JP7204779B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7204779B2 JP7204779B2 JP2020559855A JP2020559855A JP7204779B2 JP 7204779 B2 JP7204779 B2 JP 7204779B2 JP 2020559855 A JP2020559855 A JP 2020559855A JP 2020559855 A JP2020559855 A JP 2020559855A JP 7204779 B2 JP7204779 B2 JP 7204779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base layer
- semiconductor device
- metal
- stacking direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 199
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 184
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 184
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 91
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 26
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 13
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49877—Carbon, e.g. fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/06181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する導電基板と、
前記主面に電気的に接合される半導体素子と、を備え、
前記導電基板は、それぞれグラフェンが積層されたグラファイトからなる第1基層および第2基層と、前記第1基層および前記第2基層の間に介在する金属層と、を含み、
前記第1基層における前記グラフェンは、前記厚さ方向に対して直角である第1積層方向に積層し、
前記第2基層における前記グラフェンは、前記厚さ方向に対して直角であり、かつ前記第1積層方向に対して交差する第2積層方向に積層されている、半導体装置。
[付記2]
前記第2積層方向は、前記厚さ方向および前記第1積層方向の双方に直角である、付記1に記載の半導体装置。
[付記3]
前記金属層は、前記第1基層上に形成された第1金属部と、前記第2基層上に形成され、前記第1金属部に接合される第2金属部と、を含む、付記1または2に記載の半導体装置。
[付記4]
前記第1金属部と前記第2金属部との間に空隙が形成されている、付記3に記載の半導体装置。
[付記5]
前記第1金属部および前記第2金属部の各々は、前記第1基層および前記第2基層のいずれかを覆う第1層と、前記第1層に積層された第2層と、を有し、
前記第1金属部の前記第2層と、前記第2金属部の前記第2層とが、固相拡散により互いに接合されている、付記3または4に記載の半導体装置。
[付記6]
前記第1金属部および前記第2金属部の各々は、前記第1層と前記第2層との間に挟まれた第3層を有し、
前記第3層のヤング率は、前記第1層および前記第2層の各々のヤング率よりも小である、付記5に記載の半導体装置。
[付記7]
前記金属層は、前記第1金属部および前記第2金属部の間に介在し、前記第1金属部および前記第2金属部を接合する金属焼成層を含む、付記3または4に記載の半導体装置。
[付記8]
前記第1基層および前記第2基層の各々の厚さは、前記金属層の厚さよりも大である、付記1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。
[付記9]
前記導電基板は、前記第2基層に対して前記第1基層とは反対側に位置し、前記グラファイトからなる第3基層と、前記第2基層および前記第3基層の間に介在する追加の金属層と、を含み、
前記第3基層における前記グラフェンは、前記第2積層方向とは異なる第3積層方向に積層されている、付記1ないし8のいずれかに記載の半導体装置。
[付記10]
前記第1基層および前記第3基層の各々の厚さは、前記第2基層の厚さよりも小である、付記9に記載の半導体装置。
[付記11]
前記第3積層方向は、前記第1積層方向と一致する、付記10に記載の半導体装置。
[付記12]
前記導電基板の前記裏面と対向する支持面を有する支持基板をさらに備え、
前記導電基板は、前記裏面が前記支持面に対向するように前記支持基板に接合される、付記1ないし11のいずれかに記載の半導体装置。
[付記13]
前記支持基板は、電気絶縁性を有する第1支持板と、前記支持面を含み、かつ前記第1支持板に積層された金属製の第2支持板と、を有する、付記12に記載の半導体装置。
[付記14]
前記支持基板は、前記支持面とは反対側を向く底面を有し、
前記導電基板および前記半導体素子と、前記支持基板の一部と、を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記底面は、前記封止樹脂から露出している、付記12または13に記載の半導体装置。
[付記15]
前記導電基板は、前記主面を含む第1配線層と、前記裏面を含む第2配線層と、を有し、
前記半導体素子は、導電性を有する接合層により前記主面に電気的に接合されている、付記1ないし14のいずれかに記載の半導体装置。
[付記16]
前記半導体素子を複数備え、複数の前記半導体素子は間隔を隔てて配列されている、付記1ないし15のいずれかに記載の半導体装置。
Claims (15)
- 厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する導電基板と、
前記主面に電気的に接合される半導体素子と、を備え、
前記導電基板は、それぞれグラフェンが積層されたグラファイトからなる第1基層および第2基層と、前記第1基層および前記第2基層の間に介在する金属層と、を含み、
前記第1基層における前記グラフェンは、前記厚さ方向に対して直角である第1積層方向に積層し、
前記第2基層における前記グラフェンは、前記厚さ方向に対して直角であり、かつ前記第1積層方向に対して交差する第2積層方向に積層されており、
前記金属層は、前記第1基層上に形成された第1金属部と、前記第2基層上に形成され、前記第1金属部に接合される第2金属部と、を含み、
前記第1金属部および前記第2金属部の各々は、前記第1基層および前記第2基層のいずれかを覆う第1層と、前記第1層に積層された第2層と、を有し、
前記第1金属部の前記第2層と、前記第2金属部の前記第2層とが、固相拡散により互いに接合されている、半導体装置。 - 厚さ方向の一方側を向く主面、および前記主面とは反対側を向く裏面を有する導電基板と、
前記主面に電気的に接合される半導体素子と、を備え、
前記導電基板は、それぞれグラフェンが積層されたグラファイトからなる第1基層および第2基層と、前記第1基層および前記第2基層の間に介在する金属層と、を含み、
前記第1基層における前記グラフェンは、前記厚さ方向に対して直角である第1積層方向に積層し、
