JPH0513336A - 減圧cvd装置用反応管 - Google Patents
減圧cvd装置用反応管Info
- Publication number
- JPH0513336A JPH0513336A JP40303290A JP40303290A JPH0513336A JP H0513336 A JPH0513336 A JP H0513336A JP 40303290 A JP40303290 A JP 40303290A JP 40303290 A JP40303290 A JP 40303290A JP H0513336 A JPH0513336 A JP H0513336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- wafer
- reaction tube
- film
- pressure cvd
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ウェーハ3を搭載したボート4を挿入し、材料
ガスを流して膜形成を行う反応管1aの内壁に、環状突
起物2又は環状突起物2の一部を数箇所切り欠いた円弧
状突起物を、搭載ウェーハと同ピッチに設けている。 【効果】この突起物を設けたことによって、ウェーハの
端の部分に成膜するはずの材料ガスの流れが押さえられ
るため、ウェーハ端部の膜厚が厚くならない。また、従
来の単純構造のボートが使用できるので、コストを下げ
ることができる。
ガスを流して膜形成を行う反応管1aの内壁に、環状突
起物2又は環状突起物2の一部を数箇所切り欠いた円弧
状突起物を、搭載ウェーハと同ピッチに設けている。 【効果】この突起物を設けたことによって、ウェーハの
端の部分に成膜するはずの材料ガスの流れが押さえられ
るため、ウェーハ端部の膜厚が厚くならない。また、従
来の単純構造のボートが使用できるので、コストを下げ
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は減圧CVD装置用反応管
に関し、特に半導体製造工程におけるシリコン酸化膜成
長及びSiH4 とNH3 を用いたシリコン窒化膜成長に
用いる反応管に関する。
に関し、特に半導体製造工程におけるシリコン酸化膜成
長及びSiH4 とNH3 を用いたシリコン窒化膜成長に
用いる反応管に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の反応管は、図4の断面図に示すよ
うに直管状になっており、反応管1の内壁に突起物は存
在しない。この反応管1内にウェーハ3を水平かつ等ピ
ッチ間隔で搭載したボート4を置き、膜成長を行なって
いる。この反応管1により、SiH4 とNH3 を用いた
シリコン窒化膜成長を行なった場合、材料ガスがウェー
ハ3の外周部から中央部へ向けて流れるため、図5の説
明図に示すようにウェーハ3の端の部分が中央部に比べ
て厚く成長し、その結果膜厚のばらつきは29.1%と
大きくなる。
うに直管状になっており、反応管1の内壁に突起物は存
在しない。この反応管1内にウェーハ3を水平かつ等ピ
ッチ間隔で搭載したボート4を置き、膜成長を行なって
いる。この反応管1により、SiH4 とNH3 を用いた
シリコン窒化膜成長を行なった場合、材料ガスがウェー
ハ3の外周部から中央部へ向けて流れるため、図5の説
明図に示すようにウェーハ3の端の部分が中央部に比べ
て厚く成長し、その結果膜厚のばらつきは29.1%と
大きくなる。
【0003】そこで開発されたのが、図6の断面図に示
すケージボート5である。このケージボート5は、ウェ
ーハ3の周辺部での材料ガスの流れを押さえるために、
ウェーハ間にリングを介在させた構造である。このケー
ジボート5にウェーハ3を搭載し、図4に示す直管状の
反応管1を用いて前記した窒化膜成長を行なうことによ
って、図7の説明図に示すようにウェーハ3の端の部分
が厚くなる現象は解消し、その結果、膜厚のばらつきは
1.5%と小さくなっている。
すケージボート5である。このケージボート5は、ウェ
ーハ3の周辺部での材料ガスの流れを押さえるために、
ウェーハ間にリングを介在させた構造である。このケー
ジボート5にウェーハ3を搭載し、図4に示す直管状の
反応管1を用いて前記した窒化膜成長を行なうことによ
って、図7の説明図に示すようにウェーハ3の端の部分
が厚くなる現象は解消し、その結果、膜厚のばらつきは
1.5%と小さくなっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、半導体
製造工程での減圧CVD装置によるシリコン酸化膜成長
及びSiH4 とNH3 を用いたシリコン窒化膜成長プロ
セスでは、通常、直管状の反応管を使用している。
製造工程での減圧CVD装置によるシリコン酸化膜成長
及びSiH4 とNH3 を用いたシリコン窒化膜成長プロ
セスでは、通常、直管状の反応管を使用している。
【0005】この為、ウェーハ状の膜厚のばらつきを小
さくする為には、前記したケージボートを必要とする。
ケージボートは、形状が複雑である為製造コストが高
く、又、破損し易いという問題が有る。
さくする為には、前記したケージボートを必要とする。
ケージボートは、形状が複雑である為製造コストが高
く、又、破損し易いという問題が有る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の反応管は、ボー
トに搭載されたウェーハピッチと同ピッチに設けられた
環状又は円弧状の突起物を反応管内壁に有している。こ
の突起物は、ケージボートを使わなくても、ウェーハの
端の部分に成膜するはずのガスを消費し、又、ウェーハ
上の未反応ガスの分布を均一にする等、ケージボートと
同等の作用が有る為、ウェーハの端の部分は厚い膜にな
らず、膜厚のばらつきは小さくなる。
トに搭載されたウェーハピッチと同ピッチに設けられた
環状又は円弧状の突起物を反応管内壁に有している。こ
の突起物は、ケージボートを使わなくても、ウェーハの
端の部分に成膜するはずのガスを消費し、又、ウェーハ
上の未反応ガスの分布を均一にする等、ケージボートと
同等の作用が有る為、ウェーハの端の部分は厚い膜にな
らず、膜厚のばらつきは小さくなる。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の断面図で、縦型減圧
CVD装置の反応部を示している。反応管1a内には、
環状突起物2を有している。この環状突起物2は、反応
管1aの内壁に溶接されている。又、環状突起物2の間
隔は、ウェーハ3のピッチと同ピッチになっている。
る。図1は本発明の第1の実施例の断面図で、縦型減圧
CVD装置の反応部を示している。反応管1a内には、
環状突起物2を有している。この環状突起物2は、反応
管1aの内壁に溶接されている。又、環状突起物2の間
隔は、ウェーハ3のピッチと同ピッチになっている。
【0008】次に、この反応管1a内にウェーハ3を搭
載したボート4(図4に示す)を挿入するが、この際に
環状突起物2の間にウェーハが位置する様にボート4の
位置を調整する。
載したボート4(図4に示す)を挿入するが、この際に
環状突起物2の間にウェーハが位置する様にボート4の
位置を調整する。
【0009】次に、反応管1a内を減圧し、材料ガスを
流して成膜する。
流して成膜する。
【0010】図2及び図3は本発明の第2実施例の断面
図及び上面図である。反応管1a内には、円弧状突起物
