JP6293359B2 - 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
1)インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、抗折強度が50MPa以上、バルク抵抗が100mΩcm以下、であることを特徴とするIGZO焼結体。
2)In、Ga、Znの原子数比が、以下の式を満たすことを特徴とする上記1)記載のIGZO焼結体。
0.314≦In/(In+Ga+Zn)≦0.342
0.314≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.342
0.325≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.364
3)平均結晶粒径が6〜22μmであることを特徴とする上記1)又は2)記載のIGZO焼結体。
4)焼結体密度が6.10g/cm3以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のIGZO焼結体。
5)上記1)〜4)のいずれか一に記載のIGZO焼結体からなる平板又は円筒形のスパッタリングターゲット。
0.314≦In/(In+Ga+Zn)≦0.342
0.314≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.342
0.325≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.364
IGZO焼結体において、(111)組成からZn−richの組成とすることにより高強度かつ安定したDCスパッタリングが可能なバルク抵抗を付与することができる。
なお、原料粉末の配合、混合、焼結等の際に、各成分量が変動することがあり、例えば、目標組成がIn:Ga:Zn=1:1:1の場合、In:Ga:Zn=1±0.02:1±0.02:1±0.02の変動が生じるので、事実上、Zn−richとならない場合があるが、そのこと自体が発明を否定する根拠とならない。
原料として、酸化インジウム(In2O3)、酸化ガリウム(Ga2O3)、及び酸化亜鉛(ZnO)を用意する。不純物による電気特性への悪影響を避けるため、純度4N以上の原料を用いることが望ましい。各々の原料を所定の組成比となるように秤量する。なお、これらの原料には不可避的に含有される不純物が含まれる。
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉を、焼結体の組成比がIn、Ga及びZnの原子比で1.00:1.00:1.01となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を面圧400〜1000kgf/cm2で一軸プレスして成形体を得た。次に得られた成形体をビニールで2重に真空パックし、1500〜4000kgf/cm2でCIP成型した後、酸素雰囲気中、温度1430℃で20時間焼結した。
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉を、焼結体の組成比が、表1に記載されるIn、Ga及びZnの原子比となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を面圧400〜1000kgf/cm2で一軸プレスして成形体を得た。次に得られた成形体をビニールで2重に真空パックし、1500〜4000kgf/cm2でCIP成型した後、酸素雰囲気中、温度1430℃で20時間焼結した。
実施例2〜4の条件で得られたIGZO焼結体は、抗折強度がいずれも50MPa以上であり、バルク抵抗が100mΩcm以下と、高強度かつ低抵抗のものが得られた。また、焼結体の平均粒径は22μm以下であり、焼結体密度は6.10g/cm3以上と高密度のものが得られた。一方、比較例1の条件で得られたIGZO焼結体は、バルク抵抗が低いものの、抗折強度が33MPaと低い値を示した。
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉を、焼結体の組成比が、表1に記載されるIn、Ga及びZnの原子比となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を面圧400〜1000kgf/cm2で一軸プレスして成形体を得た。次に得られた成形体をビニールで2重に真空パックし、1500〜4000kgf/cm2でCIP成型した後、酸素雰囲気中、温度1350℃で10時間焼結した。
実施例5〜6の条件で得られたIGZO焼結体は、抗折強度がいずれも50MPa以上であり、バルク抵抗が100mΩcm以下と、高強度かつ低抵抗のものが得られた。また、焼結体の平均粒径は22μm以下であり、焼結体密度は6.10g/cm3以上と高密度のものが得られた。
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉を、焼結体の組成比が、表1に記載されるIn、Ga及びZnの原子比となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を面圧400〜1000kgf/cm2で一軸プレスして成形体を得た。次に得られた成形体をビニールで2重に真空パックし、1500〜4000kgf/cm2でCIP成型した後、酸素雰囲気中、温度1300℃で20時間焼結した。
実施例7〜10の条件で得られたIGZO焼結体は、抗折強度がいずれも50MPa以上であり、バルク抵抗が100mΩcm以下と、高強度かつ低抵抗のものが得られた。また、焼結体の平均粒径は22μm以下であり、焼結体密度は6.10g/cm3以上と高密度のものが得られた。一方、比較例3の条件で得られたIGZO焼結体は、抗折強度が高いものの、バルク抵抗が100mΩcm超と高い値を示した。
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉を、焼結体の組成比が、表1に記載されるIn、Ga及びZnの原子比となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を面圧400〜1000kgf/cm2で一軸プレスして成形体を得た。次に得られた成形体をビニールで2重に真空パックし、1500〜4000kgf/cm2でCIP成型した後、酸素雰囲気中、温度1250℃で20時間焼結した。比較例4〜8の条件で得られたIGZO焼結体は、いずれも抗折強度が高いものの、バルク抵抗が100mΩcm超と高い値を示した。また、比較例7、8の焼結体では、結晶粒径は小さいものの、焼結体中のポアが多く見られた。
In2O3粉、Ga2O3粉、ZnO粉を、焼結体の組成比が、表1に記載されるIn、Ga及びZnの原子比となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。次に、この混合粉末を面圧400〜1000kgf/cm2で一軸プレスして成形体を得た。次に得られた成形体をビニールで2重に真空パックし、1500〜4000kgf/cm2でCIP成型した後、酸素雰囲気中、温度1430℃で5時間焼結した。得られたIGZO焼結体は、結晶粒径が小さいものの、焼結体中のポアが多く、ターゲットとして用いた場合には、スパッタ時にアーキングやパーティクルの発生が懸念されるものであった。
Claims (3)
- インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)及び不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、In、Ga、Znの原子数比が以下の式を満たし、抗折強度が50MPa以上、バルク抵抗が23mΩcm以上100mΩcm以下、焼結体密度が6.26g/cm3以上であることを特徴とするIGZO焼結体。
0.314≦In/(In+Ga+Zn)≦0.342
0.314≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.342
0.325≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.364 - 平均結晶粒径が6〜22μmであることを特徴とする請求項1に記載のIGZO焼結体。
- 請求項1または2に記載のIGZO焼結体からなる平板又は円筒形のスパッタリングターゲット。
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