KR0151151B1 - 수정(水晶) 프로우브 장치 - Google Patents

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내용 없음.

Description

수정(水晶) 프로우브 장치

제1도는 수정프로우브를 제조하기 위한 종래의 에칭(etching) 패턴도.

제2도는 본 발명에 관한 수정프로우브장치의 프로우브본체의 1예를 설명하기 위한 개략도.

제3도는 수정의 결정을 나타낸 개략도.

제4도는 제1도의 일부확대도.

제5도는 수정판위에 형성된 금속층을 설명하기 위한 개략도.

제6도는 수정판위에 형성한 마이크로스트립라인(Micro strip line)을 형성한때의 단면도.

제7도는 제6도에 있어서 수정의 양쪽면에 동일 패턴을 형성한때의 단면도.

제8도는 에칭 및 구부림 가공후의 수정프로우브를 설명하기 위한 사시도.

제9도는 수정프로우브장치를 제조할때에 사용되는 위치맞춤 조정 수단의 설명도.

제10도는 위치맞춤조정수단의 1예를 나타낸 평면도.

제11도는 수정프로우브장치를 사용한 프로우빙(probing) 검사를 설명하기 위한 설명도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 수정판 2,3 : 수정프로우브 본체

2a,3a : 마이크로 프로우브 2b,3b : 전극패드부

2c,3c : 배턴배선부 20 : 수정판

21 : 에칭영역 22 : 4개의 에칭영역

23 : 중앙의 직사각형의 에칭영역 24 : 굴곡절결부

25 : 마이크로프로우브부 25a : 마이크로 프로우브

h₁, h₂: 길이 P₁, P₂: 피치

W₁, W₂: 폭 50 : 금속층

51 : 전극패드부 51a : 전극패드

52 : 패턴배선부 52a : 패텬배선

60 : 리이드 스트립라인(Lead Strip Line)

61 : 그라운드 스트립라인(Ground Strip Line)

62 : 크롬 63 : 금

64 : 금도금층 80 : 4개의 패턴배선부

81 : 4개의 마이크로프로우브 부 90 : X축 및 Y축 조정부재

91 : Z축 조정부재 92 : θ축 조정부재

93 : 프로우브 본체 100 : 핀(Pin)

101 : 슬릿 102 : θ축 조정나사

103 : 가동편 104 : 연결핀

105 : X축 조정부 106 : 관통구멍

107 : Y축 조정부 108 : 관통구멍

109 : X축 조정나사 110 : Y축 조정나사

111 : 피검사체인 IC 112 : 반도체 웨이퍼

113 : 얹어놓은대

본 발명은, 수정프로우브장치에 관한 것이다.

특히, 본 발명은, 피검사체와의 위치 맞춤이 용이한 수정프로우브장치에 관한 것이다.

IC 등의 반도체소자에는 다수개의 전극패드가 형성되어 있고, 이들의 전기적 특성을 검사하기 위해서 프로우브장치가 이용되고 있다.

반도체 웨이퍼의 상태에서 테스트하는 것이 웨이퍼프로우브장치로서 이용되고 있다.

이 프로우브장치에 있어서는, 다수개의 마이크로프로우브가 반도체소자의 전극패드 열(列)에 대응하여 절연기판 위에 배열설치되어 있다.

검사시에 있어서는, IC의 외형변(통산 4 변)에 다수형성되어 있는 각 전극패드에 마이크로 프로우브를 접촉할 수 있도록, 다수의 마이크로 프로우브를 절연베이스위에 미소피치로 배열고정한 프로우브카아드를 이용하고 있었다 (일본국특공소54-43354, 특공소58-32782 등).

그러나, 상술한 마이크로프로우브의 절연베이스 위에로의 배열고정작업은, 수작업에 의하여 행하고 있다.

이 때문에, 그 작업은 매우 번잡하다.

또한, 최근의 반도체 소자의 미세가공기술의 진보에 따라, 반도체소자의 집적도는 향상되고만 있다.

예를들면 6인치의 반도체 웨이퍼에 수백개의 IC 칩이 형성되지만, 이 1개의 칩은 기껏해야 5 ㎜ 각(角) 정도이고 이 5 ㎜ 각의 1개의 칩의 둘레 가장자리부에 수백개의 전극패드 열(列)이 형성된다.

집적도의 향상에 따라서 이 전극패드수는 증가할 뿐이다.

