KR0151864B1 - 액정 조광판 및 이를 포함하는 조명장치 - Google Patents

액정 조광판 및 이를 포함하는 조명장치

Info

Publication number
KR0151864B1
KR0151864B1 KR1019930702961A KR930702961A KR0151864B1 KR 0151864 B1 KR0151864 B1 KR 0151864B1 KR 1019930702961 A KR1019930702961 A KR 1019930702961A KR 930702961 A KR930702961 A KR 930702961A KR 0151864 B1 KR0151864 B1 KR 0151864B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
light
plate
electrode
light source
Prior art date
Application number
KR1019930702961A
Other languages
English (en)
Inventor
구니하루 다끼자와
히데오 후지까께
히로시 다찌까와
오사무 고바야시
요시아끼 다나까
마사노리 나까무라
다까미찌 가사하라
겐사꾸 다까다
모리히꼬 가쯔다
도루 가시와기
Original Assignee
구라우찌 노리따까
스미또모 덴끼 고교 가부시끼 가이샤
가와구찌 미끼오
니뽄 호소 교까이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP4015475A external-priority patent/JP3029725B2/ja
Priority claimed from JP14177992A external-priority patent/JP3174145B2/ja
Priority claimed from JP14178092A external-priority patent/JP3098857B2/ja
Application filed by 구라우찌 노리따까, 스미또모 덴끼 고교 가부시끼 가이샤, 가와구찌 미끼오, 니뽄 호소 교까이 filed Critical 구라우찌 노리따까
Application granted granted Critical
Publication of KR0151864B1 publication Critical patent/KR0151864B1/ko

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V14/00—Controlling the distribution of the light emitted by adjustment of elements
    • F21V14/003—Controlling the distribution of the light emitted by adjustment of elements by interposition of elements with electrically controlled variable light transmissivity, e.g. liquid crystal elements or electrochromic devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V11/00—Screens not covered by groups F21V1/00, F21V3/00, F21V7/00 or F21V9/00
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1334—Constructional arrangements; Manufacturing methods based on polymer dispersed liquid crystals, e.g. microencapsulated liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

조명장치는 광원(2)과, 상기 광원(2)으로부터의 광의 소망량을 산란시키기 위한 액정 조광판(4)과, 상기 액정 조광판(4)의 광산란율을 제어하기 위한 제어전원을 구비하고, 광원(2)으로부터의 광중에서 산란되지 않는 액정 조광판(4)을 투과한 광이 조명광으로서 이용된다.

