JPH0513336A - 減圧ｃｖｄ装置用反応管 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置用反応管Info
- Publication number
- JPH0513336A JPH0513336A JP40303290A JP40303290A JPH0513336A JP H0513336 A JPH0513336 A JP H0513336A JP 40303290 A JP40303290 A JP 40303290A JP 40303290 A JP40303290 A JP 40303290A JP H0513336 A JPH0513336 A JP H0513336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- wafer
- reaction tube
- film
- pressure cvd
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ウェーハ３を搭載したボート４を挿入し、材料
ガスを流して膜形成を行う反応管１ａの内壁に、環状突
起物２又は環状突起物２の一部を数箇所切り欠いた円弧
状突起物を、搭載ウェーハと同ピッチに設けている。 【効果】この突起物を設けたことによって、ウェーハの
端の部分に成膜するはずの材料ガスの流れが押さえられ
るため、ウェーハ端部の膜厚が厚くならない。また、従
来の単純構造のボートが使用できるので、コストを下げ
ることができる。
ガスを流して膜形成を行う反応管１ａの内壁に、環状突
起物２又は環状突起物２の一部を数箇所切り欠いた円弧
状突起物を、搭載ウェーハと同ピッチに設けている。 【効果】この突起物を設けたことによって、ウェーハの
端の部分に成膜するはずの材料ガスの流れが押さえられ
るため、ウェーハ端部の膜厚が厚くならない。また、従
来の単純構造のボートが使用できるので、コストを下げ
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は減圧ＣＶＤ装置用反応管
に関し、特に半導体製造工程におけるシリコン酸化膜成
長及びＳｉＨ4 とＮＨ3 を用いたシリコン窒化膜成長に
用いる反応管に関する。
に関し、特に半導体製造工程におけるシリコン酸化膜成
長及びＳｉＨ4 とＮＨ3 を用いたシリコン窒化膜成長に
用いる反応管に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反応管は、図４の断面図に示すよ
うに直管状になっており、反応管１の内壁に突起物は存
在しない。この反応管１内にウェーハ３を水平かつ等ピ
ッチ間隔で搭載したボート４を置き、膜成長を行なって
いる。この反応管１により、ＳｉＨ4 とＮＨ3 を用いた
シリコン窒化膜成長を行なった場合、材料ガスがウェー
ハ３の外周部から中央部へ向けて流れるため、図５の説
明図に示すようにウェーハ３の端の部分が中央部に比べ
て厚く成長し、その結果膜厚のばらつきは２９．１％と
大きくなる。
うに直管状になっており、反応管１の内壁に突起物は存
在しない。この反応管１内にウェーハ３を水平かつ等ピ
ッチ間隔で搭載したボート４を置き、膜成長を行なって
いる。この反応管１により、ＳｉＨ4 とＮＨ3 を用いた
シリコン窒化膜成長を行なった場合、材料ガスがウェー
ハ３の外周部から中央部へ向けて流れるため、図５の説
明図に示すようにウェーハ３の端の部分が中央部に比べ
て厚く成長し、その結果膜厚のばらつきは２９．１％と
大きくなる。
【０００３】そこで開発されたのが、図６の断面図に示
すケージボート５である。このケージボート５は、ウェ
ーハ３の周辺部での材料ガスの流れを押さえるために、
ウェーハ間にリングを介在させた構造である。このケー
ジボート５にウェーハ３を搭載し、図４に示す直管状の
反応管１を用いて前記した窒化膜成長を行なうことによ
って、図７の説明図に示すようにウェーハ３の端の部分
が厚くなる現象は解消し、その結果、膜厚のばらつきは
１．５％と小さくなっている。
すケージボート５である。このケージボート５は、ウェ
ーハ３の周辺部での材料ガスの流れを押さえるために、
ウェーハ間にリングを介在させた構造である。このケー
ジボート５にウェーハ３を搭載し、図４に示す直管状の
反応管１を用いて前記した窒化膜成長を行なうことによ
って、図７の説明図に示すようにウェーハ３の端の部分
が厚くなる現象は解消し、その結果、膜厚のばらつきは
１．５％と小さくなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、半導体
製造工程での減圧ＣＶＤ装置によるシリコン酸化膜成長
及びＳｉＨ4 とＮＨ3 を用いたシリコン窒化膜成長プロ
セスでは、通常、直管状の反応管を使用している。
製造工程での減圧ＣＶＤ装置によるシリコン酸化膜成長
及びＳｉＨ4 とＮＨ3 を用いたシリコン窒化膜成長プロ
セスでは、通常、直管状の反応管を使用している。
【０００５】この為、ウェーハ状の膜厚のばらつきを小
さくする為には、前記したケージボートを必要とする。
ケージボートは、形状が複雑である為製造コストが高
く、又、破損し易いという問題が有る。
さくする為には、前記したケージボートを必要とする。
ケージボートは、形状が複雑である為製造コストが高
く、又、破損し易いという問題が有る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の反応管は、ボー
トに搭載されたウェーハピッチと同ピッチに設けられた
環状又は円弧状の突起物を反応管内壁に有している。こ
の突起物は、ケージボートを使わなくても、ウェーハの
端の部分に成膜するはずのガスを消費し、又、ウェーハ
上の未反応ガスの分布を均一にする等、ケージボートと
同等の作用が有る為、ウェーハの端の部分は厚い膜にな
らず、膜厚のばらつきは小さくなる。
トに搭載されたウェーハピッチと同ピッチに設けられた
環状又は円弧状の突起物を反応管内壁に有している。こ
の突起物は、ケージボートを使わなくても、ウェーハの
端の部分に成膜するはずのガスを消費し、又、ウェーハ
上の未反応ガスの分布を均一にする等、ケージボートと
同等の作用が有る為、ウェーハの端の部分は厚い膜にな
らず、膜厚のばらつきは小さくなる。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の断面図で、縦型減圧
ＣＶＤ装置の反応部を示している。反応管１ａ内には、
環状突起物２を有している。この環状突起物２は、反応
管１ａの内壁に溶接されている。又、環状突起物２の間
隔は、ウェーハ３のピッチと同ピッチになっている。
る。図１は本発明の第１の実施例の断面図で、縦型減圧
ＣＶＤ装置の反応部を示している。反応管１ａ内には、
環状突起物２を有している。この環状突起物２は、反応
管１ａの内壁に溶接されている。又、環状突起物２の間
隔は、ウェーハ３のピッチと同ピッチになっている。
【０００８】次に、この反応管１ａ内にウェーハ３を搭
載したボート４（図４に示す）を挿入するが、この際に
環状突起物２の間にウェーハが位置する様にボート４の
位置を調整する。
載したボート４（図４に示す）を挿入するが、この際に
環状突起物２の間にウェーハが位置する様にボート４の
位置を調整する。
【０００９】次に、反応管１ａ内を減圧し、材料ガスを
流して成膜する。
流して成膜する。
