KR20210141929A - 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

가고정된 피착체를 가열에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 게다가 박리 후의 피착체 표면의 오염을 억제할 수 있는 점착 시트 및 당해 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하고, 점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 갖고, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하이며, 상기 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높은, 점착 시트로 했다.

Description

점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법

본 발명은, 점착 시트 및 당해 점착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

점착 시트는, 부재를 반영구적으로 고정하는 용도뿐만이 아니라, 건재(建材), 내장재, 및 전자 부품 등을 가공하거나 검사할 때에, 가공이나 검사의 대상이 되는 부재(이하, 「피착체」라고도 함)를 가고정하기 위한 가고정용 시트로서 사용될 경우가 있다. 예를 들면, 반도체 장치의 제조 과정에서는, 반도체 웨이퍼를 가공할 때에 가고정용 시트가 이용되고 있다.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 반도체 웨이퍼는, 연삭에 의해 두께를 얇게 하는 연삭 공정, 절단 분리하여 개편화하는 개편화 공정 등을 거쳐, 반도체 칩으로 가공된다. 이때, 반도체 웨이퍼는, 가고정용 시트에 가고정된 상태에서 소정의 가공이 실시된다. 소정의 가공을 실시하여 얻어진 반도체 칩은, 가고정용 시트로부터 분리된 후, 필요에 따라, 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정, 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩을 배열시키는 재배열 공정, 반도체 칩의 표리를 반전시키는 반전 공정 등이 적절히 실시된 후, 기판에 실장(實裝)된다. 상기 각 공정에 있어서도, 각각의 용도에 적합한 가고정용 시트를 사용할 수 있다.

특허문헌 1에는, 기재의 적어도 편면에, 열팽창성 미소구(微小球)를 함유하는 열팽창성 점착층이 설치된, 전자 부품 절단 시의 가고정용 가열 박리형 점착 시트가 개시되어 있다. 동(同)문헌에는, 당해 가열 박리형 점착 시트는, 전자 부품 절단 시에는, 피착체에 대하여 소정의 크기의 접촉 면적을 확보할 수 있기 때문에, 칩 비산 등의 접착 결함을 방지할 수 있는 접착성을 발휘할 수 있는 한편, 사용 후에는, 가열하여 열팽창성 미소구를 팽창시키면, 피착체와의 접촉 면적을 감소시킴으로써, 용이하게 박리할 수 있는 취지의 기재가 있다.

일본 특허공보 제3594853호

그러나, 특허문헌 1에 개시되는 점착 시트와 같이, 점착제층 중에 열팽창성 입자가 포함되어 있을 경우, 열팽창성 입자에 유래하는 잔사(殘渣)의 피착체 표면에의 부착이나, 열팽창성 입자의 팽창에 의한 점착제층의 변형이나 변질에 기인하는 일부의 점착제층의 피착체 표면에의 부착(소위, 「풀남음」)에 의해, 가열에 의해 박리한 후의 피착체 표면이 오염되는 것이 우려된다.

본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 가고정된 피착체를 가열에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 게다가 박리 후의 피착체 표면의 오염을 억제할 수 있는 점착 시트 및 당해 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 점착 시트의 구성을, (1) 점착제층과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층과, 비열팽창성 기재층이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 가지는 것으로 하는 것, (2) 점착제층의 영률을 특정의 범위로 조정하는 것, 및 (3) 점착제층의 영률과 비열팽창성 기재층의 영률을 특정의 관계로 조정함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은, 하기 [1] 내지 [15]에 관한 것이다.

[1]　점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 갖고,

상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하이며,

상기 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높은, 점착 시트.

[2]　상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께가 3 ∼ 10㎛인, 상기 [1]에 기재된 점착 시트.

[3]　상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률(단위: ㎫)과 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께(단위: ㎛)와의 곱이, 0.3 ∼ 50인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 점착 시트.

[4]　상기 점착제층(X1)이, 아크릴계 수지와 이소시아네이트계 가교제를 포함하는 점착제 조성물(x-1)로 형성된 층인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트.

[5]　상기 이소시아네이트계 가교제가, 이소시아누레이트환을 가지는 이소시아누레이트형 변성체를 포함하는, 상기 [4]에 기재된 점착 시트.

[6]　상기 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이 700㎫ 이상인, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트.

[7]　상기 비열팽창성 기재층(Y2)이, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트.

