KR0148417B1 - 평판형 음극선관 - Google Patents

평판형 음극선관

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KR0148417B1
KR0148417B1 KR1019940025037A KR19940025037A KR0148417B1 KR 0148417 B1 KR0148417 B1 KR 0148417B1 KR 1019940025037 A KR1019940025037 A KR 1019940025037A KR 19940025037 A KR19940025037 A KR 19940025037A KR 0148417 B1 KR0148417 B1 KR 0148417B1
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마꼬또 이시즈까
쯔네히꼬 스가와라
오또지로 기다
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기따오까 다까시
미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤
세야 히로미찌
아사히글라스 가부시끼가이샤
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Abstract

영상기기에 있어서의 수상관, 화상표시장치 등의 장치에 사용되는 평판형 음극선관에 관한 것으로서, 경량의 금속용기를 고신뢰성으로 실현하기 위해서, 정면에 개구부를 갖고 전자빔 형성유닛을 수납하기 위한 금속용기, 정면개구부를 밀봉하는 화면유리 및 금속용기에 산과물계 세라믹스를 용사하는 것에 의해 형성되고 금속용기와 화면유리 사이에 개재되어 있는 세라믹스막을 구비하며, 세라믹스막과 화면유리 사이에는 결정화 프릿유리가 개재되어 있고, 세라믹스막과 화면유리 사이는 유리융착에 의해 접합되어 있는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 형상 및 사이즈에 관계없이 경량화를 실현할 수 잇는 금속제 용기로 하더라도 강도, 기밀성 및 치수정밀도를 충분히 확보할 수 있어 기계적 특성이 양호하고 또한 동시에 많은 재료를 연속적으로 처리할 수 있으므로 양산성도 우수하다는 효과가 얻어진다.

Description

평판형 음극선관
제1도는 종래의 평판형 음극선관의 구성을 도시한 모식적 평면단면도.
제2도는 앞측 금속용기에 전처리를 실행한 것을 도시한 단면도.
제3도는 Cr산화막을 형성한 후 프릿유리에 의해 화면유리에 접합한 앞측 금속용기를 도시한 단면도.
제4도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관을 도시한 모식적 평면단면도.
제5도는 앞측 금속용기와 화면유리와의 결합부분을 도시한 확대단면도.
제6도는 프릿유리에 의한 결합시의 노내 설정온도의 1예를 도시한 그래프.
제7도는 플라즈마 용사법이 실제 동작에서 실행되는 상태를 도시한 모식적 그래프.
제8도는 세라믹스막과 앞측 금속용기와의 결합부분을 확대해서 도시한 단면도.
제9도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관에 있어서의 결합부분의 다른 실시예를 도시한 모식적 단면도.
제10도는 유리융착시의 노내 설정온도의 1예를 도시한 그래프.
제11도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관에 있어서의 결합부분의 또 다른 실시예를 도시한 모식적 단면도.
제12도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관에 있어서의 결합부분의 또 다른 실시예를 도시한 모식적 단면도.
본 발명은 영사기기에 있어서의 수상관, 화상표시장치 등의 장치에 사용되는 평판형 음극선관에 관한 것이다.
제1도는 종래의 평판형 음극선과의 구성을 도시한 모식적 평면단면도이다. 제1도에 있어서 (7)은 앞측 금속용기(7a)와 배면 금속용기(7b)로 이루어지는 평면한 금속하우징이다. 앞측 금속용기(7a)의 정면부는 개구되어 있고, 이 부분에는 형광체층(5)가 형성된 화면유리(4)가 결정화 프릿유리(frit glass)(또는 저융점유리;이하 프릿유리라고 한다)(15)에 의해 정면측에서 밀봉되어 있다. 이들 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)는 유리 융착(fusion coupling)에 의해서도 밀봉되는 경우도 있다. 금속용기(7)내에는 전자빔원을 구성하는 음극부(1), 이 음극부(1)에서 전자빔을 추출하는 전자빔 추출수단(2) 및 이 전자빔 추출수단(2)에 의해 추출된 전자빔의 진로를 여러개의 전극판에 의해 제어하는 전자빔 제어수단(3)을 구비하는 일종의 전자총인 전자빔 형성유닛이 내장되어 있다.
