KR100213452B1 - 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치 - Google Patents

반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템에 관한 것으로, 본 발명에서는 공정가스 공급실린더를 복수개 배치함으로써, 생산 설비의 가동을 완전히 중지하지 않고도, 공정가스 공급실린더의 원활한 교체를 달성할 수 있으며, 또한, 기 진행되던 미 반응가스의 배출과정 이외에, 별도의 진공 흡입과정을 더 진행시킴으로써, 공정가스 공급실린더와 메인 공정가스 공급관 사이에 잔류하는 잔량가스를 완전히 제거할 수 있다.
더욱이, 본 발명에서는 별도의 잔량가스 희석과정을 통해 잔량가스의 기본적인세정과정이 진행되도록 함으로써, 최종 배출되는 잔량가스가 적정 수준의 유해물질 함유도를 유지할 수 있게 유도할 수 있다.

Description

반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템
제1도는 종래의 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템을 나타낸 구성도.
제2도는 본 발명에 의한 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템의 일실예를 나타낸 구성도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11, 12 : 공정가스 공급실린더 13 : 제1보조 잔량가스 배출관
14 : 제2보조 잔량가스 배출관 15 : 진공 펌프
17 : 메인 공정가스 공급관 17a : 제1보조 공정가스 공급관
17b : 제2보조 공정가스 공급관 18 : 가스 세정기
19 : 종형 확산로 20 : 제1공정가스 배출관
21 : 제2공정가스 배출관 23 : 연결관
25 : 진공 흡입기 27 : 메인 잔량가스 배출관
28 : 질소 공급관 31, 32 : 공급라인용 전자 밸브
30, 33 : 배출라인용 전자 밸브 40, 43 : 배출라인용 역지 밸브
41, 42 : 공급라인용 역지 밸브 46, 47 : 가스 압력 센서
48, 49 : 경보 수단 50, 51 : 스톱 밸브
본 발명은 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조에 사용되는 가스의 공급원인 공정가스 공급실린더를 교체할 경우, 생산 설비의 가동을 완전히 중지하지 않고도 공정가스 공급실린더를 좀더 용이하게 교체할 수 있도록 함과 아울러, 공정가스 공급관에 미량으로 잔류하는 잔량 가스를 좀더 안정적으로 배출할 수 있도록 하는 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 제조용 LP CVD 종형 확산로 공정을 진행함에 있어서, 반도체 소자를 제조하는 데 여러 가지의 가스가 중요한 재료로써 이용되고 있는 바, 그 가스의 공급원인 공정가스 공급실린더의 교체시에는 생산 설비의 가동을 멈추고, 공정가스 공급관 내부에 가스 잔존물이 남아 있지 않도록 한 후, 노후한 공정가스 공급실린더를 공정가스가 채워진 새로운 공정가스 공급실린더로 교체한다.
제1도는 종래의 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템의 구성도이다. 도시된 바와 같이, 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템은 반도체 소자(미도시)가 내재되어 있는 종형 확산로(1)와, 이 종형 확산로(1)와 공정가스 공급실린더(2)를 하나의 라인으로 연결하는 메인 공정가스 공급관(3)과, 제1공정가스 배출관(4), 제2공정가스 배출관(6)상에 설치된 진공 펌프(5)와, 가스 세정기(7)로 구성되어 있다.
여기서, 상기 공정가스 공급실린더(2)에는 가스의 공급 및 차단을 조절할 수 있는 스톱 밸브(9)가 설치되어 있고, 이와 아울러, 공정가스 공급실린더(2)내의 자체 압력에 의해 종형 확산로(1)로 배출되는 가스의 최저 압력을 감지하는 가스 압력 센서(10)가 부착되어 있으며, 또한, 가스 압력이 최저 압력일 때 작업자가 공정가스 공급실린더(2)내의 가스가 모두 소모되었음을 인식할 수 있도록 작동되는 경보 수단(11)이 있다. 상기 경보 수단(2)은 경고등, 경고음 등을 사용할 수 있다.
