KR0137352B1 - 헤드작동기 - Google Patents

헤드작동기

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KR0137352B1
KR0137352B1 KR1019930020470A KR930020470A KR0137352B1 KR 0137352 B1 KR0137352 B1 KR 0137352B1 KR 1019930020470 A KR1019930020470 A KR 1019930020470A KR 930020470 A KR930020470 A KR 930020470A KR 0137352 B1 KR0137352 B1 KR 0137352B1
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KR
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elastic core
piezoelectric
magnetic head
bimorph
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KR1019930020470A
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타카히로 니시쿠라
카쯔미 이마다
타카시 노지마
카쯔 타케다
마사노리 스미하라
오사무 카와사키
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취체역 모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은, 바이모르프소자가, 두께방향으로 분극되는 제1압전체와, 두께방향으로 분극되는 제2압전체와, 상기 제1압전체와 상기 제2압전체 사이에 샌드위치된 탄성심재(elastic shim material)로 구성되고, 상기 탄성심재는, 탄성심재의 제1단부가 상기 제1, 제2 압전체로부터 외부방향으로 연장되도록 상기 제1, 제2압전체보다 긴 길이를 가지고, 상기 바이모르프소자는, 상기 탄성심재의 제1단부가 연장되는 바이모르프소자의 제1단부와 이 바이모르프소자의 제1단부에 대향하는 바이모르프소자의 제2단부를 가지는 바이모르프소자와; 고정베이스는, 상기 바이모르프소자의 제1단부와 상기 탄성심재의 제1단부를 수용하는 홈을 가지고, 상기 홈의 표면중에서 상기 바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 부분은, 상기 바이모르프소자의 제1단부의 크기보다 약간 큰 크기를 가지는 고정베이스와; 상기 바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 홈의 부분과 상기 바이모르프소자의 제1단부사이의 공간에 소정의 접착제를 도포함으로써 형성되는 탄성부재와; 상기 바이모르프소자의 제2단부측에 설치된 자기헤드지지부재와; 상기 자기헤드지지부재에 설치된 자기헤드와; 상기 자기헤드의 신호를 판독하는 신호처리회로와; 상기 바이모르프소자를 구동하는 구동회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 헤드작동기를 제공한다.

Description

헤드작동기
제1도(a)는 종래에의 자기헤드장치를 부분적으로 절단하여 표시한 사시도,
제1도(b)는 테이프위에 기록된 트랙을 표시한 도면,
제2도는 종래예의 헤드작동기의 단면도,
제3도는 종래예의 다른 헤드작동기의 단면도,
제4도는 본 발명의 실시예 1에 의한 헤드작동기의 단면도,
제5도는 본 발명의 실시예 1에 의한 헤드작동기의 동작원리를 표시한 도면,
제6도는 헤드작동기의 구동회로의 일예를 표시한 도면,
제7도(a)는 본 발명의 실시예 2에 의한 헤드작동기의 단면도,
제7도(b)는 본 발명의 실시예 2에 의한 탄성심재(elastic shim material)의 정면도,
제8도(a)는 본 발명의 실시예 3에 의한 헤드작동기의 단면도,
제8도(b)는 본 발명의 실시예 3에 의한 헤드작동기의 정면도,
제9도(a), 제9도(b), 제9도(c)는 본 발명의 실시예 3에 의한 헤드작동기의 변위형태를 표시한 도면,
제10도는 본 발명의 실시예 8에 의한 헤드작동기의 단면도,
제11도는 본 발명의 실시예 8에 의한 자기헤드지지부재의 구성의 헤드작동기를 표시한 도면,
제12도는 본 발명의 실시예 9에 의한 헤드작동기의 단면도,
제13도(a), 제13도(b), 제13도(c)는 9에 의한 헤드작동기의 동작원리를 표시한 도면,
제14도는 본 발명의 실시예 10에 의한 헤드작동기의 단면도,
제15도는 본 발명의 실시예 10에 의한 자기헤드지지부재의 구성의 헤드작동기를 표시한 도면,
제16도는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 10에 의한 다른 바이모르프소자의 형상의 일예를 표시한 도면,
(401), (402), (501), (502), (601), (602), (701), (702), (705), (706)… 압전체
(403), (503), (603), (703), (707)… 탄성심재(elastic shim material)
(403a), (703a), (707a)… 고정부
(403b), (703b), (707b)… 연장부
(404), (504), (604), (704), (708)… 바이모르프소자(bimorph element)
(405), (505), (605), (709)… 고정베이스
(406), (413), (506), (606), (710), (717)… 자기헤드지지부재
(407), (507), (607), (711)… 자기헤드
(408), (712)… 탄성부재
(409), (509), (608), (713)… 신호처리회로
(410), (510), (609), (714)… 구동회로
(411), (511), (610), (715)… 위치검출기
(412)… 다이오드
(508)… 슬릿
(611)… 등고변위분포선
(716)… 자기테이프
본 발명은, VTR(비디오테이프레코더)등의 오토트래킹장치에 사용하고, 압전체와 탄성심재(elastic shim material)로 구성되는 바이모르프소자(bimorph element)에 설치한 자기헤드에 의해서 기록·재생하는 헤드작동기의 구조에 관한 것이다.
최근, VTR등의 기록재생장치의 고기능화, 고화질화의 경향에 관련하여 자기테이프상에 화상신호를 충실히 기록·재생하는 고성능의 헤드작동기가 요구되고 있다.
이하에 종래의 자기헤드장치에 대해서 설명한다.
제1도(a)는 일본공개특허공보 소 55-139630호 공보에 개시된 종래의 자기헤드장치를 부분적으로 절단하여 표시한 사시도이고, (100)은 헤드드럼(101)에 설치된 헤드작동기이다.
제1도(a)에서, 회전헤드방식의 헬리컬스캔형 VTR은, 일반적으로 헤드드럼(101)에 일정한 경사각을 가지고 감긴 자기테이프(102)상에, 테이프의 주행속도나 회전헤드의 회전속도에 따라서 경사진 기록트랙T을, 제1도(b)에 실선으로 표시하고 있다. 그러나, 자기테이프상에 자기신호를 정지, 느린동작, 배속이나 되감기 모드등의 기록시의 속도와 다른 속도로 재생하는 경우, 자개헤드의 주사궤적이 기록트랙과 다른 경사로 주사되기 때문에, 자기헤드는 기록트랙으로부터 벗어나서, 제1도(b)의 점선상을 주사하게 된다. 이 때문에, 보호주파수대 잡음(guard band noise)이나 누화가 발생하여 문제가 되고 있었다.