따라서 최근에는 60 ㎛ 내지 80 ㎛ 각의 전극패드가 피치간격 20 내지 50 ㎛ 로서 배열되어 있다.

이와같은 전극패드에 앞끝단 30 ㎛ 정도의 프로우브침(針)을 수백개 동시에 접촉시킬 필요가 있다.

한편, 종래의 마이크로프로우브로하여 사용되고 있는 턴스텐침(針)은, 텅스텐재로 지름을 축소하는 가공을 실시함으로써 제조된다.

이 때문에, 현재침(針) 본체의 지름을 100 ㎛ Φ 로 가공하는 것이 한계이다.

따라서, 종래의 방법에 의하여 제조되는 마이크로프로우브에서는 반도체소자의 고밀도화의 요구에 대처할 수가 없다.

그래서, 새로운 방법의 프로우브 카아드로서, 수정프로우브가 주목되고 있다.

이 수정프로우브는, 미세가공이 가능한 IC 제조기술을 응용하여 제조하는 것이다.

즉, 수정판을 에칭가공하여, 미세피치의 마이크로프로우브 및 전극을 다수개동시에 형성하는 것이다.

여기서, 마이크로프로우브의 재료에 수정을 선정한 이유는 이하의 점으로 생각된다.

① 이방성(異方性) 에칭이 가능하기 때문에, 오버에칭, 사이드에칭을 최소한으로 할 수가 있다.

② 진동자 제조에 있어서 확립된 기술이므로 안정하게 생산할 수가 있다.

③ 고탄성이기 때문에, 전극패드 마이크로프로우브간의 높고 낮음의 차를 흡수할 수가 있다.

④ 항상 탄성이기 때문에, 다수회의 사용에 있어서 피로가 적다. 종래의 수정프로우브의 제조방법에 있어서는, 먼저, 1매의 수정판위에, IC의 한변의 각 전극패드에 대응하는 프로우브 본체를 에칭에 의하여 복수 형성한다.

제1도는, 프로우브본체를 형성한 후의 수정판의 평면도 이다.

도면증(1)은 수정판이다. 이 수정판(1)으로부터 에칭에 의하여 크게 다른 2종류의 프로우브본체 (2), (3)가 잘려 나오게 되어 있다. 이 프로우브본체 (2), (3)는, IC이 전극패드에 접촉하는 미세피치의 다수개의 마이크로프로우브를 갖는 마이크로프로우브부 (2a), (3a)와 그 다른 끝단쪽에 형성된 전극패드부 (2b), (3b)와, 마이크로프로우브부 (2a), (3a)와 전극패드부 (2b), (3b)를 잇는 패턴배선부 (2c), (3c)와를 구비하고 있다.

이때, 마이크로프로우브부 (2a), (3a) 및 전극패드부 (2b), (3b)의 길이직선부분은, 수정판(1)의 결정 (Y)축에 따르도록 형성되어 있다. 다음에, 프로우브본체 (2), (3) 위에 금속 패턴층을 형성한다. 그 후, 동일 종류의 프로우브본체(2) 또는 프로우브본체(3)를 4개씩 조합시켜서, 머더 보오드(M.ther board)(도시않됨)에 고정한다.

또한, 프로우브본체를 머더 보오드에 고정할때, 프로우브본체의 각각의 마이크로프로우브가 IC의 각 전극패드에 접촉하도록 정밀한 위치 맞춤을 행한다.

이와같이, 상기의 수정프로우브에 의하면, 마이크로프로우브부의 미세피치화는, 에칭에 의하여 용이하게 달성할 수 있다.

그러나, 고정밀도적인 위치맞춤작업에 많은 시간과 노력이 걸리고 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은, 마이크로프로우브부의 미세피치화를 실현하고, 또한, 피검사체의 모든 전극패드에 대한 프로우브의 위치맞춤이 용이한 수정프로우브를 제공함에 있다.

본 발명은, 피검사체의 전극배열에 대응하는 다수개의 마이크로프로우브를 가지는 마이크로프로우브부와, 이 마이크로프로우브부에 연이어 접속되는 패턴 배선부와, 이 패턴배선부에 연이어 접속되는 전극패드부와를 일체적으로 포함하고, 수정판의 결정축 (Z)과 직교하는 (Z)면을 에칭함으로써 형성된 수정프로우브본체와, 이 수정프로우브본체위에 형성된 금속패턴층과를 구비하는 수정프로우브장치이다.