[8]　상기 비열팽창성 기재층(Y2)의, 상기 열팽창성 기재층(Y1)의 적층면과는 반대측의 면에, 점착제층(X2)을 더 가지는, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트.

[9]　상기 열팽창성 입자는, 팽창 개시 온도(t)가 50℃ 이상 125℃ 미만인, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트.

[10]　상기 열팽창성 입자는, 팽창 개시 온도(t)가 50℃ 이상 125℃ 미만인, 상기 [8]에 기재된 점착 시트.

[11]　상기 점착제층(X2)이, 에너지선을 조사함으로써 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층인, 상기 [10]에 기재된 점착 시트.

[12]　상기 [1] 내지 [11] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트에 가공 검사 대상물을 첩부(貼付)하고,

상기 가공 검사 대상물에 대하여, 가공 및 검사로부터 선택되는 1 이상을 실시한 후에, 상기 점착 시트를, 상기 점착 시트가 가지는 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.

[13]　상기 [10] 또는 [11]에 기재된 점착 시트를 이용하여, 하기 공정 1A ∼ 3A, 하기 제1 분리 공정, 및 하기 제2 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

공정 1A: 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정

공정 2A: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정

공정 3A: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정

제1 분리 공정: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 상기 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정

제2 분리 공정: 상기 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정

[14]　상기 [10] 또는 [11]에 기재된 점착 시트를 이용하여, 하기 공정 1B ∼ 3B, 하기 제1 분리 공정, 및 하기 제2 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

공정 1B: 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 지지체를 첩부하는 공정

공정 2B: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정

공정 3B: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X1)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정

제1 분리 공정: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 상기 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정

제2 분리 공정: 상기 점착제층(X2)과 상기 지지체를 분리하는 공정

[15]　상기 [11]에 기재된 점착 시트를 이용하여,

상기 제2 분리 공정이, 점착제층(X2)에 에너지선을 조사함으로써 점착제층(X2)을 경화시키는 공정을 포함하는, 상기 [13] 또는 [14]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.

본 발명의 점착 시트는, 가고정된 피착체를 가열에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 게다가 박리 후의 피착체 표면의 오염을 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 점착 시트의 구성의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.

본 명세서에 있어서, 「유효 성분」이란, 대상이 되는 조성물에 함유되는 성분 중, 희석 용제를 제외한 성분을 가리킨다.

또한, 본 명세서에 있어서, 질량 평균 분자량(Mw)은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이며, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의거하여 측정한 값이다.

본 명세서에 있어서, 예를 들면, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」과 「메타크릴산」의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 마찬가지이다.

또한, 본 명세서에 있어서, 바람직한 수치 범위(예를 들면, 함유량 등의 범위)에 대해서, 단계적으로 기재된 하한치 및 상한치는, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들면, 「바람직하게는 10 ∼ 90, 보다 바람직하게는 30 ∼ 60」과 같은 기재로부터, 「바람직한 하한치(10)」와 「보다 바람직한 상한치(60)」를 조합하여, 「10 ∼ 60」으로 할 수도 있다.

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자(量子)를 가지는 것을 의미하고, 그 예로서, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은, 예를 들면, 자외선원으로서 무전극 램프, 고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, UV-LED 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.

본 명세서에 있어서, 「에너지선 중합성」이란, 에너지선을 조사함으로써 중합하는 성질을 의미한다.

본 명세서에 있어서, 「층」이 「비열팽창성층」인지 「열팽창성층」인지는, 이하와 같이 판단한다.

판단의 대상이 되는 층이 열팽창성 입자를 함유할 경우, 당해 층을 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서, 3분간 가열 처리한다. 하기 식으로부터 산출되는 체적 변화율이 5％ 미만일 경우, 당해 층은 「비열팽창성층」이라고 판단하고, 5％ 이상일 경우, 당해 층은 「열팽창성층」이라고 판단한다.

·체적 변화율(％)＝｛(가열 처리 후의 상기 층의 체적 - 가열 처리 전의 상기 층의 체적)／가열 처리 전의 상기 층의 체적｝×100

한편, 열팽창성 입자를 함유하지 않은 층은 「비열팽창성층」이라고 한다.

본 명세서에 있어서, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 「표면」이란 회로가 형성된 면(이하, 「회로면」이라고도 함)을 가리키고, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 「이면」이란 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다. 　

[점착 시트]

본 발명의 점착 시트는, 점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 갖고, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하이며, 상기 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높은, 점착 시트이다.

