KR970063461A - 반도체 cvd설비의 공정튜브 - Google Patents

반도체 cvd설비의 공정튜브 Download PDF

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KR970063461A
KR970063461A KR1019960004818A KR19960004818A KR970063461A KR 970063461 A KR970063461 A KR 970063461A KR 1019960004818 A KR1019960004818 A KR 1019960004818A KR 19960004818 A KR19960004818 A KR 19960004818A KR 970063461 A KR970063461 A KR 970063461A
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KR1019960004818A
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현경호
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

함께 공정을 거친 웨이퍼들 사이에 형성되는 증착막에서의 불순물농도가 균일하게 하기 위한 반도체 CVD장비의 공정튜브에 관한 것이다.
본 발명은 불순물가스가 함유된 소오스가스를 공급하는 튜브 하부의 소오스가스 공급부, 상기 튜브 내에서 하부에서 상부로 뻗어있으며 중간부에서 상부 사이에 복수개의 구멍이 형성되어 상기 구멍을 통해 불순물가스를 공급하는 가스관 형태의 롱노즐 및 상기 튜브 상부의 가스 배출관을 구비하고 있는 반도체 CVD장비의 공정튜브에 있어서, 상기 소오스가스 공급부는 상기 튜브 내에서 하부에서 중간부로 뻗어있으며 그 경로상에 복수개의 구멍이 형성되어 불순물이 함유된 소오스가스를 분산 공급하는 가스관 형태의 중간노즐로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 한 공정튜브 내에서 동시에 웨이퍼상에 불순물이 함유된 실리콘막을 형성할 때 균일한 불순물농도를 가지는 막을 형성할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.

Description

반도체 CVD설비의 공정튜브
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 개선된 가스공급 시스템이 설치된 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD설비 공정튜브의 단면을 나타내는 도면이다.

Claims (2)

  1. 불순물가스가 함유된 소오스가스를 공급하는 튜브 하부의 소오스가스 공급부, 상기 튜브 내에서 하부에서 상부로 뻗어있으며 중간부에서 상부 사이에 복수개의 구멍이 형성되어 상기 구멍을 통해 불순물가스를 공급하는 가스관 형태의 롱노즐 및 상기 튜브 상부에 형성된 가스 배출관을 구비하고 있는 반도체 CVD장비의 공정튜브에 있어서, 상기 소오스가스 공급부는 상기 튜브 내에서 하부에서 중간부로 뻗어있으며 그 경로상에 복수개의 구멍이 형성되어 상기 소오스가스를 분산 공급하는 가스관 형태의 중간노즐로 이루어지는 것을 특징으로 하는반도체 CVD장비의 공정튜브.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중간노즐에 형성된 구멍들은 상기 튜브의 중간 이하에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 CVD장비의 공정튜브.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960004818A 1996-02-27 1996-02-27 반도체 cvd설비의 공정튜브 KR970063461A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020017633A (ko) * 2000-08-31 2002-03-07 윤종용 화학기상 증착장치

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KR20020017633A (ko) * 2000-08-31 2002-03-07 윤종용 화학기상 증착장치

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