[실시예]

이하, 본 발명의 수정프로우브장치의 1 실시예에 대하여, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.

먼저, 본 발명의 실시예에 관한 수정프로우브의 구성을, 그 제조공정에 따라서 설명한다.

제2도는, 본 발명의 1 실시예에 관한 수정프로우브장치가 1매의 수정판으로부터 제조된 상태를 나타낸 평면도이다.

제2도에 있어서, 수정판(20)은 동도면의 표면에서 뒷면으로 향하는 방향을 그 에칭방향인 결정축(結晶軸)(Z)으로 하고 있다.

이 결정축(Z)과 서로 직교하는 결정축 (X), (Y)으로 규정되는 X - Y 평면(Z면)은, 에칭평면이다.

수정판(20)의 두께는, 에칭에 의하여 형성되는 마이크로프로우브가 충분한 탄성 및 강도를 발휘할 수가 있도록 설정한다.

바람직한 두께는 생산성을 고려하면 50 내지 130 ㎛ 이다. 여기에서, 수정의 에칭속도는, X, Y, Z의 각 축방향에서 다음과 같은 관계가 있다.

또한, 제3도에서, 도면증(30)은 수정의 결정의 형상을 나타내고 있고, X(광축) 방향, Y(전기축) 방향, Z(화학축) 방향은, 도시한 바와같다.

X : Y : Z = 6 : 1 : 100

상기의 관계로부터 명백한 바와같이, Z축 방향의 에칭속도가 다른축 방향보다도 매우 빠르다.

이 때문에, X축 방향 및 Y축 방향의 에칭이 진행되기 전에 Z축 방향의 에칭이 진행한다.

수정의 에칭에 사용되는 에칭용액은, 불소산, 초산, 순수한물, 글리세린, 계면활성제, 예를들면 소듐·도뎨실·설페이트(S D S), 등으로된 혼합용액, 불화 암모늄수용액 등이다.

또한, 상기에 나타낸 웨트에칭(Wet etching)의 외에 플라즈마에칭(Plasma etching)에 의한 드라이 에칭(dry etching)을 사용할 수도 있다.

제2도중의 (21) 내지 (23)은, 에칭에 의하여 제거되는 영역(이하 에칭 영역이라 부른다)을 나타낸다.

에칭영역(21)은, 정방형의 외형라인에 따라서 단속적으로 형성된다.

에칭후에 이라인에 따라서 절단함으로서, 프로우브 본체의 외형의 형상을 결정한다.

상기 정방형의 대각선에 따라서 4개의 에칭영역(22)이 형성된다.

이 부분은, 후술하는 굴곡절결부(24)를 구성한다.

또한, 중앙의 사각형의 에칭영역(23)은, 그 4 모서리에 있어서 상기 4개의 에칭영역(22)과 연이어 통하여 형성된다.

이 에칭영역(23)의 바깥둘레부에는, 에칭에 의하여 마이크로프로우브부(25)가 형성된다.

다음에, 이 마이크로프로우브부(25)의 상세한 내용에 대하여, 제4도를 참조하여 설명한다.

제4도에 나타낸 바와같이, 마이크로프로우브부(25)는 짧은 책형상의 다수개의 마이크로프로우브(25a)에 의하여 구성되어 있다.

프로우브본체의 한변에 형성된 마이크로프로우브(25a)의 갯수는, 도시하지 않은 피검사체인 IC의 한변상의 전극패드 수와 같은수 이다.

또한, 각 마이크로프로우브(25a) 사이의 피치(P₁)는, IC의 한변상에 형성되어 있는 전극수에 따르지만 30에서 110 ㎛ 이다. 마이크로프로우브(25a)의 폭(W₁)은 20에서 100 ㎛ 이다.

마이크로프로우브(25a)의 길이 (L₁)는, 전극의 높이의 차를 충분히 흡수할 수가 있는 탄성 및 다수회의 사용에 견디는 강도를 유지할 수 있도록 설정할 필요가 있다.

바람직한 길이로서는, 1.5 내지 2.5 ㎜ 이다.

이와같은 크기로서는, 예를들면, 마이크로프로우브(25a) 사이의 피치(P₁)가 70 ㎛, 마이크로프로우브(25a)의 폭(W₁)이 54 ㎛, 마이크로프로우브(25a)의 길이 (L₁)가 1.8 ㎜ 이다.

