KR0145708B1 - 감광제 및 그 감광제를 사용한 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴형성방법 - Google Patents

감광제 및 그 감광제를 사용한 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴형성방법

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KR0145708B1 KR1019890011105A KR890011105A KR0145708B1 KR 0145708 B1 KR0145708 B1 KR 0145708B1 KR 1019890011105 A KR1019890011105 A KR 1019890011105A KR 890011105 A KR890011105 A KR 890011105A KR 0145708 B1 KR0145708 B1 KR 0145708B1
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Abstract

내용없음.

Description

감광제 및 그 감광제를 사용한 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴형성방법
본 발명은 용매 특히 극성용매에 대한 용해성이 좋고 수현산성이 양호한 감광제 및 그의 감광제를 함유하는 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴 형성방법에 관한 것이다.
술폰산기를 가지는 수용성의 방향족 아지드화합물과 바인더수지로 구성된 수성현상 가능한 감광성 수지조성물은 오프셋 인쇄, 스크린인쇄, 프루프 등의 인쇄용, 컬러필터, 블랙매트릭스, 프린트회로 등의 전자재료용 또는 생체촉매의 고정화용 등으로 다방면으로 이용되고 있다.
종래부터 사용되고 있는 술폰산기를 가지는 수용성의 방향족 아지드화합물로서는 예컨대 다음식으로 표시되는 술폰산, 술폰산의 알칼리염 또는 암모늄염을 들수 있다.
Figure kpo00001
Figure kpo00002
Figure kpo00003
Figure kpo00004
단, 식중 A는 H, Na, K또는 NH4이다.
그러나, 상술한 감광제로서의 4, 4'-디아지드스틸벤-2,2'-디술폰산의 나트륨, 칼륨 또는 암모늄염은 예컨대 물, 알코올, 셀로솔브, 디메틸포름아미드, 디옥산 또는 이들의 혼합용매 등의 극성용매에 대한 용해성이 낮은 감광제와 바인더수지와의 상용성이 나쁜, 수현상을 하면 팽윤이 심하고 해상도가 저하하는 등의 문제를 가진다.
또 상기 일반식(1)내지 (4)로 표시되는 화합물중 A=H인 술폰상은 용해성은 높으나 강산성이기 때문에, 금속기판 등에 사용하면 술폰산에 의해서 당해 금속이 부식한다거나 또는 내부식성의 도포장치가 필요하다는 등의 문제가 발생한다. 따라서 그의 사용범위가 한정이 된다.
또 알칼리금속염의 것은 용해하는 용액의 pH에 의해서 용해성이 다르거나, 결정형에 의해서 그의 용해성이 다르게 되는 문제가 있다.
또한 전자재료용으로서는 알칼리금속염을 함유하는 것은 사용할 수 없다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해소한 감광제 및 그의 감광제를 사용한 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴형성방법을 제고하는 것을 목적으로한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 특정의 구조를 가지는 방향족 아지드화합물을 사용함으로써, 금속을 함유하지 않고 에틸셀로솔브 등의 극성용매에 잘 용해하며 감광제와 바인더수지와의 상용성도 좋고, 수현상에 의하여도 팽윤이 적고 해상도가 양호한 감광제를 사용한 감광성 수지조성물을 얻는것 및 감광성 수지조성물을 사용한 패턴현상방법을 발견하였다.
이러한 발견에 의거한 본 발명에 관한 감광제는 다음 일반식(Ⅰ)로 표시되는 방향족 디아지드화합물인 것을 특징으로 한다.
Figure kpo00005
(식중, X는
Figure kpo00006
,
Figure kpo00007
또는
Figure kpo00008
를 나타내고, Y는
Figure kpo00009
또는
Figure kpo00010
를 나타낸다.
단, R1은 치환 또는 비치환알킬렌기, R2, R3는 수소 또는 저급알킬기, m은 1, 2 또는 3, n은 1 또는 2를 나타내며, R4는 탄소수 4이상, 20이하의 치환 또는 비치환알킬기, R5는 수소 또는 탄소수 20이하의 치환 또는 비치환알킬기를 나타내고,
R6, R7, R8, R9, R10은 수소, 알킬기, 치환알킬기, 아르알킬기, 아릴기, 또는 R6내지 R9중의 2개가 같이 되어서 형성하는 알킬렌기를 나타낸다.
