KR0167240B1 - 반도체절연막 증착장비의 가스공급장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼에 보호막을 증착시키기 위하여 나이트라이드(Nitride)공정과 옥사이드(Oxide)공정을 동시에 할 수 있는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치에 관한 것으로, N2를 공급하기 위한 A1라인과 N2O를 공급하기 위한 B1라인을 포함하여서 구성되어 공정가스를 챔버(100)에 공급하는 절연막증착장비에 있어서, 상기 A1라인과 B1라인을 연결하는 공급라인(200)을 설치하고, 상기 공급라인(200)에 매뉴얼 밸브(210)를 설치하여 B1라인의 N2O가 소진될시 공급라인에 설치되어 있는 매뉴얼 밸브를 열어 A1라인의 N2를 B1라인에 공급함으로써 장비가 다운되지 않고 나이트라이드 공정을 진행할 수 있도록 한 것이다.
Description
제1도는 종래 노벨러스장치의 구성을 보인 배관도.
제2도는 본 발명 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치의 구성을 보인 배관도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 챔버 200 : 공급라인
210 : 매뉴얼 밸브
본 발명은 반도체 웨이퍼에 보호막을 증착시키기 위하여 나이트라이드(Nitride)공정과 옥사이드(Oxide)공정을 동시에 할 수 있는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치에 관한 것으로, 특히 N2O가 소진 되더라고 공정이 모두 정지되지 않고 나이트라이드공정은 진행할 수 있도록 한 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치에 관한 것이다.
종래 기술에 의한 절연막증착장치인 노벨러스장치는, 제1도에 도시한 바와 같이, N2, SiO4, PH3를 각각 공급하기 위하여 에어 밸브(Air Valve)(1)(11)(21), 가스 필터(Gas Filter)(2)(12)(22), 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(3)(13)(23)와 에어 밸브(4)(14)(24)로 구성되는 A1, A2, A3 라인(Line)과, N2O, NH3, C2F6, O2를 각각 공급하기 위하여 에어 밸브(31)(41)(51)(61), 가스 필터(32)(42)(52)(62), 매스 플로우 콘트롤러(33)(43)(53)(63)와, 에어 밸브(34)(44)(54)(64)로 구성되는 B1, B2, B3, B4 라인과, 상기 A1, A2, A3 라인 및 B1, B2, B3, B4 라인이 합쳐진 A라인과 B라인을 풀었다가 다시 조립하기 위한 매니폴드 디스콘넥터(Manifold Disconnector)(70)와, 상기 A라인 및 B라인을 각각 개폐하기 위한 매니폴드 밸브(Manifold Valve)(80)(90)와, 상기 A라인 및 B라인을 통하여 유입된 작용가스가 공급되는 챔버(100)로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 노벨러스장치는 A1, A2, B1라인에 각각 N2, SiH4, N2O를 투입하여 챔버(100)에서 반응하게 함으로써 옥사이드 절연막을 생성하고, A1, A2, B2라인에 각각 N2, SiH4, NH3를 투입하여 챔버(100)에서 반응하게 함으로써 나이트라이드 절연막을 생성한다.
한편, 공정이 끝나거나 챔버(100)를 분리하기 위해서는 매니폴드 디스콘넥터(70)를 풀어야 하는데 이때 A라인의 에어 밸브(1)(11)(21)와 매니폴드 밸브(80) 사이의 유독가스는 A1라인의 N2로 퍼지하고, B라인의 에어 밸브(31)(41)(51)(61)와 매니폴드 밸브(90) 사이의 유독가스는 옥사이드 공정가스인 B1라인의 N2O로 퍼지시키는 것이다.
그러나, B1라인의 N2O는 옥사이드 공정가스 뿐만아니라 B라인의 퍼지가스로도 사용하므로 현 장비에서 빨리 소진될 우려가 있는데, B1라인의 N2O가 소진되면 N2O를 공정가스로 사용하는 옥사이드 공정과 퍼지가스로 사용되는 나이트라이드공정이 모두 마비되어 장비가 다운되는 문제점이 있는 것이다.
이를 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 B1라인의 N2O가 소진되더라도 장비를 다운시키지 않고 나이트라이드 공정은 진행할 수 있는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 N2, SiO4, PH3가스를 각각 공급할 수 있는 A1, A2, A3 라인과, N2O, NH3, C2F6, O2가스를 각각 공급할 수 있는 B1, B2, B3, B4 라인이 구비되어, 옥사이드 절연막 형성시에는 챔버로 N2, SiH4, N2O를 투입하고, 나이트 라이드 절연막의 형성시에는 N2, SiH4, NH3를 투입할 수 있도록 되어 있는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치 있어서, 상기 A1라인과 B1라인을 연결하는 공급라인을 설치하고, 상기 공급라인에 매뉴얼 밸브를 설치하여 B1라인의 N2O가 소진될시 A1라인에서 N2를 공급할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치가 제공된다.