음극부(1) 및 전자빔 추출수단(2)는 배면 금속용기(7b)의 내측에 이러한 순으로 고정되어 있다. 전자빔 제어수단(3)은 그의 양끝에 스프링(12), (12)가 부착되어 있고, 이 스프링(12), (12)를 앞측 금속용기(7a)의 측부 내벽에 세워 마련한 세라믹스제의 스터드핀(stud pin)(11), (11)에 의해 착탈가능하게 지지하는 것에 의해서 메달려 있다.
금속용기(7)은 그의 내부에 전자빔 제어수단(3)이 장착되어 있는 앞측 금속용기(7a)와 음극부(1) 및 전자빔 추출수단(2)가 고정되어 있는 배면 금속용기(7b)를 서로 대향하는 관계로 접합(결합)하고 밀봉해서 이루어진다. 또, 금속용기(7)의 내부를 초고진공상태(10-5Pa이하)로 배기하기 위한 배기관(13)이 배면 금속용기(7b)에 배치되어 있다.
이상과 같이 구성된 평판형 음극선관의 동작에 대해서 설명한다. 음극부(1)을 소정의 전위로 유지하고 전자빔 추출수단(2)에 소정의 전압을 인가하면, 음극부(1)에서 전자빔이 추출된다. 전자빔 제어수단(3)에 제어신호를 인가하는 것에 의해 상기 전자빔의 진로를 제어한다. 그 후, 상기 형광체층(5)에 전자빔을 정확하게 충돌시키면 화상이 재현된다. 최근에는 대형화에 따른 중량의 증대를 완화시킬 목적으로 상술한 바와 같이 유리제 대신에 금속제를 선호하는 경향이 있다.
이와 같은 평판형 음극선관에서는 화면유리(4)와 앞측 금속용기(7a)를 프릿유리(15)에 의해서 서로 강고하에 결합(접합)시키기 위해서, 제2도에 도시한 바와 같이 금속부재(앞측 금속용기(7a))의 전처리로서 수㎛두께의 Cr산화막(Cr203)(20)을 형성해 둘 필요가 있었다. 제3도는 Cr산화막(20)이 형성된 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)를 프릿유리(15)에 의해 접합한 부분을 도시한 확대단면도이다.
Cr산화막(20)등의 산화막은 각종 방법으로 형성된다. 막의 치밀성 및 금속과의 밀착성을 고려하면, 일반적으로는 습수소(濕水素)분위기의 고온산화막이 양호하다고 고려되고 있다. 예를들면, 스테인레스강재(SUS430)는 1000℃에서 6시간 정도의 처리에 의해 3㎛의 산화막이 형성되는 것으로 알려져 있다. 그러나, 금속표면에 형성된 산화막과 프릿유리와의 접합은 진공응력에 대해서 충분한 접합강도를 갖고 있다고는 말하기 어렵고, 이 접합강도는 진공용기의 구조로서는 불충분하였다.
한편, 금속을 고온에서 장시간 가열하는 것은 열변형을 일으키고 또 기계적 특성에 악영향을 미치는 것이 분명하다. 주지인 바와 같이, 재료에 따라서는 결정입자의 조대화(粗大化)가 빨리 부서지거나 무르기 쉽게 되게 한다. 또, 상기 가열에 의해 접합면의 평탄도가 저하하므로, 균일한 접합이 곤란하게 된다. 그 때문에, 접합후의 치수변동도 발생하기 쉬워진다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 이상과 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 사전에 금속표면에 세라믹스막 또는 유리막을 용사(thermal spraying)에 의해 형성하고나서 금속과 유리를 결합시키는 것에 의해서 경량의 금속용기를 고신뢰성으로 실현할 수 있는 평판형 음극선관을 제공하는 것이다.
본 발명에 관한 평판형 음극선관은 금속용기와 화면유리와의 결합부분에 산화물계 세라믹스 예를들면 ZrO2-Y2O3을 용사(溶射)하는 것에 의해 세라믹스막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 용사시에 발생하여 세라믹스막내에 존재하는 다수의 기공이 산화물계 세라믹스와 금속용기와의 선팽창계수의 차를 흡수하여 완화시키므로, 산화물계 세라믹스와 금속용기는 높은 접합강도로 접합된다. 또한, 금속용기는 이 용사시의 종래의 Cr산화막 형성시와는 달리 고온을 받지않으므로 열변형이 적다.