前記第2基層における前記グラフェンは、前記厚さ方向および前記第1積層方向の双方に直角である第2積層方向に積層されており、
前記金属層は、前記第1基層上に形成された第1金属部と、前記第2基層上に形成され、前記第1金属部に接合される第2金属部と、を含み、
前記金属層は、前記第1金属部および前記第2金属部の間に介在し、前記第1金属部および前記第2金属部を接合する金属焼成層を含み、
前記半導体素子を複数備え、複数の前記半導体素子は、前記厚さ方向に対して直角である第1方向に沿って間隔を隔てて配列されており、
複数の前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記第2基層に対して前記第1基層とは反対側に配置されており、
前記第2積層方向は、前記第1方向に沿っている、半導体装置。 - 前記第2積層方向は、前記厚さ方向および前記第1積層方向の双方に直角である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1金属部と前記第2金属部との間に空隙が形成されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1金属部および前記第2金属部の各々は、前記第1層と前記第2層との間に挟まれた第3層を有し、
前記第3層のヤング率は、前記第1層および前記第2層の各々のヤング率よりも小である、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1基層および前記第2基層の各々の厚さは、前記金属層の厚さよりも大である、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記導電基板は、前記第2基層に対して前記第1基層とは反対側に位置し、前記グラファイトからなる第3基層と、前記第2基層および前記第3基層の間に介在する追加の金属層と、を含み、
前記第3基層における前記グラフェンは、前記第2積層方向とは異なる第3積層方向に積層されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1基層および前記第3基層の各々の厚さは、前記第2基層の厚さよりも小である、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第3積層方向は、前記第1積層方向と一致する、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記導電基板の前記裏面と対向する支持面を有する支持基板をさらに備え、
前記導電基板は、前記裏面が前記支持面に対向するように前記支持基板に接合される、請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記支持基板は、電気絶縁性を有する第1支持板と、前記支持面を含み、かつ前記第1支持板に積層された金属製の第2支持板と、を有する、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記支持基板は、前記支持面とは反対側を向く底面を有し、
前記導電基板および前記半導体素子と、前記支持基板の一部と、を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記底面は、前記封止樹脂から露出している、請求項10または11に記載の半導体装置。 - 前記導電基板は、前記主面を含む第1配線層と、前記裏面を含む第2配線層と、を有し、
前記半導体素子は、導電性を有する接合層により前記主面に電気的に接合されている、請求項1ないし12のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記半導体素子を複数備え、複数の前記半導体素子は間隔を隔てて配列されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、炭化ケイ素(SiC)を主とする半導体材料を用いて構成されている、請求項1ないし14のいずれかに記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018226408 | 2018-12-03 | ||
JP2018226408 | 2018-12-03 | ||
PCT/JP2019/044625 WO2020116116A1 (ja) | 2018-12-03 | 2019-11-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020116116A1 JPWO2020116116A1 (ja) | 2021-10-21 |
JP7204779B2 true JP7204779B2 (ja) | 2023-01-16 |
Family
ID=70973982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020559855A Active JP7204779B2 (ja) | 2018-12-03 | 2019-11-14 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11972997B2 (ja) |
JP (1) | JP7204779B2 (ja) |
CN (1) | CN113169144B (ja) |
DE (1) | DE112019006032T5 (ja) |
WO (1) | WO2020116116A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020207342A1 (de) | 2020-06-15 | 2021-12-16 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leistungsmodul |
CN117525033A (zh) | 2020-10-14 | 2024-02-06 | 罗姆股份有限公司 | 半导体模块 |
DE202021004370U1 (de) | 2020-10-14 | 2023-12-12 | Rohm Co., Ltd. | HalbleitermoduL |
US20230245960A1 (en) | 2020-10-14 | 2023-08-03 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258755A (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Denso Corp | 熱拡散体および発熱体の冷却装置 |
JP2012142547A (ja) | 2010-12-16 | 2012-07-26 | Nippon Soken Inc | 熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法 |
JP2012222160A (ja) | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Nippon Soken Inc | 発熱体モジュール及びその製造方法、熱拡散部材 |
JP2016149431A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体モジュール |
JP2016149450A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体モジュール |