Description

[발명의 명칭]
액정 조광판 및 이를 포함하는 조명장치
[발명의 상세한 설명]
[발명의 배경]
[발명의 분야]
본 발명은 액정 조광판을 포함하는 조명장치에 관한 것이며, 특히 조명광의 밝기를 광범위하면서도 연속적으로 조절하여 텔레비전 촬영용 조명, 영화 촬영용 조명, 사진 촬영용 조명, 연출용 조명 및 전시용 조명등에 사용할 수 있는 조명 장치에 관한 것이다.
[관련기술의 설명]
제1도에 밝기 조절이 가능한 종래 조명장치의 일예가 개략적으로 도시되어 있다. 이 조명 장치는 반사기(1)를 구비한 광원(2)으로 백열등이나 방전등이 사용된다. 광원(2)은 리드선(6)을 거쳐서 전원(3)에 접속되어 있다. 광원(2)으로서 백열등을 이용하는 경우, 광원(2)으로부터 나오는 조명광(13)의 밝기는 전원(3)에서 광원(2)으로 공급된 전압을 제어하는 것에 의해 조절된다.
즉, 제1도의 조명장치에 있어서 전원(3)은 SCR등의 전자 회로를 포함한다. 따라서, 조명 장치가 대형으로 되어 무거워지는 경향이 있고, 또한 장치에 있어서의 발열량이 크게 되는 문제가 있다. 게다가, 제1도의 조명 장치에 있어서는 밝기의 변화에 필요한 시간이 비교적 길다(응답 속도가 지연된다)라는 결점이 있다. 한편, 광원(2)으로서 캐논 램프와 같은 방전등을 이용하는 경우 전원(3)으로부터 공급된 전압은 방전 유지에 필요한 온 전압 이상의 전압 범위에서만 조절 가능하다. 즉, 방전등은 밝기를 조절할 수 있는 범위가 좁다. 또한, 최적의 방전유지 전압과 다른 전압이 방전등에 장시간 공급되는 경우에는, 방전등이 수명이 짧아진다. 게다가, 방전등을 일단 소등하면 다시 점등하는데 수초의 시간을 필요로한다.
제2도에는 밝기의 조절이 가능한 종래 조명 장치의 다른 예가 개략적으로 도시되어 있다. 제2도의 조명장치는 제1도와 유사하지만, 광감쇄판(20)을 포함하고 있다. 광원(2)으로부터 나오는 광(12)은 광감쇄판(2)을 통과한 후에 조명광(13)으로 된다. 즉, 제2도의 조명장치에서, 상이한 광흡수율을 갖는 복수의 광감쇄판(20)을 선택함으로써 조명광(13)의 밝기를 조절하였다.
제2도의 조명장치에서, 광감쇄판(20)의 광흡수에 따라 조명광(13)의 밝기가 조절되기 때문에 광감쇄판(20)이 가열되어 열화하기 쉽다. 따라서, 강력한 광원(20)을 사용할 수 없어, 밝은 조명광(13)을 얻기가 어렵다. 또한, 복수의 광감쇄판(20)을 선택함으로써 조명광(13)의 밝기를 연속적으로 또한 신속하게 조절할 수 없다.
제3도는 종래의 조명 장치의 또다른 일예를 개략적으로 도시한 것이다. 제3도의 조명 장치는 제1도의 조명 장치와 유사하지만, 복수의 차광 스트립(21)을 포함하는 블라인드를 구비하고 있다. 즉, 제3도의 조명 장치에 있어서, 차광 스트립(21)의 경사각을 변화시킴으로써 조명광(13)의 밝기가 조절된다.
제3도의 조명 장치에 있어서, 차광 스트립(21)의 경사각이 기계적으로 변화함으로써, 조명광(13)의 밝기를 신속하게 변화시키는 것이 곤란하게 된다. 또한 차광 스트립(21)의 그림자의 영향에 의해 조명될 영역상의 밝기가 불균일하게 되기 쉽다. 또한, 기계적 변화에 따른 소음이 발생한다.
[발명의 개요]
본 발명의 목적은 조명광의 밝기를 광범위에서 연속적으로 고속 조절하면서 내구성이 우수한 조명 장치를 제공하는 것이다. 또한, 밝기가 변해도 스펙트럼 분포가 일정한 조명장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 양상을 따른 조명장치는 광을 내보내는 광원(2)과, 광원(2)으로부터의 광의 소정량을 산란시키기 위한 액정 조광판과, 액정 조광판의 광산란율을 제어하기 위한 제어 전원을 구비하고, 광원으로부터의 광중에서 산란되지 않고 액정 조정판을 통과한 광이 조명광으로서 이용된다.
본 발명의 또 하나의 양상에 의한 액정 조광판은 2개의 투명 전극과, 투명 전극간에 끼워진 투명 수지층과, 수지층내에 분산되어 있는 네마틱 액정, 콜레스테릭 액정 및 스매틱 액정 중에서 적어도 하나의 액정을 포함하며, 수지층은 액정의 상광(常光) 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다.
본 발명의 또 다른 하나의 양상을 따른 액정 조광판은 2개의 투명 전극과, 투명 전극사이에 끼워지는 투명 지지층과, 지지층내에 분산되어 콜레스테릭상을 나타내는 액정재료를 구비하며, 콜레스테릭상을 나타내는 액정재료는 네마틱 액정에 카이랄 성분이 첨가된 카이랄 네마틱 액정이고, 카이랄 성분의 농도는 투명 전극간에 인가되는 제어전압이 변화하여도 단파장 영역내 광이 투과율이 장파장 영역내의 광투과율과 거의 같거나 또는 그보다 크도록 조정되어 있다.
본 발명의 또 다른 한 양상을 따른 액정 조광판의 구동방법은 액정 조광판의 광투과율을 제어하기 위해 투명전극으로 인가되는 제어 전압의 파형중에서, 제어 전압의 변화에 대한 액정의 이력 의존을 소실시키기 위하여 소정의 임계 전압보다 낮은 실효 전압 기간이 포함되어 있다.
본 발명의 또 다른 한 양상을 따른 조광판은 액정을 포함하는 복합층과, 복합층을 사이에 두고 제1과 제2의 투명 전극층을 구비하며, 제 1과 제 2의 투명 전극층의 각각은 1 이상의 전극 패턴을 포함하고, 구동 전압이 인가된 전극 패턴을 선택함으로써 복합층이 광투과 상태를 나타내는 영역과 광산란 상태를 나타내는 영역과의 면적비가 조절될 수 있다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 종래 조명장치의 일예를 나타낸 개략도.
제2도는 종래 조명장치의 다른 일예를 나타낸 개략도.
제3도는 종래 조명장치의 또 다른 일예를 나타낸 개략도.
제4도는 본 발명의 일실시예에 따른 조명장치를 나타낸 개략적인 단면도.
제5도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 조명장치를 나타낸 개략적인 단면도.
제6도는 액정을 포함하는 복합층의 확대 단면도.
제7도는 제4도에서 액정 조광판의 인가 전압이 낮을 경우의 동작을 설명하기 위한 도면.
제8도는 제4도에서 액정 조광판의 인가 전압이 충분히 높을 경우의 동작을 설명하기 위한 도면.
제9도는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 조명장치를 나타낸 개략적인 단면도.
제10도는 전압 진폭과 광투과율의 관계를 나타낸 도면.
제11도는 제9도의 실시예에서 액정 조광판의 광투과율과 파장의 관계를 나타낸 도면.
제12도 내지 제16도는 각각의 액정 재료의 화학식을 예시한 도면.
제17a도는 본 밥명의 액정 조광판의 구동방법에서 인가 전압의 일예를 나타낸 파형도이고, 제17b도는 또 하나의 예를 나타낸 파형도이다.
제18도는 예 2의 액정 조광판에서 인가 전압과 각 파장의 광투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제19도는 예 3의 액정 조광판에서 인가 전압과 각 파장의 광투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제20도는 예 4의 액정 조광판에서 인가 전압과 각 파장의 광투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제21도는 비교예 1의 액정 조광판에서 인가 전압과 각 파장의 광투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제22도는 예 2 내지 예 4 및 비교예 1의 액정 조광판에서 투과율과 투과광 색조와의 관계를 나타낸 그래프.
제23a도는 본 발명 액정 조광판의 구동 방법에서 인가 전압의 구체적인 예를 나타낸 파형도이고, 제23b도는 통상의 구형파이다.
제24도는 제23a도의 파형 인가 전압을 예 3의 액정 조광판에 인가한 경우에서의 인가 전압과 투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제25도는 제23a도의 파형 인가 전압을 예 3의 액정 조광판에 인가할 경우에서의 인가 전압과 투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제26도는 본 발명의 또 다른 하나의 실시예에 따른 액정 조광판을 나타낸 개략적인 단면도.
제27도는 제26도의 액정 조광판에서 하나의 투명 전극층을 나타낸 평면도.
제28도는 제26도의 액정 조광판에서 하나의 투명 전극층을 나타낸 평면도.
제29도는 제26도의 액정 조광판의 평면도.
