JPH06310443A - 気相成長方法及び反応容器 - Google Patents
気相成長方法及び反応容器Info
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- JPH06310443A JPH06310443A JP9990093A JP9990093A JPH06310443A JP H06310443 A JPH06310443 A JP H06310443A JP 9990093 A JP9990093 A JP 9990093A JP 9990093 A JP9990093 A JP 9990093A JP H06310443 A JPH06310443 A JP H06310443A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相成長（ＣＶＤ）の方法及び気相成長に使
用する反応容器に関し、歩留りを損なうことなく装置の
スループットを向上することを目的とする。 【構成】 多数のウェーハ１を反応容器10内に平行に直
立させて減圧ＣＶＤ装置によりバッチ処理するに際し
て、ウェーハ１をその全周にわたり反応容器10の内壁と
の距離Ｗが略等しく、その表面同士及び裏面同士が交互
に対向し、対向する表面間の間隔H1は表面の膜厚均一性
が良好となるように、対向する裏面間の間隔H2は対向す
る表面間の間隔H1より小さくなるように配置する。
用する反応容器に関し、歩留りを損なうことなく装置の
スループットを向上することを目的とする。 【構成】 多数のウェーハ１を反応容器10内に平行に直
立させて減圧ＣＶＤ装置によりバッチ処理するに際し
て、ウェーハ１をその全周にわたり反応容器10の内壁と
の距離Ｗが略等しく、その表面同士及び裏面同士が交互
に対向し、対向する表面間の間隔H1は表面の膜厚均一性
が良好となるように、対向する裏面間の間隔H2は対向す
る表面間の間隔H1より小さくなるように配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気相成長（以下、ＣＶＤ
と記す）の方法及びＣＶＤに使用する反応容器に関す
る。
と記す）の方法及びＣＶＤに使用する反応容器に関す
る。
【０００２】半導体装置の製造工程においては、ウェー
ハ表面にポリシリコン膜、窒化膜、酸化膜等、種々の薄
膜がＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ装置の内、反応
管や反応容器内を減圧しながら反応ガスを流す減圧ＣＶ
Ｄ装置はウェーハの処理枚数が多く、又、ウェーハ大口
径化への対応も容易であるため、多く使用されている
が、ウェーハ大口径化に伴ってスループットの低下、若
しくは装置の大型化を余儀なくされており、その解決が
望まれている。
ハ表面にポリシリコン膜、窒化膜、酸化膜等、種々の薄
膜がＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ装置の内、反応
管や反応容器内を減圧しながら反応ガスを流す減圧ＣＶ
Ｄ装置はウェーハの処理枚数が多く、又、ウェーハ大口
径化への対応も容易であるため、多く使用されている
が、ウェーハ大口径化に伴ってスループットの低下、若
しくは装置の大型化を余儀なくされており、その解決が
望まれている。
【０００３】
【従来の技術】減圧ＣＶＤ装置により多数のウェーハを
バッチ処理する場合、従来はウェーハを反応容器内で裏
表同一方向、同一間隔で整列させていた。この際、この
ウェーハ間隔は、良好なウェーハ内膜厚均一性（以下、
単に膜厚均一性と記す）を得るために、ウェーハと反応
容器内壁との距離や反応容器内圧力値、ウェーハ口径等
の諸条件に応じて適当な値に設定していた。
バッチ処理する場合、従来はウェーハを反応容器内で裏
表同一方向、同一間隔で整列させていた。この際、この
ウェーハ間隔は、良好なウェーハ内膜厚均一性（以下、
単に膜厚均一性と記す）を得るために、ウェーハと反応
容器内壁との距離や反応容器内圧力値、ウェーハ口径等
の諸条件に応じて適当な値に設定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、装置のスル
ープットを上げるためにウェーハ間隔を縮小して１バッ
チの処理枚数を増加すると膜厚均一性を損ない易く（特
にＳｉＯ2 膜を成長させる場合に顕著）、従ってウェー
ハ間隔の縮小により装置のスループットを上げることが
困難である、という問題があった。
ープットを上げるためにウェーハ間隔を縮小して１バッ
チの処理枚数を増加すると膜厚均一性を損ない易く（特
にＳｉＯ2 膜を成長させる場合に顕著）、従ってウェー
