JPH06204153A - 半導体ウエハ処理用のボート - Google Patents
半導体ウエハ処理用のボートInfo
- Publication number
- JPH06204153A JPH06204153A JP62593A JP62593A JPH06204153A JP H06204153 A JPH06204153 A JP H06204153A JP 62593 A JP62593 A JP 62593A JP 62593 A JP62593 A JP 62593A JP H06204153 A JPH06204153 A JP H06204153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- semiconductor wafer
- wafer
- quartz
- processing semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハ処理用ボートの耐用時間を延ばすことに
ある。 【構成】 均等な間隔で設けられた複数の溝１ａを有す
る４本の柱１ｂを上部固定体１ｃと下部台座体１ｄの間
に設け、１枚のウエハを柱１ｂに各々設けられた溝１ａ
で支持し、縦方向にウエハを複数枚重ねて支持するよう
に構成された石英ボート１の全面にポリシリコン膜２を
設けたものである。
ある。 【構成】 均等な間隔で設けられた複数の溝１ａを有す
る４本の柱１ｂを上部固定体１ｃと下部台座体１ｄの間
に設け、１枚のウエハを柱１ｂに各々設けられた溝１ａ
で支持し、縦方向にウエハを複数枚重ねて支持するよう
に構成された石英ボート１の全面にポリシリコン膜２を
設けたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ処理用ボ
ートに関するものである。
ートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体ウエハに縦型ＬＰＣＶＤ
（Ｌｏｗ・Ｐｒｅｓｓｕｒｅ・Ｃｈｅｍｉｃａｌ・Ｖａ
ｐｏｒ・Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等を用いて酸化膜
（ＳｉＯ2）や窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を形成する場合、ウ
エハを指示するボートとして石英ボートやＳｉＣボート
が用いられている。
（Ｌｏｗ・Ｐｒｅｓｓｕｒｅ・Ｃｈｅｍｉｃａｌ・Ｖａ
ｐｏｒ・Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等を用いて酸化膜
（ＳｉＯ2）や窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を形成する場合、ウ
エハを指示するボートとして石英ボートやＳｉＣボート
が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなものでは、
ＬＰＣＶＤ装置でＳｉＯ2膜やＳｉ3Ｎ4膜を堆積させる
際に、ボートにもこれらの膜が堆積する。これを取除く
ため、フッ酸系溶液等により洗浄しこれらの堆積膜をエ
ッチングしている。石英ボートでは石英自体もフッ酸系
溶液等によりエッチングされ得るものであるため、ボー
ト自体に均一に堆積膜が堆積していないことや、エッチ
ング時の終点検出が難しいことから、堆積膜のみをエッ
チングすることが出来ずボート自体もエッチングされ
る。洗浄を重ねる毎にボートの初期精度が劣化する。こ
のため、ＬＰＣＶＤ装置への据付けにガタを生じたり、
ウエハ移載にズレを生じるようになり、調節を必要とす
る。さらに使用を続け、２０〜３０回の洗浄を行なう頃
には調節不可能な状態となり、新しいものに交換せざる
を得ない。
ＬＰＣＶＤ装置でＳｉＯ2膜やＳｉ3Ｎ4膜を堆積させる
際に、ボートにもこれらの膜が堆積する。これを取除く
ため、フッ酸系溶液等により洗浄しこれらの堆積膜をエ
ッチングしている。石英ボートでは石英自体もフッ酸系
溶液等によりエッチングされ得るものであるため、ボー
ト自体に均一に堆積膜が堆積していないことや、エッチ
ング時の終点検出が難しいことから、堆積膜のみをエッ
チングすることが出来ずボート自体もエッチングされ
る。洗浄を重ねる毎にボートの初期精度が劣化する。こ
のため、ＬＰＣＶＤ装置への据付けにガタを生じたり、
ウエハ移載にズレを生じるようになり、調節を必要とす
る。さらに使用を続け、２０〜３０回の洗浄を行なう頃
には調節不可能な状態となり、新しいものに交換せざる
を得ない。
【０００４】また、ＳｉＣボートではボート自体がエッ
チングされることはないが、ボート自体が割高である。
チングされることはないが、ボート自体が割高である。
【０００５】本発明は、ウエハ処理用ボートの耐用時間
を延ばすことにある。
を延ばすことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】半導体ウエハを保持する
石英ボートの全面にポリシリコン膜を形成することで上
記目的を達成する。
石英ボートの全面にポリシリコン膜を形成することで上
記目的を達成する。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例の半導体ウエハ処理用のボ
ートを図を参照して説明する。
ートを図を参照して説明する。
【０００８】図１は本例の構成を示す説明図であり、同
図において１は石英ボートとしてのボートである。この
ボート１は均等な間隔で設けられた複数の溝１ａを有す
る４本の柱１ｂを上部固定体１ｃと下部台座体１ｄの間
に設け、１枚のウエハを柱１ｂに各々設けられた溝１ａ
で支持し、縦方向にウエハを複数枚重ねて支持するよう
に構成されている。すなわち、ボート１自体は従来のも
のと同様の構成である。このボート１の全面に、図１Ａ
の要部拡大図である図１Ｂに示すように膜厚２００〜５
００ｎｍのポリシリコン膜２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ・Ｖａｐｏｒ・Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）にて堆積形成
されている。
図において１は石英ボートとしてのボートである。この
ボート１は均等な間隔で設けられた複数の溝１ａを有す
る４本の柱１ｂを上部固定体１ｃと下部台座体１ｄの間
に設け、１枚のウエハを柱１ｂに各々設けられた溝１ａ
で支持し、縦方向にウエハを複数枚重ねて支持するよう
に構成されている。すなわち、ボート１自体は従来のも
のと同様の構成である。このボート１の全面に、図１Ａ
の要部拡大図である図１Ｂに示すように膜厚２００〜５
００ｎｍのポリシリコン膜２がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ・Ｖａｐｏｒ・Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）にて堆積形成
されている。
【０００９】このようにポリシリコン膜１ｂを形成する
ことにより、洗浄時に長時間フッ酸溶液に浸しておいて
も、フッ酸溶液ではエッチングされないポリシリコン膜
１ｂに保護され石英自体はエッチングされず、ＬＰＣＶ
Ｄ装置でＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4膜を堆積させる際に堆積し
たこれらの堆積膜のみがエッチングされ、ボートの初期
精度を回復する。以上のようにボートの耐用時間が延び
るとともに、初期精度を保持することが可能となり、ウ
エハ等の移載ズレがなくなり、安価な石英を用いたボー