이하, 상기와 같은 본 발명을 첨부된 도면에 의거하여 보다 상세히 설명한다.
첨부한 제2도는 본 발명 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치의 구성을 보인 배관도로서, 이에 도시한 바와 같이, 본 발명의 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치는 N2, SiO4, PH3를 각각 공급하기 위하여 에어 밸브(1)(11)(21), 가스 필터(2)(12)(22), 매스 플로우 컨트롤러(3)(13)(23)와, 에어 밸브(4)(14)(24)로 구성되는 A1, A2, A3 라인과, N2O, NH3, C2F6, O2를 각각 공급하기 위하여 에어 밸브(31)(41)(51)(61), 가스 필터(32)(42)(52)(62), 매스 플로우 콘트롤러(33)(43)(53)(63)와, 에어 밸브(34)(44)(54)(64)로 구성되는 B1, B2, B3, B4 라인과, 상기 A1, A2, A3 라인 및 B1, B2, B3, B4 라인이 합쳐진 A라인과 B라인을 풀었다가 다시 조립하기 위한 매니폴드 디스콘넥터(70)와, 상기 A라인 및 B라인을 각각 개폐하기 위한 매니폴드 밸브(80)(90)와, 상기 A라인 및 B라인을 통하여 유입된 작용가스가 공급되는 챔버(100)로 구성되어 있는 기본구조는 종래와 같다.
여기서 본 발명은 A1라인과 B1라인을 연결하는 공급라인(200)을 설치하고, 상기 공급라인(200)에 매뉴얼 밸브(210)를 설치하여 B1라인으로 공급되는 N2O가 소진되면 A1라인에서 N2를 공급할 수 있도록 구성하였다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 작용은 종래의 범주를 크게 벗어나지 않는다.
즉, A1, A2, B1라인에 각각 N2, SiH4, N2O를 투입하여 챔버(100)에서 반응하게 함으로써 옥사이드 절연막을 생성하고, A1, A2, B2라인에 각각 N2, SiH4, NH3를 투입하여 챔버(100)에서 반응하게 함으로써 나이트라이드 절연막을 생성한다.
한편, 공정이 끝나거나 챔버(100)를 분리하기 위해서는 매니폴드 디스콘넥터(70)를 풀어야 하는데, 이때 A라인의 에어 밸브(1)(11)(21)와 매니폴드 밸브(80) 사이의 유독가스는 A1라인의 N2로 퍼지고, B라인의 에어 밸브(31)(41)(51)(61)와 매니폴드 밸브(90) 사이의 유독가스는 옥사이드 공정가스인 B1라인의 N2O로 퍼지시키는 것이다.
또한, B1라인의 N2O가 소진되면 A1라인과 B1라인을 연결하는 공급라인(200)에 설치되어 있는 매뉴얼 밸브(210)를 열어 A1라인의 N2를 공급할 수 있게 되어 B1라인의 N2O를 공정가스로 사용하는 옥사이드 공정은 진행 못하지만 나이트라이드 공정 진행시에는 A1, A2, B2라인에 각각 N2, SiH4, NH3를 투입하여 챔버(100)에서 반응하게 함으로써 나이트라이드 절연막을 생성한 다음, 소진된 B1라인의 N2O가스 대신에 N2를 퍼지가스로 사용하여 공정을 실시하게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치는 N2를 공급하는 A1라인과, N2O를 공급하는 B1라인을 연결하는 공급라인을 설치하고, 그 공급라인에 매뉴얼 밸브를 설치하여 B1라인의 N2O가 소진되더라고 공급라인에 설치되어 있는 매뉴얼 밸브를 열어 A1라인의 N2를 B1라인에 공급함으로써 장비가 다운되지 않고 나이트라이드 공정을 진행할 수 있도록 한 것이다.
Claims (1)
- N2, SiO4, PH3가스를 공급할 수 있는 A1, A2, A3 라인과, N2O, NH3, C2F6, O2가스를 공급할 수 있는 B1, B2, B3, B4 라인이 구비되어, 옥사이드 절연막 형성시에는 챔버로 N2, SiH4, N2O를 투입하고, 나이트 라이드 절연막의 형성시에는 N2, SiH4, NH3를 투입할 수 있도록 되어 있는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치 있어서, 상기 A1라인과 B1라인을 연결하는 공급라인을 설치하고, 상기 공급라인에 매뉴얼 밸브를 설치하여 B1라인의 N2O가 소진될시 A1라인에서 N2를 공급할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 절연막증착장비의 가스공급장치.
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| KR1019950007980A KR0167240B1 (ko) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 반도체절연막 증착장비의 가스공급장치 |
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| KR1019950007980A KR0167240B1 (ko) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | 반도체절연막 증착장비의 가스공급장치 |
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| Publication Number | Publication Date |
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