또한 R6내지 R9이 각각 동시에 수소로 되는 것은 없다.
상기 일반식(Ⅰ)의 감광제에 있어서, 다음 일반식(Ⅱ내지 Ⅳ)의 감광제가 바람직하다.
Figure kpo00011
Figure kpo00012
Figure kpo00013
(식중의 R1~R9는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.
구체적으로는 다음 일반식(Ⅴ)내지 (ⅩⅠ)을 들 수 있다.
Figure kpo00014
Figure kpo00015
Figure kpo00016
Figure kpo00017
Figure kpo00018
Figure kpo00019
Figure kpo00020
또 본 발명에 관한 감광성 수지조성물은 방향족 디아지드 화합물을 감광제로 하는 수성현상 가능한 감광성 수지조성물에 있어서 이 감광제는 상기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 방향족 디아지드화합물인 것을 특징으로 한다.
상기 일반식(Ⅰ)의 감광제를 사용한 감광성 수지조성물에 있어서, 다음 일반식(Ⅱ내지 Ⅳ)의 감광제를 사용한 감광성 수지조성물이 특히 바람직하다.
Figure kpo00021
(식중의 R1내지 R9는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다.)
다음 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 감광제로서 상기 일반식(Ⅰ)으로 표시되는 방향족 아지드화합물과 유사의 아미드로서는 예컨대 USP 3 092 494에 개시되어 있는 아릴아미드 등이 알려져 있으나 이것들의 화합물은 에틸셀로솔브 등의 극성용매에 대한 용해성이 나쁘고, 또한 수현상이 불가능 또는 대단히 곤란하다는 성질을 가지고 있다. 또, 술폰산에스테르류에 대하여도 검토하였으나, 같이 용해성, 현상이 나쁘다는 등 결점을 가지고 있다.
그러나, 상기 (Ⅰ)에서 나타내는 방향족 디아지드화합물이 특이적으로 에틸셀로솔브등의 극성용매에 잘 용해되고, 바인더수지와의 상용성도 좋고, 또한 수성현상액에 대한 현상성이 좋다는 성질을 가지고 있다.
상기 일반식(Ⅱ) 또는 (Ⅲ)으로 표시되는 방향족 아지드화합물은 예컨대 USP 3 092 494에 표시되는 방법과 같이하여, 4, 4'-디자이드스틸벤-2, 2'-디술폰산을 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산 클로라이드로, 이 술폰산클로라이드와 하기 일반식(5), (6)에서 표시되는 아민류를, 다음에 표시한 용매의 존재하에서 촉매로서 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 무기알칼리, 트리에틸아민, 피리딘 등의 유기아민을 사용하든가, 원료의 아민류를 과잉으로 사용하든가 하여 반응시킴으로써 얻는다.
Figure kpo00022
(식중의 R1, R2, R3, m, n는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다).
Figure kpo00023
(식중의 R4, R5는 상기 일반식(Ⅰ)과 같다).
또한 용매로서는 다클로르메탄, 디클로르에탄, 클로로포름 등의 탄화수소류, 메탄올, 에탄올, 프로판올 등의 알코올류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온 등의 케톤류, 디에틸에테르, 디옥산, 테트라히드로푸란 등의 에테르류, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드등의 아미드류 등을 사용하면 좋다.
또 반응온도, 반응시간은 사용한 일반식(5), (6)의 아민의 종류 또는 용매, 촉매의 종류에 의해서 다르며, 통상은 0내지 50℃에서 10시간이내이다.
본 발명에 관한 상기 일반식(Ⅰ)으로 나타내는 감광제인 술폰산기를 포함한 방향족 아지드화합물의 유기아민염으로서는 예컨대 하기 일반식(7내지 9)의 화합물을 들 수 있다.
Figure kpo00024
Figure kpo00025
Figure kpo00026
또한, 식중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10은 동일 또는 달라도 좋고, 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 벤질기, 헥실기, 아밀기 등의 알킬기, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기 등의 치환알킬기, 벤질기 등의 아르알킬기, 페닐기 등의 아릴기를 표시하고, 또는 R1내지 R4또는 R5내지 R8중의 2개가 같이 되어서 알킬렌기를 형성하여도 좋다.