トにて、高価なＳｉＣを用いたボートと同等の耐用時間
が実現できる。
ことにより、洗浄時に長時間フッ酸溶液に浸しておいて
も、フッ酸溶液ではエッチングされないポリシリコン膜
１ｂに保護され石英自体はエッチングされず、ＬＰＣＶ
Ｄ装置でＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4膜を堆積させる際に堆積し
たこれらの堆積膜のみがエッチングされ、ボートの初期
精度を回復する。以上のようにボートの耐用時間が延び
るとともに、初期精度を保持することが可能となり、ウ
エハ等の移載ズレがなくなり、安価な石英を用いたボー
トにて、高価なＳｉＣを用いたボートと同等の耐用時間
が実現できる。
【００１０】
【発明の効果】本発明では、石英のボートの全面にポリ
シリコン膜を形成することで、ウエハ処理用ボートの耐
用時間を延ばすことが可能となる。
シリコン膜を形成することで、ウエハ処理用ボートの耐
用時間を延ばすことが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す説明図。
１ 石英ボート ２ ポリシリコン膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハを保持する石英ボートの全
面にポリシリコン膜を形成したことを特徴とする半導体
ウエハ処理用のボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62593A JPH06204153A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 半導体ウエハ処理用のボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62593A JPH06204153A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 半導体ウエハ処理用のボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204153A true JPH06204153A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11478916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62593A Pending JPH06204153A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 半導体ウエハ処理用のボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503884A (ja) * | 1998-02-11 | 2002-02-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 熱処理チャンバ用基板支持体 |
| JP2002068852A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Techno Quartz Kk | シリコン部材の接合方法およびその接合体 |
-
1993
- 1993-01-06 JP JP62593A patent/JPH06204153A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503884A (ja) * | 1998-02-11 | 2002-02-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 熱処理チャンバ用基板支持体 |
| JP2002068852A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Techno Quartz Kk | シリコン部材の接合方法およびその接合体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6156121A (en) | Wafer boat and film formation method | |
| US4786615A (en) | Method for improved surface planarity in selective epitaxial silicon | |
| JP2643262B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20070148919A1 (en) | Multi-step epitaxial process for depositing Si/SiGe | |
| JPH03145129A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN110648899A (zh) | 通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆 | |
| JPH06204153A (ja) | 半導体ウエハ処理用のボート | |
| US5936159A (en) | Semiconductor sensor having multi-layer movable beam structure film | |
| KR960043075A (ko) | 더미 웨이퍼 | |
| JPS6377122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US9217209B2 (en) | Methods for epitaxial silicon growth | |
| JP2000216241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59182538A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3213437B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US20090023275A1 (en) | Method for forming silicon wells of different crystallographic orientations | |
| JPH04177825A (ja) | エピタキシャル成長方法及び化学気相成長装置 | |
| KR100470195B1 (ko) | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법 | |
| JPH0513336A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置用反応管 | |
| US20050087510A1 (en) | Method for avoiding polysilicon film over etch abnormal | |
| KR100434019B1 (ko) | 히터 블록에 장착되는 스핀들포크 어셈블리 | |
| JPH1041236A (ja) | Ｃｖｄ膜成膜用のボートおよびｃｖｄ膜成膜方法 | |
| JPH118398A (ja) | 半導体加速度センサ及び製造方法 | |
| JPS61214515A (ja) | 半導体基板用サセプタ | |
| KR970003426A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR100712495B1 (ko) | 웨이퍼 적재용 보트의 고정장치 및 그에 의한 고정방법 |