그래서 상기한 회전헤드방식 VTR에 있어서는, 각종 가변속 모드에 대해서, 자기헤드가 정확기 기록트랙을 주사하도록 트래킹용 헤드작동기(100)를 구비하고 있다. 예를들면 제2도에 표시한 바와같은 바이모르프판(bimorph plate)을 사용한 헤드작동기가 있다.
이하에 제2도를 참조하면서, 헤드작동기의 구조와 동작원리에 대해서 설명한다. (201)은 바이모르프판이고, (202)는 헤드베이스이고, (203a), (203b)는 바이로르프판(201)을 구성하는 압전세라믹이고, (204)는 중간전극을 겸한 중앙보강금속판이다. 제2도에서, 바이로르프판(201)은, 헤드베이스(202)등의 고정부에 고정지지된 외팔보구조(catilever structure)로서 자기헤드(205)가 장착되어 있다. 이 바이모르프판(201)의 고정부쪽부분(201B)에는 압전세라믹(203a), (203b)이 중앙보강금속판(204)을 개재해서 접착되고, 선단부쪽부분(201A)은, 중앙보강금속판(204)을 개재하지 않고 접착제에 의해서 접착되어 있다. 상기와 같이 구성된 바이모르프판(201)은, 중앙보강금속판(204)이 개재된 부분(201B)의 압전세라믹의 외표면에 형성한 전극(206), (207)에 의해서 바이모르프판(201)을 제2도에 표시한 C의 방향으로 휨변위를 발생시키고 부분(201A)의 압전세라믹에 형성한 전극(208), (209)에 의해서 바이모르프판(201)의 부분(201A)을 동일방향으로 변위하도록 구동하는 것이다.
상기 구성에 의해, 전극(206), (207)에 의해서 바이모르프판(201)에 휨변형을 발생시키고, 자기헤드(205)와 자기테이프(210)와의 상대위치를 변경하고, 또 전극(208), (209)에 의해서 바이모르프판(201)을 자기테이프(210)의 방향으로 신장시킴으로써, 자기테이프(210)와 자기헤드(205)와의 간격(돌출량)을 항상 일정하게 유지하고, 접촉압력의 안정화를 도모함으로써, 자기헤드(205)의 트래킹에 의한 기록·재생신호의 저하를 방지하는 것이다. 그러나, 자기테이프(210)에 대한 자기헤드(205)의 상대각도에 의해 발생하는 기록·재생신호의 열화의 문제는 해소되고 있지 않다.
상기 문제를 해결하기 위하여, 일본공개특허공보 소 57-60528호 공보에 표시되어 있는 헤드작동기가 있다. 이하에 제3도를 참조해서 상세히 설명한다.
제3도에서, (301)은 제1바이모르프판이고, (302)느 제2바이모르프판이고, (303)은 고정단부에서 제2바이모르판(302) 사이에 제1바이모르판(301)을 삽입한 제1전기-기계변환소자이고, (304)는 제3바이모르프판이고, (305)는 제4바이모르프판이고, (306)은 고정단부에서 제4바이모르판(305)사이에 제3바이모르판(304)을 삽입한 제2 전기-기계변환소자이고, (307)은 제1, 제2 전기-기계변환소자의 각 자유단부를 연결하는 단면형상이 ㄷ자 형상인 헤드지지부재이고, (308)은 헤드지지부재(307) 상에 설치된 자기헤드이다.
제3도의 헤드작동기에서는, 제1~제4 바이모르프판을 구성하는 각 a쪽의 압전세라믹을 신장시키고, 각 b쪽의 압전세라믹을 축소시키도록 각 압전세라믹에 전계를 인가한다. 또, 반대방향으로 변형시킬 때에는 상기와 반대의 전계를 인가한다. 이에 의해 전계의 방향에 대응해서, 제1, 제2 전기-기계변환소자를 제3도의 C로 표시하는 방향으로 변위시킬 수 있다.
일반적으로, 중앙보강금속판(이후, 탄성심재(elastic shim material)로 칭함)등을 압전체 사이에 샌드위치된 1차원 모델의 바이모르프판에서 직류전계(DCfield)의 변위량 ξ와 공진주파수 f사이의 관계는 이하와같이 식 ①, ②로 표시할 수 있다.
여기서, d31은 압전정수이고, 1은 압전체의 길이이고, t는 압전체의 두께이고, t1은 탄성심재의 두께이고, ρ는 압전체의 밀도이고, ρ1은 탄성심재의 밀도이고, s11은 압전체의 탄성률이고, s1은 탄성심재의 탄성률이고, k13은 결합계수이다. 상기 식 ①과 식 ②의 소자길이와 소자두께의 관계로부터, 공진주파수와 변위량은, 한쪽을 크게하면 다른쪽은 작게되는 상반하는 관계에 있음을 알 수 있다.
그러나, 상기 구성에 의해서, 제2, 제4 바이모르프판(302), (305)에 의해, 제1, 제2 바이모르프판(301), (304)에 의해서 얻어지는 변위를 확대시키는 동시에 전기-기계변환소자의 공진주파수를 낮추지 않고 더욱 큰 변위가 얻어지는 구성으로 하는 것이다. 또, 제1, 제2 전기-기계변환소자를 서로 연결하는 헤드지지부재(307)에 의해, 자기헤드(308)가 자기테이프(309)에 대해서 평행하게 이동할 수 있기 때문에, 자기헤드(308)와 자기테이프(309)와의 스페이싱각(spacing angle)을 거의 0으로 하는 것이 가능하고, 기록재생신호의 열화를 대폭으로 개선할 수 있는 것이다.
그러나, 상기 종래구성의 헤드작동기에서는, 변위량과 공진주파수를 동시에 향상시킬 수 없다는 필연적인 문제가 있다.
또한, 바이모르프소자를 구성하는 압전체를 직접 베이스나 고저에이스에 고정하기 때문에 바이모르프소자의 구동시에 압전체의 고정부에 응력이 집중하여, 균열등에 의한 특성열화의 문제가 있다.