제30도는 제26도의 액정 조광판에서 기능 유니트의 하나를 나타낸 평면도.
제31도는 기능 유니트를 구성하는 화소의 광학적 상태의 조합과 조합된 화소의 면적 비율을 설명하기 위한 평면도.
제32도는 예 5에 기술된 액정 조광판에서 투과영역의 면적비율과 광투과율과의 관계를 나타낸 그래프.
제33도는 예 5에 기술된 액정 조광판과 비교예 1의 액정 조광판에서 광투과율과 색 온도와의 관계를 나타낸 그래프.
제4도의 조명장치는 반사기(1)를 갖는 광원(2); 리드선(61)을 거쳐서 광원(2)에 접속된 광원용 전원(3); 액정 조광판(4); 리드선(61)을 거쳐서 액정 조광판(4)을 제어하기 위한 액정 조광판용 교류전원(5)을 포함한다. 액정 조광판(4)은 투명한 합성수지(7)내에 액정(8)의 소량이 분산되어 복합층(9)을 이루고 있다. 복합층(9)은 투명전극(11A)과 (11B)사이에 끼어있다. 투명전극(11A)과 (11B)는 각각 투명기판(10A)과 (10B)상에 형성되어 있고, 리드선(61)을 거쳐서 액정 조광판용 교루전원(5)에 접속되어 있다.
광원(2)에서 나와 액정 조광판(4)으로 입사한 광(12)은 복합층(9)에 의해 직진하는 조명광(13)과 산란광(14)으로 나뉘어진다. 조명광(13)과 평행한 방향 이외의 광을 보호하기 위해 광원(2)과 액정 조광판(4)은 실린더 모양의 커버(15)내에 넣어져도 좋다.
광원(2)으로는 텅스텐 램프, 할로겐 램프 등의 백열전구, 또는 가솔린 램프, 메탈 하이라이트 램프, 수은등, 나트륨 램프, 형광등 등의 방전등을 사용할 수 있다. 다만, 자외선은 복합층(9)을 열화시키고 적외선은 액정 조광판(4)을 가열할 수 있어 자외선과 적외선의 방사를 제어시킬 수 있는 구조를 갖는 광원(2)을 이용하는 것이 바람직하다. 그러나, 자외선과 적외선의 방사량이 많은 광원(2)에 관하여는 제4도에 도시된 바와같이 자외선과 자외선을 방사하는 유전체 다층막(16)이 부착된 투명기판(10c)을 광원(2)과 액정 조광판(4)과의 사이에 배치하여 자외선이나 적외선을 제거하는 것도 가능하다.
또한, 자외선이나 적외선을 제거하기 위하여는 자외선과 적외선만을 투과하는 유전체 다층막(60)이 부착된 투명기판(10c)을 제5도에 도시된 것처럼 배치시켜도 좋다. 그리고, 유전체막(60)은 광원(2)으로부터 나온 광에 포함된 가시광만을 액정 조광판(4)에 입사광으로써 반사한다. 이 경우 제5도에 도시되어 있는 것처럼 가열판을 실린더 모양의 커버(15)상에 설치하여 유전체 다층막(60)을 투과하는 자외선이나 적외선에서 생기는 열을 외부로 방출할 수 있다.
액정 조광판(4)을 제어하기 위한 액정 조광판용 교류전원(5)의 주파수는 플리카 방지를 위하여 TV 카메라나 필름 카메라의 프레임 주파수의 정수배 또는 그와 동등의 수치인 것이 바람직하다. 또한, 복수개의 액정 조광판(4)을 중첩하여 허용하는 것도 가능하다.
액정 조광판(4)에 포함되어 있는 복합층(9)은 액정재료와 수지재료를 혼합하여 균질의 혼합액으로 한 후에 광경화, 열경화, 또는 반응경화 등의 방법을 이용하여 수지 성분(7)만을 경화시켜 액정소량(8)을 섞거나 또는 응집시켜 얻을 수 있다.
또한, 액정 재료와 수지 재료를 공통의 용매로 용해한 후에 용매 성분만을 휘발시켜 복합층(9)을 얻는 것도 가능하다. 이들 방법으로 복합층(9)을 만들 때 액정(8)의 크기는 수지층(7)의 경화속도가 커짐에 따라 미세하게 된다. 여러가지 파장의 가시광을 만들뿐만 아니라 균일하게 산란시키기 위하여는 액정(8)의 크기가 0.5㎛ 이상일 것이 바람직하다. 그러나, 액정(8)의 크기가 크지 않으면 광의 산란량이 감소하기 때문에 실용적으로는 0.5∼10㎛의 크기가 적당하다.
또한, 수지(7)에 대한 액정(8)이 서로 연결되어 수지(7)가 스폰지상의 구조를 갖게 된다. 그러한 스폰지 구조를 포함하는 복합층(9)은 다공질의 수지층(7)에 액정(8)을 함몰시키는 것에 의해서도 얻을 수 있다. 복합층(9)은 자기 지지성을 갖기 때문에 그 두께의 제어가 용이하고, 대형 액정 조광판(4)을 만드는 것도 가능하다.
수지(7)가 연질의 경우에는 복합층(9)의 에지(edge)부분을 보다 확실하게 지지하기 위하여 투명전극(11A)과 (11B)의 사이에 복합층(9)의 에지부분을 포함하는 공간을 설정해도 좋다. 복합층(9)의 두께가 커지면 액정 조광판(4)을 제어하는데 필요한 최고 전압이 높아지기 때문에 복합층(9)의 두께는 약 30㎛ 이하인 것이 좋다. 그리고, 칼라 조명 장치를 얻고자 할 경우, 복합층(9)은 공지의 색성 색소를 포함하는 것도 좋다.
투명전극(11A)(11B)으로서 유리 또는 폴리에틸렌 텔레프탈레트(PET), 폴리에텔슐폰(PES)등의 플라스틱 필름으로 된 투명기판(10A)(10B)상에 증착법, 스퍼트링법 또는 도포법 등에 의해 형성된 ITo 나 SnO2 등으로 된 투명도전막을 이용할 수 있다. 또한, 통상의 액정 판넬로는 투명 도전유리나 투명 도전필름도 사용된다. 광 투과상태에서 복합층(p)의 고투광성을 얻기 위한 액정(8)의 광 굴절율(no)은 수지(7)의 굴절율(np)과 같은 값인 것이 바람직하다.
한편, 복합층(9)내에서의 광 산란현상은 액정(8)의 이상 광굴절율(ne)과 수지(7)의 굴절율(np)과의 차이에 기초하여 생기는 것이기 때문에 액정(8)의 굴절율 이방성 △n=ne- no는 가능한 한 큰 쪽이 좋다. 따라서, 액정(8)으로서는 굴절율 이방성(△n)이 큰 네마틱 액정, 콜레스테릭 액정, 스매틱 액정, 또는 이들의 혼합 액정을 이용할 수 있다. 응답속도의 관점에서는 시아노타 훼닐 또는 시아노비 훼닐 타입의 네마틱 액정이 좋다. 시아노타훼닐 또는 시아노비 훼닐 타입의 네마틱 액정(8)과 조합한 수지(7)로서는 약 1.52의 굴절율(np)을 갖는 투명한 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지 등이 좋다. 또한, 광원(2)에서 발생하는 열의 영향을 감안하여 액정(8)과 수지(8)는 100℃ 이상의 내열성을 갖는 것이 바람직하다.
여기서, 제7도와 제8도를 참고로 하여 제4도의 조명 장치의 동작을 더욱 상세히 설명한다. 제4도의 광원(2)에는 광원용 전원(3)으로부터 항상 최적의 전압이 공급된다. 광원(2)으로부터 방사된 무편광의 가시광(12;파장 380㎚∼780㎚)은 액정 조광판(4)에 의해 그 밝기가 조절된다. 그리고, 제7도에 도시된 바와같이 액정 조광판용 교류전원(5)의 전압 진폭이 '0' 또는 그보다 작을 경우 복합층(9)내의 액정(8)이 전압에 의해 구동되지 않기 때문에 액정분자의 배열 방향은 수지(7)와의 계면의 영향을 받아 불규칙하게 된다. 따라서, 액정(8)의 이상 광굴절률(ne)과 수지(7)의 굴절율(np)의 부정합에 의해 입사광(12)은 수지(7)와 액정(8)의 계면에서 산란되고, 액정 조광판(4)은 밝게 된다. 그러므로 입사광(12)의 대부분은 액정 조광판(4)에 의해 산란광(14)으로 되고 조명광(13)의 밝기는 최소로 된다.
한편, 제8도에 도시된 바와같이 충분히 큰 교류전압이 액정 조광판용 전원(5)으로부터 액정 조광판(4)에 공급될 경우 복합층(9)내의 액정(8)은 정(+)의 유전율 이방성 △ε=ε∥-ε⊥＞0(ε∥과 ε⊥는 각각 액정의 분자축에 평행과 수직 방향에서의 액정의 유전율을 표시한다.)을 갖기 때문에 대부분의 액정 분자는 전계 방향에 평행으로 나란하다. 이때, 액정(8)의 상광 굴절율(no)은 수지(7)의 굴절율(np)에 근사한 것이어서 입사광(12)의 대부분은 그대로 액정 조광판(4)을 투과하여 조명광으로 된다. 그리고, 액정 조광판(4)은 광 투과상태로 되어 조명광(13)의 밝기는 최대로 된다.
여기서, 액정(8)의 배향 변화는 인가 전압의 변화에 수반하여 연속적으로 일어나는 것이어서, 조명광(13)의 밝기는 액정 조광판용 전원(5)의 전압을 연속적으로 변화시키는 것에 의해, 연속적으로 변화되는 것이 가능하다. 또한, 액정(8)의 배향 변화는 신속하게 일어나기 때문에 액정 조광판(4)은 1∼30 미리초와 같은 짧은 응답시간을 필요로 하게 된다. 또, 제9도에 도시된 바와같이, 액정 조광판(4)에 의해 일어나는 산란광(14)만을 광학렌즈(17)와 (18)로 된 광학셀렉터에 의해 확실히 제거할 수 있다. 이경우 입사광(12)과 조명광(13)과의 밝기에 관하여는 100:1 이상의 높은 조광비를 얻을 수 있다.