【００１０】図２及び図３は本発明の第２実施例の断面
図及び上面図である。反応管１ａ内には、円弧状突起物
６を有している。この円弧状突起物６は、反応管１ｂの
内壁にウェーハ３のピッチと同ピッチに溶接されてい
る。円弧状突起物６は環状ではなく、第１実施例の環状
突起物の一部を数個所切り欠いた形状になっており、
又、切り欠き部は、ボート４の溝棒７付近に位置する様
に設計されたものである。
図及び上面図である。反応管１ａ内には、円弧状突起物
６を有している。この円弧状突起物６は、反応管１ｂの
内壁にウェーハ３のピッチと同ピッチに溶接されてい
る。円弧状突起物６は環状ではなく、第１実施例の環状
突起物の一部を数個所切り欠いた形状になっており、
又、切り欠き部は、ボート４の溝棒７付近に位置する様
に設計されたものである。
【００１１】このように、溝棒７付近を切り欠いた突起
物を設けることによって、従来、成膜時にボート４の溝
棒７に位置するウェーハ上は膜厚が薄くなる傾向が有っ
たが、本実施例の構造によりこの問題も解消できる。
物を設けることによって、従来、成膜時にボート４の溝
棒７に位置するウェーハ上は膜厚が薄くなる傾向が有っ
たが、本実施例の構造によりこの問題も解消できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応管内
にウェーハピッチと同ピッチの突起物を有している。こ
の突起物は、ウェーハの端の部分に成膜するはずのガス
を消費する為、ウェーハの端の部分の膜厚が極端に厚く
ならない。従ってケージボートを使用せずに従来の単純
な構造のボートが使用可能になり、減圧ＣＶＤ装置のラ
ンニングコストを下げることができるという効果を有す
る。
にウェーハピッチと同ピッチの突起物を有している。こ
の突起物は、ウェーハの端の部分に成膜するはずのガス
を消費する為、ウェーハの端の部分の膜厚が極端に厚く
ならない。従ってケージボートを使用せずに従来の単純
な構造のボートが使用可能になり、減圧ＣＶＤ装置のラ
ンニングコストを下げることができるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図３】図２の上面図である。
【図４】従来装置の一例を示す断面図である。
【図５】図４の従来装置による膜厚を示す説明図であ
る。
る。
【図６】従来装置の他の例を示す断面図である。
【図７】図６の従来装置による膜厚を示す説明図であ
る。
る。
１，１ａ，１ｂ 反応管 ２ 環状突起物 ３ ウェーハ ４ ボート ５ ケージボート ６ 円弧状突起物 ７ 溝棒
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ウェーハを搭載したボートを挿入し膜
成長を行う減圧ＣＶＤ装置用反応管において、反応管の
内壁に搭載ウェーハと同ピッチに設けられた環状又は円
弧状の突起物を有することを特徴とする減圧ＣＶＤ装置
用反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40303290A JPH0513336A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 減圧ｃｖｄ装置用反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40303290A JPH0513336A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 減圧ｃｖｄ装置用反応管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513336A true JPH0513336A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=18512781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40303290A Pending JPH0513336A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 減圧ｃｖｄ装置用反応管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513336A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4822423A (en) * | 1985-03-15 | 1989-04-18 | Shiseido Company Ltd. | Nail cosmetic composition |
| US4897261A (en) * | 1985-11-09 | 1990-01-30 | Shiseido Company Ltd. | Fingernail cosmetic composition |
| KR20000001504A (ko) * | 1998-06-11 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 확산로 |
| US10169926B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-01 | Magna Electronics Inc. | Driver assistance system for vehicle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04154117A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Nec Corp | 減圧ｃｖｄ装置 |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP40303290A patent/JPH0513336A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04154117A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Nec Corp | 減圧ｃｖｄ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4822423A (en) * | 1985-03-15 | 1989-04-18 | Shiseido Company Ltd. | Nail cosmetic composition |
| US4897261A (en) * | 1985-11-09 | 1990-01-30 | Shiseido Company Ltd. | Fingernail cosmetic composition |
| KR20000001504A (ko) * | 1998-06-11 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 확산로 |
| US10169926B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-01 | Magna Electronics Inc. | Driver assistance system for vehicle |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970408 |