KR970072056A - 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치 - Google Patents

반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 가스의 공급 처리 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조에 사용되는 가스의 공급원인 가스 실린더를 교체할 경우 생산 설비의 가동을 정지하지 않고 가스 실린더를 교체할 수 있는 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치의 일 실시예를 나타낸 구성도.

Claims (5)

  1. 종형 확산로와, 상기 종형 확산로와 주 공급관에 의해 연결되는 가스 실린더와, 상기 종형 확산로와 제1 배출통로에 의해 연결되는 진공 펌프와, 상기 진공 펌프와 제2배출통로에 의해 연결되는 가스 세정기로 구성되어 있는 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치에 있어서, 복수개의 가스 실린더와, 상기 복수개의 가스 실린더 중 하나를 선택하여 상기 주 공급관을 통하여 상기 종형 확산로에 가스를 공급하도록 하는 공급 수단과, 상기 가스의 공급을 유지하면서 상기 공급 수단에 잔재해 있는 잔량의 가스를 상기 가스 세정기로 배출하는 배출수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공급 수단은 상기 복수개의 가스 실린더중의 하나에 일단이 연결되고 상기 주 공급관에 타단이 연결되는 제1분기 공급과, 상기 다른 하나의 가스 실린더의 일단에 연결되고 상기 주 공급관에 타단이 연결되는 제2분기 공급관과, 상기 제1분기 공급과 제2분기 공급관상에 각각 설치되는 전자 밸브와 역지 밸브로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배출 수단은 상기 복수개의 가스 실린더중 하나에 일단이 연결되고 타단이 주 배출관의 일단에 연결된 제1분기 배출관과, 상기 다른 하나의 가스 실린더에 일단이 연결되고 타단이 상기 주 배출관의 일단에 연결된 제2분기 배출관과, 상기 제1분기 배출관과 상기 제2분기 배출관상에 각각 설치된 전자 밸브와 역지 밸브와, 상기 주 배출관의 타단이 연결된 진공 발생기와, 상기 진공 발생기에서 상기 가스 세정기로 연결하는 연결관으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 가스 공급 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 배출 수단은 상기 잔량의 가스를 희석시키는 희석 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 희석 수단은 상기 진공 발생기에 질소 공급관을 통하여 연결되는 질소 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 가스 공급 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010073407A (ko) * 2000-01-14 2001-08-01 김재욱 반도체 제조용 가스 공급라인
CN108918902A (zh) * 2018-09-25 2018-11-30 上海新奥林汽车传感器有限公司 一种气体功能检测仪用自动化气体供应系统

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