KR19990011069A - 웨이퍼의 드라이 크리너 및 이를 이용한 웨이퍼 크리닝 방법 - Google Patents

웨이퍼의 드라이 크리너 및 이를 이용한 웨이퍼 크리닝 방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼의 드라이 크리너 및 이를 이용한 웨이퍼 크리닝 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너는 복수의 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지면을 갖춘 척(chuck)과, 상기 척의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면과 이격된 거리에 형성되고 상기 척 위로 가스를 공급하는 가스 공급 통로와, 상기 척의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면을 중심으로 상기 가스 공급 통로의 반대편에서 상기 웨이퍼 지지면과 이격된 거리에 형성되고 상기 척을 통과한 가스를 유출시키는 가스 유출 통로를 갖춘다.

Description

웨이퍼의 드라이 크리너 및 이를 이용한 웨이퍼 크리닝 방법
본 발명은 반도체 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 건식 식각 공정을 거친 웨이퍼상에 남아 있는 파티클을 제거하기 위한 웨이퍼의 드라이 크리너 및 이를 이용한 웨이퍼 크리닝 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정중, 유기 SOG(Silicon On Glass)막과 같은 막질을 식각하고 난 후에는 식각 부산물, 예를 들면 폴리머 등과 같은 조각성 파티클이 발생한다. 반도체 소자가 점차 고집적화되고 미세 패턴화되어 감에 따라, 상기와 같이 웨이퍼상에 존재하는 파티클들을 습식 식각 공정에 의하여 제거하면 습식 식각에 사용되는 순수(deionized water) 또는 기타 화학 약품으로 인하여 웨이퍼상에 형성하고자 하는 패턴에 언더컷이 형성되거나 막질이 소모되는 경우가 많고, 결과적으로 제조되는 반도체 소자의 불량을 초래하게 된다.
그에 따라, 종래에는 O2플라즈마 발생 장치를 사용하여 웨이퍼의 외측으로부터 웨이퍼의 중심으로 향하는 가스 흐름을 이용하여 웨이퍼상에 존재하는 조각성 파티클을 제거하고자 하였다. 그러나, 웨이퍼상의 파티클을 제거하기 위하여 상기한 종래 방법을 사용한 경우에는 파티클들이 웨이퍼의 중심 부분에 집중되고, 이와 같이 집중된 파티클들을 완전하게 제거하는 것이 어렵다.
본 발명의 목적은 웨이퍼상에 존재하는 조각성 파티클을 효율적으로 제거할 수 있는 웨이퍼의 드라이 크리너를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 장치를 사용하여 웨이퍼상의 조각성 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 크리닝 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너의 구성을 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 2는 도 1의 2 - 2'선 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 크리닝 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 척, 10A : 웨이퍼 지지면
20 : 가스 공급 통로, 30 : 가스 유출 통로
50 : 웨이퍼, 80 : 화살표
90 : 방전 장치
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너는 복수의 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지면을 갖춘 척(chuck)과, 상기 척의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면과 이격된 거리에 형성되고 상기 척 위로 가스를 공급하는 가스 공급 통로와, 상기 척의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면을 중심으로 상기 가스 공급 통로의 반대편에서 상기 웨이퍼 지지면과 이격된 거리에 형성되고 상기 척을 통과한 가스를 유출시키는 가스 유출 통로를 갖춘다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 크리닝 방법에서는 상기 척 위에 세정될 웨이퍼를 올려 놓는다. 상기 가스 공급 통로로부터 소정의 가스를 공급한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 일정 부분에 파티클이 모이는 현상을 방지함으로써 웨이퍼를 효과적으로 크리닝할 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너의 구성을 개략적으로 도시한 종단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너는 복수의 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지면(10A)을 갖춘 척(chuck)(10)을 구비한다. 상기 척(10)에는 방전 장치(90)가 설치되어 상기 척(10)에 지지된 웨이퍼(50)의 정전기를 제거시키는 역할을 하도록 할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼(50)상에 정전기에 의하여 부착된 파티클을 상기 웨이퍼(50)로부터 쉽게 분리시킬 수 있다.
