KR0118594Y1 - 확산공정의 가스공급장치 - Google Patents
확산공정의 가스공급장치Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
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Abstract
본 고안은 반도체 제조 장비에서 밸브(11)를 열어 N2 가스를 에스.티.씨(1)로 공급하고 에스.티.씨(1)에 공급된 캐리어 N2 가스나 에스.티.씨(1)내에 저장된 소스를 기체화시켜 3-웨이밸브(15)를 통하여 O2 가스와 혼합되어 프로세스 가스튜브(2)로 공급되도록 구성된 확산공정용 가스공급장치에 있어서, 소스가스를 프로세스튜브(2)에 공급하는 소스가스라인(3)에 3-웨이밸브(15)의 N.C 포트측에 흡입기(4)를 설치하고, 이 흡입기(4)의 일측통로에는 밸브(16)으로 부터 청소용 가스가 유입되도록 연결하고 따른 두 입구는 3웨이밸브(15) NC측과 튜브측에 연결하여 된 확산공정의 가스공급장치이다.
Description
제 1 도는 종래의 가스공급 개통도.
제 2 도는 본 고안의 가스공급 개통도.
제 3 도는 본 고안의 요부 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:에스.티.씨.(S.T.C : SOURCE TEMP CONTROLLER)
2:프로세스튜브 3:소스가스라인
4:흡입기 11:밸브
15:3-웨이밸브 16:밸브
본 고안은 반도체장비의 소스가스라인내에 잔류한 소스가스(SOURCE GAS)의 액화 현상을 방지하도록 한 확산공정의 가스공급장치에 관한 것이다.
종래의 확산공정 가스공급장치는, 제 1 도에 나타낸 바와같이, 밸브(11)를 열어 N2 가스를 에스.티.씨(1)로 공급하였다. 이때, 에스.티.씨(1)에 공급된 캐리어 N2 가스가 에스.티.씨(1)내에 저장된 소스를 기체화 시켜 3-웨이밸브(15)를 통하여 O2 가스와 혼합되어 프로세스 가스튜브(2)로 공급하였다.
그러나, 이러한 종래의 확산공정 가스공급장치는 소스가스라인(3)에 설치된 3-웨이밸브(15)에 잔류된 소스가스가 액화되어 다음 소스가스의 흐름을 차단하거나 흐름을 방해하므로서 소스가스의 흐름에 불균일이 발생하고 이로 인하여 확산공정에 불량이 발생되는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로, 그 목적은 소스가스라인내에 잔류한 소스가스를 제거하여 액화요소를 제거하므로서 다음 소스가스의 흐름이 원활하도록 하여 확산공정의 불량현상을 억제할 수 있도록 한 확산공정의 가스공급장치를 제공하는 데 있다.
위와같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 소스가스라인에 흡입기(aspirator)를 설치하여 소스가스의 액화를 방지하도록 구성한다.
본 고안은 제2도에서 도시한 바와 같이, 소스가스를 프로세스튜브(2)에 공급하는 소스가스라인(3)에 3-웨이밸브(15)를 설치된 종래의 구성에서 상기 3-웨이밸브(15)의 N.C 포트측에 밸브(16)가 부착된 흡입기(4)를 설치하여 형성한다.
흡입기(4)는 제 3도에 그 단면을 도시한 바와 같이, 밸브(16)으로 부터 가스(질소)가 통과하면 3웨이밸브(15) NC측으로 부터의 소스가스 잔유물을 흡입하여 튜브(TUBE)측으로 즉 프로세스튜브측으로 보내는 역활을 한다.
이러한 본 고안의 동작을 보면, 밸브(11)를 열어 N2 가스를 에스.티.씨(1)로 공급한다. 이때, 에스.티.시(1)에 공급된 캐리어 N2 가스가 에스.티.씨(1)내에 저장된 소스를 기체화 시켜 3-웨이밸브(15)를 통하여 O2 가스와 혼합한다. 혼합된 소스가스는 소스가스라인(3)을 통하여 프로세스 가스튜브(2)로 공급한다. 이 때 3-웨이밸브 V15는 튜브 쪽으로 통로가 연결되고 밸브V16은 크로즈 된다.
프로세스 튜브에 소오스가스를 공급중단하려고 할 경우에는 3-웨이밸브(15)에서 흡입기(4)를 통하여 소스가스를 프로세스튜브(2)로 공급하는 상태에서 밸브(11)을 닫아서 에스.티.씨(1)로의 질소가스 주입을 중단시키고 상기 3-웨이밸브(15)를 닫고 밸브(16)를 일정시간동안 열어 상기 3-웨이밸브(15)의 N.C 포트측의 소스 가스가 밸브(16)으로 부터의 N2 가스에 의해 청소되도록한다. 이때, N2 가스가 흡입기(4)를 통과하면서 벤츄리 효과가 발생되어 3-웨이밸브(15)에 잔류한 소스가스를 퍼지(PURGE)한다. 이렇게 퍼지한 후 밸브(16)를 닫아서 청소를 완료한다.
따라서, 소스가스라인(3)내에 잔류한 소스가스를 제거하므로서 잔류가스로 인한 액화현상을 원천적으로 제거한다.
이상에서 살펴본 바와같이, 본 고안은 소스가스라인에 가스를 공급한 다음 일정 시간동안 소스가스라인을 흡입기로 퍼지하므로서, 소스가스라인내의 액화현상을 방지하여 가스흐름의 불균형 요소를 제거하게되고, 이로인하여 확산공정 불량현상을 방지하는 것이다.
Claims (1)
- 반도체 제조 장비에서 밸브(11)를 열어 N2 가스를 에스.티.씨(1)로 공급하고 에스.티.씨(1)에 공급된 캐리어 N2 가스가 에스.티.씨(1)내에 저장된 소스를 기체화 시켜 3-웨이밸브(15)를 통하여 O2 가스와 혼합되어 프로세스 가스튜브(2)로 공급되도록 구성된 확산공정용 가스공급장치에 있어서, 소스가스를 프로세스튜브(2)에 공급하는 소스가스라인(3)에 3-웨이밸브(15)의 N.C 포트측에 흡입기(4)를 설치하고, 이 흡입기(4)의 일측통로에는 밸브(16)으로 부터 청소용 가스가 유입되도록 연결하고 따른 두 입구는 3웨이밸브(15) NC측과 튜브측에 연결하여 된 확산공정의 가스공급장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940032779U KR0118594Y1 (ko) | 1994-12-03 | 1994-12-03 | 확산공정의 가스공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940032779U KR0118594Y1 (ko) | 1994-12-03 | 1994-12-03 | 확산공정의 가스공급장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960025294U KR960025294U (ko) | 1996-07-22 |
| KR0118594Y1 true KR0118594Y1 (ko) | 1998-08-01 |
Family
ID=19400323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019940032779U KR0118594Y1 (ko) | 1994-12-03 | 1994-12-03 | 확산공정의 가스공급장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0118594Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496854B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-12-03 KR KR2019940032779U patent/KR0118594Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496854B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960025294U (ko) | 1996-07-22 |
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