JPWO2023062883A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2023062883A5
JPWO2023062883A5 JP2023554257A JP2023554257A JPWO2023062883A5 JP WO2023062883 A5 JPWO2023062883 A5 JP WO2023062883A5 JP 2023554257 A JP2023554257 A JP 2023554257A JP 2023554257 A JP2023554257 A JP 2023554257A JP WO2023062883 A5 JPWO2023062883 A5 JP WO2023062883A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge
silicon carbide
passivation film
semiconductor device
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023554257A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2023062883A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2022/025185 external-priority patent/WO2023062883A1/ja
Publication of JPWO2023062883A1 publication Critical patent/JPWO2023062883A1/ja
Publication of JPWO2023062883A5 publication Critical patent/JPWO2023062883A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2023554257A 2021-10-13 2022-06-23 Pending JPWO2023062883A1 (https=)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021168094 2021-10-13
PCT/JP2022/025185 WO2023062883A1 (ja) 2021-10-13 2022-06-23 炭化珪素半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2023062883A1 JPWO2023062883A1 (https=) 2023-04-20
JPWO2023062883A5 true JPWO2023062883A5 (https=) 2024-07-03

Family

ID=85988271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023554257A Pending JPWO2023062883A1 (https=) 2021-10-13 2022-06-23

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240313058A1 (https=)
JP (1) JPWO2023062883A1 (https=)
CN (1) CN117882200A (https=)
DE (1) DE112022004888T5 (https=)
WO (1) WO2023062883A1 (https=)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7394158B2 (en) * 2004-10-21 2008-07-01 Siliconix Technology C.V. Solderable top metal for SiC device
JP2011176206A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP6561759B2 (ja) * 2015-10-19 2019-08-21 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6846687B2 (ja) * 2017-09-12 2021-03-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6896821B2 (ja) * 2018-01-09 2021-06-30 ローム株式会社 半導体装置
JP6930495B2 (ja) * 2018-05-18 2021-09-01 株式会社デンソー 半導体装置
JP7167639B2 (ja) * 2018-11-07 2022-11-09 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2020208706A1 (ja) * 2019-04-09 2020-10-15 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体モジュール
JP2021093496A (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置および電力変換装置
JP7473886B2 (ja) 2020-04-13 2024-04-24 株式会社イーアイアイ 学習データ作成システム、学習データ作成方法、および学習済みモデル

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102643069B1 (ko) 열 방출 구조를 포함하는 적층 반도체 패키지
KR950005452B1 (ko) 반도체장치 및 반도체패키지
JP7204779B2 (ja) 半導体装置
CN109196637B (zh) 半导体装置
JP2019054069A (ja) 半導体装置
JP2019016738A (ja) 半導体装置
CN107615463B (zh) 半导体装置的制造方法
JP6399738B2 (ja) 半導体装置
JP2016111084A (ja) 半導体装置とその製造方法
WO2024016921A1 (zh) 二极管光伏模块的封装结构和太阳能电池接线盒装置
JPWO2023062883A5 (https=)
US20240413036A1 (en) Semiconductor device and semiconductor module
TWI897363B (zh) 積體電路(ic)結構及其形成方法
TWM595383U (zh) 散熱型電子裝置
JP2024137879A (ja) 半導体パッケージ
JP2017163109A (ja) 半導体装置
JPWO2020149225A1 (ja) 半導体装置
US20150001726A1 (en) Power semiconductor module
JP7367580B2 (ja) 半導体装置
TW202018880A (zh) 功率晶片封裝結構
CN111883494B (zh) 功率mosfet器件及其形成方法
US11916029B2 (en) Semiconductor device
JPWO2023026803A5 (https=)
WO2021235020A1 (ja) パワー半導体素子
WO2020208995A1 (ja) 半導体装置