또한, 압전세라믹은, 바이모르프소자의 자체무게나 자기헤드의 질량등에 의한 고정단부에서의 소성적인 변형에 의해, 인가된 변형에 관계없이 바이모르프소자가 변형하기 때문에, 자기테이프에 대한 자기헤드의 위치는 시간이 경과함에 따라 변화하고, 변형게이지(strain gauge)등에 의한 자기헤드의 위치검출이 불가능하게 되고, 위치제어가 매우 곤란했다.
또한, 고정베이스에서 압전세라믹을 균일하게 고정하는 것은 어렵고, 고정상태나 고정조건에 의해 공진주파수나 변위량이 크게 불균일해지기 때문에, 안정된 특성을 실현할 수 없다는 큰 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결한 헤드작동기를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 헤드작동기는, 제1 압전체와 제2 압전체를, 탄성심재를 개재해서, 접착한 바이모르프소자를 구비한 헤드작동기에 있어서, 탄성심재가 적어도 바이모르프소자의 고정단부쪽에서 제1, 제2 압전체로부터 돌출하고, 또한 압전체를 넘어서 돌출한 탄성심재의 부분을 고정베이스에 고정하고, 또한 제1, 제2 압전체의 일부를 탄성부재에 의해 탄성적으로 지지고정하는 구조를 가진다. 바람직하게는, 상기 탄성심재에 복수의 슬릿을 형성하는 구조를 가지거나 또는 고정베이스가 바이모르프소자를 고정지지, 하도록 원호형상의 돌기부분을 가지거나 또는 이들의 구조를 조합한 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의해서, 압전체를 고정베이스에서 직접 고정하지 않고 탄성부재에 의해 탄성적으로 지지고정하고, 탄성심재를 견고하게 고정하는 새로운 구조를 취함으로써, 바이모르프소자의 변형에 기인하여 고정베이스에 고정된 압전체의 단부에 응력이 집중하는 것을 해소할 수 있다.
또한, 금속재료나 탄소섬유계의 재료로 이루어진 탄성심재의 부분을 견고하게 고정하고, 압전체를 탄성부재에 의해서 탄성지지하기 때문에, 압전체의 고정단부에서 응력이 집중하는 것을 완화하는 동시에, 탄성심재에 의해서 위치결정을 하기 때문에, 탄성심재의 탄성범위내이면 자기헤드의 자기테이프에 대한 위치를 고정밀도로 보증할 수 있다.
또한, 바이모르프소자가 직류전계에 의해 동작을 할 때, 탄성심재의 고정부로부터의 길이가 변위를 결정하기 때문에 바이모르프소자의 유효길이가 증가하고 한층 더 큰 변위를 달성할 수 있다.
또한, 탄성부재에 의해서 지지고정된 압전체의 고정단부로부터 압전체의 자유단부까지의 길이가 바이모르프소자의 실효길이이기 때문에 공진주파수가 높은 헤드작동기를 얻을 수 있다.
또한, 탄성심재에 슬릿을 형성함으로써, 탄성심재의 탄성률이 거의 감소함이 없이 질량을 감소시킬 수 있고, 이에의해 공진주파수가 높은 헤드작동기를 실현할 수 있다.
직류전계가 인가될 때의 변위에 의해 고정부와 자유단부사이의 최대길이에 변위량이 결정되고 또한 최소길이에 의해 공진주파수가 결정되기 때문에, 고정베이스의 일부분인 원호형상의 돌기부분에 의해 바이모르프소자를 고정함으로써, 큰 변위와 함께 높은 공진주파수를 실현한 헤드작동기를 얻을 수 있다.
(실시예 1)
이하 본 발명의 실시예 1에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
제4도는 본 발명의 실시예 1에 의한 헤드작동기의 단면도이다. 제4도에서, (401)은 두께방향으로 분극되고 제1 압전체이고, (402)는 두께방향으로 분극되는 제2 압전체이고, (403)은 제1 압전체(401)와 제2 압전체(402) 사이에 샌드위치된 탄성심재이고, (404)는 제1 압전체(401)와 제2 압전체(402) 및 탄성심재(403)로 구성된 바이모르프소자이고, (405)는 바이모르프소자(404)를 고정하는 고정베이스이고, (406)은 바이모르포소자(404)의 자유단부측에 설치된 자기헤드지지부재이고, (407)은 자기헤드 지지부재에 설치된 자기헤드이고, (408)은 탄성부재이고, (409)는 신호처리회로이고, (410)은 구동회로이고, (411)은 자기헤드의 위치검출기이다.
제4도에서, 제1, 제2 압전체(401), (402)를 적어도 바이모르프소자(404)의 길이방향으로는 높은 탄성률을 가진재료로서 예를들면 인청동, 인바르, 티탄등의 금속재료 또는 탄소섬유계의 재료로 이루어진 탄성심재(403)의 양면에, 탄성심재의 고정부(403a)를 제외한 부분에 접착제등에 의해 접착하여 바이모르프소자(404)를 형성한다. 이 바이모르프소자(404)의 탄성심재의 고정부(403a)를 고정베이스(405)의 홈부분에 삽입하고, 나사등에 의해서 견고하고 고정한다. 또 고정베이스(405)에 견고하고 고정한 바이모르프소자(404)의 고정단부로부터 고정베이스(405)의 안쪽부분의 압전체부와 탄성심부를 에폭시계의 접착제등의 탄성부재(408)에 의해서 탄성적으로 지지고정한다. 그리고, 바이모르프소자(404)의 자유단부에 자기헤드지지부재(406)를 어느 한쪽의 압전체면에 도면과 같이 접착고정하고, 그 선단부에 자기헤드(407)를 설치해서 헤드작동기를 구성하고, 예를들면 제4도에 표시한 바와 같은 바이모르프소자(404)의 변위에 대응한 변형을 변형게이지등의 위치검출기(411)에 의해서 자기헤드(407)의 위치를 검출하고 바이모르프소자(404)의 구동회로(401)에 피드백하여 트래킹제어하고, 자기헤드(407)에 의해 자기테이프상에 기록한 신호나 기록하는 신호를 신호처리회로(409)에 의해서 기록재생처리하는 것이다.
또한, 탄성부재(407)를 실시예 1에서는 에폭시계의 접착제등으로 했으나, 압전체보다도 탄성률이 작은 재료, 예를들면 경질고무재나 플라스틱재등이면 된다.
또, 자기헤드(407)의 장착위치도 본 실시예의 위치에 한정된 것은 아니고, 예를들면 자기헤드지지부재(407)의 하면에 장착해도 되나, 바람직하게는 탄성심재(403)의 연장선상에 설치하는 것이 가장 적합하다.
또, 위치검출기(411)도 변형게이지로 했으나, 광학적으로 직접 자기헤드의 변위를 검출하는 것이어도 되고, 변위를 검출할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
다음에, 제5도(A), (B), (C)의 동작설명도를 사용해서 그 동작원리를 설명한다. 제5도(b)에 도시한 바와 같이, 제1 압전체(401)와 제2 압전체(402)의 분극축은 탄성심재(403)쪽으로 향하고 있다. 여기서 분극축방향으로 전계를 인가하면 분극축방향으로 연장되기 때문에 압전체는 길이방향으로 축소되고, 제5도(a)에 표시한 바와같이 위로 변위한다. 반대인 경우는, 제5도(c)에 표시한 바와같이 그 반대방향으로 변위를 발생한다.
이에 의해, 제1 압전체와 제2 압전체에 형성한 바깥쪽의 전극간에 전계를 인가하면, 인가전계의 극성에 따라서 바이모르프소자(404)는 도면중의 C방향으로 상하로 변위하게 된다. 그러나 통상 압전체에는 항전장(압전성이 없어지는 전계강도)이 존재하기 때문에 상기와 같은 구동방법은 사용하지 않고, 제6도에서 점선내에 표시한 바와같은 바이모르프소자(404)의 구동회로(410)를 사용해서, 분극방향의 전계만을 인가하는 한쪽구동뿐이거나 또는 항전장(antifield)이내까지의 전계가 작용하도록 다이오드(412)를 설치해서 항전장까지는 제1, 제2 압전체의 양방을 구동하고, 그 이상의 전계에서는 한쪽의 바이모르프소자(404)만을 구동하는 것이다.
이상과 같이 본 발명의 실시예 1에 의하면, 바이모르프소자(404)의 제1, 제2 압전체의 일부분을 고정베이스(405)에 의해서 견고하게 고정하지 않고 접착제등의 탄성부재(408)를 개재해서 탄성적으로 지지고정하고, 또한 탄성심재(403)의 고정부(403a)를 고정베이스(405)에 의해서 견고하게 고정함으로써, 바이모르프소자(404)의 변형에 의해, 압전체와 고정대의 고정단부에서 응력이 집중하는 것을 완화할 수 있기 때문에, 탄성심재(403)에 접착한 압전체의 변형한계까지 휨변형을 허용할 수 있고, 따라서 큰 변위량을 얻을 수 있다. 또한 응력의 집중에 의한 압전체의 균열등이 발생하지 않으므로 신뢰성이나 특성의 불균일이 적은 고성능의 헤드작동기를 실현할 수 있다.
또, 탄성심재의 고정부(403a)에 의해서 바이모르프소자를 견고하게 고정하기 때문에, 종래의 구성에서 발생하고 있었던 압전체의 고정단부에 가해지는 자체무게나 헤드의 질량에 의한 응력에 의해서 고정단부의 압전체의 소성적변형에 의한 바이모르프소자의 변형을 수반하지 않는 휨을 없앰으로써, 자기헤드의 자기테이프에 대한 위치를 고정밀도로 유지할 수 있다.
또, 트래킹동작시에서와 같이 바이모르프소자의 공진주파수보다도 동작주파수가 낮은 경우에는, 직류전계에 의한 동작으로 간주할 수 있기 때문에, 변위량에 대해서는 바이모르프소자의 고정단부로부터 자유단부까지가 유효소자길이 l1이 되고 식 ①에 의해 변위량을 확대할 수 있다. 또 공진주파수에 대해서는 탄성지지 고정단부로부터 자유단부가 유효소자길이 l2로 할 수 있기 때문에 공진주파수를 높게 할 수 있는 것이다. 이에의해 변위량과 공진주파수의 상반되는 특성을 모두 향상시킨 헤드작동기를 얻을 수 있는 것이다.
(실시예 2)
이하, 본 발명의 실시예 2에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
제7도(a)는 본 발명의 실시예 2의 헤드작동기의 단면도이다. 동 도면(a)에서, (501)은 제1 압전체이고, (502)는 제2 압전체이고, (503)은 슬릿(508)을 형성한 탄성심재이고, (504)는 제1 압전체(501)와 제2 압전체(502)를 탄성심재(503)의 양면에 접착하여 구성한 바이모르프소자이고, (505)는 바이모르프소자(504)를 고정하는 고정베이스이고, (506)은 자기헤드지지부재이고, (507)은 자기헤드이고, (509)는 신호처리회로이고, (510)은 구동회로이고, (511)은 자기헤드의 위치검출기이다.
제7도(a)에서, 제1, 제2압전체(501), (502)를 적어도 변형방향으로는 높은 탄성률을 가지고, 제7도(b)에 표시한 바와 같이 A방향으로 슬릿(508)을 형성한 예를 들면 인청동, 인바르, 티탄등의 금속재료로 이루어진 탄성심재(503)의 양면을 접착제등에 의해 접착하여 바이모르프소자(504)를 형성한다. 이 바이모르프소자(504)를 고정베이스(505)에 고정한다. 그리고 바이모르프소자(504)의 자유단부에 자기헤드지지부재(506)를 어느 한쪽의 압전체에 접착고정하고, 그 선단부에 자기헤드(507)를 설치한 구성으로 하는 것이다. 또 동작원리는 본 발명의 실시예 1과 마찬가지이다.
이상과 같이 본 발명의 실시예 2에 의하면, 탄성심재(503)에 슬릿(508)을 A방향으로 균일하게 형성함으로써, 탄성률 s1을 거의 저하시킴이 없이 탄성심재(503)의 밀도 ρ1를 저감함으로써, 식 ①에서 표시한 바와같이 공진주파수를 높일 수 있다.
또, 슬릿(508)을 형성함으로써, A방향의 슬릿에 대하여 직각방향의 탄성심재(503)의 기계적강도보다 슬릿방향의 기계적강도가 작아지기 때문에, 바이모르프소자의 길이 방향의 변형을 저해하는 폭방향으로 발생하는 변형을 작게할 수 있기 때문에 바이모르프소자의 변위량을 확대할 수 있다.
이상에서 설명한 바와같이, 상기 구조에 의해 서로 상반되는 특성인 바이모르프소자의 공진주파수와 변위량을 모두 크게한 고성능의 헤드작동기를 실현할 수 있는 것이다.