JP2018174252A (ja) | 2017-03-31 | 2018-11-08 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4924411B2 (ja) | 2007-12-27 | 2012-04-25 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
JP6522952B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2019-05-29 | 株式会社東芝 | 接合体およびその製造方法 |
EP3483921A1 (en) * | 2017-11-11 | 2019-05-15 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Embedding known-good component in known-good cavity of known-good component carrier material with pre-formed electric connection structure |
-
2019
- 2019-11-14 WO PCT/JP2019/044625 patent/WO2020116116A1/ja active Application Filing
- 2019-11-14 CN CN201980076107.5A patent/CN113169144B/zh active Active
- 2019-11-14 DE DE112019006032.5T patent/DE112019006032T5/de active Pending
- 2019-11-14 JP JP2020559855A patent/JP7204779B2/ja active Active
- 2019-11-14 US US17/293,801 patent/US11972997B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011258755A (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Denso Corp | 熱拡散体および発熱体の冷却装置 |
JP2012142547A (ja) | 2010-12-16 | 2012-07-26 | Nippon Soken Inc | 熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法 |
JP2012222160A (ja) | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Nippon Soken Inc | 発熱体モジュール及びその製造方法、熱拡散部材 |
JP2016149431A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体モジュール |
JP2016149450A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体モジュール |
JP2018174252A (ja) | 2017-03-31 | 2018-11-08 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020116116A1 (ja) | 2020-06-11 |
US20220013427A1 (en) | 2022-01-13 |
US11972997B2 (en) | 2024-04-30 |
DE112019006032T5 (de) | 2021-10-07 |
JPWO2020116116A1 (ja) | 2021-10-21 |
CN113169144A (zh) | 2021-07-23 |
CN113169144B (zh) | 2023-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7204779B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7519498B2 (ja) | 半導体装置および車両 | |
JP7273055B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7267716B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012253125A (ja) | 半導体装置及び配線基板 | |
JP2023062046A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2020092108A (ja) | 半導体装置 | |
JP7443359B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2019235146A1 (ja) | 半導体モジュール | |
US11955440B2 (en) | Semiconductor device with detection conductor | |
JP2004014599A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPWO2020149225A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007150342A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2022189515A (ja) | 接合構造、半導体装置および接合方法 | |
WO2020044668A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP4992302B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
WO2022255048A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2021153447A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2021079913A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2022264833A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2020077762A (ja) | 半導体装置 | |
WO2023286531A1 (ja) | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 | |
JP2022188699A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2021111719A (ja) | 半導体装置 | |
JP2023072092A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7204779 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |