JPH02298870A - プロービング装置 - Google Patents
プロービング装置Info
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- JPH02298870A JPH02298870A JP1121076A JP12107689A JPH02298870A JP H02298870 A JPH02298870 A JP H02298870A JP 1121076 A JP1121076 A JP 1121076A JP 12107689 A JP12107689 A JP 12107689A JP H02298870 A JPH02298870 A JP H02298870A
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Landscapes
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プロービング装置に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体集積回路（ＩＣ）や液晶基板（ＬＣＤ）
等には多数の電極が設けられており、その製造工程にお
ける電気的な検査にはプローブ装置が用いられている。
等には多数の電極が設けられており、その製造工程にお
ける電気的な検査にはプローブ装置が用いられている。
このようなプローブ装置における電気的な検査、例えば
半導体ウェハ上に形成されたＩＣの検査では、従来ＩＣ
の電極パッド列に対応させて絶縁基板上に例えばタング
ステン等からなる多数のプローブ針を植設したプロービ
ング装置を用いている。
半導体ウェハ上に形成されたＩＣの検査では、従来ＩＣ
の電極パッド列に対応させて絶縁基板上に例えばタング
ステン等からなる多数のプローブ針を植設したプロービ
ング装置を用いている。
そして、半導体ウェハを水平および垂直に移動させるこ
とにより、プローブ針とＩＣの電極パッドとを順次接触
させて電気的な導通を得、テスタによって電気的な検査
を行っている。
とにより、プローブ針とＩＣの電極パッドとを順次接触
させて電気的な導通を得、テスタによって電気的な検査
を行っている。
ところが、近年ＩＣ等の半導体素子の高密度化が急速に
進むにしたがい、このＩＣの電極パッドのピッチが微細
化し、かつ、その電極パッド数が大幅に増加している。
進むにしたがい、このＩＣの電極パッドのピッチが微細
化し、かつ、その電極パッド数が大幅に増加している。
このため、上述した絶縁基板上に多数のプローブ針を植
設したプロービング装置では、微細ピッチ化に対する対
応が困難であるという問題と、プローブ針の植設を手作
業によって行わなければならないため、その製造コスト
が極めて高価になってしまうという問題があった。
設したプロービング装置では、微細ピッチ化に対する対
応が困難であるという問題と、プローブ針の植設を手作
業によって行わなければならないため、その製造コスト
が極めて高価になってしまうという問題があった。
そこで、このような問題に対応可能なプロービング装置
として、例えば水晶あるいはセラミックス等の薄板から
なる弾性変形可能な絶縁基板に導体パターンを形成し、
この導体パターンの一部を従来のプローブ針に代るプロ
ーブ（電極パッドとの接触部）として用いるプロービン
グ装置が例えば特公昭６１−１４６５９号公報等で提案
されている。
として、例えば水晶あるいはセラミックス等の薄板から
なる弾性変形可能な絶縁基板に導体パターンを形成し、
この導体パターンの一部を従来のプローブ針に代るプロ
ーブ（電極パッドとの接触部）として用いるプロービン
グ装置が例えば特公昭６１−１４６５９号公報等で提案
されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述したプロービング装置では、弾性変
形可能な絶縁基板として厚さ例えば数十乃至数百ミクロ
ン程度の水晶あるいはセラミックス等からなる薄板を用
いているため、その両面 −に形成された金属薄膜の熱
膨張率の違いにより、温度変化によって絶縁基板に歪み
が生じることがある。このように絶縁基板に歪みが生じ
ると、被測定体の電極パッドとプローブとの相対的な位
置にずれが生じ、電極パッドとプローブとを確実に接触
させることが困難となり、安定した測定を行うことがで
きなくなるという問題が発生する。
形可能な絶縁基板として厚さ例えば数十乃至数百ミクロ
ン程度の水晶あるいはセラミックス等からなる薄板を用
いているため、その両面 −に形成された金属薄膜の熱
膨張率の違いにより、温度変化によって絶縁基板に歪み
が生じることがある。このように絶縁基板に歪みが生じ
ると、被測定体の電極パッドとプローブとの相対的な位
置にずれが生じ、電極パッドとプローブとを確実に接触
させることが困難となり、安定した測定を行うことがで
きなくなるという問題が発生する。
また、高密度化に対応するため、導体パターンの線幅が
細くなり、電気抵抗が増大して安定した測定が困難にな
る等の問題もある。