단,1내지 R4또는 R5내지 R8이 각각 동시에 수소로 이루어지는 것은 아니다.
이들의 아지드화합물을 제조하는데는 그의 아지드술폰산수용액을 유기아민, 또는 유기아민의 4급암모늄 하이드록사이드로 중화후, 염석 또는 농축함으로써 용이하게 제조된다.
아지드술폰산은 예컨대 그의 알칼리 금속염을 산성이온교환수지에 의해서 이온교환하는 것으로 용이하게 제조된다.
유기아민류로서는 예컨대 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 지방족아민, 피롤리딘, 피페리딘 등의 지환식아민, 피리딘, 아닐린 등의 방향족아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라부틸 암모늄하이드록사이드, N, N-디메틸피페리디늄하이드록사이드, 트리메틸벤질암모늄하이드록사이드 등의 4급암모늄화합물이 알맞게 사용된다.
본 발명의 감광성 수지조성물에는 바인더수지로서, 통상, 피막형성능을 가지는 수성현상가능한 수지가 배합된다.
이러한 피막형성 수지로서는 공지의 것, 예컨대 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐메틸에테르, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐아크릴산, 비닐알코올과 비닐피롤리돈의 공중합체, (메타)아크릴레이트와(메타)아크릴아미드공중합체(특개속 59-191033호 공보, 특개소 51-103502호 공보, 특개소 63-10152호 공보), (메타) 아크릴산아미드와 2-시아노에틸(메타)아크릴산에스테르의 공중합체(특개소 51-143318호 공보), 아크릴아미드와 디아세톤 아크릴아미드의 공중합체(특개소 49-68801호 공보), 비닐 알코올과 말레산의 공중합테(특개속 48-97602호 공보), 그래프트화 폴리비닐알코올, 아세토아세트산에스테르기 또는 알릴기함유 폴리비닐알코올계수지(특개속 58-17494호 공보), 술포네이트염의 기를 가지는 공중합폴리아미드(특개소 50-54405호 공보), 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시메틸 세룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 폴리-L-글루타민산나트륨(특개소 48-90727호 공보), 젤라틴, 셀락, 아라비아고무, 카제인 등의 바인더수지를 들수 있다.
상기 감광제로서의 방향족 디아지드화합물과 바인더수지와의 배합비율은 수용성바인더 100중량부에 대하여 방향족 디아지드 화합물 1내지 50중량부이며, 바람직하게는 3내지 20중량부이다.
본 발명의 감광성 수지조성물에는 기판과의 밀착성을 높이는 실리콘화합물, 도포성을 개량하는 계면활성제 등을 첨가할 수 가 있다.
본 발명의 감광성수지는 기판상에 도포하여 막을 형성한 후 노광하여 그후 수성현상액으로 현상하므로써 패턴을 형성할 수 있다.
다음에 본 발명의 패턴형성방법의 1예를 나타냈다.
먼저 본 발명의 감광제를 함유한 감광성수지조성물을 예컨대, 물, 알코올, 에틸셀로솔브 등의 용액에 용해한다.
본 감광성 수지조성물을 용해한 용액을 예를 들면 실리콘웨이퍼, 유리, ITO, 알루미나 등의 기판상에 예컨대 스피나 혹은 로울코우터로 도포하여 건조하여 감광막을 형성한다.
본 발명 방법에 있어서는 상기 감광막을 형성한 후, 소정의 패턴을 통하여 노광한다.
그후 이 감광막을 예컨대 물 또는 약간의 알칼리나 알코올을 포함한 수성현상액으로 현상함으로써 소망의 패턴이 형성된다.
여기서, 본 발명에서 수성현상액이란 물, 물에 가용한 유기용매 예컨대 메탄올, 에탄올, 아세톤, 디옥산, 테트라히드로푸란등을 물에 대하여 50중량%이하 용해시킨 것, 또는 예컨대 수산화나트륨, 수산하칼륨, 메타붕산나트륨 등의 무기알칼리, 트리에틸아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 트리에탄올아민 등의 유기아민류를 각각 물에 대하여 5중량%이하 용해시킨 것을 예시할 수 있다.
[실시예]
다음에 실시예에 의하여 본 발명을 더욱이 상세히 설명한다.
먼저 하기 일반식(Ⅱ)의 감광제인 합성예에 대하여 설명한다.
