JPWO2023033176A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有することを特徴とする半導体装置製造用粘着テープ。
2. 前記基材は、樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造用粘着テープ。
3. 前記樹脂フィルムは、ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置製造用粘着テープ。
4. 前記アブレーション層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
5. 前記アブレーション層は、２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上、２×１０^５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
6. 前記バリア層は、厚みが２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
7. 前記バリア層は、厚みが６μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置製造用粘着テープ。
8. 前記バリア層は、ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
9. 前記バリア層は、前記第１の粘着剤層と接する面に易接着樹脂層を有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
10. 前記第１の粘着剤層は、破断強度が１ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
11. 前記第１の粘着剤層は、２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上、２×１０^５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
12. 前記第１の粘着剤層は、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーを含有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
13. 前記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、ブロックＡが芳香族ビニルモノマーに由来する構造を含有し、ブロックＢが（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置製造用粘着テープ。
14. 前記ブロックＢは、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置製造用粘着テープ。
15. 前記第１の粘着剤層は、ゲル分率が７０重量％以上、９５重量％以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
16. 前記第１の粘着剤層は、厚みが５μｍ以上、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
17. 前記半導体装置製造用粘着テープのボールタックがＮｏ．５以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
18. 前記半導体装置製造用粘着テープの前記第１の粘着剤層の面剥離力が１ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
19. 前記基材と前記アブレーション層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
20. 前記アブレーション層と前記バリア層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
21. 前記第１の粘着剤層は、硬化型粘着剤層であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
22. 更に第２の粘着剤層を有し、該第２の粘着剤層、前記基材、前記アブレーション層、前記バリア層、及び、前記第１の粘着剤層をこの順に有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
23. レーザー光を照射する工程を有する半導体装置の製造に用いられることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。