ハ間隔の縮小により装置のスループットを上げることが
困難である、という問題があった。
【０００５】本発明はこのような問題を解決して、減圧
ＣＶＤ装置により多数のウェーハをバッチ処理する場合
に処理ウェーハの歩留りを損なうことなく装置のスルー
プットを向上することが可能な気相成長方法及び反応容
器を提供することを目的とする。
ＣＶＤ装置により多数のウェーハをバッチ処理する場合
に処理ウェーハの歩留りを損なうことなく装置のスルー
プットを向上することが可能な気相成長方法及び反応容
器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、〔１〕複数のウェーハを反応容器内に所定の間隔で
平行に保持・収納し、該反応容器内に反応ガスを流通せ
しめて該複数のウェーハの表面に薄膜を形成する気相成
長方法において、該複数のウェーハは、それぞれその全
周にわたり該反応容器の内壁との距離が略等しく、その
表面同士及び裏面同士が交互に対向し、該対向する表面
間の間隔は表面の膜厚均一性が良好となるように、且つ
対向する裏面間の間隔は該対向する表面間の間隔より小
さくなるように配置されていることを特徴とする気相成
長方法とすることで、〔２〕複数のウェーハを所定の間
隔で平行に且つ直立せしめて保持．収納する筒形の反応
容器において、収納空間の断面形状が該ウェーハと略相
似形をなし、内壁と該ウェーハとの距離が該ウェーハの
全周にわたり略等しくなると共に、対向するウェーハ間
が交互に良好な膜厚均一性の得られる第一の間隔及び該
第一の間隔より狭い第二の間隔となるように該複数のウ
ェーハを保持・収納するものであることを特徴とする反
応容器とすることで、達成される。
ば、〔１〕複数のウェーハを反応容器内に所定の間隔で
平行に保持・収納し、該反応容器内に反応ガスを流通せ
しめて該複数のウェーハの表面に薄膜を形成する気相成
長方法において、該複数のウェーハは、それぞれその全
周にわたり該反応容器の内壁との距離が略等しく、その
表面同士及び裏面同士が交互に対向し、該対向する表面
間の間隔は表面の膜厚均一性が良好となるように、且つ
対向する裏面間の間隔は該対向する表面間の間隔より小
さくなるように配置されていることを特徴とする気相成
長方法とすることで、〔２〕複数のウェーハを所定の間
隔で平行に且つ直立せしめて保持．収納する筒形の反応
容器において、収納空間の断面形状が該ウェーハと略相
似形をなし、内壁と該ウェーハとの距離が該ウェーハの
全周にわたり略等しくなると共に、対向するウェーハ間
が交互に良好な膜厚均一性の得られる第一の間隔及び該
第一の間隔より狭い第二の間隔となるように該複数のウ
ェーハを保持・収納するものであることを特徴とする反
応容器とすることで、達成される。
【０００７】
【作用】薄膜形成を要するのは、通常、ウェーハの表面
側だけである。裏面側はウェーハのハンドリング（特に
自動ハンドリング）のために処理時にもスペースを設け
る関係で薄膜が形成されるが、本来は不要であるから、
膜厚均一性がある程度低下しても差し支えない（但し、
極端に不均一になるとリソグラフィ工程等に支障を来す
ことがある）。
側だけである。裏面側はウェーハのハンドリング（特に
自動ハンドリング）のために処理時にもスペースを設け
る関係で薄膜が形成されるが、本来は不要であるから、
膜厚均一性がある程度低下しても差し支えない（但し、
極端に不均一になるとリソグラフィ工程等に支障を来す
ことがある）。
【０００８】本発明では良好な膜厚均一性を必要とする
表面側同士、及び余り膜厚均一性を必要としない裏面同
士を対向させ、表面間の間隔を良好な膜厚均一性を得る
ことが出来る値とし、裏面間の間隔はウェーハハンドリ
ングに支障のない範囲で表面間の間隔より縮小すること
により、表面側の膜厚均一性を損なうことなく、装置の
スループットを向上することが出来る。
表面側同士、及び余り膜厚均一性を必要としない裏面同
士を対向させ、表面間の間隔を良好な膜厚均一性を得る
ことが出来る値とし、裏面間の間隔はウェーハハンドリ
ングに支障のない範囲で表面間の間隔より縮小すること
により、表面側の膜厚均一性を損なうことなく、装置の
スループットを向上することが出来る。
【０００９】
【実施例】本発明に係るＣＶＤの方法及びＣＶＤ装置用
の反応容器の実施例を図１及び図２を参照しながら説明
する。尚この例は、管状炉タイプの減圧ＣＶＤ装置によ
りＳｉウェーハにＳｉＯ2 膜を形成するものである。
の反応容器の実施例を図１及び図２を参照しながら説明
する。尚この例は、管状炉タイプの減圧ＣＶＤ装置によ
りＳｉウェーハにＳｉＯ2 膜を形成するものである。
【００１０】先ず反応容器の説明を行う。図１は本発明
の実施例を示す断面図、図２は本発明の実施例を示す斜
