極體
32‧‧‧第2電極體
33‧‧‧絕緣構件
52‧‧‧帶狀部分
61‧‧‧凹部
62‧‧‧側部絕緣構件
63‧‧‧內側構件
64‧‧‧外側構件
65‧‧‧外側環構件
71‧‧‧基部
72‧‧‧突起部
74‧‧‧螺紋構件
631‧‧‧缺口部
632‧‧‧開口部
Claims (8)
- 一種載置台,係為了在用以對基板進行電漿處理之真空容器內載置前述基板而設置,該載置台,其特徵係,具備有:載置台本體,為角柱狀且金屬製,載置有基板;卡合部,形成於前述載置台本體的側部;定位構件,卡合於前述卡合部並安裝於前述載置台本體;環構件,設置為其上面面臨電漿產生空間,包圍前述載置台本體,並且在藉由前述定位構件所定位的狀態下,由載置於該定位構件上的絕緣材料所構成;及側部絕緣構件,在前述環構件的下方側,以包圍前述載置台本體的方式而設置,在前述環構件,係未形成有上下方向的貫通部分。
- 如申請專利範圍第1項之載置台,其中,在前述環構件中,係在其下面形成有未貫通的凹部,前述未貫通的凹部與前述定位構件之上面的凸部會卡合,而定位前述環構件。
- 如申請專利範圍第1或2項之載置台,其中,形成於前述載置台本體之側部的卡合部,係缺口部或凹部。
- 如申請專利範圍第1或2項之載置台,其中,前述側部絕緣構件,係在包圍了前述定位構件的狀態下被固定於前述載置台本體, 將前述側部絕緣構件從外周面側加以螺合而貫通,且設置有其前端部抵接於前述定位構件之外側面的螺紋構件,前述定位構件,係藉由將前述螺紋構件加以緊固的方式,被推壓至前述載置台本體。
- 如申請專利範圍第1或2項之載置台,其中,前述環構件,係分割成沿著以平面觀察時之前述載置台本體之各邊而延伸的帶狀部分,在以平面觀察時之前述載置台本體的各角部,對經由角部而相互鄰接之環構件的一帶狀部分及其他帶狀部分,設置有共用的定位構件。
- 如申請專利範圍第1或2項之載置台,其中,前述環構件,係分割成沿著以平面觀察時之前述載置台本體之各邊而延伸的帶狀部分,在與以平面觀察時之前述載置台本體的各角部附近之各邊相對應的部位,依各帶狀部分設置有定位構件。
- 如申請專利範圍第1或2項之載置台,其中,前述定位構件,係藉由陶瓷所構成。
- 一種電漿處理裝置,其特徵係,具備有:如申請專利範圍第1~6項中任一項的載置台,設置於真空容器內;氣體供給部,對前述真空容器內供給用以電漿化的處理氣體;及電漿產生部,用以在真空容器內產生電場,使前述處 理氣體電漿化。
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