수정판(20)의 에칭 공정종료후, 상기 에칭영역(21)에 따라서 외형절단하여 수정프로우브본체를 얻는다.

얻게된 프로우브본체에 스퍼터링 처리 및 도금처리를 실시하여, 전극패턴을 형성한다.

또한, 제5도에 나타낸 바와같이, 수정프로우브본체위에, 그의 각 마이크로프로우브(25a)에 대응시켜서 금속층(50)이 형성된다.

이 금속층(50)은, 수정판(20)의 둘레가장자리부에 배치된 전극패드(51a)와 마이크로프로우브(25a)와를 패턴배선(52a)을 통하여 전기적으로 도통되어 있다.

마이크로프로우브(25a)의 수와 같은수의 전극패드(51a)로서 구성된 전극패드부(51)는, 예를들면, 그 피치(P₂)가 200 ㎛ 그 길이 (L₂)가 150 ㎛, 그 폭(W₂)이 50 ㎛ 로 되어 있고, 상기 마이크로프로우브(25a)의 피치(P₁) 보다도 큰 피치로 하기 때문에, 패턴배선부(52)는 부채형상으로 넓어지도록 하여 형성되어 있다.

이 금속층(50)은, 마이크로 스트립라인 구조를 구성하고 있다.

이 마이크로스트립라인구조는, 제6도에 나타낸 바와같이, 수정판(20)의 한쪽면위에 형성된 패턴화한 리이드 스트립라인(60)과, 수정판(20)의 다른쪽면위에 형성된 그라운드 스트립라인(61)으로 되어 있다.

리이드 스트립라인(60)의 패턴은, 제5도에 나타낸 바와같이, 도시하지 않은 IC의 전극패드에 상당시킨 각각의 스트립라인(60)이 독립하여 서로 절연되도록 형성되어 있다.

각 리이드 스트립라인(60)은 원칙적으로 동일의 폭 및 길이로서 구성되어 있다.

이것은, 스트립라인 길이에 의한 신호의 어긋남 (신호간의 스큐우)를 방지하기 위해서 이다.

단, 전원용의라인은 신호용의 라인에 비해 스트립라인폭을 크게하는 것이 바람직하다.

또한, 각 리이드스트립라인(60)은, 전송파의 반사를 방지하기 위해, 각도를 가지고 절곡된 부분이 존재하지 않도록 한 필요가 있다.

예를들면, 직선부로부터 직선부에로의 연결부분의 각부(角部)는 원의 접선방향에 따른 미끄러짐선에 의하여 곡선부로 하거나, 앞끝단을 곡면형상으로 가공하는 등의 방책이 실시되고 있다.

리이드 스트립라인(60) 및 그라운드 스트립라인(61)은, 수정판(20) 위에 예를들면, 상기의 다중금속층이 형성되는 것에 의하여 구성된다.

이 다중금속층은, 이하와 같이하여 만들어 제조된다.

먼저, 수정판(20) 위에 수정과 습윤성이 양호한 크롬(62)을 예를들면 500 ㎛ 의 두께로서 스퍼터링 한다.

그후, 이 위에 예를들면 500 ㎛ 의 금(63)을 스퍼터링 한다.

최후로, 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 의 두께의 금도금층(64)을 형성함으로써 얻게 된다.

스퍼터링에 의하여 형성된 크롬 및 금은, 밑바닥층의 역할을 한다.

또한, 도금에 의하여 형성된 금은, 도전층의 역할을 한다.

도전층으로 사용되는 금속은, 금외에 은, 동 등의 전기양도체이라면 어느것이라도 좋다.

여기에서, 두께는 약 500 ㎛ 의 크롬 및 금을 입히는 방법은, 스퍼터링의 외에 진공증착등이라도 좋다.

그라운드 스트립라인(61)의 다중금속층도 리이드 스트립라인(60)과 동일하게 하여 형성된다.

여기에서, 그라운드스트립라인(61)과 리이드 스트립라인(60)의 다중금속층을 수정판(20)의 양쪽면위에 동시에 형성하여도 좋은 것은 말할 것도 없다.

그후, 리이드 스트립라인(60) 쪽의 다중금속층은, 종래의 포토리소그라피법에 의하여 패턴 형성된다.

한편, 그라운드스트립라인(61)은 접지전위에 접속된다.