본 발명의 점착 시트는, 열팽창성 기재층(Y1)에 포함되는 열팽창성 입자를, 팽창 개시 온도(t) 이상의 온도로 가열하여 팽창시켜, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 양호하게 형성시킴으로써, 점착제층(X1)의 점착 표면에 첩부되어 있는 피착체와 당해 점착 표면과의 접촉 면적을 크게 저하시키는 것이다. 이에 따라, 점착 시트로부터 피착체를 용이하게 박리할 수 있다. 게다가, 열팽창성 입자는, 열팽창성 기재층(Y1)에 포함되기 때문에, 열팽창성 입자에 기인하는 피착체 표면의 오염이 억제된다.

여기에서, 본 발명의 점착 시트는, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하로 조정되어 있다. 그 때문에, 열팽창성 입자의 팽창에 의해 생기는, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면의 요철에, 점착제층(X1)이 완전히 추종하여, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 양호하게 형성된다.

한편, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫을 초과할 경우, 열팽창성 입자의 팽창에 의해 생기는, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면의 요철에, 점착제층(X1)을 충분히 추종할 수 없는 것, 및 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면의 요철의 형성이 점착제층(X1)에 의해 억제되는 것의 적어도 어느 쪽에 의해, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 형성되기 어려워진다.

또한, 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높음으로써, 열팽창성 입자를 팽창시켰을 때에, 팽창성 기재층(Y1)의 비팽창성 기재층(Y2)측의 표면보다, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면에 요철이 형성되기 쉬워진다. 그 때문에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 양호하게 형성된다.

비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률과 동등하거나 그것보다 낮을 경우에는, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면에 요철이 형성되기 어려워져, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 형성되기 어려워진다.

여기에서, 본 발명의 점착 시트는, 열팽창성 기재층(Y1)에 포함되는 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상의 온도로 가열함으로써, 점착 시트와 피착체와의 밀착성을 현저하게 저하시킬 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 가열에 의해 박리할 때에, 점착 시트를 박리하는 힘을 인가하지 않고, 점착 시트를 피착체로부터 박리시킬 수도 있다. 구체적으로는, 피착체에 점착 시트가 첩부되어 이루어지는 적층체에 있어서, 가열에 의해 박리할 때에, 점착 시트측을 하측을 향해, 중력에 의해 점착 시트를 피착체로부터 낙하시킴으로써 박리시킬 수 있다.

한편, 본 명세서에서는, 점착 시트를 박리하는 힘을 인가하지 않고, 점착 시트가 피착체로부터 벗겨져 있는 상태가 되거나, 벗겨져 떨어지는 것을, 「자기(自己) 박리」라고 한다. 또한, 그러한 성질을 「자기 박리성」이라고 한다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트에 있어서, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률은, 열팽창성 기재층(Y1)의 변형에 대한 점착제층(X1)의 추종성을 높여, 열팽창성 입자를 팽창시켰을 때에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 4.5㎫ 이하, 보다 바람직하게는 4.0㎫ 이하, 더 바람직하게는 3.5㎫ 이하, 보다 더 바람직하게는 3.0㎫ 이하, 더욱 더 바람직하게는 2.5㎫ 이하, 한층 바람직하게는 2.0㎫ 이하, 보다 한층 바람직하게는 1.5㎫ 이하, 한층 더 바람직하게는 1.3㎫ 이하이다. 또한, 통상 0.1㎫ 이상이다.

본 명세서에 있어서, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.

[점착 시트의 구성]

본 발명의 점착 시트는, 점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 가지는 것이면 되지만, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 점착제층(X1), 열팽창성 기재층(Y1), 및 비열팽창성 기재층(Y2)만을 가지고 있어도 되고, 필요에 따라, 다른 층을 가지고 있어도 된다.

예를 들면, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를, 피착체에 대한 가공 및 검사로부터 선택되는 1 이상으로 이용할 경우, 피착체의 가공성 및 검사성을 향상시키는 관점에서, 비팽창성 기재층(Y2)의, 열팽창성 기재층(Y1)의 적층면과는 반대측의 면에, 점착제층(X2)을 더 가지는 구성인 것이 바람직하다. 당해 구성을 가짐으로써, 점착제층(X1) 또는 점착제층(X2) 중 어느 일방의 점착제층에 피착체를 첩부하고, 어느 타방의 점착제층에 지지체를 첩부할 수 있다.