또, 본 발명에 관한 평판형 음극선관은 금속용기와 화면유리와의 결합부분에 산화물계 세라믹스를 용사하는 것에 의해 세라믹스막을 형성하고, 또한 세라믹스막과 화면유리 사이를 결정화 프릿유리에 의애 결합하고 있는 것을 특징으로한다. 이 세라믹스막과 결정화 프릿유리와의 접합강도는 종래부터 사용되어 온 Cr산화막과 결정화 프릿유리와의 접합강도보다 높다. 이와같이, 세라믹스막과 결정화 프릿유리와의 접합강도가 높고 또 상술한 바와 같이 세라믹스막과 금속용기와의 접합강도도 높기 때문에, 금속용기와 화면유리를 종래보다 강고하게 결합할 수가 있다.
또, 본 발명에 관한 평판형 음극선관은 금속용기와 화면유리와의 결합부분에 산화물계 세라믹스를 용사하는 것에 의해 세라믹스막을 형성하고 또한 세라믹스막과 화면유리 사이를 유리융착에 의해 접합하는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이, 세라믹스막과 금속용기와의 접합강도가 높고 또 유리융착에 의해 세라믹스막과 화면유리 사이가 강고하게 접합되기 때문에, 금속용기와 화면유리를 종래보다 강고하게 결합할 수가 있다.
또, 본 발명에 관한 평판형 음극선관은 금속용기와 화면유리와의 결합부분에 무기산화물계 유리 예를들면 SIO2-PbO계 유리를 용사하는 것에 의해 유리막을 형성하는 것이다. 선팽창계수가 화면유리와 거의 동일한 유리를 용사하면, 세라믹스막 형성시에 얻어지는 바와 같은 높은 접합강도를 얻을 수 있다.또, 이 경우에도 고온열처리를 실행할 필요가 없으므로 열변형은 적다.
또한, 본 발명에 관한 평판형 음극선관은 금속용기의 결합부분에 무기산화물계 유리를 용사하는 것에 의해 유리막을 형성하고, 이것에 부가해서 유리막과 화면유리 사이를 결정화 프릿유리에 의해 결합하고 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 상술한 효과에 부가해서 이 유리막과 결정화 프릿유리와의 접합강도는 종래부터 사용되어 온 Cr산화막과 결정화 프릿유리의 접합강도보다 높다. 또, 유리막과 결정화 프릿유리 사이 및 유리막과 금속용기 사이의 접합강도도 높기 때문에, 금속용기와 화면유리를 종래보다 강고하게 결합할 수가 있다.
또한, 본 발명에 관한 평판형 음극선관은 금속용기의 결합부분에 무기산화물계 유리를 용사하는 것에 의해 유리막을 형성하고 또 이 유리막과 화면유리 사이를 유리융착에 의해 접합하고 있는 것을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이, 유리막과 금속용기와의 접합강도가 높고 또 유리융착에 의해 유리막과 화면유리 사이도 강고하게 접합되기 때문에, 금속용기와 화면유리를 종래보다 강고하게 결합할 수가 있다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면에 의해 명확하게 될 것이다.
이하, 본 발명은 그 실시예를 도시한 도면에 따라서 상세하게 설명한다.
[실시예 1]
제4도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관의 구성을 도시한 모식적 평면단면도이다. 제4도에 있어서 (7)은 앞측 금속용기(7a)와 배면 금속용기(7b)로 이루어지는 편평한 하우징(housing)형의 금속용기이다. 앞측 금속용기(7a)의 정면부는 개구되어 있고, 이 부분에는 규산염계 유리로 이루어지는 화면유지(4)가 세라믹스막(14) 및 프릿유리(결정화 프릿유리)(15)에 의해서 정면측에서 밀봉되어 있다. 또, 금속용기(7)의 내부에는 전자빔원인 음극부(1), 이 음극부(1)에서 전자빔을 추출하는 전자빔 추출수단(2) 및 이 전자빔 추출수단(2)에 의해 추출된 전자빔의 진로를 여러개의 전극판으로 제어하는 전자빔 제어수단(3)을 구비하는 일종의 전자총인 전자빔 형성유닛이 내장되어 있다.