실제로 예 1의 액정 조광판(4)에 있어서, 액정(8)으로서 시아노비 훼닐 타입의 혼합 네마틱 액정(상광 굴절율 no= 1.525, 이상 광굴절율 ne=1.754) 사용되고, 수지(7)로서 자외선 경화성의 우레탄 수지(굴절율 np= 1.524)가 사용된다. 이들 액정 재료와 수지 재료의 균질 혼합액(배합비 1:1)에 강도 10㎽/㎠의 자외선(파장 365㎚)을 조사하는 것에 의해 약 1∼3㎛의 액정(8)을 포함하는 복합층(9)을 얻게 된다. 투명 전극(11A)과 (11B)으로서는 각각 유리판(10A)및 (10B)상에 형성된 ITo가 이용된다. 이와 같이 형성된 액정 조광판(4)의 유효 면적 및 두께는 각각 10×10㎠ 과 10㎛이었다.
제10도의 그래프는 제9도의 조명장치에서 예 1의 액정 조광판(4)을 이용한 경우에 액정 조광판(4)의 광투과율과 인가 전압의 관계를 측정한 결과를 나타내고 있다. 그리고, 횡축은 실효전압(Vrms)을 나타내고, 종축은 광투과율(%)을 나타내고 있다. 최대 광 투과율은 80%이었다. 또한 예 1의 액정 조광판(4)의 응답시간은 수미리 초이었다.
전압을 인가하지 않은 경우와 인가 전압이 충분히 큰 경우의 액정 조광판(4)의 광투과율(%)과 입사광의 파장(㎚)과의 관계가 제11도에 도시되어 있다. 제11도에서 어떤 경우에 있어서도 가시광 전역에 걸쳐 거의 평탄한 광투과 특성이 얻어지고, 액정 조광판(4)에 충분히 큰 전압을 인가한 경우와 인가하지 않은 경우 조명광(13)의 스펙트럼 성분이 거의 변하지 않는 것을 알 수 있다.
이상의 실시예에 의한 조명 장치에 있어서는 광원(2)이 최적의 전압에서 구동되어 얻어지기 때문에 광원(2)의 수명이 길게 된다. 액정 조광판(4)은 광을 흡수하지 않아 과열되기 어려워 내구성이 뛰어나다. 강력한 광원(2)을 사용할 수 있어서 밝은 조명광(13)을 얻는 것이 가능하다. 액정 조광판(4)의 투과율은 제어하여 얻는 범위가 넓어서 조명광(13)의 밝기를 연속적으로 변화시킬 수 있다. 액정 조광판(4)의 투과율을 제어하여 얻는 범위가 넓어서 조명광(13)의 밝기를 넓은 범위에서 조절할 수 있다. 액정 조광판(4)은 액정의 배향 변화를 이용하는 것이므로 액정 조광판(4)의 응답시간은 1∼30 미리초 정도로 짧다. 광원(2)에는 최적의 일정한 전압이 공급되는 것이 좋기 때문에 경향이고 소형인 광원용 전원(3)이 사용된다. 복합층(9)은 균일하게 형성된 것이어서 균일한 밝기의 분포를 갖는 조명광(13)을 얻을 수 있다.
또한, 액정 조광판(4)은 얇으면서도 가벼워 그의 주변 형상을 자유로 변화시킬 수 있어 광원(2), 액정 조광판(4), 렌즈(17)(18)등을 하나의 실린더 모양의 커버(15)내에 설치할 수 있고, 가반성에 우수한 콤팩트한 조명장치를 얻을 수 있다.
이하에서, 본 발명의 또 다른 하나의 실시예에 의한 액정 조광판을 설명한다. 이미 서술된 실시예에 있어서, 전압이 인가되지 않은 불투명 상태의 액정 조광판(4)을 투과한 조명광(13)의 스펙트럼은 수지(7)내에 분산된 액정(8) 입자의 크기와 분포 및 수지(7) 재료와 액정(8) 재료의 광학적성질에 의해 제어될 수 있다. 그러나, 네마틱 액정을 사용한 액정 조광판(4)에 있어서는 전압을 인가한 상태에서 투과광(13)의 스펙트럼을 제어할 수 없다. 특히, 가시광 전역이 포화 투과율에 달하기 전의 중간적인 전압 범위에서 투과광(13)의 스펙트럼이 크게 변동한다. 그리고, 동일의 중간 전압에서 투과율이 파장에 의존하여 변화한다. 특히, 장파장측의 광 투과율이 단파장측의 광 투과율보다 크게 된다. 따라서, 투과광(13)의 스펙트럼이 장파장측에서 상대적으로 강하게 되고, 투과광(13)의 색조가 변화한다.
이 원인을 조사한 결과 다음과 같이 밝혀졌다.
네마틱상을 나타내는 액정 재료를 사용한 액정 조광판(4)에 전압을 인가하면, 액정 분자가 전계 방향에 배향하지만, 가시광 전역이 포화 투과율에 달하기 전의 중간 전압 범위에서는 전계강도가 충분하지 않기 때문에 액정(8)과 수지층(7)과의 계면 근방에 액정 분자의 영향이 유지된다.
따라서, 계면 근방의 영역에서 주로 단파장의 광이 산란되고, 그의 투과율이 장파장광의 투과율보다도 낮게 된다.
또한, 어떤 파장의 광이 산란되는 경우 액정분자의 배향의 불연속 상태(액정 분자의 배향이 산란되어져 영역의 넓이나 그 영역내에서의 액정 분자의 산란 상태)에도 의존하여 변화한다.
이 배향의 불연속 상태는 인가 전압과 계면작용의 역관계에 의존하고, 인가 전압의 변화에 응하여 각각의 파장의 광투과율이 다르게 변화하기 때문에 투과광(13)의 색조가 변화한다.
본 발명자들은 복합층(9)내에서 사용되는 액정(8)재료에 대하여 조사한 결과, 콜레스테릭상을 나타내는 액정재료를 사용하면, 계면작용에 의한 영향을 경감할 수 있는 것을 알게 되었다. 콜레스테릭상에 있어서는 전압이 인가되지 않을 때의 광 산란상태가 계면 작용뿐만 아니라 카이랄 피치에 의존하는 선택산란 효과, 선택반사 효과나 액정 분자의 배열 구조의 부정렬에 의한 흠결부위의 발생등에 의해서도 일어난다. 또한 각각의 현상에 의해 산란된 광 파장영역이 다를뿐만 아니라 각각의 현상에 의한 산란상태를 해소하기 위한 전계치도 다른 것으로 생각되어 진다. 따라서, 계면작용 이외의 선택산란 효과를 비롯한 여러가지 요인을 제어하는 것에 따라 계면작용에 의한 투과율 변동을 없애면 투과광(13)의 스펙트럼 분포를 자유로 설정할 수 있고, 인가 전압에 의존하여 투과광(13)의 색조를 변화하지 않고 액정 조광판(4)을 얻을 수 있다. 그리고 본 실시예에 의한 액정 조광판(4)에 있어서는 콜레스테릭상을 나타내는 액정(8) 재료가 사용되고, 가시광 전역이 포화 투과율에 달하기까지의 중간적인 인가 전압 범위에서, 단파장역의 광투과율이 장파장역의 광투과율과 같은 정도 또는 그보다 크도록 복합층(9)을 투과하는 광(13)의 스펙트럼의 인가 전압에 대한 의존성이 제어된다.
복합층(9)을 투과하는 광(13)의 스펙트럼 분포를 제어하기 위하여 액정재료(8)의 탄성율, 평균적 굴적율, 절율 이방성 등을 조정하거나, 수지(7)의 성질, 액정(8)의 분산 상태 및 복합층(9)의 두께 등을 조정할 수 있다. 특히, 콜레스테릭상을 나타내는 액정재료로서, 네마틱상을 나타내는 액정 재료에 카이랄 성분을 첨가한 카이랄 네마틱 액정을 사용할 수 있으며, 액정(8) 재료내에 카이랄 성분의 농도를 조정하여 액정 분자의 자선 배열을 변화시키는 방법이 좋다. 이 방법에 의하면, 간단히 카이랄 성분의 첨가량을 조정하여 복합층(9)을 투과하는 광(13)의 스펙트럼 성분을 제어하는 것이 가능하다. 상기에서 제6도에 나타난 스폰지상 구조를 갖는 복합층(9)은 투명 고분자 재료와 액정 재료를 적당한 용매로 용해 또는 분산시킨 혼합액을 한쪽의 투명전극(11A)상에 도포하고, 그 후에 용매를 증발시켜 고분자 재료(7)와 액정재료(8)을 분리시킴으로써 얻을 수 있다. 형성시킨 복합층(9)의 표면에는 다른 한쪽으로 투명전극(11B)이 형성된다.
한편, 수지층내에 액정입자를 분산시킨 구조를 갖는 복합층(9)은 현탁법 또는 중합 상분리법에 따라 형성된다.
현탁법에 있어서 폴리비닐 알콜등의 친수성 고분자 재료와 액정 재료를 혼합한 부상용액을 한쪽의 투명전극(11A)상에 도포하고 그후에 용액중의 수분을 증발시켜 고분자층(7)내에 액정 입자가 분산된 복합층(9)을 얻는다. 형성된 복합층(9)의 표면상에는 다른 한쪽으로 투명전극(11B)이 형성된다.
중합상분리법에 있어서, 플레폴리머, 액정재료 및 중합 개시제를 혼합한 용액을 2매의 투명전극(11A)(11B)사이에 주입하고, 자외선이나 열에 의한 중합반응 및 가교반응을 발생시켜 고분자 재료(7)중에 액정재료가 입상으로 분산된 복합층(9)이 형성되게 한다.
복합층(9)에 포함되는 액정재로서는 제12도중의 일반식(1)으로 표현된 콜레트테롤 화합물, 일반식(2)으로 표현된 콜레스타놀 화합물, 일반식(3)으로 표현된 시트스테롤 화합물등의 공지의 콜레스테릭 액정재료가 사용되는데, 네마틱상을 나타내는 공지의 액정재료로 카이랄 성분이 첨가된 혼합 액정이 많이 사용된다. 그리고, 일반식(1∼3) 중의 부호 Ro는 제12도중 식(R1∼R4) 어떤 것을 표현하는 네마틱상을 나타내는 액정재료로, 제13도의 일반식(4∼6)에서 표현된 아틸매칠 화합물, 일반식(7∼10)에서 표현된 에스테르 화합물, 제14도 중의(11∼13)에서 표현된 치르벤 화합물, 일반식(15)와 (16)에서 표현된 아족시 화합물, 제15도중의 일반식(17)으로 표현된 아조화합물등이 이용되고 있다. 제15도중의 일반식(18)과 (19)과 같은 필리미진 화합물, 일반식(20)과 같은 지옥산 화합물, 일반식(21)과 같은 트란 화합물, 일반식(22)과 같은 필리진 화합물도 사용가능하다.