視図である。同図において、１はウェーハ、10は反応容
器、11はボート、12はカバー、Ｗは反応容器10の内壁と
ウェーハ１との距離、H1はウェーハ間の第一の間隔、H2
は同じく第二の間隔である。ボート11及びカバー12の材
質は、石英ガラス又はＳｉＣである。
の実施例を示す断面図、図２は本発明の実施例を示す斜
視図である。同図において、１はウェーハ、10は反応容
器、11はボート、12はカバー、Ｗは反応容器10の内壁と
ウェーハ１との距離、H1はウェーハ間の第一の間隔、H2
は同じく第二の間隔である。ボート11及びカバー12の材
質は、石英ガラス又はＳｉＣである。
【００１１】ボート11にカバー12を重ねた状態でその内
部空間の断面形状がウェーハ１と略相似形をなす筒状の
反応容器10となる。その内径はウェーハ１の径より２×
Ｗ（詳細後述）だけ大きい。
部空間の断面形状がウェーハ１と略相似形をなす筒状の
反応容器10となる。その内径はウェーハ１の径より２×
Ｗ（詳細後述）だけ大きい。
【００１２】ボート11、カバー12はそれぞれスリット11
a 、12a を有し、これらが反応容器10のガス流通口とな
る。従って、反応容器10は半密閉容器である。ボート11
の底部外側には反応容器10の姿勢を安定させる脚を備え
ている（図示は省略）。
a 、12a を有し、これらが反応容器10のガス流通口とな
る。従って、反応容器10は半密閉容器である。ボート11
の底部外側には反応容器10の姿勢を安定させる脚を備え
ている（図示は省略）。
【００１３】ボート11は底部内側にスペーサ11b と11c
、上縁にはフランジ11d を有する。スペーサ11b とフ
ランジ11d にはウェーハ１の周縁部が緩く嵌入する溝が
所定のピッチ（詳細後述）で設けられており、このスペ
ーサ11b 、11c 、フランジ11dにより、ウェーハ１をそ
の全周にわたり反応容器10の内壁と等距離（Ｗ）となる
ように平行に直立させる。
、上縁にはフランジ11d を有する。スペーサ11b とフ
ランジ11d にはウェーハ１の周縁部が緩く嵌入する溝が
所定のピッチ（詳細後述）で設けられており、このスペ
ーサ11b 、11c 、フランジ11dにより、ウェーハ１をそ
の全周にわたり反応容器10の内壁と等距離（Ｗ）となる
ように平行に直立させる。
【００１４】前記のスペーサ11b とフランジ11d に設け
られている溝のピッチは、直立させるウェーハ１の間隔
が交互に第一の間隔H1と第二の間隔H2となるようになっ
ている。このうちH1は、良好な膜厚均一性を得るため
に、ウェーハ１と反応容器10の内壁との距離Ｗや反応容
器10内の圧力値等の諸条件に応じて設定されるものであ
る。常用される反応容器内圧力値では経験的にH1はＷの
二倍程度が適当である。一方H2は、H1より小さく、ウェ
ーハ１をこの反応容器10に挿脱する際にそのウェーハ１
を吸着するロボットチャックの厚さより大きくする。
られている溝のピッチは、直立させるウェーハ１の間隔
が交互に第一の間隔H1と第二の間隔H2となるようになっ
ている。このうちH1は、良好な膜厚均一性を得るため
に、ウェーハ１と反応容器10の内壁との距離Ｗや反応容
器10内の圧力値等の諸条件に応じて設定されるものであ
る。常用される反応容器内圧力値では経験的にH1はＷの
二倍程度が適当である。一方H2は、H1より小さく、ウェ
ーハ１をこの反応容器10に挿脱する際にそのウェーハ１
を吸着するロボットチャックの厚さより大きくする。
【００１５】次にＣＶＤの方法を説明する。先ず上記反
応容器10のボート11内にロボットにより所定枚数のウェ
ーハ１を直立させる。この際、ウェーハ１を一枚置きに
反転させて、交互にその表面同士、裏面同士を対向さ
せ、且つ表面同士が対向するウェーハ間隔がH1に、裏面
同士が対向するウェーハ間隔がH2になるように、溝位置
を選ぶ。その後、このボート11にカバー12を重ね、これ
を石英製等の反応管に入れ、ホットウォール方式で加熱
し、減圧しながら反応ガスを流す。
応容器10のボート11内にロボットにより所定枚数のウェ
ーハ１を直立させる。この際、ウェーハ１を一枚置きに
反転させて、交互にその表面同士、裏面同士を対向さ
せ、且つ表面同士が対向するウェーハ間隔がH1に、裏面
同士が対向するウェーハ間隔がH2になるように、溝位置
を選ぶ。その後、このボート11にカバー12を重ね、これ
を石英製等の反応管に入れ、ホットウォール方式で加熱
し、減圧しながら反応ガスを流す。
【００１６】尚、ウェーハ１を上記の半密閉型反応容器
10に収納するのではなく開放型のボートに収納し、これ
を反応管に入れて処理する場合には、上記のＷを大きく
せざるを得ないからH1も大きくなり、スループットが低