細くなり、電気抵抗が増大して安定した測定が困難にな
る等の問題もある。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
温度変化による歪みの発生を防止することができ、温度
変化が生じても安定した測定を行うことのできるプロー
ビング装置を提供しようとするものである。
温度変化による歪みの発生を防止することができ、温度
変化が生じても安定した測定を行うことのできるプロー
ビング装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち、第１の発明は、絶縁基板の一方の面に被測定
物の電極配列に対応した導体パターン群を有し、これら
の導体パターンの所定部位に設けられたプローブ部を前
記被測定物の電極に接触させて電気的な導通を得るよう
構成されたプロービング装置において、前記絶縁基板の
他方の面に、前記導体パターン群と同様な第２の導体パ
ターン群を形成し、それぞれ対応する前記導体パターン
と第２の導体パターンとを電気的に接続したことを特徴
とする。
物の電極配列に対応した導体パターン群を有し、これら
の導体パターンの所定部位に設けられたプローブ部を前
記被測定物の電極に接触させて電気的な導通を得るよう
構成されたプロービング装置において、前記絶縁基板の
他方の面に、前記導体パターン群と同様な第２の導体パ
ターン群を形成し、それぞれ対応する前記導体パターン
と第２の導体パターンとを電気的に接続したことを特徴
とする。
第２の発明は、絶縁基板の一方の面に被測定物の電極配
列に対応した導体パターン群を有し、これらの導体パタ
ーンの所定部位に設けられたプローブ部を前記被測定物
の電極に接触させて電気的な導通を得るよう構成された
プロービング装置において、前記絶縁基板の他方の面に
、前記導体パターン群と同様な第２の導体パターン群を
形成し、この第２の導体パターンをそれぞれ電気的に接
続してグランド電位に接続するよう構成したことを特徴
とする。
列に対応した導体パターン群を有し、これらの導体パタ
ーンの所定部位に設けられたプローブ部を前記被測定物
の電極に接触させて電気的な導通を得るよう構成された
プロービング装置において、前記絶縁基板の他方の面に
、前記導体パターン群と同様な第２の導体パターン群を
形成し、この第２の導体パターンをそれぞれ電気的に接
続してグランド電位に接続するよう構成したことを特徴
とする。
（作 用）
本発明のプロービング装置では、絶縁基板の一方の面に
被測定物の電極配列に対応して設けられた導体パターン
群に対応して、絶縁基板の他方の面に同様な第２の導体
パターン群を形成することによって、絶縁基板の両面に
形成された金属薄膜の熱膨張率をほぼ等しくさせて、温
度変化によって絶縁基板に歪みが生じることを防止する
。
被測定物の電極配列に対応して設けられた導体パターン
群に対応して、絶縁基板の他方の面に同様な第２の導体
パターン群を形成することによって、絶縁基板の両面に
形成された金属薄膜の熱膨張率をほぼ等しくさせて、温
度変化によって絶縁基板に歪みが生じることを防止する
。
また、第１の発明では、導体パターンと、この導体パタ
ーンに対応する第２の導体パターンとをそれぞれ電気的
に接続し、信号伝送に寄与する導体パターンの断面積を
実質的にほぼ２倍に拡大して電気抵抗を減少させ、電気
特性を改善する。
ーンに対応する第２の導体パターンとをそれぞれ電気的
に接続し、信号伝送に寄与する導体パターンの断面積を
実質的にほぼ２倍に拡大して電気抵抗を減少させ、電気
特性を改善する。
さらに、第２の発明では、第２の導体パターンをそれぞ
れ電気的に接続してグランド電位に接続することにより
、電気特性を改善する。
れ電気的に接続してグランド電位に接続することにより
、電気特性を改善する。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、絶縁基板１は、弾性変形可能な＋
イ質例えばセラミックスあるいは水晶板（２面）等でほ
ぼ扇状に形成されており、その一方の端部には、第３図
に示すようなウェハ２０上に形成されたＩＣの電極バッ
ド２１のピッチに対応して所定の微小ピッチで櫛歯状に
形成されたプローブ部２が設けられている。
イ質例えばセラミックスあるいは水晶板（２面）等でほ
ぼ扇状に形成されており、その一方の端部には、第３図
に示すようなウェハ２０上に形成されたＩＣの電極バッ
ド２１のピッチに対応して所定の微小ピッチで櫛歯状に
形成されたプローブ部２が設けられている。
また、この絶縁基板１の一方の面（下面）ｌａには、上
記プローブ部２の先端部から他端に向かってそれぞれ放
射状に多数の導体パターン３が薄膜技術を利用し例えば
マスクを介したドライエツチングにより形成されている
。さらに、第２図に示すように、絶縁基板１の他方の面
（上面）ｌｂにも、上記導体パターン３と同様に形成さ
れた第２の導体パターン４が形成されている。そして、
これらの導体パターン３と第２の導体パターン４とは、
それぞれ両面の同一部位に形成された対応するものが両
側端部５．６で電気的に接続されている。