또, 탄성심재(503)에 슬릿(508)을 형성함으로써, 접착면에 기포등을 없앨 수 있기 때문에 접착력을 향상시키는 동시에, 바이모르프소자의 구동력이 기포에 의해서 손실되지 않기 때문에, 신뢰성이나 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 여기서는 서로 바이모르프소자의 길이방향으로 평형한 제7도(b)의 A방향으로 슬릿을 형성했으나, 방사형상으로 슬릿을 형성한 경우에 있어서도 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또, 실시예 2에서는, 변위량과 공진주파수를 동시에 크게하는 구조에 대해서 설명했으나, 변위량만을 크게하는 것을 목적으로하면, 바이모르프소자의 길이방향에 대해서 직각방향으로 슬릿을 형성하는 구조이어도 되는 것은 말할 나위도 없다.
(실시예 3)
이하, 본 발명의 실시예 3에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
제8도(a), (b)는 각각 본 발명의 실시예 3에 의한 헤드작동기의 단면도와 정면도이다. 제8도(a)에서, (601)은 제1 압전체이고, (602)는 제2 압전체이고, (603)은 탄성심재이고, (604)는 제1 압전체(601)와 제2 압전체(602)를 탄성심재(603)의 양면에 맞붙어서 구성한 바이모르프소자이고, (605)는 곡률을 가지고 바이모르프소자(604)를 고정하는 고정베이스이고, (606)은 자기헤드지지부재이고, (607)은 자기헤드이고, (608)은 신호처리회로이고, (609)는 구동회로이고, (610)은 자기헤드의 위치검출기이다.
제8도(a)에서, 제1, 제2 압전체(601), (602)를 예를들면 인청동, 인바르, 티탄등의 금속재료, 수지재료로 이루어진 탄성심재(603)의 양면에, 접착제등에 의해 접착하여 바이모르프소자(604)를 형성한다. 이 바이모르프소자(604)를 원호형상으로 지지고정하는 구조의 고정대(605)에 고정한다. 그리고, 바이모르프소자(604)의 자유단부에 자기헤드지지부재(606)를 어느 한쪽의 압전체에 접착고정하고, 그 선단부에 자기헤드(607)를 설치한 구성이며, 동작원리는 본 발명의 실시예1, 2와 마찬가지이다.
이상과 같이 본 발명의 실시예 3에 의하면, 제9도(a) 내지 제9도(c)에 표시한 바와같이 바이모르프소자(604)는 인가전압에 의해 예를들면 제9도(a), (b)에 표시한 바와 같이 바이모르프소자의 길이방향으로는 A방향으로, 폭방향으로는 B방향으로 휨변형하면, 바이모르프소자전체로서는 제9도(c)와 같이 원호(말안장)형상으로 변형한다. 따라서, 이 등고변위분포(611)와 일치하는 형상, 예를들면 원호형상의 고정대(605)에 의해서 지지고정함으로써 변위량에 대해서는, 직선지지고정의 경우와 마찬가지로 바이모르프소자의 최대길이가 유효길이 l1이 되기 때문에 변위량은 동일하고, 공진주파수에 대해서는 원호형상 고정단부와 바이모르프소자의 자유단부와의 거리가 유효길이 l2가 되고, 높은 공진주파수의 바이모르프소자를 얻을 수 있다. 또 원호형상의 지지고정에 의해 변형형상을 규정함으로써, 폭방향의 불균일한 고정에 의해서 발생하는 바이모르프소자의 폭방향의 비틀림을 교정할 수 있고, 자기헤드의 위치변동을 없앨 수 있다.
이상 설명한 바와같이, 바이모르프소자를 원호형상고정대에 의해서 지지고정함으로써, 서로 상반되는 관계에 있는 변위량을 저하시키는 일없이 높은 공진주파수를 실현한 고성능의 헤드작동기를 얻을 수 있다.
또한, 여기서는 원호형상으로 지지고정했으나, 반타원형상으로 지지고정해도되나, 바람직하게는, 바이모르프소자의 변위분포형상에 대응한 형상이 바람직하다.
이하에, 상기 본 발명을 조합한 실시예4 내지 실시예7에 대해서 설명한다.
실시예4의 헤드작동기는, 제4도의 실시예1에 의한 헤드작동기의 탄성심재에 슬릿을 형성한 구성으로 하는 것이며 다른 구성은 실시예1과 동일하다.
본 발명의 실시예4의 구성에 의해, 실시예1 및 실시예2에서 설명한 효과가 상승되고, 고신뢰성과 함께, 변위량과 공진주파수의 특성을 한층 더 향상한 고성능의 헤드작동기를 얻을 수 있는 것이다.
또, 실시예5에 의한 헤드작동기는 제4도에 표시한 실시예1에 의한 헤드작동기의 고정베이스(405)에 곡률을 가지게 한 구성으로하는 것이며, 다른 구성은 실시예1과 동일하다.
그리고 실시예6에 의한 헤드작동기는, 제8도와 동일하나 실시예2에 의한 헤드작동기의 고정베이스(505)에 곡률을 가지게 한 구성으로 하는 것이며 다른 구성은 실시예2와 동일하다.
상기 본 발명의 실시예5와 실시예6의 구성에 의해, 실시예1 또는 실시예2 및 실시예3에서 설명한 효과가 상승됨으로써, 바이므로프소자의 높은 안정성과 신뢰성을 도모하는 동시에, 변위량과 공진주파수와의 상반되는 특성을 더욱 개선한 헤드작동기를 실현할 수 있는 것이다.
그리고, 실시예7에 의한 헤드작동기는 실시예1에 의한 헤드작동기의 탄성심재에 슬릿을 형성하고, 고정대에 곡률을 가지게 한 구성으로 하는 것이며, 다른 구성은 실시예1과 동일하다.
상기 본 발명의 실시예7의 구성에 의해, 실시예1, 실시예2와 실시예3에서 설명한 효과가 상승되고, 바이모르프소자의 높은 안정성과 신뢰성을 더욱 도모하는 동시에 변위량과 공진주파수의 상반되는 특성을 모두 향상한 헤드작동기를 실현할 수 있는 것이다.