下する。
10に収納するのではなく開放型のボートに収納し、これ
を反応管に入れて処理する場合には、上記のＷを大きく
せざるを得ないからH1も大きくなり、スループットが低
下する。
【００１７】本発明者は、ウェーハ50枚を収容する従来
の反応容器と外形寸法が等しい上記の反応容器10に上記
の方法でウェーハ75枚を収容し、これにＳｉＯ2 膜を形
成した結果、膜厚均一性を損なうことなく、スループッ
ト（但し、多段炉における１芯当たりの処理枚数）を28
％向上することが出来た。この比較例では、ウェーハ径
は何れも６インチ、距離Ｗは何れも５mm、従来の溝ピッ
チ（ウェーハ間隔＋ウェーハ厚さ）は9.52mm、本発明の
溝ピッチは9.52mm（H1相当）及び4.76mm（H2相当）とし
た。
の反応容器と外形寸法が等しい上記の反応容器10に上記
の方法でウェーハ75枚を収容し、これにＳｉＯ2 膜を形
成した結果、膜厚均一性を損なうことなく、スループッ
ト（但し、多段炉における１芯当たりの処理枚数）を28
％向上することが出来た。この比較例では、ウェーハ径
は何れも６インチ、距離Ｗは何れも５mm、従来の溝ピッ
チ（ウェーハ間隔＋ウェーハ厚さ）は9.52mm、本発明の
溝ピッチは9.52mm（H1相当）及び4.76mm（H2相当）とし
た。
【００１８】尚、スループット増がウェーハ収容数の増
（50％）より低いのは、ロボットによるウェーハの移送
が枚数増に伴って１.5倍になったことと、枚数増に伴う
グロスレートの低下を補償するために成長時間を延長し
たことに起因する。
（50％）より低いのは、ロボットによるウェーハの移送
が枚数増に伴って１.5倍になったことと、枚数増に伴う
グロスレートの低下を補償するために成長時間を延長し
たことに起因する。
【００１９】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば上
記の溝ピッチを大小二種類設定する代わりに、総てを小
ピッチに統一し、溝を選択的に使用することにより、ウ
ェーハ間隔を変化させる場合でも、又、縦型炉を使用す
る場合でも、本発明は有効である。
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば上
記の溝ピッチを大小二種類設定する代わりに、総てを小
ピッチに統一し、溝を選択的に使用することにより、ウ
ェーハ間隔を変化させる場合でも、又、縦型炉を使用す
る場合でも、本発明は有効である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
減圧ＣＶＤ装置により多数のウェーハをバッチ処理する
場合、処理ウェーハの歩留りを損なうことなく装置のス
ループットを向上することが可能な気相成長方法及び反
応容器を提供することが出来、半導体装置製造等のコス
ト低減等に寄与する。
減圧ＣＶＤ装置により多数のウェーハをバッチ処理する
場合、処理ウェーハの歩留りを損なうことなく装置のス
ループットを向上することが可能な気相成長方法及び反
応容器を提供することが出来、半導体装置製造等のコス
ト低減等に寄与する。
【図１】 本発明の実施例を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施例を示す斜視図である。
１ ウェーハ 10 反応容器 11 ボート 11a,12a スリット（ガス流通口） 11b,11c スペーサ 11d フランジ H1 第一の間隔（表面間の間隔） H2 第二の間隔（裏面間の間隔） Ｗ 反応容器内壁とウェーハとの距離
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のウェーハ(1) を反応容器内に所定
の間隔で平行に保持・収納し、該反応容器内に反応ガス
を流通せしめて該複数のウェーハ(1) の表面に薄膜を形
成する気相成長方法において、 該複数のウェーハ(1) は、それぞれその全周にわたり該
反応容器の内壁との距離(W) が略等しく、その表面同士
及び裏面同士が交互に対向し、該対向する表面間の間隔
(H1)は表面の膜厚均一性が良好となるように、且つ対向
する裏面間の間隔(H2)は該対向する表面間の間隔(H1)よ
り小さくなるように配置されていることを特徴とする気
相成長方法。 - 【請求項２】 複数のウェーハ(1) を所定の間隔で平行
に保持・収納する筒形の反応容器において、 収納空間の断面形状が該ウェーハ(1) と略相似形をな
し、 内壁と該ウェーハ(1) との距離(W) が該ウェーハ(1) の
全周にわたり略等しくなると共に、対向するウェーハ間
が交互に良好な膜厚均一性の得られる第一の間隔(H1)及
び該第一の間隔(H1)より狭い第二の間隔(H2)となるよう
に該複数のウェーハ(1) を保持・収納するものであるこ
とを特徴とする反応容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05099900A JP3077447B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 気相成長方法及び反応容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05099900A JP3077447B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 気相成長方法及び反応容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310443A true JPH06310443A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3077447B2 JP3077447B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=14259655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05099900A Expired - Lifetime JP3077447B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 気相成長方法及び反応容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077447B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486083B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| US8435353B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film forming apparatus and method |
| JP2015023043A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2015046588A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 京セラ株式会社 | 薄膜形成方法および太陽電池素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP05099900A patent/JP3077447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6486083B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-11-26 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| US6716772B2 (en) | 2000-02-15 | 2004-04-06 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| KR100481441B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2005-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 |
| US8435353B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film forming apparatus and method |
| JP2015023043A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2015046588A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 京セラ株式会社 | 薄膜形成方法および太陽電池素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3077447B2 (ja) | 2000-08-14 |
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|---|---|---|---|
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