이와 같은 구성으로 이루어진 종래의 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템의 작동을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 공정가스 공급실린더(2)내의 자체 압력에 의해 배출되는 공정가스는 필요에 따라 메인 공정가스 공급관(3)을 경유하여 종형 확산로(1)에 주입되어 반도체 소자의 일정 시간동안 반응을 일으킨다. 여기서, 종형 확산로(1)내에 주입된 일정량의 공정가스는 모두 반도체 소자와 반응을 일으키지 않고, 소량의 미 반응 가스가 생기게 된다. 이후, 생산라인에서는 진공 펌프(5)를 가동하여 종형 확산로(1) 내부에 들어 있는 미 반응 가스를 제1공정가스 배출관(4)으로 진공 배출시킨다. 이후 미 반응 가스는 진공 펌프(5)의 펌핑 압력에 의해 제2공정가스 배출관(5)을 거쳐 가스 세정기(7)로 이송된다. 이때, 가스 세정기(7)는 진공 펌프(5)로 부터 이송되어 온 미 반응 가스를 인체에 무해하도록 만든 다음, 배기관(8)을 통해 대기중으로 배출한다.
여기서, 필요에 따라 종형 확산로(1)내로 공정가스를 일정 시간 주입하고 나면, 공정가스 공급실린더(2)내의 자체 압력이 점차로 떠러져, 결국, 공정가스 공급실린더(2)는 공정가스를 종형 확산로내로 주입되지 못하는 최저 압력에 도달하게 된다.
이때, 상술한 가스 압력 센서(10)에 의해 최저 압력이 감지되면, 경보 수단(11)은 공정가스 공급실린더(2)내의 가스 압력이 최저 압력에 도달하였음을 작업자에게 통고하여 작업자가 스톱 밸브(9)를 신속하게 잠글 수 있도록 한다.
이후, 생산라인에서는 노후한 공정가스 공급실린더(2)를 가스가 가득 채워진 새로운 공정가스 공급실린더로 교체해야 하는 바, 이때, 종형 확산로(1)에 연결되어 있는 메인 공정가스 공급관(3)내에는 여전히 잔량의 가스가 남아 있기 때문에, 생산라인에서는 먼저, 설비의 가동을 정지시키고 나서, 메인 공정가스 공급관(3)내에 잔재해 있는 잔량의 공정가스를 상술한 가스 세정기를 이용하여 퍼지(purge)시킴으로써, 이 잔량의 가스를 전량 제거시킨다. 이후, 생산라인에서는 노후한 공정가스 공급실린더(2)를 가스가 가득 채워진 새로운 공정가스 공급실린더로 교체한다.
그러나, 이러한 종래의 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템에는 몇 가지 중대한 문제점이 있다.
통상, 반도체 소자 제조공정에 사용되는 공정가스는 인체에 매우 유해한 가연성 가스이기 때문에, 생산라인에서는 상술한 바와 같이, 공정가스 공급실린더를 새로운 공정가스 공급실린더로 교체하기 전에, 공정가스의외부 누출을 방지하기 위하여, 공정가스공급관 내부의 잔량가스를 완전히 제거하는 공정을 진행하게 된다. 이 경우, 종래의 생산라인에서는 공정가스의 외부 누출을 좀더 안정적으로 방지하기 위하여, 설비의 가동을 완전히 중단시키게 된다.
그런데, 이와 같이, 공정가스공급관 내부의 잔량가스를 제거하기 위하여, 설비의가동을 완전히 중단시키는 경우, 공정진행이 크게 정체됨으로써, 생산라인에서는 전체적인 공정진행 시간이 대폭 증가되는 문제점을 감수하여야 한다.
또한, 종래의 생산라인에서는 공정가스 공급관 내부의 잔량가스를 가스 세정기를 이용하여 제거하는 바,이 경우, 별도의 희석과정 없이 실 공정가스가 직접 가스 세정기로 유출됨으로써, 비록 가스 세정기를 통한 1차적인 세정이 진행되었다 하더라도, 최종 배출되는 공정가스에는 일정 정도의 유해물이 잔류하게 된다.