음극부(1) 및 전자빔 추출수단(2)는 배면 금속용기(7b)의 내측에 이러한 순으로 강고하게 마련되어 있다. 또, 전자빔 제어수단(3)은 그의 양끝에 스프링(12), (12)가 부착되어 있고, 이 스프링(12), (12)를 앞측 금속용기(7a)의 측부 내벽에 세워 마련한 세라믹스제의 스터드핀(11), (11)에 의해 착탈가능하게 지지하는 것에 의해서 메달려 있다.
상기 금속용기(7)은 전자빔 제어수단(3)이 장착된 앞측 금속용기(7a)와 음극부(1) 및 전자빔 추출수단(2)가 강고하게 마련된 배면 금속용기(7b)가 서로 대향하는 관계로 접합되어 있다. 또, 금속용기(7)의 내부를 초고진공상태(10-5Pa )이하 배기하기 위한 배기관(13)이 배면 금속용기(7b)에 배치되어 있다.
이상과 같이 구성된 평판형 음극선관에 있어서의 동작에 대해서 설명한다. 음극부(1)을 소정의 전위로 설정하고 전자빔 추출수단(2)에 소정의 전압을 인가하는 것에 의해 전자빔이 추출된다. 전자빔 제어수단(3)에 제어신호를 인가하는것에 의해 이 전자빔의 진로를 제어하여 상기 형광체층(5)에 전자빔을 정확하게 충돌시키면 화상이 재현된다.
제5도는 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)와의 결합부분을 도시한 확대도이다. 이결합순서를 이하 설명한다. 먼저, 소정의 크기 및 형성으로 가공한 스테인레스강(SUS430)으로 이루어지는 앞측 금속용기(7a)의 결합표면을 Al2O3숯돌입자를 사용해서 샌드블라스트(모래분사) 처리하는 것에 의해 조면화(粗面化)하고 또 탈지세정한다. 그 후, 플라즈마 용사장치에 의해 실온하에서 ZrO2-Y2O38%분말을 30~50㎛의 두께로 용사해서 세라믹스막(14)를 형성한다. 그리고, 프릿유리(15)를 소정의 폭 및 두께로 도포한 후 화면유리(4)를 그 위에 배치하고, 440℃에서 40분정도의 소성을 실행하는 것에 의해 이들 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)를 결합한다.
제6도는 프릿유리(15)를 사용하여 결합하는 경우의 노내 설정온도의 1예를 도시한 그래프이다. 제6도에 도시한 바와 같이, 온도는 매분 3.5℃의 비율로 승온하고, 470℃에서 60분동안 유지된 후 150℃까지는 매분 2.6℃의 비율로 강온하고, 그 후에는 매분 2.0℃의 비율로 강온한다. 노내의 온도를 470℃로 설정한 경우, 결합면의 온도는 약 440℃가 얻어졌다.
세라믹스 용사에서는 상술한 바와 같은 플라즈마 용사법이 일반적으로 실시된다. 제7도는 이 플라즈마 용사법의 실시상태를 도시한 모식도이다. 플라즈마 용사는 플라즈마 용사총(16)에 의해 N2, H2또는 Ne, Ar 등의 불활성 가스를 전리(이온화)시키고, 이 플라즈마 용사총(16)에서 발사되는 고온, 고속의 플라즈마제트(plasma jet)에 코팅하고자 하는 재료의 세라믹스분말을 보내고, 제트 중에서 용융, 분사, 가속해서 모재인 앞측 금속용기(7a)에 이 용사입자(17)을 충돌시키는 것에 의해서 막을 형성하는 방법이다. 플라즈마제트는 매우 고온으로서, 세라믹스재료와 같은 고융점 물질의 용사에 적합하다. 세라믹스의 입자는 모재와 충돌한 후 편평하게 변형되어 급속하게 고화하고, 그들의 입자가 순차 적충되는 것에 의해 막이 형성된다.
용사(thermal spraying)는 고융점 물질을 용융부착시키는 프로세스임에도 불구하고 모재의 온도상승은 비교적 작고, 일반적으로는 150℃정도로 억제할 수 있다는 것이 알려져 있다. 따라서, 용사입자(17)의 충돌에 의한 모재의 변형가능성은 적다고 할 수 있다. 본 실시예에서도 앞측 금속용기(7a)의 온도상승은 100℃정도이고, 어떠한 금속의 변형 등도 발견되지 않았다. 또, 용사된 세라믹스막(14)는 연마가공에 의해 높은 치수정밀도 및 우수한 표면조로도 가공할 수가 있다.