그리고 식(4)부터 (22)중의 부호 R, R', R1∼R6, X, Y는 -CnHC2n+1, -OCnH2n+1, 할로겐 원자, -CN, -OCF3, -CF3등의 치환기이다. 상술한 액정재료에 첨가시킨 카이랄 성분으로는 제16도의 식(23∼27)에서 표현된 화합물인 공지의 카이랄성 분자뿐만 아니라 기 서술된 각종 콜레스테릭 액정재료를 사용할 수 있다. 그리고, 식(23∼27)중의 부호 C는 부정탄소원자를 나타낸다. 액정 재료중에서 카이랄 성분의 농도는 카이랄 성분의 종류, 네마틱상을 표현하는 액정재료의 종류, 복합층(9)의 고조, 액정 조광판(4)의 사용환경등의 조건에 따라 결정된다. 예를들어, 단파장역의 광투과율이 장파장역의 광투과율과 같은 정도이거나 그것보다 크도록 복합층(9)을 산란시켜 투과하는 광(13)의 스펙트럼의 인가 전압에 대한 의존성을 제어할 수 있는 범위내에서 카이랄 성분의 농도를 결정한다.
그리고, 액정재료는 큰 굴절률 이방성(△n)과 큰 유전율 이방성(△ε)을 갖는 것이 좋다. 또한, 수지(7)층을 형성하는 고분자 재료로서는 가시광에 대한 투명성이 높은 것이 좋으며, 예를들어 PMMA으로 대표되는 아크릴 타입의 고분자나 에폭시 수지, 우레탄 수지 등이 많이 사용된다. 그리고 수지(7)층 대신에 유리등의 투명한 다공질무기재료를 사용할 수 있다. 본 실시예에 의한 액정 조광판은 제10도에 도시된 바와같이 인가 전압과 광투과율과의 관계에서 히스테리시스를 나타내고, 인가 전압과 투과율이 1:1로 대응하지 않는다. 이것은 양 투명전극(11A)(11B) 사이에 전압을 인가하는 중에 복합층(9)의 액정분자에 이력의존이 생기고, 전압을 상승시킬 때와 저하시킬 때의 사이에 액정분자의 전압 응답성에 차이가 생기기 때문이다.
이 히스테리시스는 그 특성을 충분히 파악한 전압 제어조건을 설정하면, 액정 조광판(4)의 구동에 관하여 문제가 발생하지 않는다. 그러나, 인가 전압의 실효 전압치를 임계 전압보다 낮은 전압에서 유지한 기간중에 액정분자의 이력 의존이 없어지기 때문에 인가 전압과 투과율을 1:1로 대응시킬 수 있고, 복잡한 전압 제어 조건을 설정할 필요가 없어 액정 조광판(4)의 구동이 보다 간단해진다. 더욱 구체적으로는, 예를들어 제17a도에 도시된 바와 같이 인가 전압 파형중에 시간(t1) 동안만 전압이 0가 되게 하든가 또는 제17b도에 도시된 바와 같이 (t1) 동안만 임계 전압보다 낮은 실효 전압을 액정 조광판(9)의 투명전극(11A)(11B)사이에 인가할 전압을 0V로부터 서서히 상승시켰을 때 복합층(9)의 광투과율이 급격히 변화하기 시작하는 전압이다. 다만 이 임계 전압 이하에서 인가 전압 변화에 따라서도 복합층(9)의 투과율은 약간 변화하는데 예를 들어 충분히 높은 전압에서부터 인가 전압을 서서히 하강하였을 때 복합층(9)의 투과율이 10%로 되는 실효전압등을 임계전압으로 정의해도 좋다.
그리고 제17a도 및 b도의 (t1)이 지나치게 길면 복합층(9)의 투과율 저하가 플리카로 지각될 염려가 있고, 반대로 시간(t1)이 짧으면 액정 분자의 이력의존이 충분히 해소되어 히스테리시스 특성이 남게 될 염려가 있다. 따라서, 시간(t1)의 범위는 약 0.50미리초인 것이 좋다. 시간(t1)의 기간은 전압 파형중에 일정시간 간격으로 바꿔넣어도 좋다. 또한 제어 전압을 변화시킬 때 자동적으로 삽입되는 회로를 준비하여도 좋다.
이하에서, 본 실시예에 의한 구체적인 예를 설명한다. 네마틱 액정재료(메르크 쟌판사의 제품번호 E63)와 카이랄 성분(BDH사의 제품 번호 CB15)을 표 1에서와 같이 배합하여 혼합하는 것에 따라 카이랄 네마틱 액정 재료가 조합된다. 지크로로메탄을 용매로하여 용질 종도가 20%가 되도록 카이랄 네마틱 액정 재료의 75중량부와 아크릴 타입 고분자(제국화학사의 제품 번호 SG790DR)의 25 중량부를 용해함에 따라 혼합 용액이 제조된다.
이 혼합 용액은 유리 기판(10A)상에 형성된 투명 도전막(11A)상에 바코드법으로 도포되고 1기압에서 25℃의 공기 중에서 용매를 증발시킴에 따라 두께 18㎛의 복합층(9)이 형성된다. 유리기판(10B)상에 형성된 투명 도전막(11B)을 이 복합층(9)상에 증합시켜 약 1㎏ f/㎠의 압력으로 압축시켜 밀착시키는 것에 의해 액정 조광판(4)이 형성된다. 그리고 카이랄 성분이 포함되지 않은 비교예 1의 액정 조광판이 예 2-4와 같이 형성된다. 예 2-4 및 비교예(1)의 액정 조광판 각각의 투명전극(11A)(11B)사이에 200㎐의 구형자 전압을 인가하여 400㎚, 500㎚, 600㎚ 및 700㎚의 각 파장의 광투과율과 인가 전압과의 관계를 분광 광도계를 이용하여 측정한다. 이때, 인가 전압은 0V에서 2V까지 단계적으로 승압시킨다. 제18도 내지 제21도는 각각 2-4 및 비교예 1에 관한 측정결과를 나타내고 있다.
이들 각각의 도면에서 종축은 유리기판의 투과율을 100%로 규격화한 값을 나타내고, 횡축의 전압치는 구형파 전압의 전압 파고치를 나타낸다. 이들 도면에 나타난 측정 결과에서 단파장측의 광투과율이 상승하여 각 파장의 광에 대한 투과율의 전압 의존성이 근사하도록 액정재료중의 카이랄 성분의 농도를 적당히 조정하면 인가 전압의 변화에 의한 색조 변조를 대폭으로 억제할 수 있는 것을 알게 되었다.
상기 사실은 더욱 확실히 하기 위하여 제18도 내지 제21도에서 파장 40㎚의 광 투과율(t)과 파장 600㎚의 광 투과율(t)과의 비 t/t를 계산하여 이 비 t/t와 파장 500㎚의 광 투과율과의 관계를 구한다. 그 결과를 제22도에 나타내었다. 여기에서 t/t= 1 이면 상기 2 파장의 투과광의 색조 변화가 없는 것을 의미한다.
한편, t/t이 1 보다 큰 (파장 400㎚의 광 투과율이 큰) 정도이면 투과광에서 청색이 강해지고, t/t이 1 보다 작은 (결국 파장 600㎚의 광 투과율이 큰) 정도이면 투과광에서 적색이 강하게 되는 것을 의미한다. 그리고 카이랄 성분을 포함하지 않은 비교예 1은 투과광이 통상 적색이 되고 카이랄 성분을 약간 포함하는 예 2와 같은 결과를 나타내는 것을 알았다. 그리고, 예 3에 있어서는 투과광이 통상 백색을 나타내고, 예 (4)는 청색을 나타내는 것을 알았다.
다음에 예 3의 액정 조광판의 투명전극(11A)(11B)사이에 인가하는 전압을 0V에서 2V까지 단계적으로 승압시킬 때와, 2V에서 단계적으로 승압시킬 때에 있어서의 500㎚의 파장의 광 투과율 변화가 분광 광도계(도율 제작소 제품의 형번호 UV-160)로 측정된다. 제23도에 도시된 바와같이 도중에 t=20미리초의 시간만 전압 0의 성분을 포함하는 구형파(주파수 200㎐, t=80미리초) 전압을 인가시킬 때의 결과가 제24도에 도시되고, 제23b도에 도시된 간단한 구형파(주파수 200㎐)의 전압을 인가시킬 때의 결과가 제25도에 도시되어 있다. 그리고 제24도의 종축은 유리 기판의 투과율을 100%로 규격화한 값을 나타내고, 제25도의 종축은 유리기판의 투율을 포함한 값을 나타내고 있다. 한편, 제24도와 제25도에서 횡축은 제23a도와 제23b도에 나타난 구형파 전압의 전압 파고치(α)를 나타낸다.
제24도와 제25도에서 알 수 있듯이, 간단한 구형파의 전압을 인가할 경우에는 승압시와 강압시에 인가 전압과 투괴율과의 관계가 히스테리시스로 표현되는데, 제23a도에 나타난 파형의 전압을 인가한 경우에는 승압시와 하강시 사이에서 인가 전압과 투과율 1:1로 대응시킬 수 있다. 이상과 같이 본 실시예에 의한 액정 조광판에 있어서는 투과광의 스펙트럼 분포를 자유로 설정시켜 얻을 수 있을 뿐만 아니라 인가 전압을 변화시켜도 색조가 변하지 않는 조명광을 얻을 수 있다. 따라서, 본 실시예에 의한 액정 조광판에 있어서는 불투명한 상태와 투명한 상태의 사이에서 2단계로 전환하는 경우 뿐만 아니라 중간의 투명상태에 있어서도 자연색조의 투명광을 얻을 수 있고, 이 액정 조광판을 OA 기기나 AV 기기 등에도 이용하는 것을 기대할 수 있다.
또한, 이 액정 조광판을 이용한 조명장치는 스타디움이나 옥외 등에서 TV 또는 영화 촬영용 조명, 각종 일루미네이션, 옥내 조명, 투사형 텔레비젼 수상기, 영사기, 슬라이드 영사기 등에 걸쳐서 조광기능부의 조명장치로서 이용될 수 있다.
