KR200267865Y1 - 쿨다운챔버의 질소공급장치 - Google Patents

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KR200267865Y1
KR200267865Y1 KR2020010038222U KR20010038222U KR200267865Y1 KR 200267865 Y1 KR200267865 Y1 KR 200267865Y1 KR 2020010038222 U KR2020010038222 U KR 2020010038222U KR 20010038222 U KR20010038222 U KR 20010038222U KR 200267865 Y1 KR200267865 Y1 KR 200267865Y1
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윤상운
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동부전자 주식회사
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본 고안은 유입된 냉각수를 통해 웨이퍼(11)를 냉각시킬 수 있도록 하며 저면에 외부로부터 질소 가스가 유입될 수 있는 질소가스유입구(15)가 연결된 쿨다운 챔버(10)와, 상기 쿨다운 챔버(10)로부터 유입되는 질소가스를 통해 미세불순물이 제거될 수 있도록 하며 공급받은 질소 가스를 진공배관(21)을 통해 배출하는 트랜스퍼 챔버(20)가 연결되는 구조로부터 쿨다운챔버에 질소가 유입되어 웨이퍼에 미세불순물이 안착되는 것을 방지하고 이어 질소가 트랜서퍼챔버까지 공급될 수 있도록 하므로 미세불순물을 완전제거할 수 있는쿨다운챔버의 질소공급장치에 관한 것이다.

Description

쿨다운챔버의 질소공급장치{suplying of nitrogen apparatus for cool-down chamber}
본 고안은 쿨다운챔버의 질소공급장치에 관한 것으로서, 더 자세하게는 쿨다운챔버에 질소가 유입되어 웨이퍼에 미세불순물이 안착되는 것을 방지하고 이어 질소가 트랜서퍼챔버까지 공급될 수 있도록 하므로 미세불순물을 완전제거할 수 있는 쿨다운 챔버의 질소공급장치에 관한 것이다.
일반적으로 쿨다운챔버는 웨이퍼를 운반시키는 로보트가 있는 트랜스퍼 챔버에 의하여 진공상태와 대기상태로 변환시킨다. 상기 트랜스퍼 챔버 내부의 오염물질이나 불순물이 쿨다운챔버로 유입되는 경우 고정진행이 완료된 웨이퍼 표면에 미소립자가 묻거나 위에 올려지게 되면 웨이퍼에 악 영향을 주게된다.
일예로 종래의 쿨다운 챔버 연결장치를 도 1를 참조하여 설명하면 아래에서부터 냉각수가 유입되거나 배출될 수 있도록 냉각수관(3)이 설치된 쿨다운챔버(1)는 측부에 진공챔버(2)와 연결되는 트랜스퍼챔버(2)가 연결되어 있다. 이 트랜스퍼 챔버(2)는 쿨다운 챔버(1)의 웨이퍼(4)를 식히기 위해 냉각수를 유입하여 식히게 된다.
그러나, 이러한 종래의 쿨다운 챔버 연결장치는 쿨다운 챔버(1)가 웨이퍼(4)를 식히기 위해 일정시간 정지된 이후에 트랜스퍼 챔버(2)에서 유입되는 질소(N2)와 함께 섞여 유입될 경우 웨이퍼(4)의 위쪽 표면과 쿨다운 챔버(1) 내부에 불순물로 인해 오염되는 문제점을 가지고 있다.
본 고안은 이와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서 그 목적은 쿨다운챔버에 질소가 유입되어 웨이퍼에 미세불순물이 안착되는 것을 방지하고 이어 질소가 트랜서퍼챔버까지 공급될 수 있도록 하므로 미세불순물을 완전제거할 수 있도록 하는 데 있다.
도 1은 종래의 쿨다운챔버의 질소공급장치의 연결구성도이다.
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 쿨다운챔버의 질소공급장치의 연결구성도이다.
-도면의 주요부분에 대한 부호설명-
1,10;쿨다운챔버 2,20;트랜서퍼챔버
3;냉각수관 4;웨이퍼
15;질소유입구 21;진공배관
이하, 이 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자가 이 고안을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 이 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 이 고안의 목적,작용효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 동작상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다.
참고로 여기에서 개시되는 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것일 뿐, 이 고안의 기술적 사상이 반드시 이 실시예만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론, 균등한 타의 실시예가 가능함을 밝혀 둔다.
본 고안은 쿨다운챔버내로 불순물이 유입되는 것을 방지하는 장치에 관한 것으로서, 도 2에서 보는 바와 같이 유입된 냉각수를 통해 웨이퍼(11)를 냉각시킬 수 있도록 하며 저면에 외부로부터 질소 가스가 유입될 수 있는 질소가스유입구(15)가 연결된 쿨다운챔버(10)와, 상기 쿨다운챔버(10)로부터 유입되는 질소가스를 통해 미세불순물이 제거될 수 있도록 하며 공급받은 질소 가스를 진공배관(21)을 통해 배출하는 트랜스퍼챔버(20)가 연결되는 구성을 갖는다.
이와 같이 구성되는 본 고안의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안은 쿨다운챔버내로 불순물이 유입되는 것을 방지하는 장치에 관한 것으로서, 도 2에서 보는 바와 같이 쿨다운 챔버(10)내에 적층된 웨이퍼(11)를 냉각시키기 위해 냉각수를 저면에서부터 끌어 올려 냉각시키고 질소가스유입구(15)를 통해 유입되는 가스를 트랜스퍼챔버(20)에 흘려 보내게 된다.
따라서, 트랜스퍼챔버(20)는 미세한 불순물이 발생하더라도 쿨다운챔버(10)로부터 유입되는 질소가스를 통해 미세 부순물이 트랜스퍼챔버(20)에 안착되지 않고 진공배관(21)을 통해 강제 배출되는 것이다.
이로 인해 쿨다운챔버(10)는 미세불순물이 발생되기 전에 질소유입으로 트랜서퍼챔버(20)에 배출시키고 이어 질소가 지속적으로 유입되면서 트랜서퍼챔버(20)의 미세불순물까지 외부로 배출되는 것이다.
이와 같이 작용하는 본 고안은 쿨다운챔버에 질소가 유입되어 웨이퍼에 미세불순물이 안착되는 것을 방지하고 이어 질소가 트랜서퍼챔버까지 공급될 수 있도록 하므로 미세불순물을 완전제거할 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (1)

  1. 유입된 냉각수를 통해 웨이퍼(11)를 냉각시킬 수 있도록 하며 저면에 외부로부터 질소 가스가 유입될 수 있는 질소가스유입구(15)가 연결된 쿨다운 챔버(10)와, 상기 쿨다운 챔버(10)로부터 유입되는 질소가스를 통해 미세불순물이 제거될 수 있도록 하며 공급받은 질소 가스를 진공배관(21)을 통해 배출하는 트랜스퍼 챔버(20)가 연결되어 이루어진 쿨다운챔버의 질소공급장치.
KR2020010038222U 2001-12-11 2001-12-11 쿨다운챔버의 질소공급장치 KR200267865Y1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220108927A (ko) * 2021-01-28 2022-08-04 에스케이실트론 주식회사 반응성 미세입자의 발생을 억제하는 에피택셜 성장장치 및 에피택셜 성장방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220108927A (ko) * 2021-01-28 2022-08-04 에스케이실트론 주식회사 반응성 미세입자의 발생을 억제하는 에피택셜 성장장치 및 에피택셜 성장방법
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