제8도는 세라믹스막(14)와 모재인 앞측 금속용기(7a)와의 접합부분을 확대해서 도시한 단면도이다. 이들 접합은 주로 제8도에 도시한 바와 같은 투묘(投錨)효과(anchoring effect)에 의한 것이라 고려된다. 또, 용사시에 발생하여 세라믹스막(14)내에 존재하는 다수의 기공은 용사되는 재료와 모재와의 선팽창계수의 차를 흡수하여 완화시키는 능력을 갖고 있다.
프라즈마 용사에 의해 형성한 세람믹스막(14)의 프릿유리(15)에 대한 접합 강도를 측정한 결과를 다른 샘플과 비교해서 아래표에 도시한다. 측정에는 30mm ×30mm×두께(t)5mm의 스테인레스강(SUS430) 표면에 플라즈마용사를 실행하여 두께 60㎛의 세라믹스막(14)를 형성한 것, 스테인레스강 표면에 습수소산화로 두께 3㎛의 Cr산화막을 형성한 것 및 유리판(#5000)의 것을 샘플로서 사용하고 있다. 각 샘플에 프릿유리를 440℃에서 1시간의 열처리를 실행하여 자연융착시킨다. 그리고, 약25mm의 직경으로 한 후, 인장강도 시험에 의해 샘플판과 프릿유리와의 접합강도를 측정하였다. 이 데이타는 5회의 테스트결과에서 얻어진 평균값이다.
이 표에서 프릿유리에 대한 세라믹스막(14)의 접합강도는 프릿유리와의 접합에 관해서 다방면에서 이미 증명된 바 있는 유리 또는 Cr산화막의 접합강도보다 높다는 것을 알 수 있다. 또, 종래 사용되고 있던 Cr산화막을 형성하는 경우 금속용기의 금속의 조성은 Fe-Cr계 등에 한정되고 있었지만, 본 발명에 있어서의 세라믹스막(14)를 형성하는 경우에는 특별한 제한은 없다.
화면유리(4)를 접합한 앞측 금속용기(7a)에 배면 금속용기(7b)를 금속용접 한 후, 400℃에서 20분동안(승온 비율은 10℃/분, 강온비율은 10℃/분)의 열처리공정을 통해서 배기관(13)을 진공상태로 하였다. 이 처리에 있어서, 유리와 금속과의 결합부에 이상은 발견되지 않았다. 또, 이 평판형 음극선과에 외기압을 부과하고, 내외 분위기 압력차 3Kg으로 10분간 유지한 경우에도 용기의 파손 또는 유리/금속 결합부에도 어떠한 이상도 발견되지 않았다. 이 시험을 실행한 후 He누설검출기로 기밀성에 대한 검사를 실시하였지만, 장치의 한계를 초과하는 누설은 검출되지 않았다.
[실시예 2]
제9도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관에 있어서의 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)와의 결합부분의 다른 실시예를 도시한 모식적 단면도이다. 본 실시예에서는 세라믹스막(14)를 형성한 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)를 유리융착에 의해 서로 접합하고 있다. 다른 구성부품은 제4도에 도시한 것과 마찬가지이다. 유리융착은 화면유리(4)의 설정변형 억제 및 화면유리(4)와 앞측 금속용기(7a)와의 접합위치맞춤을 위한 탄소대(carbon die)를 사용하고 N분위기 노(爐)에 있어서 900℃에서 30분동안 가열을 실행한 후 서서히 냉각시켜 실시하였다.
제10도는 이 유리융착시의 노내 설정온도의 1예를 도시한 그래프이다. 제10도에 도시한 바와 같이, 온도는 매분 20℃의 비율로 승온하고, 9000℃에서 20분 동안 유지된 후 550℃까지는 매분 2.6℃의 비율로 강온하며, 그 후에는 매분 1.7℃의 비율로 강온한다.
본 실시예에 있어서도 상술한 실시예와 마찬가지로 양호한 결합이 얻어졌다.
[실시예 3]
제11도는 본 발명에 관한 평판형 음극선관에 있어서의 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)와의 결합부분의 또 다른 실시예를 도시한 모식적 단면도이다.