이하에서, 본 발명의 또다른 하나의 실시예에 의한 액정 조광판을 설명한다. 제26도에서 도시된 바와같이 이 실시예의 액정 조광판에 있어서는, 마주보는 투명기판(10A)(10B)의 내측 표면상에 각각 투명 전극층(40)(50)이 형성되어 있다. 이들 투명 전극층(40)(50) 사이에는 복합층(9)이 끼워져 있다. 복합층(9)은 투명 전극층(40)(50)에로의 전기적 입력의 유무에 의존하여 광 산란상태와 투명상태의 2단계 광학적 상태에서 절환되어진다. 제27도에 도시된 바와같이 투명기판(10A)상에 형성시킨 투명 전극층(40)은 복수개의 세로로 긴 구형상의 전극부분(41a)을 치상으로 접속한 제 2의 전극 패턴(42)을 포함한다. 이들 2개의 전극(41)(42)은 전극부분(41a)(42a)이 평행하게 마주보도록 배치되어 있다.
제 1 패턴(41)의 전극부분(41a)의 폭(X)은 제 2 패턴(42)의 전극부분(42a)의 폭(Y)의 2배로 되어 있다. 또한, 양 전극 패턴(41)(42)은 폭(Z)의 간격에 의해 서로 격리되어 전기적으로 절연되어 있다.
한편, 제28도에 도시된 바와같이 투명 기판(10B)상에 형성된 투명 전극층(50)은 복수개의 세로로 긴 구형상의 전극부분(51a)을 치상으로 접속한 제3의 전극 패턴(51)과, 복수개의 세로로 긴 구형상의 전극부분(52a)을 치상으로 접속한 제 4의 전극 패턴(52)을 포함한다. 이들 2개의 전극 패턴(51)(52)은 전극부분(51a)(52a)이 평행하게 마주보도록 배치되어 있다. 제 4 전극 패턴(52)의 전극부분을 (52a)은 제 2 전극 패턴(42)의 전극부분(42a)의 같은 폭(y)을 갖도록 형성되고, 제 3 전극 패턴(51)의 전극부분(51a)의 폭(w)는 제4전극 패턴(52)의 전극 부분(52a)의 폭(y)의 4배로 된다. 또한, 제 3과 제 4 전극 패턴(51)(52)은 폭(z)의 간격에 의해 서로 격리되어 전기적으로 절연되어 있다.
제29도에 도시된 바와같이 투명 전극층(40)(50)은 복합층(9)을 사이에 두고 전극부분(41a)(42a)의 그래프와 전극부분(51a)(52a)의 그래프가 서로 직교하도록 배치되어 있다. 그 결과 1조의 전극부분(41a)(42a)과 1조의 전극부분(51a)(52a)이 중합되어 2 점쇄선으로 나타낸 영역(G)이 하나의 기능 유니트를 구성하고 복수의 기능 유니트(G)가 매트릭스 상으로 배열되어진다.
제30도에 도시된 바와 같이 기능 유니트(G)는 4 종류의 화소(G1∼G4)를 포함한다. 제 1 화소(G1)는 전극부분(41a)(51a)이 겹쳐진 영역을 포함하고, 제 2 화소(G2)는 전극부분(42a)(51a)이 겹쳐진 영역을 포함하고, 제 3 화소(G3)는 전극부분(41a)(52a)이 겹쳐진 영역을 포함하고, 제 4 화소(G4)는 전극부분(42a)(52a)이 겹쳐진 영역을 포함한다. 화소(G1∼G4)가 차지하는 면적비는 8:4:2:1이다.
화소(G1∼G4)가 각각 독립적으로 광산란-투과의 상태 절환을 행하기 위하여는 전극부분(41a)(41a)(51a)(52)으로 전기적 입력이 이루어져야 한다. 이 전기적 입력을 이루는 방법은 TN타입 토트 매트릭스 표시장치에서 채용시키는 방법인 멀티플렉스 구동법이 적당하다. 이 방법을 적용하면 광 산란상태로 하기 원하는 화소의 전업 실효치와 투과상태로 하기 원하는 화소의 전압 실효치의 비율이 1:2로 제어된다.
제31도에 도시된 바와같이 화소(G1∼G4)의 광학적 상태의 조합은 16개이며, 이르 조합에 있어서 줄친부분의 면적비율(S)은 제31a도부터 제31p도까지 1/15씩 단계적으로 변화한다. 따라서, 기능 유니트(G)에서 광 투과율은 전압이 인가 되지 않을 때의 투과율(불투명 상태)에서부터 포화 투과내율(투명상태)까지 16단계로 조절된다.
상기 실시예에서는 화소수를 4로 한 16 레벨의 조광을 행하는 방법에 대하여 예시한 것이며, 화소수 n을 증가시켜 면적비율을 2 :2 :2 :2 ....2 로 함으로써 2 레벨의 조광을 행할 수 있다. 또한, 광산란 상태와 투과상태와 그 절반의 투과상태와의 3가지 상태를 제어하는 구성으로 하며, 면적 비율을 3 :3 :3 :3 ....3 로 함으로써 3n레벨의 조광을 행하는 것도 가능하다. 그리고 4 상태 이상으로 하는 것도 설계 변경의 범위내에 포함된다.
기능 유니트(G) 중의 전극 부분(41a)은 전술한 투명 전극층(40)에 포함되는 제 1 전극 패턴(41)의 치의 하나이고, 모든 기능 유니트(G)중의 전극부분(41a)이 공통 접속되고, 전극부분(51a)이 공통 접속되어 있다. 마찬가지로 모든 기능 유니트 사이에서 전극부분(42a)이 공통 접속되고 전극부분(51a)이 공통 접속되어 있다. 따라서, 전술한 화소(G1∼G4)의 조합에 관하여는 모든 기능 유니트상에서 동시에 같은 조합이 이루어진다. 그리고, 본 실시예의 액정 조광판에서는 투명 전극층(40)에 포함된 제 1, 제 2 전극 패턴(41)(42) 및 투명 전극층(50)에 포함된 제 3, 제 4 전극패턴(51)(52)으로의 전기적 입력의 조합에 의해 복합층(9)을 투과하는 광량을 16 단계로 조절할 수 있다.
복합층(9)으로서는 제4도나 제6도에 관련하여 설명한 바와같이 수지(7)중에 액정(8)이 분산된 막을 이용할 수 있다. 이러한 복합층(9)은 광투과 상태의 절환시 편광판을 필요로 하지 않으므로 고 휘도의 광원을 이용하는 조명장치의 액정 조광판으로서 사용하는 경우 편광판의 흡광에 의한 열이 발생할 염려가 없다. 전술한 수지(7)는 복합층(9)의 투명 전극층(40)(50)의 밀착성을 향상시켜 위치 차이를 방지하고, 액정 조광판의 대면적화와 가소성의 실현을 용이하게 하기 때문에 접착성 고분자를 포함해도 좋다. 접착성 고분자는 수지(7)의 투명성을 유지하기 위하여 수지(7)의 상용성이 우수한 것이 좋다. 예를 들어, 수지(7)로서 PMMA를 사용하는 경우 아크릴 타입의 접착성 고분자가 많이 사용된다.
투명 도전층(40)(50)은 증착법, 스퍼터링법 또는 도포법 등에 의해 형성된다. 전극 패턴(41)(42)(51)(52)은 투명 전극층(40)(50)을 형성할 때 마스크를 사용하거나 또는 투명 도전층(40)(50)을 에칭에 의해 얻을 수 있다.
이하에서, 예 5의 액정 조광판을 설명한다. 제27도에 도시된 바와같이 마스크를 상용한 진공 증착법에 의해 유리 기판(10A)상에 IPo로 된 제 1 및 제 2 전극 패턴(41)(42)이 형성된다. 제 1 패턴(41)의 전극 부분(41a)의 폭은 x=2㎜이고, 제 2 패턴(42)의 전극 부분(42a)의 폭은 y=1㎜이며, 양 패턴(41)(42)사이의 간격의 폭은 z=0.5㎜이고, 유리 기판(10A)상에 증촌법은 u=300㎜이며, 이 횡치수는 v=280㎜이었다.
마찬가지로, 제28도에 도시된 바와같이 유리 기판(10B)상에 ITo로 된 제3 및, 제 4 패턴(51)(52)이 형성된다. 제 3 패턴 (51)의 전극 부분(51a)의 폭은 w=4㎜이고, 제 4 패턴(52)의 전극 부분(52a)의 폭은 y=1㎜이며, 양 패턴(51)(52)간의 간격 z=0.5㎜이고, 유리 기판(10B)의 증촌법은 u=300㎜이며, 그의 횡크기 v=280㎜이었다.
복합층(9)은 전술한 표 1에서의 비교예 (1)와 같게 형성된다.
전극 패턴(41)(42)(51)(52)이 구동 회로에 접속되어 제31(a)-(p)도에서 빗금친 화소가 투과 상태에서 다른 화소가 광 산란상태로 되도록 전극부분(41a)(42a)(51a)(52a)에 멀티플레시 구동파형을 입력한다. 제32도는 이 경우에 있어서 액정 조광판(4)의 광투과율을 나타낸다.
제32도에서 횡축은 제31도의 면적율(S)(유니트G에서 광 투과상태의 면적이 차지하는 부분)을 표시하고, 종축은 액정 조광판(4)의 투과율을 표시한다. 그리고 기능 유니트(G)에서 광 투과상태의 면적율(S)을 단계적으로 변화시킴으로써 액정 조광판(4)의 광 투과율을 3%(불투명 상태)에서 포화투과율인 80%(투명상태)까지 16단계로 조절할 수 있다.
또한, 색 온도 3200K의 텡스텐 램프를 광원(2)으로 이용하여 예 5의 액정 조광판(4)의 각 조광 단계에서 투과광의 생온도를 측정한 결과가 제33도에 나타나있다. 제33도의 상측의 횡축은 면적율(S)을 표시하고, 하측의 횡축은 액정 조광판(4)의 투과율을 표시한다. 한편, 종축은 투과광의 색 온도를 표시하고 있다. 그리고, 예 5의 액정 조광판을 투과한 광의 색 온도는 투과율에 불구하고 실질적으로 일정한 것을 알았다. 제33도에 나타난 비교예 (1)의 곡선은 표 1 중의 비교예(1)에 관하여 서술한 액정 조광판의 투과광의 색 온도를 표시하고, 색 온도가 크게 변동하는 것을 알았다.