Figure kpo00027
[실시예 1]
Figure kpo00028
4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산클로라이드 100g(0.2211몰)과 3-아미노-1-프로판올 66.43g(0.8844몰)을 디메틸포름아미드 400㎖에 분산시켰다.
이때, 실온에서 약 2시간 교반하면 용해된다.
이, 반응혼합물을 물 400㎖와 메탄올 100㎖와의 혼합용매중에 주입, 결정을 석출시켰다.
석출한 결정을 여과하여, 얻어진 결정을 물-아세톤에서 재결정하여 아미드 No.1을 얻었다.
이 아미드는 m.p157내지 160℃, HPLC 순도 98.5%이며, 다음의 스펙트럼데이타에 의해서 확인되었다.
적외흡수 스펙트럼:
Figure kpo00029
핵자기 공명스펙트럼:
Figure kpo00030
자외흡수 스펙트럼
Figure kpo00031
[실시예 2]
실시예 1과 전적으로 같이하여 표1에 표시한 아미드(No.2 내지 No.7)를 합성하였다.
Figure kpo00032
상기 일반식(Ⅱ)의 감광제를 사용한 감광성 수지조성물의 제조예 및 시험예
[실시예 3 내지 8]
폴리비닐 피롤리돈(평균분자량 32만)5g을 에틸셀로솔브 106g에 녹인 용액에 실시 1, 2에서 합성한 아미드의 표2에 표시한 량을 각각 용해하여 그 용해성을 시험하였다.
또 용해한 감광성 수지조성물에 대하여 그레이닝(graining)한 알루미늄판에, 건조후에 막두께가 2.0g/㎡이 되도록 도포하여, 80℃에서 20분간 건조하였다.
1KW할로겐화금속 등에서 20㎝의 거리로부터 30초간 노광후 물로 현상하여, 그 감도를 스텝 타블렛법(코닥스텝 타블렛 No.2 사용)으로 측정하였다.
또한 물에 의한 현상성, 현상에 의해 팽윤이 있는지 없는지를 시험하였다.
이들의 결과를 표2에 표시하였다.
참고예로서 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산의 나트륨염, 암모늄염 및 하기에 나타낸 아릴아미드 및 에스테르류를 감광제로 하는 감광성 수지조성물에 대한 결과도 동시에 나타냈다.
아릴아미드 A
Figure kpo00033
에스테르 B
Figure kpo00034
Figure kpo00035
* 결정형에 의해서 용해성이 다르다.
** 코닥스텝 타블렛 No.2에서의 베타단수
표2에서, 본 발명에 관한 상기 일반식(Ⅱ)의 감광제를 사용한 감광성 수지조성물은 용해성, 감도, 물에 의한 현상성이 양호하며, 팽윤도 없는 것을 알 수 있다.
다음에 하기 일반식(Ⅲ)의 감광제의 합성예에 대하여 설명한다.
Figure kpo00036
[실시예 9]
Figure kpo00037
4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산클로라이드 15.0g을 디메틸 포름아미드 150㎖에 교반하에 분산시켜서 용액으로 하였다.
이 용액에 n-옥틸아민 9.43g과 트리에틸아민 8.39g과의 혼액을 15 내지 20℃의 온도범위에서 적하하여, 이어서 1시간 실온에서 교반하였다.
이어서 반응액에서 트리에틸아민염산염을 여과분별한 후, 물 400㎖와 메탄올 100㎖의 혼합용매에 주입하여 결정을 석출시켰다.
석출한 결정을 여과분별하여 얻어진 결정을 디메틸포름아미드-물에서 재결정하여 아미드 No.9을 얻었다.
이 아미드 No.9는 m.p152내지 153℃, HPLC순도 98.5%이며, 다음의 스펙트럼데이타에 의해 확인되었다.
적외흡수 스펙트럼:
Figure kpo00038
핵자기 공명스펙트럼:
Figure kpo00039
자외흡수 스펙트럼:
Figure kpo00040
[실시예 10]
실시예 9와 전적으로 같이하여 표3에 표시한 아미드(No.10 내지 No.16)을 합성하였다.