(실시예 8)
이하 본 발명의 실시예8에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
본 실시예8은 제10도에 표시한 바와같이 제4도의 실시예1에 의한 헤드작동기의 구조에 있어서, 바이모르프소자(4)의 자유단부의 탄성심재(403)를 제1, 제2압전체(401), (402)보다도 길게 형성하고, 연장부(403b)를 형성하고, 바이모르프소자(404)중 어느 한쪽의 압전체의 표면과 상기 연장부(403b)에 자기헤드지지부재(406)를 접착제등에 의해서 접착하고, 또 자기헤드(407)를 자기헤드지지부재(406)에 장착한 헤드작동기이고, 다른 구성은 실시예1과 마찬가지이다.
그러나, 이 구성의 경우 자기헤드지지부재(406)는 압전체와 탄성심재의 전기적 절연을 유지하고, 바이모르프소자(404)에 대한 부하를 작게할 필요가 있고, 비중이 작은 재료 예를들면 플라스틱등의 절연재로로 구성되나, 한편, 예를들면 탄소섬유계등의 도전성 재료의 경우에는, 접착하는 면의 압전체의 전극을 없앰으로써 절연을 유지하는 구성으로 하지 않으면 안된다.
상기와 같이 본 발명의 실시예8에 의하면, 실시예1과 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 실시예1에서는, 바이모르프소자(404)를 구성하는 압전체와 자기헤드지지부재(406) 사이의 접착강도가 불안정하지만, 실시예8에서는, 탄성심재(403)의 연장부(403b)와 압전체에 자기헤드지지부재(406)를 접착함으로써, 접착면적이 증가하고, 따라서 부착강도의 증대와 양호한 접착성을 가진다. 그 결과 실시예8에서는 바이모르프소자의 구동시의 변형에 의한 접착부에서의 잡아당김과 압축의 반복에 대한 신뢰성을 대폭으로 향상시킬 수 있다.
또, 탄성심재(403)의 연장부(403b)와 압전체에 의해 자기헤드지지부재(406)의 위치결정을 확실히 할 수 있기 때문에, 압전체에 자기헤드지지부재(406)를 설치할 때에, 접착위치의 불균일에 의해 헤드작동기의 길이가 변화하는 것을 방지할 수 있고, 따라서 자기헤드(407)의 장착시에 조정을 간략하게 할 수 있다.
또한, 바이모르프소자의 압전체와 접착하는 부분의 자기헤드지지부재(413)를 제11도와 같은 구조로 해도 됨은 물론이다. 또, 자기헤드(407)의 장착위치나 자기헤드지지부재(413)의 장착형상도 본 실시예의 구조에 특별히 한정되는 것은 아니다.
또, 본 실시예8은 상기 실시예1 이외에 실시예2 내지 실시예7에도 적용할 수 있음은 물론이다.
(실시예 9)
제12도는 본 발명의 실시예9에 의한 헤드작동기의 단면도이다. 제12도에서, 실시예9는 실시예1의 바이모르프소자를 2조 사용해서, 서로 평행하게 되도록 구성하고, 각 자유단부를 자기헤드지지부재등을 개재해서 연결하고, 자기헤드지지부재에 자기헤드를 설치한 구성으로 하는 것이며, 본 구성에 의해 실시예1 보다 한층 더 큰 효과를 얻을 수 있다.
이하 본 발명의 실시예9에 대해서, 제12도를 참조하면서 설명한다.
(701)은 제1압전체이고, (702)는 제2압전체이고, (703)은 제1탄성심재이고, (704)는 제1압전체(701)와 제2압전체(702)를 제1탄성심재(703)의 양면에 맞붙여서 구성한 제1 바이므로프소자이고, (705)는 제3압전체이고, (706)은 제4압전체이고, (707)은 제2탄성심재이고, (708)은 제3압전체(705)와 제4압전체(706)를 제2탄성심재(707)의 양면에 맞붙여서 구성한 제2 바이모르프소자이고, (709)는 제1, 제2 바이모르프소자를 고정하는 고정베이스이고, (710)은 제1, 제2 바이모르프소자를 연결하는 자기헤드지지부재이고, (711)은 자기헤드이고, (712)은 탄성지지부재이고, (713)은 신호처리회로이고, (714)는 구동회로이고, (715)는 자기헤드의 위치검출기이다.
제12도에서, 제1, 제2 압전체(701), (702) 및 제3, 제4 압전체(705), (706)를 적어도 변형방향으로는 높은 타성률을 가진재료 예를들면 인청동, 인바르, 티탄등의 금속재료 또는 탄소섬유계재료로 이루어진 제1, 제2 탄성심재(703), (707)의 양면에 탄성심재의 고정부(703a), (707a)를 제외한 부분에 접착제에 의해 접착하여 제1, 제2바이모르프소자(704), (708)를 형성한다. 이 제1, 제2바이모르프소자(704), (708)의 제1, 제2 탄성심재(703), (707)의 고정부(703a), (707a)를 소정의 간격을 두고, 서로 평행하게 되도록 배치해서 고정베이스(709)에 의해서 끼워두고, 나사등을 사용해서 완전고정한다. 한편, 고정베이스(709)의 제1, 제2 바이모르프소자(704), (708)의 고정단부로부터 고정베이스(709)의 안쪽부분의 압전체부와 탄성심부를 에폭시계의 접착체등의 탄성부재(712)에 의해서 지지고정한다.
다음에, 제1, 제2 바이모르프소자(704), (708)의 각 자유단부끼리를 자기헤드지지부재(710)에 의해서 어느 한쪽의 압전체에 접착고정함으로써 서로 평행하게 연결시키고, 그 선단부에 자기헤드(711)를 설치한 구성으로 하는 것이다.
또한, 탄성부재(712)를 실시예9에서는 에폭시계의 접착제로 했으나, 압전체보다도 탄성률이 작은 재료, 예를들면 경질고무재나 플라스틱재등이면 무엇이든 좋다. 또 자기헤드(711)의 장착위치도 본 실시예의 위치에 한정된 것이 아니고, 예를들면 자기헤드지지부재(710)의 상면에 장착해도 되나, 바람직하게는 제1, 제2 바이모르프소자(704), (708) 사이의 중앙의 연장선상에 설치하는 편이 가장 적합하다.
다음에, 제13도(a), (b), (c)의 동작설명도를 사용해서, 그 동작원리를 설명한다. 제13도(a), (b), (c)에서, 기본적인 동작원리는 제5도(a), (b), (c)에서 설명한 것과 동일하고, 여기서는 실시예9에서 새롭게 추가되는 동작에 대해서 이하에 설명한다.