피착체가 점착 시트를 개재하여 지지체에 고정됨으로써, 피착체에 대하여 가공 및 검사로부터 선택되는 1 이상을 실시할 때에, 피착체의 진동, 위치 어긋남, 및 피착체가 취약할 경우의 파손 등을 억제하여, 가공 정밀도 및 가공 속도 그리고 검사 정밀도 및 검사 속도를 향상시킬 수 있다.

한편, 이하의 설명에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한, 「양면 점착 시트」란, 점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)과, 점착제층(X2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 가지는 점착 시트를 의미하는 것으로 한다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 점착제층(X1)의 점착 표면 상에 박리재를 가지고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 양면 점착 시트의 구성을 가질 경우, 점착제층(X1) 및 점착제층(X2)의 적어도 어느 일방의 점착 표면 상에 박리재를 가지고 있어도 된다.

다음으로, 도면을 참조하면서, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 구성에 대해서, 보다 구체적으로 설명한다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트로서는, 도 1의 (a)에 나타내는, 점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 가지는 점착 시트(1a)를 들 수 있다.

한편, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 도 1의 (b)에 나타내는 점착 시트(1b)와 같이, 점착제층(X1)의 점착 표면 상에, 박리재(10)를 더 가지는 구성으로 해도 된다.

본 발명의 다른 일 태양의 점착 시트로서는, 상기 양면 점착 시트의 구성을 가지는 것을 들 수 있다.

이러한 구성을 가지는 점착 시트로서는, 예를 들면, 도 2의 (a)에 나타내는, 점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)과, 점착제층(X2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 가지는 점착 시트(2a)를 들 수 있다.

또한, 도 2의 (b)에 나타내는 양면 점착 시트(2b)와 같이, 점착제층(X1)의 점착 표면 상에 박리재(10a)를 더 갖고, 점착제층(X2)의 점착 표면 상에 박리재(10b)를 더 가지는 구성으로 해도 된다.

한편, 도 2의 (b)에 나타내는 양면 점착 시트(2b)에 있어서, 박리재(10a)를 점착제층(X1)으로부터 벗길 때의 박리력과, 박리재(10b)를 점착제층(X2)으로부터 벗길 때의 박리력이 같은 정도일 경우, 쌍방의 박리재를 외측으로 인장하여 벗기려고 하면, 점착제층이, 2개의 박리재에 수반하여 분단되어 박리된다는 현상이 생길 경우가 있다. 이러한 현상을 억제하는 관점에서, 2개의 박리재(10a, 10b)는, 서로 첩부되는 점착제층으로부터의 박리력이 다르게 설계된 2종의 박리재를 이용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 또 다른 일 태양의 점착 시트로서는, 도 2의 (a)에 나타내는 양면 점착 시트(2a)에 있어서, 점착제층(X1) 및 점착제층(X2)의 일방의 점착 표면에, 양면에 박리 처리가 실시된 박리재가 적층된 것을, 롤상으로 감은 구성을 가지는 양면 점착 시트여도 된다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 점착제층(X1)과 열팽창성 기재층(Y1) 사이 및 열팽창성 기재층(Y1)과 비열팽창성 기재층(Y2) 사이의 적어도 어느 층간에, 다른 층을 가지고 있어도 되고, 다른 층을 가지고 있지 않아도 된다.

또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 상기 양면 점착 시트일 경우, 상기에 더하여, 점착제층(X1)과 열팽창성 기재층(Y1) 사이, 열팽창성 기재층(Y1)과 비열팽창성 기재층(Y2) 사이, 및 비열팽창성 기재층(Y2)과 점착제층(X2) 사이의 적어도 어느 층간에, 다른 층을 가지고 있어도 되고, 다른 층을 가지고 있지 않아도 된다.

단, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 열팽창성 입자의 팽창에 의한 열팽창성 기재층(Y1)의 변형을, 점착제층(X1)으로 양호하게 전하는 관점에서, 점착제층(X1)과 열팽창성 기재층(Y1)은 직접 적층되고 있는 것이 바람직하다.

다음으로, 본 발명의 점착 시트에 대해서, 가열에 의해 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 형성하기 위해 필요한 열팽창성 입자에 대해서 설명한 후에, 점착제층(X1), 열팽창성 기재층(Y1), 비열팽창성 기재층(Y2), 및 점착제층(X2)에 대해서 설명한다.