Figure kpo00041
상기 일반식(Ⅲ)의 감광제를 사용한 감광성 수지조성물의 제조예 및 시험예
[실시예 11내지 15]
폴리비닐피롤리든(평균분자량 32만) 5g을 에틸셀로솔브 106g에 녹인 용액에 실시예 9, 10에서 합성한 아미드의 표-4에 표시한 양을 각각 용해하여, 그의 용해성을 시험하였다.
또 용해한 감광성 수지조성물에 대하여 그레이닝한 알루미늄판에, 건조후에 막두께가 2.0g/㎡이 되도록 도포하여, 80℃에서 20분간 건조하였다.
1KW할로겐화금속 등에서 20㎝의거리에서 30초간 노광후 물로 현상하여, 그 감도를 스텝타블렛법(코닥스텝 타블렛 No.2 사용)으로 측정하였다.
또한 물에 의한 현상성, 현상에 의한 팽윤이 있는지 없는지를 시험하였다.
이들의 결과를 표4(a, b)에 표시하였다.
참고예로서 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산의 나트륨염, 암모늄염 및 하기에 표시한 저급알킬아미드, 아릴아미드 및 에스테르류를 감광제로 하는 감광성 수지조성물에 대한 결과도 동시에 나타냈다.
저급알킬아미드 A
Figure kpo00042
아릴아미드 B
Figure kpo00043
에스테르 C
Figure kpo00044
Figure kpo00045
Figure kpo00046
* 결정형에 의해서 용해성이 다름.
** 코닥스텝 타블렛 No.2에서의 베타단수
표4(a, b)에 의해서 본 발명에 관한 감광성 수지조성물은 용해성, 감도, 물에 의한 현상성이 양호하며 팽윤도 없는 것을 알 수 있다.
다음에 하기 일반식(Ⅳ)의 감광제의 합성예에 대하여 설명한다.
Figure kpo00047
[실시예 16]
4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산나트륨 46.75g을 물 1416㎖에 용해하여, 그의 용액을 강산성이온 교환수지 PK-228(미쓰비시 가세이(주)제품) 180㎖의 막힌 컬럼에 SV 1.5hr-1로 통하여, 4,4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산수용액을 조정하였다.
이 수용액에 15% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드수용액(이하, TMAH라 약칭함, 도오요오 고오세이 고오교오(주)제품)을 가하여 pH9로 한 후, 농축하여 전체로 180g으로 하였다.
석출한 담황색결정을 여과, 수세, 건조하여 54.42g(수율 96.2%)의 테트라메틸 암모늄염을 얻었다.
이 염의 용해도를 표5에 표시함.
또한 λmax는 335nm, εmax는 19,890, Na함유량은 0.5ppm이하 였다.
[실시예 17]
실시예 16과 같은 조작으로, 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰상의 트리에틸아민염을 합성하였다(수율 96.2%).
이 염의 용해도를 표-5에 표시함.
또한, λmax는 335nm, εmax는 41,890, Na함유량은 0.5ppm이하 였다.
또한, 비교를 위해 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산의 Na, K및 NH4염의 용해도를 아울러 표5에 표시하였다(비교예 10 내지 12).
Figure kpo00048
[실시예 18]
2, 6-비스-(4, 아지드벤잘)-4-메틸시클로헥산온-2, 2'-디술폰산나트륨 13.0g을 물 1500㎖에 용해하여 그의 용액을 강산성 이온교환수지 PK-228(미쓰비시 가세이(주)제품)150㎖의 막힌 칼럼에 SV 3.0hr 로 통하여 탈염하고, 술폰산수용액을 조정하였다.
이 수용액 15% 테트라메틸암모늄하이드록사이드수용액(도오요오 고오세이 고요교오(주)제품)을 가하여 pH9로 한후, 농축하여 전체로 50g으로 하였다.
석출한 담적색 결정을 여과, 수세, 건조하여 14.98g(수율 90.5%)의 테트라메틸암모늄염을 얻었다.
이 염의 용해도를 표6에 표시함.
또한 λ는 383nm, ε는 27,335, Na함유량은 0.5ppm이하 였다.
[실시예 19]
실시예 18과 같은 조작으로, 2, 6-비스(4'-아지드벤잘)-4-베틸시클로헥산온-2, 2'-디술폰산의 트리에틸아민염을 합성하였다(수율 91.0%).
이 염의 용해도를 표6에 표시함.
