KR0138963B1 - 금속배선 형성방법 - Google Patents

금속배선 형성방법

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Abstract

본 발명은 기판상에 금속배선이 형성된 예정된 부위가 노출되도록 소정의 물질막을 패터닝하는 단계; 상기 기판이 노출된 물질막 패턴간의 사이에 금속막을 형성하는 단계; 상기 물질막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 금속막상에 직접 마스크 물질(감광막) 형성공정을 진행할 필요가 없어 금속배선의 프로파일(Profile) 불량을 해소하여 소자의 전기적 특성 및 소자제조 수율을 향상시키는 효과를 가져온다.

Description

금속배선 형성방법
제1a도 및 제1b도는 종래 기술에 따른 금속배선 형성 공정도,
제2a도 내지 제2f도는 본 발명에 따른 금속배선 형성 공정도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
21:기판22:산화막
23,25:감광막24:금속막
본 발명은 금속배선(Metal Line) 형성방법에 관한 것으로, 특히 고집적 소자에서의 미세한 선폭을 갖는 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
일반적인 종래의 금속배선 형성공정은 먼저 제1a도와 같이 기판(11)상에 금속막(12)을 형성한 후, 사진식각공정으로 금속막(12) 상부에 감광막 패턴(13)을 형성하고, 제1b도와 같이 상기 감광막 패턴(13)을 식각장벽으로 하여 금속막(12)을 식각함으로써, 금속배선을 형성을 이루었다. 물론, 이후에 상기 감광막 패턴(13)은 제거된다.
그러나, 반도체 소자가 점차 고집적화 되면서 금속배선의 선폭 또한 적어지고 있어, 금속배선 디파인(Define)을 위한 마스크인 감광막 패턴 형성시, 그 공정마진을 확보하기 매우 어려운 상태이다.
또한, 금속식각시 금속막의 고반사율 때문에 감광막 패턴의 비정상적인 형성으로 원하는 금속배선을 얻을 수 없으며, 금속과 감광막과의 낮은 선택비 때문에 감광막 두께를 높게 함으로써 이후의 감광막 제거시 감광막이 완전히 제거되지 않아 찌꺼기(Scum)가 남는 등 불순물 제공의 원인이 되는 문제점이 있었다.
상기 제반 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 금속막상에 직접 사진식각공정을 수행하지 않고 금속막 증착 및 에치백 공정으로 금속배선을 디파인하여 미세한 선폭의 금속배선을 얻는 금속배선 형성방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판상에 금속배선이 형성될 예정된 부위가 노출되도록 소정의 물질막을 패터닝하는 단계; 상기 기판이 노출된 물질막 패턴간의 사이에 금속막을 형성하는 단계; 상기 물질막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제2a도 내지 제2f도를 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.
먼저, 제2a도는 반도체 제조공정중 금속배선 형성 이전까지의 소정의 공정이 완료된 기판(21)상에 산화막(22)을 형성한 상태로서, 상기 산화막(22) 대신에 감광물질 및 금속물질과 식각선택비를 갖는 다른 물질을 형성할 수 있다.
이어서, 제2b도와 같이 산화막(22)상에 사진식각 공정을 통해 감광막 패턴(23)을 형성하는데, 이때의 감광막 패턴(23)은 이후에 금속배선이 형성될 부위에 존재하고 있는 산화막(22)이 노출되도록 형성한다.
이어서, 제2c도와 같이 상기 감광막 패턴(23)을 식각장벽으로 하여 산화막(22)을 식각하고, 감광막을 제거한 다음에, 제2d도에 도시된 바와 같이 전체구조 상부에 금속막(24)을 형성하고 계속해서, 제2e도와 같이 상기 감광막(25)과 금속막(24)의 식각처리율을 조정하여 전면식각(Blanket Etch)을 시행함으로써 산화막(22) 표면의 금속막(24)이 완전히 식각되도록 한다.
끝으로, 제2f도와 같이 산화막(22)을 완전히 제거하여 기판(21)상에 금속배선(24)이 완성한다.
이상, 상기 설명과 같이 이루어지는 본 발명은 금속막상에 직접 마스크 물질(감광막) 형성공정을 진행할 필요가 없어 금속배선의 프로파일(Profile) 불량을 해소하여 소자의 전기적 특성 및 소자제조 수율을 향상시키는 효과를 가져온다.

Claims (5)

  1. 금속배선 형성방법에 있어서;
    기판상에 금속배선이 형성될 예정된 부위가 노출되도록 소정의 물질막을 패터닝하는 단계;
    상기 기판이 노출된 물질막 패턴간의 사이에 금속막을 형성하는 단계;
    상기 물질막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서;
    상기 기판이 노출된 물질막 패턴간의 사이에 금속막을 형성하는 단계는;
    전체구조 상부에 금속막을 형성하는 단계;
    상기 물질막 표면이 노출될 때까지 금속막을 전면식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  3. 제2항에 있어서;
    상기 물질막 표면이 노출될 때까지 금속막을 전면 식각하는 단계는;
    금속막상에 감광막을 형성하는 단계;
    상기 금속막과 감광막의 식각선택비를 동일하게 하여 물질막 표면이 노출될 때까지 상기 감광막 및 금속막을 전면식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서;
    상기 물질막은 감광막 및 금속막과 식각선택비를 갖는 물질막인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  5. 제4항에 있어서;
    상기 물질막은 산화막인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
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