이상과 같이하여, 마이크로 스트립라인 구조를 달성함으로써, 안정한 특성임피이던스를 얻을 수가 있고, 고주파특성이 뛰어난 수정프로우브 장치로 될 수 있다.

제6도에 있어서는, 그라운드 스트립라인(61)은 패턴형성되어 있지 않으나, 그라운드 스트립라인(61)에 패턴형성하여도 좋다.

제7도에 나타낸 바와같이, 리이드 스트립라인(60)의 패턴(70)과, 그라운드 스트립라인(61)의 패턴(71)을 동일하게 함으로써, 온도변화에 대한 스트립라인의 구부러짐이 같게된다. 이 때문에, 스트립라인의 구부러짐의 차이에 의한 마이크로 프로우브의 변형을 방지할 수가 있다.

프로우브본체위에 금속층(50)이 형성된 후는, 굽힘가공이 실시되어 제8도에 나타낸 것같이 된다.

또한, 4개의 패턴 배선부(80)는, 그 마이크로프로우브쪽이 경사져 아래쪽으로 되도록 약 5°에서 15°경사져 있고, 또한, 4개의 마이크로프로우브부(81)는, 수정판(20)의 주변부의 수평면과 평행하고, 또한 이 주변부의 수평면보다도 낮은 레벨로 배치되도록 되어 있다.

또한, 이 굽힘가공은, 제2도에 나타낸 에칭영역(22)에 의하여 형성된 굴곡절결부(24)가, 수정판(20)의 대각선상에 있기 때문에 용이하게 실현가능하게 되어 있다.

여기에서, 피검사체인 IC의 전국패드는, 제8도의 수정기판(20)의 낮은 레벨로서 상기 마이크로프로우브부(81)에 접속되어 검사된다.

이때, 반도체 웨이퍼 상에는 다른 다수개의 IC가 형성되어 있기 때문에, 검사에 처해지지 않은 다른 IC의 전극패드에 패턴배선부(80)가 접촉하는 것을 방지하기 위하여 마이크로프로우브부(81)만이 다른 부분보다도 아래쪽으로 되도록 배치되어 있다.

상기와 같이하여 구성된 수정프로우브는, 도시하지 않은 머더보오드에 배선고정되고, 피검사체인 IC를 얹어놓아 유지하는 얹어놓는데 위쪽에 고정지지된다.

이것에 의하여, 수정프로우브장치가 구성된다.

이 수정프로우브장치는, 1개의 피검사체의 모든 전극패드에 대응하는 마이크로프로우브부를 1매의 수정판 위에 일체형성하고 있기 때문에, 4변의 전극패드열(列)에 대한 프로우브본체의 번잡한 위치맞춤이 필요없다.

또한, 수정판(20)의 각 전극패드부에 대하는 배선으로서는, 패턴배선부에 직접플렉시블 회로기판(FPC)을 배선하여도 좋다.

본 실시예에 있어서는, 1개의 피검사체의 모든 전극패드에 대응하는 마이크로프로우브부를 1매의 수정판위에 일체로 평성하고 있으나, 각각을 끊어서 분리하여 형성하고, 위치 맞춤 조정수단을 사용하여 배치하여도 좋다.

또한, 제9도에 나타낸 바와같이, X축 및 Y축 조정부재(90), Z축 조정부재(91), θ축 조정부재(92)에 의하여 4개의 수정프로우브본체(93)의 위치를 나사맞춤결합을 이용하여 조정한다.

제10도는, 나사맞춤결합을 이용한 위치맞춤조정수단을 표시한 것이다.

도시하지 않은 지지체의 윗면에 판현상의 θ축 조정부재(92)가 핀(100)에 의하여 고정부착되어 있다. 이 θ축 조정부재(92) 에는, 중앙부를 남게하여, 대향하는 2개의 끝단면의 소정의 부분으로부터 중앙으로 향하여서 슬릿(101)이 형성되어 있다.

또한, θ축 조정부재(92)에는, 슬릿(101)이 형성되어 있지 않은 한쪽의 끝단부로부터 θ축 조정나사(102)가 부착되어 있다. 이 θ축 조정나사(102)를 돌림으로써 θ축 조정부재(92) 의 가동편(103)이 회동하여 θ축 방향의 조정을 행한다.