6を有している。この円弧状突起物6は、反応管1bの
内壁にウェーハ3のピッチと同ピッチに溶接されてい
る。円弧状突起物6は環状ではなく、第1実施例の環状
突起物の一部を数個所切り欠いた形状になっており、
又、切り欠き部は、ボート4の溝棒7付近に位置する様
に設計されたものである。
図及び上面図である。反応管1a内には、円弧状突起物
6を有している。この円弧状突起物6は、反応管1bの
内壁にウェーハ3のピッチと同ピッチに溶接されてい
る。円弧状突起物6は環状ではなく、第1実施例の環状
突起物の一部を数個所切り欠いた形状になっており、
又、切り欠き部は、ボート4の溝棒7付近に位置する様
に設計されたものである。
【0011】このように、溝棒7付近を切り欠いた突起
物を設けることによって、従来、成膜時にボート4の溝
棒7に位置するウェーハ上は膜厚が薄くなる傾向が有っ
たが、本実施例の構造によりこの問題も解消できる。
物を設けることによって、従来、成膜時にボート4の溝
棒7に位置するウェーハ上は膜厚が薄くなる傾向が有っ
たが、本実施例の構造によりこの問題も解消できる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応管内
にウェーハピッチと同ピッチの突起物を有している。こ
の突起物は、ウェーハの端の部分に成膜するはずのガス
を消費する為、ウェーハの端の部分の膜厚が極端に厚く
ならない。従ってケージボートを使用せずに従来の単純
な構造のボートが使用可能になり、減圧CVD装置のラ
ンニングコストを下げることができるという効果を有す
る。
にウェーハピッチと同ピッチの突起物を有している。こ
の突起物は、ウェーハの端の部分に成膜するはずのガス
を消費する為、ウェーハの端の部分の膜厚が極端に厚く
ならない。従ってケージボートを使用せずに従来の単純
な構造のボートが使用可能になり、減圧CVD装置のラ
ンニングコストを下げることができるという効果を有す
る。
【図1】本発明の第1実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の第2実施例を示す断面図である。
【図3】図2の上面図である。
【図4】従来装置の一例を示す断面図である。
【図5】図4の従来装置による膜厚を示す説明図であ
る。
る。
【図6】従来装置の他の例を示す断面図である。
【図7】図6の従来装置による膜厚を示す説明図であ
る。
る。
1,1a,1b 反応管 2 環状突起物 3 ウェーハ 4 ボート 5 ケージボート 6 円弧状突起物 7 溝棒
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 ウェーハを搭載したボートを挿入し膜
成長を行う減圧CVD装置用反応管において、反応管の
内壁に搭載ウェーハと同ピッチに設けられた環状又は円
弧状の突起物を有することを特徴とする減圧CVD装置
用反応管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40303290A JPH0513336A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 減圧cvd装置用反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40303290A JPH0513336A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 減圧cvd装置用反応管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513336A true JPH0513336A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=18512781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40303290A Pending JPH0513336A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 減圧cvd装置用反応管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513336A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4822423A (en) * | 1985-03-15 | 1989-04-18 | Shiseido Company Ltd. | Nail cosmetic composition |
US4897261A (en) * | 1985-11-09 | 1990-01-30 | Shiseido Company Ltd. | Fingernail cosmetic composition |
KR20000001504A (ko) * | 1998-06-11 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 확산로 |
US10169926B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-01 | Magna Electronics Inc. | Driver assistance system for vehicle |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04154117A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Nec Corp | 減圧cvd装置 |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP40303290A patent/JPH0513336A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04154117A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Nec Corp | 減圧cvd装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4822423A (en) * | 1985-03-15 | 1989-04-18 | Shiseido Company Ltd. | Nail cosmetic composition |
US4897261A (en) * | 1985-11-09 | 1990-01-30 | Shiseido Company Ltd. | Fingernail cosmetic composition |
KR20000001504A (ko) * | 1998-06-11 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 확산로 |
US10169926B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-01 | Magna Electronics Inc. | Driver assistance system for vehicle |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970408 |