<열팽창성 입자>

본 발명의 점착 시트에 이용되는 열팽창성 입자는, 가열에 의해 팽창되는 입자이면 되고, 팽창 개시 온도(t)는, 점착 시트의 용도에 따라 적절히 선택된다.

그런데, 최근, 반도체 칩을 기판에 실장할 때에, 반도체 칩을 다이아 터치 필름(이하, 「DAF」라고도 함)이라고 칭해지는, 열경화성을 가지는 필름상 접착제를 개재하여 기판에 첩부하는 공정이 채용되고 있다.

DAF는, 반도체 웨이퍼 또는 개편화된 복수의 반도체 칩의 일방의 면에 첩부되고, 반도체 웨이퍼의 개편화와 동시에 또는 반도체 칩에 첩부된 후에 반도체 칩과 같은 형상으로 분할된다. 개편화되어 얻어진 DAF 부착 반도체 칩은, DAF측으로부터 기판에 첩부(다이아 터치)되고, 그 후, DAF를 열경화시킴으로써 반도체 칩과 기판이 고착된다. 이때, DAF는 기판에 첩부될 때까지는, 감압 또는 가열에 의해 접착하는 성질이 유지될 필요가 있다. 그러나, DAF 부착 반도체 칩을 가열 박리형 점착 시트의 피착체로 할 경우, 열팽창성 입자를 팽창시킬 때의 가열에 의해, 다이아 터치 전에 DAF의 경화가 진행되어 버려, 기판에 대한 DAF의 접착력이 저하할 경우가 있다. DAF의 접착력의 저하는, 반도체 칩과 기판과의 접합 신뢰성의 저하를 초래하기 때문에, 억제되는 것이 바람직하다. 즉, 가열 박리할 때에 피착체의 열변화가 억제되는 것이 바람직하다.

이러한 관점에서, 본 발명의 일 태양의 점착 시트에 있어서, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 바람직하게는 125℃ 미만, 보다 바람직하게는 120℃ 이하, 더 바람직하게는 115℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 110℃ 이하, 더욱 더 바람직하게는 105℃ 이하이다.

또한, 가열 박리형 점착 시트의 열팽창성 입자로서 팽창 개시 온도가 낮은 것을 이용하면, 피착체에 대하여 연삭을 행할 경우 등의 온도 상승에 의해, 열팽창성 입자가 팽창되어 버릴 경우가 있다. 열팽창성 입자의 이러한 의도하지 않은 팽창은, 피착체의 의도하지 않은 분리나 위치 어긋남 등으로 이어지기 때문에, 억제되는 것이 바람직하다.

이러한 관점에서, 본 발명의 일 태양의 점착 시트에 있어서, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 55℃ 이상, 더 바람직하게는 60℃ 이상, 보다 더 바람직하게는 70℃ 이상이다.

한편, 본 명세서에 있어서, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 이하의 방법에 의거하여 측정된 값을 의미한다.

(열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)의 측정법)

직경 6.0㎜(내경 5.65㎜), 깊이 4.8㎜의 알루미늄 컵에, 측정 대상이 되는 열팽창성 입자 0.5㎎을 더하고, 그 위에 알루미늄 뚜껑(직경 5.6㎜, 두께 0.1㎜)을 올린 시료를 제작한다.

동적 점탄성 측정 장치를 이용하여, 그 시료에 알루미늄 뚜껑 상부로부터, 가압자에 의해 0.01N의 힘을 가한 상태로, 시료의 높이를 측정한다. 그리고, 가압자에 의해 0.01N의 힘을 가한 상태로, 20℃에서 300℃까지 10℃／min의 승온 속도로 가열하고, 가압자의 수직 방향에 있어서의 변위량을 측정해, 정방향으로의 변위 개시 온도를 팽창 개시 온도(t)로 한다.

열팽창성 입자로서는, 열가소성 수지로 구성된 외각(外殼)과, 당해 외각에 내포되며, 또한 소정의 온도까지 가열되면 기화하는 내포 성분으로 구성되는, 마이크로 캡슐화 발포제인 것이 바람직하다.

마이크로 캡슐화 발포제의 외각을 구성하는 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리설폰 등을 들 수 있다.