記プローブ部２の先端部から他端に向かってそれぞれ放
射状に多数の導体パターン３が薄膜技術を利用し例えば
マスクを介したドライエツチングにより形成されている
。さらに、第２図に示すように、絶縁基板１の他方の面
（上面）ｌｂにも、上記導体パターン３と同様に形成さ
れた第２の導体パターン４が形成されている。そして、
これらの導体パターン３と第２の導体パターン４とは、
それぞれ両面の同一部位に形成された対応するものが両
側端部５．６で電気的に接続されている。
なお、上記導体パターン５および第２の導体パターン６
は、まずぬれ材として例えば絶縁基板１となじみ品い金
属例えばクロム層７を膜厚例えば５０ｎＩｎスパツタ等
により被着し、次にクロムとなじみ易い金属例えば金層
８を膜厚例えば５０ｎｍスパッタ等により被着し、この
後例えば金、銀、銅等の良導体からなる導体層９を膜厚
例えば５μｍ程度に電界めっき等により形成して構成さ
れている。
は、まずぬれ材として例えば絶縁基板１となじみ品い金
属例えばクロム層７を膜厚例えば５０ｎＩｎスパツタ等
により被着し、次にクロムとなじみ易い金属例えば金層
８を膜厚例えば５０ｎｍスパッタ等により被着し、この
後例えば金、銀、銅等の良導体からなる導体層９を膜厚
例えば５μｍ程度に電界めっき等により形成して構成さ
れている。
上記絶縁基板１は、第４図にも示すように、基体３０の
中央部に設けられた矩形の透孔３１の４辺からこの透孔
３１に向かう如く複数例えば４枚接着固定される。また
、第３図に示すように、絶縁基板１の端部にそれぞれ導
体パターン３および第２の導体パターン４に対応する導
体パターンを有するフレキシブルプリント基板３２を接
続し、これらのフレキシブルプリント基板３２を介して
図示しないテスタと絶縁基板１の導体パターン３および
第２の導体パターン４とを接続する。
中央部に設けられた矩形の透孔３１の４辺からこの透孔
３１に向かう如く複数例えば４枚接着固定される。また
、第３図に示すように、絶縁基板１の端部にそれぞれ導
体パターン３および第２の導体パターン４に対応する導
体パターンを有するフレキシブルプリント基板３２を接
続し、これらのフレキシブルプリント基板３２を介して
図示しないテスタと絶縁基板１の導体パターン３および
第２の導体パターン４とを接続する。
そして、ウェハ２０を載置した載置台３３をＸ−Ｙ−Ｚ
方向に移動させ、ウェハ２０上に形成されたＩＣの電極
バッド２１にプローブ部２先端の導体パターン３を接触
させるようにプロービング装置を構成し、テスタによっ
て電気的な検査を行う。
方向に移動させ、ウェハ２０上に形成されたＩＣの電極
バッド２１にプローブ部２先端の導体パターン３を接触
させるようにプロービング装置を構成し、テスタによっ
て電気的な検査を行う。
上記構成のこの実施例のプロービング装置では、絶縁基
板１の両面に同様な導体パターン群（導体パターン３、
第２の導体パターン４）が形成されているので、この絶
縁基板の両面の熱膨張率がほぼ等しくなる。したがって
、温度変化が生じても、絶縁基板１の主裏面での熱膨張
歪みが生じることを防止することができる。
板１の両面に同様な導体パターン群（導体パターン３、
第２の導体パターン４）が形成されているので、この絶
縁基板の両面の熱膨張率がほぼ等しくなる。したがって
、温度変化が生じても、絶縁基板１の主裏面での熱膨張
歪みが生じることを防止することができる。
また、これらの導体パターン群（導体パターン３、第２
の導体パターン４）は対応するものが、それぞれ両側端
部５．６で電気的に接続されている。したがって、導体
パターン３のみによって信号伝送を行う場合に較べて信
号伝送に寄与する導体パターンの断面積を実質的にほぼ
２倍に拡大することができ、電気抵抗を減少させ、電気
特性を改善することができる。
の導体パターン４）は対応するものが、それぞれ両側端
部５．６で電気的に接続されている。したがって、導体
パターン３のみによって信号伝送を行う場合に較べて信
号伝送に寄与する導体パターンの断面積を実質的にほぼ
２倍に拡大することができ、電気抵抗を減少させ、電気
特性を改善することができる。
さらに、この実施例では、複数枚の絶縁基板１を組合せ
て１つのプロービング装置を構成するので、ＩＣの電極
バッド２１に対するフレキシビリティ−が高い。
て１つのプロービング装置を構成するので、ＩＣの電極
バッド２１に対するフレキシビリティ−が高い。
なお、上記実施例では、導体パターン３と第２の導体パ
ターン４とをそれぞれ電気的に接続し、信号伝送に係る
電気抵抗を減少させて電気特性を改善したが、導体パタ
ーン３と第２の導体パターン４とをそれぞれ電気的に接
続せずに、第５図に示すように基板１の上面１ｂに形成
された第２の導体パターン４同士をそれぞれ例えば端部
に形成した導体パターン４０によって電気的に接続し、
第２の導体パターン４をグランド電位に接続することに
よってもノイズの侵入等を減少させて電気特性を改善す
ることができる。
ターン４とをそれぞれ電気的に接続し、信号伝送に係る
電気抵抗を減少させて電気特性を改善したが、導体パタ