또한 λ는 383nm, ε는 28,741, Na함유량은 0.5ppm이하 였다.
또한 비교를 위해 2, 6-비스-(4, 아지드벤잘)-4-메틸시클로헥산온-2, 2'-디술폰산의 Na염의 용해도를 아울러 표-6를 표시하였다(비교예 130.
Figure kpo00049
[실시예 20]
실시예 16과 같이하여 얻는 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰상의 수용액에 디부틸아민을 가하여 pH를 9.0으로 하면, 결정이 석출되었다.
얻어진 결정을 여과하여, 수세, 건조하여 4, 4'-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산의 트리에틸아민염을 얻었다(수율 91.2%).
λ는 335nm, ε는 40,988,이 염은 물에 대한 용해도는 대단히 낮으나 바인더 폴리머와의 상용서이 높고, PVP4.5%용해한 에틸셀로솔브용액에 5%이상 용해한다.
[실시예 21, 22]
실시예 16과 거의 같은 조작으로, 표-7에 표시한 화합물을 제조하여 각각의 화합물의 에틸셀로솔브 2.5%에 대한 용해성 및 물에 대한 용해도를 측정한 바, 표-7에 나타낸 결과를 얻었다.
Figure kpo00051
* ○ 완전용해
△ 소량이 남는다.
× 다량으로 남는다.
표7에서 실시예21, 22의 화합물은 비교예 14내지 16의 화합물에 비하여 양호한 용해성을 나타내는 것이 인정된다.
[실시예 23]
4, 4-디아지드스틸벤-2, 2'-디술폰산염(이하, DAZST라 약칭함)류(실시예 16, 17 및 비교예 10, 12)에 폴리비닐피롤리돈 K-60(MW=16만)(도오교오 가세이 고오교오(주))4.5% 수용액, 실란커플링제 SOP-6040(도오레 실리콘(주)제품), 에말겐 913(가오오(주)제품), 물 및 이소프로필알코올을 표-8에 나타낸 비율로 배합하여 감광액을 조정하였다.
(감광액 A내지 D로 한다)
A내지 D의 감광액을 스핀코트법에 의해서 유리판상에 피복하여, 80℃에서 20분간 프레베이크하였다.
이들의 막두께는 0.8㎛이었다.
계속하여, 각 유리판을 15mW초 고압수은등에 의해서 7초 노광하였다. 또한 A내지 D의 감도는 스텝타블렛법(코닥스텝타블렛 No.2사용)에 의하면 거의 동등하였다.
계속하여, 클린오븐중 180℃에서 소성후, 각 파장에 있어서 투과율을 측정하였다.
이 결과는 표9에 표시함.
Figure kpo00052
*1 테트라메틸암모늄염(실시예 16)
*2 트리에틸아민염(실시예 17)
*3 나트륨염(비교예 10)
*4 암모늄염(비교예 12)
Figure kpo00053
표9에 표시한 바와 같이 본 실시예에 관한 화합물은 거의 나트륨염과 동등한 투명성을 나타냄.
이와 같이 본 발명의 조성물은, 예컨대, 내열성, 투명성, 또한 저금속성을 필요로 하는 컬러필터용감재로서 알맞다.
[실시예 24]
실시예 1, 8, 9, 10, 16, 20, 22에서 각각 얻어진 하기 일반식(V 내지 ⅩⅠ)에 표시한 감광제를 사용한 감광성 수지조성물을 각각 조성하여, 각각의 조성물을 사용하여 유리기판상에 스피너로 도포하여, 80℃에서 20분간 건조하여 1.0㎛의 막두께의 감광막을 설치하였다.
이어서 고압수은등을 사용하여 패턴노광한 후 물로 현상한 바 팽윤이 없는 깨끗한 ㅍ턴이 각각 형성되었다.
Figure kpo00054
Figure kpo00055

Claims (5)

  1. 다음 일반식(Ⅰ)으로 나타내는 방향족 디아지드화합물을 특징으로 하는 감광제.
    Figure kpo00056
    (식중, X는,
    Figure kpo00057
    또는
    Figure kpo00058
    를 나타내고, Y는
    Figure kpo00059
    또는
    Figure kpo00060
    를 나타낸다.)