마이크로 캡슐화 발포제의 외각에 내포되는 성분인 내포 성분으로서는, 예를 들면, 프로판, 프로필렌, 부텐, n-부탄, 이소부탄, 이소펜탄, 네오펜탄, n-펜탄, n-헥산, 이소헥산, n-헵탄, n-옥탄, 시클로프로판, 시클로부탄, 석유 에테르 등의 저비점 액체를 들 수 있다.

이들 중에서도, 가열 박리할 때에 피착체의 열변화를 억제함과 함께, 피착체에 대하여 연삭을 행할 경우 등의 온도 상승에 의한 열팽창성 입자의 의도하지 않은 팽창을 억제하는 관점에서, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)를 50℃ 이상 125℃ 미만으로 할 경우, 내포 성분은, 프로판, 이소부탄, n-펜탄, 및 시클로프로판이 바람직하다.

이들 내포 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 내포 성분의 종류를 적절히 선택함으로써 조정 가능하다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는, 열팽창성 입자의 23℃에서의 팽창 전의 평균 입자경은, 바람직하게는 3 ∼ 100㎛, 보다 바람직하게는 4 ∼ 70㎛, 더 바람직하게는 6 ∼ 60㎛, 보다 더 바람직하게는 10 ∼ 50㎛이다.

한편, 열팽창성 입자의 팽창 전의 평균 입자경이란, 체적 중위 입자경(D₅₀)이며, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예를 들면, Malvern사제, 제품명 「마스터 사이더 3000」)를 이용하여 측정한, 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포에 있어서, 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자경이 작은 쪽으로부터 계산한 누적 체적 빈도가 50％에 상당하는 입자경을 의미한다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는, 열팽창성 입자의 23℃에서의 팽창 전의 90％ 입자경(D₉₀)으로서는, 바람직하게는 10 ∼ 150㎛, 보다 바람직하게는 15 ∼ 100㎛, 더 바람직하게는 20 ∼ 90㎛, 보다 더 바람직하게는 25 ∼ 80㎛이다.

한편, 열팽창성 입자의 팽창 전의 90％ 입자경(D₉₀)이란, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예를 들면, Malvern사제, 제품명 「마스터 사이더 3000」)를 이용하여 측정한, 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포에 있어서, 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자경이 작은 쪽으로부터 계산한 누적 체적 빈도가 90％에 상당하는 입자경을 의미한다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상의 온도까지 가열했을 때의 체적 최대 팽창률은, 바람직하게는 1.5 ∼ 200배, 보다 바람직하게는 2 ∼ 150배, 더 바람직하게는 2.5 ∼ 120배, 보다 더 바람직하게는 3 ∼ 100배이다.

<점착제층(X1)>

본 발명의 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)은, 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하이다. 또한, 본 발명의 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)은, 23℃에서의 영률이, 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률보다 낮다.

점착제층(X1)은, 열팽창성층이어도 되고, 비열팽창성층이어도 되지만, 비열팽창성층인 것이 바람직하다.

점착제층(X1)이 비열팽창성층일 경우, 상기 식으로부터 산출되는 점착제층(X1)의 체적 변화율(％)은, 5％ 미만이며, 바람직하게는 2％ 미만, 보다 바람직하게는 1％ 미만, 더 바람직하게는 0.1％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01％ 미만이다.

점착제층(X1)은, 열팽창성 입자를 함유하지 않은 것이 바람직하지만, 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에서 열팽창성 입자를 함유하고 있어도 된다. 점착제층(X1)이 열팽창성 입자를 함유할 경우, 그 함유량은 적을수록 바람직하고, 점착제층(X1)의 전질량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 3질량％ 미만, 보다 바람직하게는 1질량％ 미만, 더 바람직하게는 0.1질량％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01질량％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.001질량％ 미만이다.

본 발명의 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)은, 점착성 수지를 포함하는 점착제 조성물(x-1)로 형성할 수 있다.

이하, 점착제 조성물(x-1)에 포함되는 각 성분에 대해서 설명한다.

(점착성 수지)

점착성 수지로서는, 당해 수지 단독으로 점착성을 갖고, 질량 평균 분자량(Mw)이 1만 이상인 중합체를 들 수 있다.

점착성 수지의 질량 평균 분자량(Mw)은, 점착제층(X1)의 점착력 향상의 관점에서, 바람직하게는 1만 ∼ 200만, 보다 바람직하게는 2만 ∼ 150만, 더 바람직하게는 3만 ∼ 100만이다.