ーン３と第２の導体パターン４とをそれぞれ電気的に接
続せずに、第５図に示すように基板１の上面１ｂに形成
された第２の導体パターン４同士をそれぞれ例えば端部
に形成した導体パターン４０によって電気的に接続し、
第２の導体パターン４をグランド電位に接続することに
よってもノイズの侵入等を減少させて電気特性を改善す
ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、温度変化による歪
みの発生を防止することができ、温度変化が生じても安
定したｎ１定を行うことができる。
みの発生を防止することができ、温度変化が生じても安
定したｎ１定を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例プロービング装置の絶縁基板
を示す図、第２図は第１図の絶縁基板の断面を示す図、
第３図および第４図は第１図のプロービング装置の全体
構成を示す図、第５図は他の実施例のプロービング装置
の絶縁基板を示す図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・プローブ部、
３・・・・・・導体パターン、４・・・・・・第２の導
体パターン。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 − （ほか１名） 第４図 第５図
を示す図、第２図は第１図の絶縁基板の断面を示す図、
第３図および第４図は第１図のプロービング装置の全体
構成を示す図、第５図は他の実施例のプロービング装置
の絶縁基板を示す図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・プローブ部、
３・・・・・・導体パターン、４・・・・・・第２の導
体パターン。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 − （ほか１名） 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）絶縁基板の一方の面に被測定物の電極配列に対応
した導体パターン群を有し、これらの導体パターンの所
定部位に設けられたプローブ部を前記被測定物の電極に
接触させて電気的な導通を得るよう構成されたプロービ
ング装置において、前記絶縁基板の他方の面に、前記導
体パターン群と同様な第２の導体パターン群を形成し、
それぞれ対応する前記導体パターンと第２の導体パター
ンとを電気的に接続したことを特徴とするプロービング
装置。 - （２）絶縁基板の一方の面に被測定物の電極配列に対応
した導体パターン群を有し、これらの導体パターンの所
定部位に設けられたプローブ部を前記被測定物の電極に
接触させて電気的な導通を得るよう構成されたプロービ
ング装置において、前記絶縁基板の他方の面に、前記導
体パターン群と同様な第２の導体パターン群を形成し、
この第２の導体パターンをそれぞれ電気的に接続してグ
ランド電位に接続するよう構成したことを特徴とするプ
ロービング装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121076A JPH02298870A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | プロービング装置 |
| US07/472,228 US5091694A (en) | 1989-01-31 | 1990-01-30 | Quartz probe apparatus |
| KR1019900001087A KR0151151B1 (ko) | 1989-01-31 | 1990-01-31 | 수정(水晶) 프로우브 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1121076A JPH02298870A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | プロービング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298870A true JPH02298870A (ja) | 1990-12-11 |
Family
ID=14802258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1121076A Pending JPH02298870A (ja) | 1989-01-31 | 1989-05-15 | プロービング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298870A (ja) |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1121076A patent/JPH02298870A/ja active Pending
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