Claims (22)

  1. 광을 방출하는 광원(2)과, 상기 광원(2)으로부터의 광의 소망량을 산란시키는 액정 조광판(4)과, 상기 액정 조광판(4)의 광 산란율을 제어하는 제어 전원(5)을 구비하며, 상기 광원(2)으로부터의 광중에서 산란됨이 없이 상기 액정 조광판(4)을 통과한 광이 조명광으로서 이용되며, 상기 액정 조광판(4)은 2개의 투명전극(11A, 11B)과, 상기 투명전극(11A, 11B)에 끼워진 수지층(7)과, 상기 수지층(7)내에 분산되어 콜레스테릭상을 표시하는 액정 재료(8)를 구비하며, 상기 콜레스테릭상을 표시하는 액정재료(8)는 네마틱 액정에 카이랄 성분이 첨가된 카이랄 네마틱 액정이며, 상기 카이랄 성분의 농도는 상기 투명 전극(11A, 11B)사이에 인가된 제어 전압이 변화하여도 단파장 영역내의 광 투과율이 장파장 영역내의 광 투과율과 거의 동일하거나 그보다 크게 되도록 조정되는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광원(2)으로부터 광에 포함된 가시광을 투과시키고 또한 적외선과 자외선의 적어도 한쪽을 반사하는 유전체 다층막(16)이 상기 광원(2)과 상기 액정 조광판(4)과의 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 조명장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광원(2)으로부터의 광에 포함된 적외선과 자외선의 적어도 한쪽을 투과하고, 또한 가시광을 상기 액정 조광판(4)으로 향해서 반사되도록 배치된 유전체 다층막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  4. 광을 방출하는 광원(2)과, 상기 광원(2)으로부터의 광의 소망량을 산란시키는 액정 조광판(4)과, 상기 액정 조광판(4)의 광 산란율을 제어하는 제어 전원(5)을 구비하며, 상기 광원(2)으로부터의 광중에서 산란됨이 없이 상기 액정 조광판(4)을 통과한 광이 조명광으로서 이용되며, 상기 액정 조광판(4)에 의해서 산란된 광을 선택적으로 제거하기 위하여 적어도 1개의 광학 렌즈(17)와 광학 조리개(18)을 구비하는 광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  5. 제1항, 제2항 또는 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 광원(2)과 상기 액정 조광판(4)을 수납하고 또한 상기 액정 조광판(4)을 통과한 조명광(13)을 외부로 취출하기 위한 개구를 갖는 실린더형 커버(15)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  6. 2개의 투명전극(11A,11B)와, 상기 투명전극(11A,11B)에 끼워지는 투명지지층(7)과, 상기 지지층내에 분산되어 콜레스테릭상을 나타내는 액정재료(8)를 구비하며, 상기 콜레스테릭층을 나타내는 액정재료(8)는 네마틱 액정에 카이랄 성분이 첨가된 카이랄 네마틱 액정이고, 상기 카이랄 성분의 농도는 상기 투명전극(11A,11B) 간에 인가되는 제어전압이 변화하여도 단파장 영역내의 광의 투과율이 장파장 영역내의 광투과율과 거의 동일하거나 그보다 크게 되도록 조정되는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  7. 2개의 투명전극(11A,11B)과, 상기 투명전극(11A,11B)에 끼워지는 투명지지층(7)과, 상기 투명지지층(7)에 분산된 액정(8)을 포함하는 액정 조광판(4)을 구동하는 방법에 있어서, 상기 액정 조광판(4)의 광투과율을 제어하기 위하여 상기 투명전극(11A,11B)에 인가되는 제어전압의 파형중에서 상기 제어전압의 변화에 대한 상기 액정의 이력 의존을 소실시키기 위하여 소정의 임계 전압보다 낮은 실효 전압의 기간이 포함되도록 하는 것을 특징으로 하는 액정 조광판 구동 방법.
  8. 전압의 인가 또는 무인가에 따라서 광 투과상태 또는 광산란 상태로 되는 액정을 포함하는 복합층(9)과, 상기 복합층(9)을 사이에두고 제 1과 제 2의 투명전극(11A,11B)층을 구비하며, 상기 투명전극층(40,50)은 조광판을 복수의 화소로 분할하는 패턴을 형성하며, 상기 복합층(9)을 투과하는 광량이 상기 복합층(9)의 유효한 전면적에 대한 광투과상태를 나타내는 화소 영역의 면적율(S)에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  9. 제8항에 있어서, 상기 액정을 포함하는 복합층(9)과, 상기 복합층(9)을 사이에 두고 제 1과 제 2의 투명전극층(40,50)을 구비하며, 상기 제 1과 제 2의 투명전극층(40,50) 각각은 2개 이상의 전극패턴(41,42,51,52)을 포함하며, 구동전압이 인가되는 상기 전극패턴(41,42,51,52)을 선택함으로써, 상기 복합층(9)을 투과하는 광량이 상기 복합층(9)의 유효한 전체면적(S)에 대한 광 투과 상태를 나타내는 화소 영역의 면적율(S)에 따라서 조절되는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복합층(9)과 상기 복수의 전극패턴(41,42,51,52)은 복수의 기능 유니트(G)를 구성하며, 상기 기능 유니트(G) 각각은 상기 전극패턴(41,42,51,52)을 선택함으로써 결정되고 또한 서로 다른 점유 면적을 갖는 복수의 화소(G1,G2,G3,G4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기능 유니트(G)는 매트릭스형으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  12. 제10항에 있어서, 상기 기능 유니트(G) 각각은 4개의 화소(G1,G2,G3,G4)를 포함하며, 이들 화소(G1,G2,G3,G4)가 점유하는 면적비는 8:4:2:1인 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  13. 제9항에 있어서, 상기 제 1과 제 2의 투명전극층(40,50)의 적어도 한쪽은 2개의 전극패턴(41,42,51,52)을 포함하며, 상기 전극패턴(41,42,51,52)의 각각에 있어서 복수의 가늘고 긴 전극부분(41a,42a,51a,52a)이 빗살형으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  14. 제13항에 있어서, 상기 2개의 전극패턴(41,42,51,52)은 이들의 상기 전극부분(41a,42a,51a,52a)이 평행하고 교호적으로 배치되도록 마주보고 있는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  15. 제13항에 있어서, 상기 2개의 전극패턴(41,42,51,52)의 서로 다른 폭의 전극부분(41a,42a,51a,52a)을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제 1 투명전극층(40)은 제 1과 제 2의 상기 전극 패턴(41,42)을 포함하고, 상기 제 2 투명전극층(50)은 제 3과 제 4의 상기 전극 패턴(51,52)를 포함하고, 상기 제 1과 제 2의 전극패턴(41,42)중의 전극부분(41a,42a)의 그룹과 상기 제 3과 제 4의 전극패턴(51,52)중의 전극부분(51a,52a)의 그룹은 서로 직교하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제 1의 전극패턴(41)중의 상기 전극부분(41a)의 폭과 상기 제 2의 전극패턴(42)중의 상기 전극부분(42a)의 폭은 2:1이며, 상기 제 3의 전극패턴(51)중의 상기 전극부분(51a)의 폭과 상기 제 4의 전극패턴(52)중의 상기 전극부분(52a)의 폭은 4:1인 것을 특징으로 하는 액정조광판.
  18. 제1항, 제2항 또는 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 액정 조광판(4)에 의해 산란된 광을 선택적으로 제거하기 위해 적어도 한개의 광학 렌즈(17)와 광학 조리개(18)을 포함하는 광학계를 더 구비하며, 상기 광원(2)과 상기 액정 조광판(4)을 수납하고 또한 상기 액정 조광판(4)을 통과한 조명광(13)을 외부로 취출하기 위한 개구를 갖는 실린더형 커버(15)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  19. 제4항에 있어서, 상기 액정 조광판(4)은: 2개의 투명전극(11A,11B)과, 상기 투명전극(11A,11B)에 끼워진 수지층(7)과, 상기 수지층(7)내에 분산되어, 네마틱 액정, 콜레스틱 액정 및 스매틱 액정 중 적어도 하나를 포함하는 액정(8)을 포함하며, 상기 수지층(7)은 상기 액정(8)의 상광 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  20. 제4항에 있어서, 상기 광원(2)으로부터의 광에 포함된 가시광을 투과시키고 또한 적외선과 자외선의 적어도 한쪽을 반사하는 유전체 다층막(16)이 상기 광원(2)과 상기 액정 조광판(4)과의 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 조명장치.
  21. 제4항에 있어서, 상기 광원(2)으로부터의 광에 포함된 적외선과 자외선의 적어도 한쪽을 투과하고, 또한 가시광을 상기 액정 조광판(4)으로 향해서 반사되도록 배치된 유전체 다층막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 조명장치.
  22. 제4항에 있어서, 상기 광원(2)과 상기 액정 조광판(4)을 수납하고 또한 상기 액정 조광판(4)을 통과한 조명광(13)을 외부로 취출하기 위한 개구를 갖는 실린 더형 커버(15)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 조명장치.
KR1019930702961A 1992-01-30 1992-11-12 액정 조광판 및 이를 포함하는 조명장치 KR0151864B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4015475A JP3029725B2 (ja) 1992-01-30 1992-01-30 撮影用照明装置
JP92-15475 1992-01-30
JP14177992A JP3174145B2 (ja) 1992-06-02 1992-06-02 照明装置
JP14178092A JP3098857B2 (ja) 1992-06-02 1992-06-02 照明装置
JP92-141780 1992-06-02
JP92-141779 1992-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR0151864B1 true KR0151864B1 (ko) 1998-10-15