한편, X축 및 Y축 조정부재(90)는, θ축 조정부재(92)와 연결핀(104)에 의하여 연결되어 있다.

X축 및 Y축 조정부재(90)는, 관통구멍(106)을 갖는 X축 조정부(105) 및 관통구멍(108)을 갖는 Y축 조정부(107)를 구비하고 있다.

이것에 의하여, X축 및 Y축 조정부재(90)는, 평행링크 기구를 구성하고 있다.

X축의 조정은, X축 조정부(105)에 나사맞춤한 X축 조정나사(109)로서 X축 조정부(105)를 X축 방향으로 이동시킴으로서 행하게 된다.

또한, Y축의 조정은, Y 축조정부(107)에 나사맞춤한 Y축 조정나사(110)로서 Y 축조정부(107)를 Y축 방향으로 이동시킴으로서 행하게 된다.

또한, Z축 조정부재(91)는 X축 및 Y축 조정부재(90)에 부착되어 있고, 평행링크 기구를 구성하고 있다.

Z축의 조정은, 도시하지 않은 Z축 조정나사를 회동하여 테이퍼 캠을 이동시킴으로써 Z축 조정부재(91)에 가하는 압력을 조절함으로서 행한다.

이와같이하여, 4개의 수정프로우브본체(93)의 위치를 조정한다.

또한 상기의 예는 X, Y, Z 및 θ축의 4축을 조정하는 것이지만, 이동 3축 및 회전 3축의 6축을 조정하는 것이라도 좋다.

또한, 상기의 예는 X, Y, Z 및 θ축의 조정부재가 따로 따로 형성되어 있으나, 1개의 유니트로서 모두의 축방향을 조정하는 것이라도 좋다.

이와같은 조정수단을 형성함으로써, 각 프로우브 본체의 백래쉬, 즉, 프로우브상호간의 레벨의 상위가 발생하는 일등을 방지할 수가 있다. 따라서, 프로우브본체간의 각 마이크로프로우브는, 피검사체의 모든 전국패드에 모두 일괄하여 접촉된다.

이 수정프로우브장치를 사용한 검사는, 제11도에 나타낸 바와같이 수정프로우브장치의 아래쪽에 얹어놓게된 얹어놓는대(113) 위에 피검사체인 IC(111)를 다수형성하여 이루어진 반도체 웨이퍼(112)를 얹어놓게하여 행하게 된다.

얹어놓는데(113)를 동 도면의 Z 방향으로 상승시킴으로써, 1개의 IC(111)의 4 변상의 모든 전극패드를, 수정프로우브장치의 4개의 군(群)의 마이크로프로우브부에 일괄하여 접촉시킨다.

또한, 얹어놓는대(113)는 Z축 회전이 θ방향, 및 Z축에 서로 직교하는 X, Y축 방향으로 이동가능하게되어 있으므로, 이 X, Y축 방향에로의 이동에 의하여 반도체 웨이퍼의 전국패드와 프로우브가 확실하게 접촉되기 위한 어라이먼트 동작을 실시할 수가 있다.

여기에서, 이상의 실시예의 수정프로우브에서는, 최근의 고정밀도화한 IC의 미세패드 피치에 대응하여, 짧은책형상으로 형성된 미세 피치의 마이크로프로우브부를 용이하게 구성하는 것이 가능하다.

즉, 이 짧은책형상의 마이크로프로우브부(25)는, 에칭기술에 의하여 그 미세피치가 확보된다.

또한, 이 에칭은, 수정판(20)의 에칭면이 에칭방향인 Z 축성분을 포함하지 않은 X-Y 평면(Z면)과 수직방향인 Z 방향, 즉 수정판(20)의 두께 방향으로 만 진행한다.

따라서, 수정판(20)에 형성된 에칭영역(21) 내지 (23) 및 짧은책형상의 미세피치인 마이크로프로우브부(25)를 정확하게 에칭하는 것이 가능하다.

또한, 마이크로프로우브부(25)는, 짧은책 형상으로 형성되어 있어서 탄력성이 있으므로, IC(111)의 패드에 다소의 오목볼록이 있더라도, 이것에 따라서 정확하게 일괄하여 접촉하는 것이 가능하다.

또한, 제7도에 나타낸 실시예에 관한 수정프로우브장치는, 피검사체인 IC(111)의 모든 전극패드에 대하여, 수정프로우브장치의 마이크로프로우브부(25)의 위치 정밀도가 큰폭으로 향상하는 것이다.