이와 같이, 최종 배출되는 공정가스에 유해물이 잔류하는 경우, 이에 노출되는 인체 및 환경은 막대한 피해를 입게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 제조에 사용되는 가스의 공급원인 공정가스 공급실린더를 교체할 경우, 생산 설비의 가동을 완전히 정지하지 않으면서, 동시에 새로운 공정가스 공급실린더를 원활하게 교체할 수 있도록 하는 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 별도의 진공 흡입과정을 통해, 공정가스 공급실린더와 메인 공정가스 공급관 사이에 잔류하는 잔량가스를 강제로 진공 흡입하여, 제거함으로써, 예측하지 못한 잔량가스의 누출을 미리 방지할 수 있도록 하는 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 가스 세정기를 통한 잔량가스의 세정이 이루어지기 이전에, 별도의 잔량가스 희석과정을 통해 잔량가스의 기본적인 세정과정이 진행되도록 함으로써, 최종 배출되는 잔량가스가 적정 수준의 유해물질 함유도를 유지할 수 있도록 하는 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명에 의한 공정가스 공급/배출 시스템의 실시예를 나타낸 구성도이다. 도시된 바와 같이, 생산라인내에는 종형 확산로(19)내로 주입되는 가스의 공급원인 공정가스 공급실린더들(11), (12)이 복수개, 예컨대, 2개 설치되어 있으며, 각 공정가스 공급실린더들(11), (12)은 본 발명의 일측면을 이루는 공정가스 공급 어셈블리에 의해 공정가스의 원활한 주입 경로를 제공받는다.
이때, 도면에 도시된 바와 같이, 공정가스 공급 어셈블리는 제1보조 공정가스 공급관(17a), 제2보조 공정가스 공급관(17b)의 조합으로 이루어진다.
여기서, 제1보조 공정가스 공급관(17a), 제2보조 공정가스 공급관(17b)은 각각 메인 공정가스 공급관(17)에 연결되어 있는데, 이때, 제1보조 공정가스공급관(17a), 제2보조 공정가스 공급관(17b)에는 공정가스를 종형 확산로(19)에 선택적으로 공급할 수 있도록 하는 공급라인용 전자 밸브(31), (32) 및 역지 밸브(41), (42)가 설치되어 있다.
한편, 상술한 공정가스 공급 어셈블리는 본 발명의 다른 측면을 이루는 잔량가스 배출 어셈블리와 연계되어, 자신의 내부에 잔류하는 잔량 공정가스를 원활히 배출받는다.
이때, 도면에 도시된 바와 같이, 잔량가스 배출 어셈블리는 메인 잔량가스 배출관(27), 제1보조 잔량가스 배출관(13), 제2보조 잔량가스 배출관(14), 진공 흡입기(25)의 조합으로 이루어진다.
여기서, 제1·제2보조 잔량가스 배출관(13), (14)은 상술한 제1·제2보조 공정가스 공급관(17a), (17b)에 각각 연결되며, 이 제1·제2보조 잔량가스 배출관(13), (14)에는 잔량가스의 선택적인 배출을 조절할 수 있는 배출라인용 전자 밸브(30), (33) 및 역지 밸브(40), (43)가 설치되어 있다.
여기서, 제1·제2보조 잔량가스 배출관(13), (14)은 제1·제2보조 공정가스 공급관(17a), (17b) 내에 잔류하는 잔량가스를 배출하기 위해서, 메인 잔량가스 배출관(27)을 통해 진공 흡입기(25)에 연결되고, 이 진공 흡입기(25)는 역지 밸브(26)가 설치된 연결관(23)을 통하여, 진공 펌프(15) 후단의 제2공정가스 배출관(21)에 연결되어 있다.
이때, 상기 각 역지 밸브(40), (41), (42), (43)들은 공정가스를 한 방향으로 흐르게 함과 동시에, 이 공정가스가 역방향으로 흐르는 것을 제지하는 밸브이다.
다른 한편, 상기 각 공정가스 공급실린더(11), (12)에는 가스의 압력을 감지하는 가스 압력 센서(46), (47)가 설치되며, 가스 압력 센서(46), (47)에 의해 공정가스 공급실린더(11), (12)내의 가스 압력이 최저 압력인 것으로 감지되면 작업자가 공정가스 공급실린더(11), (12)의 스톱 밸브(50), (51)를 폐쇄할 수 있도록 경보 수단(48), (49)이 작동된다.