제13도(a), (c)로부터, 제1, 제2 바이모르프소자의 자유단부를 연결하도록 설치된 자기헤드지지부재(710)의 굴곡부(710a)의 길이는 제1, 제2 바이모르프소자의 변형시에 있어서도 변화하지 않기 때문에, 도면에 표시한 바와같이 자기헤드(711)는 자기테이프(716)에 대해서 평행하게 이동한다. 이에 의해서, 자기헤드(711)와 자기테이프(716) 사이의 스페이싱각이 대략 0이 되므로, 기록, 재생신호의 자속누출등에 의한 열화를 방지할 수 있는 것이다.
이상과 같이 본 발명의 실시예9에 의하면, 바이모르프소자의 고정부구조를 채용함으로써, 실시예1과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있는 동시에, 2조의 바이모르프소자를 자기헤드지지부재에 의해서 평행하게 연결함으로써, 자기헤드와 자기테이프 사이의 스페이싱각을 대략 0으로 할 수 있기 때문에, 기록, 재생신호의 열화를 방지하고, 보다 고성능이며 고화질을 실현할 수 있는 헤드작동기를 얻을 수 있다.
또, 2조의 바이모르프소자의 평행규조에 의해, 헤드질량등의 부하가 분담되기 때문에, 부하질량에 의한 공진주파수의 저하가 작고, 부하에 강한 헤드작동기를 얻을 수 있다.
(실시예 10)
이하, 본 발명의 실시예 10에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
본 실시예10은, 제14도에 표시한 바와같이 실시예9에 의한 헤드작동기의 구조에 있어서, 제1, 제2 바이모르프소자(704), (708)의 각 자유단부의 제1, 제2 탄성심재(703), (707)를 제1, 제2 압전체(701), (702) 및 제3, 제4 압전체(705), (706)보다도 길게 형성하고, 연장부(703b), (707b)를 형성하고, 제1, 제2 바이모르프소자(704), (708)중 어느 하나의 압전체표면과 상기 연장부(703b), (707b)에 자기헤드지지부재(710)를 접착제등에 의해서 접착하고, 또 자기헤드(711)를 자기헤드지지부재(710)에 장착한 구성의 헤드작동기이며, 다른 구성은 실시예9와 마찬가지이다.
상기와 같이 본 발명의 실시예10에 의하면, 실시예9와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 실시예9에서는 자기헤드지지부재(710)와 제1, 제2 바이모르프소자(704), (708)의 압전체와 자기헤드지지부재(710) 사이의 접착강도가 불안정하지만, 실시예10에서는 제1, 제2 탄성심재(703), (707)의 연장부(703b), (707b)와 압전체에 자기헤드지지부재(710)를 접착함으로써, 접착면적이 증가하고, 따라서 양호한 접착성을 가진다. 그 결과, 실시예10에서는, 접착강도를 대폭으로 개선하고, 바이모르프소자의 변형에 의한 접착부의 잡아당김과 압축의 반복에 의한 부하변동에 대한 신뢰성을 대폭으로 향상시킬 수 있다.
또, 탄성심재의 연장부와 압전체에 의해 자기헤드지지부재의 위치결정을 확실히 할 수 있기 때문에, 압전체에 자기헤드지지부재를 설치할 때에, 접착위치의 불균일에 의한 헤드작동기의 길이가 변화하는 것을 방지할 수 있고, 따라서 자기헤드의 장착조정을 간략하게 할 수 있다.
또, 바이모르프소자의 중성변형(neutral deformation)의 평면근처에 있는 탄성심재에 자기헤드지지부재를 설치함으로써, 자기헤드의 트래킹시에 방생하는 자기헤드와 자기테이프사이의 간격(이후는 돌출량으로 칭함)인 헤드작동기의 변형방향차를 없애고 동등하게 할 수 있는 동시에, 돌출량의 절대치도 작게할 수 있기 때문에, 자기헤드의 자기테이프와의 위치관계에 의한 기록재생신호의 열화를 크게 개선할 수 있다.
또한, 바이모르프소자의 압전체와 접착하는 자기헤드지지부재(717)를 제15도와 같은 구조로 해도 됨은 물론이다. 또, 자기헤드(711)의 장착위치나 자기헤드지지부재(717)의 장착형상도 본 실시예의 구조에 특별히 한정되는 것은 아니다.
또 본 실시예9와 실시예10의 구성을 실시예2 내지 실시예8에 표시한 구조의 바이모르프소자에 적용할 수 있음은 물론이고, 또한, 각 실시예의 효과가 상승적으로 얻을 수 있다.
또한, 예를들면 제16도(a), (b), (c)에 일예로서 표시한 고정단부쪽이 자유단부폭보다 큰 형상의 바이모르프소자를 상기 실시예1 내지 실시예10의 바이모르프소자에 사용할 수 있음은 물론이다. 이와같은 형상의 바이모르프소자에 의해 자유단부의 질량이 감소되고, 이에 의해 공진주파수의 향상이나 구부림강성이 자유단부에 가까워짐에 따라서 감소하기 때문에 큰 변위량을 얻을 수 있고, 더욱 고성능화한 헤드작동기를 실현할 수 있다.
이상 설명한 바와같이 본 발명의 헤드작동기는, 압전체자체를 고정베이스에 직접 고정하지 않고, 탄성부재에 의해서 압전체를 탄성적으로 지지고정하고, 탄성심재를 고정베이스에 견고하게 함으로써, 바이모르프소자를 구동할 때에 고정베이스에 고정된 압전체의 고정단부에 응력이 집중하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 높은 위치정밀도를 달성할 수 있다. 또한 탄성심재를 견고하게 고정하기 때문에, 압전체의 변형에 관계없는 변형을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 헤드작동기는, ①바이모르프소자의 고정부에 탄성부재를 형성함으로써, 직류 동작시에는 바이모르프소자의 유효길이를 증가시킬 수 있고 또한 공진주파수에 대한 바이모르프소자의 유효길이를 탄성지지고정단부로부터 자유단부까지의 거리로 한 구조, ②또는 탄성심재에 슬릿을 형성함으로써, 탄성률을 저하시키지 않고 전체질량을 효과적으로 감소하여 공진주파수를 개선하는 구조, ③또는 고정베이스에 원호형상의 돌기부를 형성함으로써, 변위에 대한 바이모르프소자의 유효길이를 길게할 수 있고, 공진주파수에 대한 바이모르프소자의 유효길이를 짧게 한 구조를 하고 있다. 상기 구조에 의해, 양화한 트래킹의 응답성, 광범위한 테이프속도에 대해 잡음이 없는 재생, 개선된 변위량 및 일반적으로 상반되는 관계에 있는 공진주파수특성 모두 향상시킴으로써, 높은 신뢰성과 높은 성능을 가진 헤드작동기를 제공할 수 있다.