즉, 수정판(20)의 X-Y 평면(Z면)에 IC 의 4변의 모든 전극패드에 대응하는 복수군(群)의 마이크로프로우브부(25)를, 에칭에 의하여 1매의 수정판(20)에 연결된 모양으로 일체성형하고 있기 때문에, 에칭후는 4개의 마이크로프로우브부(25)의 위치관계가 임의적으로 일정해진다.

이 때문에, 이 수정프로우브장치는, 수작업에 의한 위치맞춤은 완전히 불필요하게 되는 점에서 매우 우수한 것이다.

따라서, 이 수정프로우브장치는 숙련자에 의한 수작업을 필요로 하지 않고, 또한, 수작업에 의한 위치맞춤을 필요로하지 않기 때문에, 제조시간을 단축할 수가 있다.

이 때문에, 수정프로우브장치의 제조코스트가 대폭으로 절감될 수 있다. 이와같이 이상설명한 실시예에 관한 수정프로우브장치에 의하면, 마이크로프로우브부의 미세피치가 용이하게 실현할 수 있는 것에 덧붙여, IC의 4변의 전극패드에 대하는 위치정밀도가 대폭으로 향상할 수가 있다.

이 때문에, 전극패드와 마이크로프로우브의 확실한 접촉을 가능하게 한다.

또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것만은 아니고, 본 발명의 요지의 범위내에서 여러 가지의 변형 실시예가 가능하다.

먼저, 미세피치의 마이크로프로우브부를 형성하기 위해서는, 수정판의 에칭방향인 Z 축 성분을 포함하지 않은 결정축 X-Y 평면(Z면)을 에칭면으로하여 선택하면 좋다.

따라서, 상기 실시예와 같이 마이크로프로우브부 또는 전극패드부의 길이 방향이, 반드시 X, Y 방향에 일치하는 것이 아니라도 좋다.

또한, 마이크로프로우브부의 구성에 대하여도, 피검사체의 전극패드의 위치, 수에 대응시켜서 마이크로프로우브부를 형성하는 것이라면 좋다.

따라서, 마이크로프로우브부의 구성은, 반드시 4변 상에 따라서 마이크로프로우브부를 갖는 것이 아니라도 좋다.

Claims (10)

1. 피검사체의 전극배열에 대응하는 다수개의 마이크로프로우브부(25a)를 갖는 마이크로프로우브부(25)와, 이 마이크로프로우브부(25)에 연결접속되는 패턴배선부(52)와, 이 패턴배선부(52)에 연결접속되는 전극패드부(51)를 일체적으로 포함하고, 수정판(20)의 결정축(Z)과 직교하는 (Z)면을 에칭하는 것에 의해 형성된 복수개의 수정프로우브본체와, 이 수정프로우브본체 위에 형성된 금속패턴층(50)을 구비하는 수정프로우브장치.
2. 제1항에 있어서, 에칭은 이방성(異方性) 에칭인 수정프로우브장치.
3. 제1항에 있어서, 복수개의 수정프로우브본체는 1매의 수정판에서 일체로 형성되는 수정프로우브장치.
4. 제1항에 있어서, 금속패턴층(50)은 다중 금속층 구조인 수정프로우브장치.
5. 제4항에 있어서, 다중 금속층은 밑바닥층과 도전층으로 이루어지는 수정프로우브장치.
6. 제5항에 있어서, 밑바닥층은 크롬(62)위에 피복된 금(63)으로 이루어지는 수정프로우브장치.
7. 제5항에 있어서, 도전층은 금, 은, 동, 이리듐, 파라듐, 백금 등의 귀금속으로 구성되는 군(群)에서 선택된 금속으로 이루어지는 수정프로우브장치.
8. 제4항에 있어서, 다중 금속층은 마이크로 스트립라인 구조인 수정프로우브장치.
9. 제8항에 있어서, 수정판(20)의 한쪽면 위에 형성된 리이드 스트립라인(60)과, 이 리이드 스크립라인(60)에 대응하고, 이 수정판(20)의 다른쪽면위에 형성된 그라운드 스트립라인(61)을 구비하는 수정프로우브장치.
10. 제9항에 있어서, 리이드 스트립라인(60)패턴과, 그라운드 스크립라인(61)패턴과는 동일한 패턴을 갖는 수정프로우브장치.

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