이와 같이 구성되어 있는 본 발명에 의한 공정가스 공급/배출 시스템의 동작을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
우선, 생산라인에서는 가스가 가득 충전된 공정가스 공급실린더(11), (12)중에서 어느 하나를 선택하여 종형 확산로(19)내로 가스를 주입하게 되는 바, 먼저, 공정가스 공급실린더(11)를 이용하여, 공정가스를 주입하는 경우, 생산라인에서는 공급라인용 전자 밸브(32) 및 배출라인용 전자 밸브(30), (33)를 모두 폐쇄 상태, 공급라인용 전자 밸브(31)를 개방 상태로 하고, 공정가스 공급실린더(12)의 스톱밸브(51)를 폐쇄 상태로 한다. 이와 같은 상태에서, 공정가스 공급실린더(11)의 스톱 밸브(50)를 개방하면, 공정가스 공급실린더(11)의 자체 압력에 의해, 공정가스는 제1보조 공정가스공급관(17a)에 설치되어 있는 공급라인용 전자 밸브(31) 및 역지 밸브(41)를 경유한 후, 공정가스공급관(17)을 거쳐서 종형 확산로(19)에 주입된다. 여기서, 상기 공정가스는 제2보조 공정가스 공급관(17b)에 설치되어 있는 공급라인용 역지 밸브(42) 전까지 유입된다. 그리고, 종형 확산로(19)내에 주입된 공정가스가 반도체 소자에 반응되고 남은 소량의 미 반응 가스는 진공 펌프(15)의 가동으로 제1공정가스 배출관(20)로 진공 흡입된 후, 제2공정가스 배출관(21)를 경유하여 가스 세정기(18)로 유입된다. 이후, 가스 세정기(18)는 유입되는 미 반응 가스를 세정시켜, 이를 대기상으로 배출한다.
한편, 필요에 따라 종형 확산로(19)내로 가스를 일정 시간 주입하고 나면, 공정가스 공급실린더(11)내의 자체 압력이 점차로 떨어져 공정가스 공급실린더(11)의 자체 압력이 가스를 종형 확산로(19)내로 주입하지 못하는 최저 압력에 도달하게 된다.
가스 압력 센서(10)에 의해 이러한 최저 압력이 감지되면, 경보 수단(48)은 작업자가 공정가스 공급실린더(11)내의 가스 압력이 한계 압력에 도달하였음을 인식하여, 스톱 밸브(50)를 잠그고, 스톱 밸브(51)를 개방해줄 수 있도록 예컨대, 경고음을 출력해준다. 작업자는 경고음을 듣고 스톱 밸브(50)를 폐쇄한다. 이와 아울러, 작업자는 배출라인용 전자 밸브(30) 및 공정라인용 전자 밸브(31), (32)는 개방 상태, 배출라인용 전자 밸브(33)는 폐쇄 상태로 한다.
이와 같은 상태에서, 진공 흡입기(25)를 작동시키면, 제1보조 공정가스 공급관(17a)상의 공급라인용 역지 밸브(41) 전까지 잔류해 있던 잔량가스는 진공흡입기(25)의 강제 흡입작용에 의해 빠르게 역류함으로써, 결국, 제1보조 잔량가스 배출관(13) 및 메인 잔량가스 배출관(27)을 차례로 경유한 후, 진공 흡입기(25) 내부로 신속하게 흡입된다. 이후, 진공 흡입기(25)는 연결관(23) 및 제2공정가스 배출관(21)을 통해, 강제 흡입한 잔량가스를가스 세정기(18)로 배출하게되고, 가스 세정기(18)는 유입되는 잔량가스를 세정하여, 이를 대기상으로 배출하게 된다.
한편, 작업자는 상술한 바와 같이, 스톱 밸브(50)을 폐쇄함과 아울러, 이와 동시에, 스톱 밸브(51)를 개방한다. 이때, 공급라인용 전자 밸브(32)는 개방된 상태이고, 배출라인용 전자 밸브(33)는 폐쇄된 상태이다. 이 경우, 공정가스 공급실린더(12)내의 가스는 자체 압력으로 종형 확산로(19)내로 주입되기 시작한다. 물론, 이와 동시에, 제1보조 공정가스 공급관(17a)상의 공급라인용 역지 밸브(41)전까지 잔류해 있던 잔량가스는 상술한 과정을 통해, 진공 배출된다.
이때, 작업자가 스톱 밸브(51)를 개방하면, 공정가스 공급실린더(12)의 자체 압력에 의해, 공정가스는 제2보조 공정가스 공급관(17b)에 설치되어 있는 공급라인용 전자 밸브(32) 및 역지 밸브(42)를 경유한 후, 메인 공정가스 공급관(17)을 거쳐서 종형 확산로(19)에 주입된다.
다른 한편, 상술한 공정가스 공급실린더(12)에 의한 공정가스의 공급이 이루어질 때, 이와 동시에, 작업자는 제1보조 공정가스공급관(17a)내에 잔량가스가 존재하는가의 유무를 확인한다. 이때, 상술한 잔량가스 강제흡입 작용이 모두 완료되어, 제1보조 공정가스공급관(17a)내에 잔량가스가 존재하지 않는 것으로 확인되면, 작업자는 사용된 공정가스 공급실린더(11)를 가스가 충전된 새로운 공정가스 공급실린더로 교체한다.
한편, 일정 시간이 경과하여, 공정가스 공급실린더(12)내의 가스가 모두 사용된 경우에도, 상술한 공정가스 공급실린더(11)의 처리 루틴과 마찬가지로, 제2보조 공정가스 공급관(17b)상의 공급라인용 역지 밸브(41) 전까지 잔류해 있던 잔량가스를 제거하는 공정이 진행된다.
이 경우, 작업자는 스톱 밸브(51)를 폐쇄함과 아울러, 공급라인용 전자 밸브(31), (32), 및 배출라인용 전자 밸브(33)는 개방 상태, 배출라인용 전자 밸브(30)는 폐쇄상태로 한다. 이와 같은 상태에서, 진공 흡입기(25)를 작동시키면, 제2보조 공정가스 공급관(17b)상의 공급라인용 역지 밸브(42) 전까지 잔류해 있던 잔량가스는 진공 흡입기(25)의 강제 흡입작용에 의해 빠르게 역류함으로써, 결국, 제2보조 잔량가스 배출관(14) 및 메인 잔량가스 배출관(27)을 차례로 경유한 후, 진공 흡입(25)기 내부로 신속하게 흡수된다. 이후, 진공 흡입기(25)는 연결관(23) 및 제2공정가스 배출관(21)을 통해, 강제 흡입한 잔량가스를 가스 세정기(18)로 배출하게 되고, 가스 세정기(18)는 유입되는 잔량가스를 세정하여, 이를 대기상으로 배출하게 된다.
이와 같이, 본 발명에서는 하나의 공정가스 공급실린더의 교체가 요구될 때, 이와 더불어 배치된 다른 하나의 공정가스 공급실린더를 별도로 작동시킴으로써, 생산 설비의 가동을 완전히 정지시키지 않으면서, 새로운 공정가스를 종형 확산로로 원활하게 공급할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 기 진행되던 미 반응 가스의 배출과정 이외에, 별도의 진공 흡입과정을 더 진행시켜, 공정가스 공급실린더와 메인 공정가스 공급관 사이에 잔류하던 잔량가스가 강제로 진공 흡입되도록 함으로써, 예측하지 못한 잔량가스의 누출을 보다 안정적으로 차단할 수 있다.
한편, 제3도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 것으로, 이에 도시된 바와 같이, 진공 흡입기(25)의 일단에는 역지 밸브(24)를 구비한 질소 공급관(28)을 통하여 연결되는 질소 공급기(22)가 배치되며, 이 질소 공급기(22)는 역지 밸브(26)를 구비한 연결관(23)을 통해 상술한 제2공정가스 배출관(21)에 연결되는 구조를 이룬다.
이러한 본 발명의 다른 실시예에서는 제1·제2보조 공정가스 공급관(17a), (17b)상의 역지 밸브(41), (42) 전까지 잔류해 있던 잔량가스가 상술한 진공 흡입기(25)의 작용에 의해, 강제 흡입되는 경우, 이 진공 흡입기(25)와 연결된 질소 공급기(22)의 작용을 통해 일정량의 질소 가스를 진공 흡입기(25) 내부로 신속하게 공급함으로써, 결국, 흡입된 잔량가스가 질소 가스의 작용에 의해 적절한 순도로 희석될 수 있도록 한다.
이후, 진공 흡입기(25)는 희석 완료된 잔량가스를 연결관)(23) 및 제2공정가스 배출관(21)을 통해 가스 세정기(18)로 배출하게 되고, 가스 세정기(18)는 유입되는 잔량가스를 세정하여, 이를 대기상으로 배출하게 된다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에서는 가스 세정기를 통한 잔량가스를 본격적인 세정과정이 이루어지기 이전에, 별도의 잔량가스 희석과정을 통해 잔량가스의 기본적인 세정과정이 진행되도록 함으로써, 최종 배출되는 잔량가스가 적정수준의 유해물질 함유도를 유지할 수 있도록 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템에서는 공정가스 공급실린더를 복수개 배치함으로써 생산 설비의 가동을 완전히 중지하지 않고도, 공정가스 공급실린더의 원활한 교체를 달성할 수 있으며, 또한, 기 진행되던 미 반응가스의 배출과정 이외에, 별도의 진공 흡입과정을 더 진행시킴으로써, 공정가스 공급실린더와 메인 공정가스 공급관 사이에 잔류하는 잔량가스를 완전히 제거할 수 있다.
더욱이, 본 발명에서는 별도의 잔량가스 희석과정을 통해 잔량가스의 기본적인 세정과정이 진행되도록 함으로써, 최종 배출되는 잔량가스가 적정 수준의 유해물질 함유도를 유지할 수 있게 유도할 수 있다.

Claims (1)

  1. 종형 확산로와, 상기 종형 확산로와 메인 공정가스 공급관에 의해 연결되는 복수개의 공정가스 공급실린더들과, 상기 종형 확산로와 제1공정가스 배출관에 의해 연결되는 진공 펌프와, 상기 진공 펌프와 제2공정가스 배출관에 의해 연결되는 가스 세정기로 구성되어 있는 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템에 있어서, 상기 공정가스 공급실린더들 중의 어느 하나를 선택한 후, 선택된 해당 공정가스 공급실린더에 채워진 공정가스를 상기 메인 공정가스 공급란을 통하여 상기 종형 확산로에 공급되는 공정가스 공급 어셈블리와; 상기 공정가스의 공급을 유지하면서, 상기 공정가스 공급 어셈블리에 잔류하는 잔량 공정가스를 상기 가스 세정기로 배출하는 잔량가스 배출 어셈블리 포함하며, 상기 공정가스 공급 어셈블리는 상기 공정가스 공급실린더들 중의 어느 하나에 일단이 연결되고, 상기 메인 공정가스 공급란에 타단이 연결되는 제1보조 공정가스 공급관과; 상기 공정가스 공급실린더들 중의 다른 어느 하나에 일단이 연결되고, 상기 메인 공정가스 공급관에 타단이 연결되는 제2보조 공정가스 공급관과; 상기 제1·네2보조 공정가스 공급관상에 각각 설치되는 공급라인용 전자 밸브 및 역지 밸브를 포함하고, 상기 잔량가스 배출 어셈블리는 상기 공정가스 공급실린더들 중의 어느 하나에 일단이 연결되고, 메인 잔량가스 배출관에 타단이 연결되는 제1보조 잔량 가스 배출관과; 상기 공정가스 공급실린더들 중의 다른 어느 하나에 일단이 연결되고, 상기 메인 잔량가스 배출관에 타단이 연결되는 제2보조 잔량가스 배출관과; 상기 제1·제2보조 잔량가스 배출관상에 각각 설치되는 배출라인용 전자 밸브 및 역지 밸브와; 상기 메인 잔량가스 배출관상에 설치되며, 상기 배출라인용 전자 밸브 및 역지 밸브와, 상기 공급라인용 전자 밸브 및 역지 밸브의 개폐상태에 따라, 상기 제1·제2보조 공정가스 공급관에 잔류하는 잔량가스를 선택적으로 강제 흡입하는 진공 흡입기와; 상기 진공 흡입기의 일단에 소정의 질소 공급관을 통하여 연결되며, 상기 진공 흡입기로 진공 흡입된 상기 잔량가스로 질소를 공급하여 상기 잔량가스를 희석시키는 질소 공급기와; 상기 진공 흡입기의 다른 일단에 연결되며, 상기 진공 흡입기에서 배출되는 상기 잔량가스를 상기 가스 세정기로 공급하는 연결관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 공정가스 공급/배출 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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