Family

ID=27281023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930702961A KR0151864B1 (ko) 1992-01-30 1992-11-12 액정 조광판 및 이를 포함하는 조명장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5764316A (ko)
EP (1) EP0578827B1 (ko)
KR (1) KR0151864B1 (ko)
CA (1) CA2106782C (ko)
DE (1) DE69231810T2 (ko)
WO (1) WO1993015433A1 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5828427A (en) * 1990-06-11 1998-10-27 Reveo, Inc. Computer-based image display systems having direct and projection modes of viewing
US6900592B2 (en) * 1997-03-18 2005-05-31 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Method and apparatus for stabilizing of the glow plasma discharges
GB9717267D0 (en) * 1997-08-14 1997-10-22 Strand Lighting Ltd Liquid crystal shutter for a lighting fixture
DE19735585A1 (de) * 1997-08-16 1999-02-18 Mannesmann Vdo Ag Verfahren und Vorrichtung zur analogen und gleichmäßigen Dimmung eines in einem optischen Strahlengang geführten Lichtstroms
US6377339B1 (en) 1999-03-29 2002-04-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Document imaging system incorporating a selectively opaque/transparent liquid crystal platen
JP2002094955A (ja) * 2000-02-22 2002-03-29 Philips Japan Ltd 画像表示撮像装置
US6646696B1 (en) * 2000-05-05 2003-11-11 L3 Communications Corporation Liquid crystal display with twisted nematic dimmer
CN1253746C (zh) * 2001-04-20 2006-04-26 索尼株式会社 电调光器设备和其驱动方法
US6784955B2 (en) * 2001-10-01 2004-08-31 The Hong Kong University Of Science And Technology Optically optimized permanently bistable twisted nematic liquid crystal displays
JP2004325497A (ja) 2003-04-21 2004-11-18 Nippon Sheet Glass Co Ltd 調光体及び合わせガラス
US7832883B2 (en) 2005-07-08 2010-11-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device for illuminating an object
WO2007007235A2 (en) * 2005-07-08 2007-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. A light module for producing light with a scattering pattern that is electrically variable and use thereof as a multiple purpose light
US20070206155A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Real D Steady state surface mode device for stereoscopic projection
US7784974B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-31 Walter Baechtiger Devices and methods for providing adjustable light intensity
CN101802702A (zh) 2007-09-20 2010-08-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 光束定形设备
JP2011030197A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Innovative Sonic Corp スケジューリングリクエストの方法及び通信装置
KR101381248B1 (ko) 2009-09-11 2014-04-04 테루유키 카타오카 Ｌｅｄ 조명장치
US9075286B2 (en) * 2011-04-12 2015-07-07 Zylight LLC Electrically adjustable optical diffusion for luminaires
US8801252B2 (en) * 2011-10-28 2014-08-12 Hyundai America Technical Center, Inc. Multi-functional projector lamp shield and multi-functional projector embodying such a shield
KR20130091892A (ko) * 2012-02-09 2013-08-20 에스케이씨하스디스플레이필름(유) 확산도 가변 필름을 이용한 발광다이오드 조명 장치
US9581311B2 (en) 2012-03-12 2017-02-28 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9068717B2 (en) 2012-03-12 2015-06-30 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
DE102013207416A1 (de) * 2013-04-24 2014-10-30 Siemens Aktiengesellschaft Lichtsignal
GB2517785A (en) 2013-09-02 2015-03-04 Aspect Imaging Ltd Incubator's canopy with variably transparent walls and methods for dimming lights thereof
DE202014101766U1 (de) 2014-04-14 2014-05-22 Gauzy Ltd. Mittel zum Überlagern zumindest eines ersten projizierten Bildes über zumindest ein zweites reales Bild
DE102015200247A1 (de) * 2015-01-12 2016-07-14 Siemens Aktiengesellschaft Lichtsignal
JP6636323B2 (ja) * 2015-12-28 2020-01-29 株式会社日立エルジーデータストレージ 調光器及びこれを用いた映像表示装置
US11940616B2 (en) 2017-12-08 2024-03-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Scalable method of fabricating structured polymers for passive daytime radiative cooling and other applications
US10931894B2 (en) 2018-10-31 2021-02-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Tunable spectral illuminator for camera
US10982836B2 (en) * 2018-10-31 2021-04-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Tunable spectral illuminator for camera
US11236885B1 (en) * 2019-07-02 2022-02-01 Apple Inc. Switchable flood and spot illuminator
US11698183B1 (en) * 2022-04-22 2023-07-11 Foshan Yifeng Electric Industrial Co., Ltd. Stage light with electronically adjustable lighting effects

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3872246A (en) * 1971-10-14 1975-03-18 Siemens Ag Apparatus for elimination of interference from video signals
DE2351690A1 (de) * 1972-10-16 1974-04-18 Eastman Kodak Co Vorrichtung zum selbsttaetigen steuern der staerke der von einer blitzlichteinrichtung abgegebenen lichtstrahlung
DE2924956A1 (de) * 1979-06-21 1981-01-08 Rollei Werke Franke Heidecke Reflektor fuer verschiedene ausleuchtwinkel
JPS5918925A (ja) * 1982-07-23 1984-01-31 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示素子
US4652851A (en) * 1983-11-07 1987-03-24 Ian Lewin Lamp control system
US4693557A (en) * 1984-03-02 1987-09-15 Manchester R & D Partnership Liquid crystal motion picture projector
US4613207A (en) * 1984-05-08 1986-09-23 Manchester R & D Partnership Liquid crystal projector and method
US4570204A (en) * 1985-02-13 1986-02-11 Mine Safety Appliances Company Adjustable focus lamp
GB2178581B (en) * 1985-07-12 1989-07-19 Canon Kk Liquid crystal apparatus and driving method therefor
US4791418A (en) * 1986-04-30 1988-12-13 Taliq Corporation Signal light
JPS6391110A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Fuji Electric Co Ltd 急速ろ過装置
JPS6398631A (ja) * 1986-10-16 1988-04-30 Nec Home Electronics Ltd カプセル型液晶表示装置
JPS6391110U (ko) * 1986-12-04 1988-06-13
US4818070A (en) * 1987-01-22 1989-04-04 Asahi Glass Company Ltd. Liquid crystal optical device using U.V.-cured polymer dispersions and process for its production
JPS63197919A (ja) * 1987-02-13 1988-08-16 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPS63253333A (ja) * 1987-04-10 1988-10-20 Citizen Watch Co Ltd マトリクス型液晶表示体駆動方法
JPS63259516A (ja) * 1987-04-17 1988-10-26 Citizen Watch Co Ltd マトリクス型液晶表示体駆動方法
JPS6425187A (en) * 1987-07-22 1989-01-27 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display device
JPH01285921A (ja) * 1988-05-13 1989-11-16 Hitachi Ltd 液晶表示素子
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH0299919A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Ajinomoto Co Inc 液晶光変調樹脂板
JP2769345B2 (ja) * 1989-02-21 1998-06-25 三菱電機株式会社 表示制御装置
US5184117A (en) * 1989-06-28 1993-02-02 Zenith Data Systems Corporation Fluorescent backlight flicker control in an LCD display
US5023758A (en) * 1989-11-13 1991-06-11 General Electric Company Single arc discharge headlamp with light switch for high/low beam operation
JPH03241392A (ja) * 1990-02-20 1991-10-28 Casio Comput Co Ltd 表示パネルの実装構造
JPH03293652A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Fuji Photo Film Co Ltd 写真焼付レンズ及び写真焼付機
JP3194935B2 (ja) * 1990-06-20 2001-08-06 セイコーエプソン株式会社 表示装置
US5282121A (en) * 1991-04-30 1994-01-25 Vari-Lite, Inc. High intensity lighting projectors
JPH0594153A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置と液晶パネルの駆動方法および液晶投写型テレビ
WO1993011452A1 (en) * 1991-11-25 1993-06-10 Magnascreen Corporation Microprojection display system with fiber-optic illuminator, and method of display and illumination
US5307185A (en) * 1992-05-19 1994-04-26 Raychem Corporation Liquid crystal projection display with complementary color dye added to longest wavelength imaging element

Also Published As

Publication number Publication date
US5764316A (en) 1998-06-09
CA2106782C (en) 1999-06-01
WO1993015433A1 (fr) 1993-08-05
EP0578827A1 (en) 1994-01-19
DE69231810T2 (de) 2001-08-09
CA2106782A1 (en) 1993-07-31
EP0578827A4 (en) 1995-06-21
DE69231810D1 (de) 2001-06-07
EP0578827B1 (en) 2001-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0151864B1 (ko) 액정 조광판 및 이를 포함하는 조명장치
KR101712677B1 (ko) 조명 장치 및 디스플레이 장치
KR950001053B1 (ko) 모서리-조명 액정표시장치
US5886681A (en) Wide-range dual-backlight display apparatus
US6252638B1 (en) Color controllable illumination device, indicator lights, transmissive windows and color filters employing retarder stacks
US20010035853A1 (en) Assembly of a display device and an illumination system
EP1256835A2 (en) Backlight for a color LCD
KR102421609B1 (ko) 조광 필름, 조광 필름의 구동 방법, 조광 부재, 차량
EP1012658A1 (en) Display device reflecting visible and infrared radiation
JP2991577B2 (ja) 液晶素子の駆動方法、液晶装置および照明装置
RU2139559C1 (ru) Жидкокристаллический дисплей
JP6658758B2 (ja) 構造体、透明ディスプレイ、照明装置、液晶表示装置および情報表示装置
US5037196A (en) Projection-type color display apparatus
KR100320157B1 (ko) 키랄네마틱액정복합체 및 이를 포함하는장치
JP2002090782A (ja) 表示装置、及び該表示装置の駆動方法
US6166789A (en) Liquid crystal display
JP3881110B2 (ja) 調光用液晶光シャッターおよびその作製方法
JP3029725B2 (ja) 撮影用照明装置
JP3174145B2 (ja) 照明装置
JP2012137620A (ja) 照明装置および光散乱性制御装置
JP3098857B2 (ja) 照明装置
CN113454523A (zh) 调光片、调光装置及调光片的管理方法
Takizawa et al. Liquid-crystal luminaire consisting of an optical shutter and a metal halide lamp
JP7260030B1 (ja) 調光装置
JPH11353907A (ja) 照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120611

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term