상기 척(10)의 상부에는 상기 웨이퍼 지지면(10A)과 이격된 거리에서 상기 척(10) 위로 소정의 가스를 공급하는 복수의 가스 공급 통로(20)가 형성되어 있다. 상기 가스 공급 통로(20)로부터 공급된 가스는 점선 화살표(80)로 표시한 바와 같은 흐름 방향을 따라 상기 척(10)의 상면을 통과한 후, 상기 척(10)의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면(10A)을 중심으로 상기 가스 공급 통로(20)의 반대편에서 상기 웨이퍼 지지면(10A)과 이격된 거리에 형성된 가스 유출 통로(30)를 통하여 유출된다.
도 1에는 가스 공급 통로(20)가 상기 척(10)의 외측에 형성되고 가스 유출 통로(30)가 상기 척(10)의 중심에 형성되는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 상기 웨이퍼 지지면(10A)의 위치에 대응되는 위치가 아니면 어디라도 상관없다. 또한, 상기 가스 공급 통로(20) 및 가스 유출 통로(30)의 각각의 개수도 도시된 것에 한정되지 않고 필요에 따라 임의로 조정할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 드라이 크리너에 구비된 척의 평면도로서, 도 1의 2 - 2'선 단면도이다.
도 2에서 점선 화살표(80)로 표시한 바와 같은 가스 흐름 방향으로부터 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼상의 파티클을 제거하기 위한 가스를 공급 및 유출시키는 가스 공급 통로(20) 및 가스 유출 통로(30)가 웨이퍼가 지지되는 웨이퍼 지지면(10A)의 바로 위에 위치하지 않고 일정 거리 이격되도록 구성되어 있으므로 웨이퍼의 일정 부분에 파티클이 모이는 현상을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 크리닝 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 3을 참조하면, 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너를 사용하여 웨이퍼를 크리닝할 때에는 상기 척(10) 위에 세정될 웨이퍼를 올려 놓고(단계 100), 상기 가스 공급 통로(20)로부터 소정의 가스, 예를 들면 정제된 N2가스, O2가스 또는 공기를 공급한다(단계 200).
그 결과, 상기 가스 공급 통로(20)를 통하여 공급된 가스는 상기 웨이퍼 지지면(10A) 상에 지지된 웨이퍼의 상면을 통과하여 상기 웨이퍼 지지면(10A)을 중심으로 상기 가스 공급 통로(20)의 반대측에 있는 가스 유출 통로(30)로 유출된다. 따라서, 웨이퍼상에 존재하던 파티클이 웨이퍼의 어느 부분에도 남아 있지 않고 웨이퍼로부터 효과적으로 제거될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼의 드라이 크리너에서는 웨이퍼상의 파티클을 제거하기 위한 가스를 각각 공급 및 유출시키는 가스 공급 통로 및 가스 유출 통로가 웨이퍼가 지지되는 웨이퍼 지지면의 바로 위에 위치하지 않고 일정 거리 이격되도록 구성되어 있으므로, 본 장치를 사용하여 웨이퍼상의 파티클을 제거할 때 웨이퍼의 일정 부분에 파티클이 모이는 현상을 방지함으로써 웨이퍼를 효과적으로 크리닝할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (4)

  1. 복수의 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지면을 갖춘 척(chuck)과,
    상기 척의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면과 이격된 거리에 형성되고 상기 척 위로 가스를 공급하는 가스 공급 통로와,
    상기 척의 상부에서 상기 웨이퍼 지지면을 중심으로 상기 가스 공급 통로의 반대편에서 상기 웨이퍼 지지면과 이격된 거리에 형성되고 상기 척을 통과한 가스를 유출시키는 가스 유출 통로를 갖춘 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 드라이 크리너.
  2. 제1항에 있어서, 상기 척에는 상기 척에 지지된 웨이퍼의 정전기를 제거하는 방전 장치가 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 드라이 크리너.
  3. 제1항의 웨이퍼의 드라이 크리너를 사용하여 웨이퍼상의 파티클을 제거하기 위한 크리닝 방법에 있어서,
    상기 척 위에 세정될 웨이퍼를 올려 놓는 단계와,
    상기 가스 공급 통로로부터 소정의 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 소정의 가스는 정제된 N2가스, O2가스 및 공기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법.
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KR100679254B1 (ko) * 2000-11-20 2007-02-05 삼성전자주식회사 반도체장치 세정설비 및 그 운영방법

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