JPWO2023189834A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPWO2023189834A5
JPWO2023189834A5 JP2024511893A JP2024511893A JPWO2023189834A5 JP WO2023189834 A5 JPWO2023189834 A5 JP WO2023189834A5 JP 2024511893 A JP2024511893 A JP 2024511893A JP 2024511893 A JP2024511893 A JP 2024511893A JP WO2023189834 A5 JPWO2023189834 A5 JP WO2023189834A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering target
less
sintered body
oxide sintered
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2024511893A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2023189834A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2023/010926 external-priority patent/WO2023189834A1/ja
Publication of JPWO2023189834A1 publication Critical patent/JPWO2023189834A1/ja
Publication of JPWO2023189834A5 publication Critical patent/JPWO2023189834A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2024511893A 2022-03-29 2023-03-20 Pending JPWO2023189834A1 (https=)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022054645 2022-03-29
JP2022104928 2022-06-29
PCT/JP2023/010926 WO2023189834A1 (ja) 2022-03-29 2023-03-20 スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、結晶酸化物薄膜、薄膜トランジスタ、及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2023189834A1 JPWO2023189834A1 (https=) 2023-10-05
JPWO2023189834A5 true JPWO2023189834A5 (https=) 2026-03-27

Family

ID=88201162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024511893A Pending JPWO2023189834A1 (https=) 2022-03-29 2023-03-20

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2023189834A1 (https=)
KR (1) KR20240167820A (https=)
TW (1) TW202407124A (https=)
WO (1) WO2023189834A1 (https=)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009008297A1 (ja) 2007-07-06 2009-01-15 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材
CN102105619B (zh) * 2008-06-06 2014-01-22 出光兴产株式会社 氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法
JP5437825B2 (ja) 2010-01-15 2014-03-12 出光興産株式会社 In−Ga−O系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体薄膜及びこれらの製造方法
JP5928657B2 (ja) 2013-07-16 2016-06-01 住友金属鉱山株式会社 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
JP6293359B2 (ja) * 2015-02-27 2018-03-14 Jx金属株式会社 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット
CN109311756B (zh) * 2016-06-17 2022-07-22 出光兴产株式会社 氧化物烧结体以及溅射靶

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101318516B1 (ko) 세라믹, 압전 소자 및 그의 제조 방법
JP3746094B2 (ja) ターゲットおよびその製造方法
EP1457471A3 (en) Crystal oriented ceramics and production method of same
GB2349272A (en) Piezoelectric paste and piezoelectric film and piezoelectric part using the same
CN109111229B (zh) 一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN105256161B (zh) 一种Ag2Se块体热电材料的免烧致密化制备工艺
CN116529225A (zh) 具有织构的无铅knn基压电陶瓷材料及其制造方法
JPWO2023189834A5 (https=)
CN101941840B (zh) 制备铌镍-锆钛酸铅压电陶瓷的b位氧化物前驱体方法
TW202035335A (zh) 負熱膨脹材料及其製造方法
CN103373845B (zh) 铟镓锌氧化物及其制法与应用
CN103503185B (zh) 压电陶瓷组合物及其制造方法
JP2009132598A (ja) 圧電/電歪体、及び圧電/電歪素子
US4139678A (en) Piezoelectric crystalline films and method of preparing the same
WO2005047206A1 (ja) 負又は低い熱膨張係数を示す材料及びその製造方法
JP5919778B2 (ja) 酸化物焼結体およびその製造方法
CN107892572B (zh) 一种制备钨青铜结构scnn无铅压电陶瓷的方法
KR102493602B1 (ko) 판상형 (Pb,Ba)TiO3 복합체 템플릿 세라믹의 제조 방법
JP7424559B2 (ja) フェリ磁性体及びその製造方法
CN105732024A (zh) 新型二元系K0.5Bi0.5TiO3–BiMg0.5Zr0.5O3无铅压电陶瓷材料及制备
CN103539448A (zh) 压电陶瓷材料、压电陶瓷器件及其制备方法、抗老化方法
TWI531537B (zh) 銦鎵鋅氧化物及其製法與應用
CN107266073A (zh) 一种微米级铌酸钾钠针状粉体的制备方法
CN106946563B (zh) 一种低成本无铅压电陶瓷及制备方法
JP3044254B2 (ja) 酸化物焼結体及びその製造法並に用途