    단, R1은 -CH2CH2-, R2는 CH3CH2-, R3은 수소, m은 1, n은 1을 나타내고, R6, R7, R8, R9, R10은 독립적으로 수소 알킬기, 치환된 알킬기, 아릴기 또는 R6내지 R9중의 2개가 같이 되어서 형성하는 알킬렌기를 나타낸다.
    이때, R6내지 R9는 동시에 모두 수소로 되는 일은 없다.
  2. 제1항에 있어서, X는
    Figure kpo00061
    이며, Y는 -CH=CH-이고, R6, R7, R8, R9, R10은 독립적으로 수소 알킬기, 치환된 알킬기, 아릴기 또는 R6내지 R9중의 2개가 같이 되어서 형성하는 알킬렌기(이때, R6내지 R9는 동시에 모두 수소로 되는 일은 없다.)인 것을 특징으로 하는 감광제.
  3. 제2항에 있어서, R6, R7, R8및 R9는 -CH3인 것을 특징으로 하는 감광제.
  4. 제2항에 있어서, R6및 R7은 -(CH2)3CH3, R8및 R9는 수소인 것을 특징으로 하는 감광제.
  5. 제2항에 있어서, R6, R7, R8및 R9는 -CH2CH3인 것을 특징으로 하는 감광제.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69013764T2 (de) * 1989-06-03 1995-03-30 Kanegafuchi Chemical Ind Kontrolle der Zellanordnung.
JP2749201B2 (ja) * 1991-12-12 1998-05-13 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 水性処理性のトナー処理可能な像形成エレメント
US6018471A (en) * 1995-02-02 2000-01-25 Integrated Environmental Technologies Methods and apparatus for treating waste
US5536994A (en) * 1995-04-19 1996-07-16 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Photoresist for cathode ray tubes
DE19623891A1 (de) * 1996-06-06 1997-12-11 Micro Resist Technology Ges Fu Lichtempfindlicher, wäßrig-alkalisch entwickelbarer, negativ arbeitender Resist
DE19705909A1 (de) * 1996-08-23 1998-08-20 Inst Physikalische Hochtech Ev Neuartige Dünnschichten für die Mikrosystemtechnik und Mikrostrukturierung sowie ihre Verwendung
WO2000058275A1 (fr) * 1999-03-31 2000-10-05 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Compose photosensible et composition photosensible
US20120077049A1 (en) 2007-08-06 2012-03-29 Abbott Cardiovascular Systems, Inc. Medical devices having a lubricious coating with a hydrophilic compound in an interlocking network
US20090041923A1 (en) * 2007-08-06 2009-02-12 Abbott Cardiovascular Systems Inc. Medical device having a lubricious coating with a hydrophilic compound in an interlocking network
EP2075549A1 (en) 2007-12-28 2009-07-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Shape memory sensor
EP2900290A1 (en) 2013-01-08 2015-08-05 Abbott Cardiovascular Systems, Inc. Medical device having a lubricious coating with hydrophilic compounds in an interlocking network

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL92615C (ko) * 1953-05-28
NL132072C (ko) * 1959-10-02
US3856531A (en) * 1971-08-02 1974-12-24 Eastman Kodak Co Photographic compositions and processes
US4191571A (en) * 1974-04-26 1980-03-04 Hitachi, Ltd. Method of pattern forming in a photosensitive composition having a reciprocity law failing property
SU613590A1 (ru) * 1976-06-18 1983-01-15 Предприятие П/Я А-7850 Производные 4,4-диазидостильбен-2,2-дисульфокислоты в качестве фотосшивающих агентов
EP0002182B1 (de) * 1977-10-14 1981-04-08 Ciba-Geigy Ag Bis-Azidophthalsäurederivate und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4767409A (en) * 1983-05-23 1988-08-30 Edward Weck Incorporated Catheter protective shield
US4549824A (en) * 1983-12-30 1985-10-29 International Business Machines Corporation Ink additives for efficient thermal ink transfer printing processes
JPS613620A (ja) * 1984-06-15 1986-01-09 Takaoka Kogyo Kk 樹脂製プレス型の製造法
FI78231C (fi) * 1984-11-21 1989-07-10 Instrumentarium Oy Maetanordning foer metaboliska storheter anslutbar till en respirator.
JPS62257147A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Nitto Boseki Co Ltd 新規な感光性樹脂組成物

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