본 실시예에서는 앞측 금속용기(7a)표면에 유리막(18)을 형성하고, 또 프릿유리(15)를 형성하여 앞측 금속용기(7a)와 화면유리(4)를 결합하고 있다. 다른구성은 제4도에 도시한 것과 마찬가지이다. 상술한 실시예에서는 플라즈마 용사장치에서 발사되는 플라즈마제트에 세라믹스분말을 공급해서 세라믹스막(14)를 형성하였다. 본 실시예에서는 이 세라믹스분말 대신에 유리분말을 플라즈마제트에 공급하여 30~50㎛두께의 유리막(18)을 형성하고 있다. 이 유리분말로서는 화면유리(4)와 선팽창계수가 거의 동일한 100 S 10 /℃이고 연화점(軟化點)이 660℃인 SiO-PbO계 유리를 사용하였다.
상술한 실시예와 마찬가지로, 배면 금속용기(7b)를 금속용접한 후 진공상태로 하여 본 발명 장치의 강도 및 기밀성을 검사하였지만, 유리/금속 결합부분을 포함해서 어떠한 이상도 발견되지 않았다. 유리막(18)의 밀착성을 향상시키기 위해서 앞측 금속용기(7a)는 400℃로 예열해서 사용했지만, 앞측 금속용기(7a)에 대해 어떠한 변형도 발견되지 않았다.
[실시예 4]
또, 제12도에 도시한 바와 같이 유리막(18)과 화면유리(4)를 유리융착에 의해 접합한 경우에도 상술한 실시예와 마찬가지로 양호한 효과가 얻어졌다.
본 발명에 관한 평판형 음극선관은 형상 및 사이즈에 관계없이 경량화를 실현할 수 있는 금속제 용기로 하더라도 강도, 기밀성 및 치수정밀도를 충분히 확보할 수가 있다. 따라서, 본 발명은 하이비젼용 수상관과 같이 전체적으로 높은 조립정밀도가 요구되는 평판형 음극선관에도 적용할 수 있다. 또, 종래의 습수소처리와는 달리 동시에 많은 재료를 연속적으로 처리할 수 있으므로, 양산성(量産性)도 우수하다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라서 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러가지로 변경가능한 것은 물론이다.

Claims (8)

  1. 정면에 개구부를 갖고 전자빔 형성유닛을 수납하기 위한 금속용기, 상기 정면개구부를 밀봉하는 화면유리 및 상기 금속용기에 산화물계 세라믹스를 용사하는 것에 의해 형성되고 상기 금속용기와 상기 화면유리 사이에 개재되어 있는 세라믹스막을 구비하는 평판형음극선관.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹스막은 ZrO2-Y2O3을 용사하는 것에 의해 형성되는 평판형 음극선관.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세라믹스막과 상기 화면유리 사이에는 결정화 프릿유리가 개재되어있는 평판형 음극선관.
  4. 제1항에 있어서, 상기 세라믹스막과 상기 화면유리 사이는 유리융착에 의해 접합되어 있는 평판형 음극선관.
  5. 정면에 개구부를 갖고 전자빔 형성유닛을 수납하기 위한 금속용기, 상면 정면개구부를 밀봉하는 화면유리 및 상기 금속용기에 선팽창계수가 상기 화면유리와 거의 동일한 유리를 용사하는 것에 의해 형성되고 상기 금속용기와 상기 화면유리 사이에 개재되어 있는 유리막을 구비하는 평판형 음극선관.
  6. 제5항에 있어서, 상기 유리막은 SiO2-PbO계 유리를 용사하는 것에 의해 형성되는 평판형 음극선관.
  7. 제5항에 있어서, 상기 유리막과 상기 화면유리 사이에는 결정화 프릿유리가 개재되어 있는 평판형 음극선관.