Claims (10)

  1. 바이모르프소자는, 두께방향으로 분극되는 제1 압전체와, 두께방향으로 분극되는 제2 압전체와, 상기 제1 압전체와 상기 제2 압전체 사이에 샌드위치된 탄성심재(elastic shim material)로 구성되고, 상기 탄성심재는, 탄성심재의 제1단부가 상기 제1, 제2 압전체로부터 외부방향으로 연장되도록 상기 제1, 제2 압전체보다 긴 길이를 가지고, 상기 바이모르프소자는, 상기 탄성심재의 제1단부가 연장되는 바이모르프소자의 제1단부와 이 바이모르프소자의 제1단부에 대향하는 바이모르프소자의 제2단부를 가지는 바이모르프소자와;
    고정베이스는, 상기 바이모르프소자의 제1단부와 상기 탄성심재의 제1단부를 수용하는 홈은 가지고, 상기 홈의 표면중에서 상기 바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 부분은, 상기 바이모르프소자의 제1단부의 크기보다 약간 큰 크기를 가지는 고정베이스와;
    상기 바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 홈의 부분과 상기 바이모르프소자의 제1단부 사이의 공간에 소정의 접착제를 도포함으로써 형성되는 탄성부재와;
    상기 바이모르포소자의 제2단부측에 설치된 자기헤드지지부재와;
    상기 자기헤드지지부재에 설치된 자기헤드와;
    상기 자기헤드의 신호를 판독하는 신호처리회로와;
    상기 바이모르프소자를 구동하는 구동회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 헤드 작동기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄성심재는 복수의 슬릿을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고정베이스는, 상기 바이모르프소자를 고정지지하도록, 원호형상의 돌기부분을 가진 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 탄성심재는, 상기 자기헤드지지부재가 상기 탄성심재의 제1단부에 대향하는 상기 탄성심재의 제2단부위에 위치하도록, 상기 제1, 제2압전체로부터 외부쪽으로 연장된 상기 탄성심재의 제2단부를 구비한 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  5. 제1바이모르프소자는, 두께방향으로 분극되는 제1 압전체와, 두께방향으로 분극되는 제2 압전체와, 상기 제1 압전체와 상기 제2 압전체사이에 샌드위치된 제1탄성심재로 구성되고, 상기 제1탄성심재는, 제1 탄성심재의 제1단부가 상기 제1, 제2압전체로부터 외부방향으로 연장되도록, 상기 제1, 제2 압전체보다 긴 길이를 가지고, 상기 제1바이모르프소자는, 상기 제1 탄성심재의 제1단부가 연장되는 제1바이모르프소자의 제1단부와 이 제1 바이모르프소자의 제1단부에 대향하는 제1 바이모르프소자의 제2 단부를 가지는 제1 바이모르프소자와;
    제2 바이로르프소자는, 두께방향으로 분극되는 제3압전체와, 두께방향으로 분극되는 제4 압전체와, 상기 제3 압전체와 상기 제4 압전체 사이에 샌드위치된 제2 탄성심재로 구성되고, 상기 제2 탄성심재는, 제2 탄성심재의 제1단부가 상기 제3, 제4 압전체로부터 외부방향으로 연장되도록 상기 제3, 제4 압전체보다 긴 길이를 가지고, 상기 제2 바이모르프소자는, 상기 제2 탄성심재의 제1 단부가 연장되는 제2 바이모르프소자의 제1단부와 이 제2바이모르프소자의 제1단부에 대향하는 제2바이모르프소자의 제2단부를 가지는 제2바이모르프소자와;
    고정베이스는, 상기 제1바이모르프소자의 제1단부와 상기 제1탄성심재의 제1단부를 수용하는 제1홈과, 상기 제2바이모르프소자의 제1단부와 상기 제2탄성심재의 제1단부를 수용하는 제2홈을 가지고, 상기 제1홈의 표면중에서 상기 제1바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 제1홈의 부분은, 상기 제1바이모르프소자의 제1단부의 크기보다 약간 큰 크기를 가지고, 또한 상기 제2홈의 표면중에서 상기 제2바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 제2홈의 부분은 상기 제2바이모르프소자의 제1단부의 크기보다 약간 큰 크기를 가지는 고정베이스와;
    상기 제1바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 제1홈의 부분과 상기 제1바이모르프소자의 제1단부 사이의 공간에 소정의 접착제를 도포함으로써 형성되는 제1탄성부재와;
    상기 제2바이모르프소자의 제1단부를 수용하는 제2홈의 부분과 상기 제2바이모르프소자의 제1단부 사이의 공간에 소정의 접착제를 도포함으로서 형성되는 제2탄성부재와;
    상기 제1바이모르프소자의 제2단부측과 제2바이모르프소자의 제2단부측에 설치된 자기헤드지지부재와;
    상기 자기헤드지지부재에 설치된 자기헤드와;
    상기 자기헤드의 신호를 판독하는 신호처리회로와;
    상기 제1, 제2바이모르프소자를 구동하는 구동회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 헤드 작동기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1, 제2 탄성심재는 각각 복수의 슬릿을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 고정베이스는, 상기 제1, 제2바이모르프소자를 각각 고정지지하도록, 원호형상의 제1, 제2돌기부분을 가진 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1, 제2 탄성심재는, 각각 상기 자기헤드지지부재가 상기 제1, 제2 탄성심재의 제2단부위에 위치하도록, 상기 제1, 제2 압전체와 상기 제3, 제4 압전체로부터 외부쪽으로 각각 연장된 상기 제1, 제2 탄성심재의 제2단부를 구비한 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 바이모르프소자의 상기 제1단부의 폭은 상기 바이모르프소자의 제2단부의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1, 제2바이모르프소자의 상기 제1단부의 폭은 각각 상기 제1, 제2바이모르프소자의 상기 제2단부의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 헤드작동기.
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