  8. 제5항에 있어서, 상기 유리막과 상기 화면유리 사이는 유리융착에 의해 접합되어 이는 평판형 음극선관.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100186540B1 (ko) * 1996-04-25 1999-03-20 구자홍 피디피의 전극 및 그 형성방법
KR20000024431A (ko) * 2000-02-14 2000-05-06 이남재 연성 고형 입자사료의 제조방법
JP2002083535A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Sony Corp 密封容器およびその製造方法ならびに表示装置
KR20020055329A (ko) * 2000-12-28 2002-07-08 네오바이온(주) 양어용 바이오 사료의 제조 방법
US6974517B2 (en) * 2001-06-13 2005-12-13 Raytheon Company Lid with window hermetically sealed to frame, and a method of making it
KR20010099196A (ko) * 2001-09-10 2001-11-09 제창국 천연 무기질을 주재로 한 광물사료 및 무기물 먹이
US6745449B2 (en) * 2001-11-06 2004-06-08 Raytheon Company Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window
US6988338B1 (en) 2002-10-10 2006-01-24 Raytheon Company Lid with a thermally protected window
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) * 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN105700301B (zh) 2003-04-10 2018-05-25 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR20140139139A (ko) * 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101289979B1 (ko) 2003-06-19 2013-07-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101441777B1 (ko) * 2004-03-25 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20080073563A1 (en) 2006-07-01 2008-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US20080225248A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Nikon Corporation Apparatus, systems and methods for removing liquid from workpiece during workpiece processing
US7830046B2 (en) * 2007-03-16 2010-11-09 Nikon Corporation Damper for a stage assembly
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US8451431B2 (en) * 2009-01-27 2013-05-28 Nikon Corporation Control systems and methods applying iterative feedback tuning for feed-forward and synchronization control of microlithography stages and the like
US20100222898A1 (en) * 2009-01-27 2010-09-02 Nikon Corporation Stage-control systems and methods including inverse closed loop with adaptive controller
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
KR101035727B1 (ko) * 2010-10-14 2011-05-19 황재호 어피를 이용한 기능성 사료 첨가제와 이의 제조방법 및 기능성 양어용 사료

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019080A (en) * 1971-11-05 1977-04-19 Thomson-Csf Vacuum-tight seals between ceramic and aluminium components, evacuated envelopes incorporating the components sealed by said method, and vacuum tubes incorporating said envelopes
US4310598A (en) * 1978-09-21 1982-01-12 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Coated glass powder having a negative coefficient of linear thermal expansion and a composition containing the same
JPS56128542A (en) * 1980-03-12 1981-10-08 Hitachi Ltd Electron tube
JPS5777078A (en) * 1980-10-27 1982-05-14 Komatsu Mfg Co Ltd Ceramics and metal jointing method
US4430360A (en) * 1981-03-11 1984-02-07 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of fabricating an abradable gas path seal
US4398980A (en) * 1981-07-24 1983-08-16 Kelsey Jr Paul V Method for fabricating a seal between a ceramic and a metal alloy
US4544091A (en) * 1982-05-06 1985-10-01 Gte Products Corporation Target bonding process
JPS5997581A (ja) * 1982-11-26 1984-06-05 バブコツク日立株式会社 セラミツクスライニング法
GB2187036A (en) * 1986-02-21 1987-08-26 Philips Electronic Associated Cathode ray tube
US4713520A (en) * 1986-03-24 1987-12-15 Tektronix, Inc. Method and apparatus for interconnecting and hermetically sealing ceramic components
US4885640A (en) * 1986-11-07 1989-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Image reading apparatus
DE3911343A1 (de) * 1989-04-07 1990-10-11 Nokia Unterhaltungselektronik Flache anzeigeeinrichtung
US5200241A (en) * 1989-05-18 1993-04-06 General Electric Company Metal-ceramic structure with intermediate high temperature reaction barrier layer
US5248914A (en) * 1990-12-26 1993-09-28 Zenith Electronics Corporation In process tension mask CRT panel with peripheral bodies
KR950001363B1 (ko) * 1991-01-16 1995-02-17 미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤 보강틀을 갖는 음극선관장치
KR920015415A (ko) * 1991-01-30 1992-08-26 시기 모리야 평판형 음극선관
JP2621691B2 (ja) * 1991-06-13 1997-06-18 三菱電機株式会社 陰極線管

Also Published As

Publication number Publication date
US5528100A (en) 1996-06-18
JP3212199B2 (ja) 2001-09-25
TW315041U (en) 1997-09-01
DE4431386C2 (de) 2001-04-26
KR950012561A (ko) 1995-05-16
JPH07105875A (ja) 1995-04-21
DE4431386A1 (de) 1995-04-13

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