점착성 수지의 구체예로서는, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이소부틸렌계 수지 등의 고무계 수지, 폴리에스테르계 수지, 올레핀계 수지, 실리콘계 수지, 폴리비닐에테르계 수지 등을 들 수 있다.

이들 점착성 수지는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 이들 점착성 수지가, 2종 이상의 구성 단위를 가지는 공중합체일 경우, 당해 공중합체의 형태는, 특별히 한정되지 않고, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 및 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다.

점착성 수지는, 측쇄에 중합성 관능기를 도입한 에너지선 경화형의 점착성 수지여도 된다.

당해 중합성 관능기로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등의 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 것을 들 수 있다.

또한, 에너지선으로서는, 상기한 것 중에서도, 취급이 용이한 자외선이 바람직하다.

여기에서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제층(X1)이 우수한 점착력을 발현시킴과 함께, 점착제층(X1)의 영률을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 점착성 수지가, 아크릴계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

점착성 수지 중의 아크릴계 수지의 함유량으로서는, 점착제 조성물(x-1) 또는 점착제층(X1)에 포함되는 점착성 수지의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 30 ∼ 100질량％, 보다 바람직하게는 50 ∼ 100질량％, 더 바람직하게는 70 ∼ 100질량％, 보다 더 바람직하게는 85 ∼ 100질량％이다.

(아크릴계 수지)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착성 수지로서 사용할 수 있는, 아크릴계 수지로서는, 예를 들면, 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기를 가지는 알킬(메타)아크릴레이트에 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체, 환상 구조를 가지는 (메타)아크릴레이트에 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체 등을 들 수 있다.

아크릴계 수지의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 바람직하게는 10만 ∼ 150만, 보다 바람직하게는 20만 ∼ 130만, 더 바람직하게는 35만 ∼ 120만, 보다 더 바람직하게는 50만 ∼ 110만이다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는 아크릴계 수지로서는, 알킬(메타)아크릴레이트(a1')(이하, 「모노머(a1')」라고도 함)에 유래하는 구성 단위(a1) 및 관능기 함유 모노머(a2')(이하, 「모노머(a2')」라고도 함)에 유래하는 구성 단위(a2)를 가지는 아크릴계 공중합체(A1)가 보다 바람직하다.

모노머(a1')가 가지는 알킬기의 탄소수로서는, 점착제층(X1)이 우수한 점착력을 발현시킴과 함께, 점착제층(X1)의 영률을 상기 범위로 조정하는 관점에서, 바람직하게는 1 ∼ 24, 보다 바람직하게는 1 ∼ 12, 더 바람직하게는 2 ∼ 10, 보다 더 바람직하게는 4 ∼ 8이다.

한편, 모노머(a1')가 가지는 알킬기는, 직쇄 알킬기여도 되고, 분기쇄 알킬기여도 된다.

모노머(a1')로서는, 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

이들 모노머(a1')는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

모노머(a1')로서는, 부틸(메타)아크릴레이트 및 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트가 바람직하다.

구성 단위(a1)의 함유량은, 아크릴계 공중합체(A1)의 전구성 단위(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 50 ∼ 99.9질량％, 보다 바람직하게는 60 ∼ 99.0질량％, 더 바람직하게는 70 ∼ 97.0질량％, 보다 더 바람직하게는 80 ∼ 95.0질량％이다.

모노머(a2')가 가지는 관능기로서는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다.

즉, 모노머(a2')로서는, 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.

이들 모노머(a2')는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

이들 중에서도, 모노머(a2')로서는, 수산기 함유 모노머 및 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.

수산기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류 등의 수산기 함유 화합물을 들 수 있다.

카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복시산; 푸말산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복시산 및 그 무수물, 2-(아크릴로일옥시)에틸숙시네이트, 2-카르복시에틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

구성 단위(a2)의 함유량은, 아크릴계 공중합체(A1)의 전구성 단위(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 0.1 ∼ 30질량％, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 20질량％, 더 바람직하게는 1.0 ∼ 15질량％, 보다 더 바람직하게는 3.0 ∼ 10질량％이다.

아크릴계 공중합체(A1)는, 모노머 (a1') 및 (a2') 이외의 다른 모노머 (a3')에 유래하는 구성 단위(a3)를 더 가지고 있어도 된다.

한편, 아크릴계 공중합체(A1)에 있어서, 구성 단위 (a1) 및 (a2)의 합계 함유량은, 아크릴계 공중합체(A1)의 전구성 단위(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 70 ∼ 100질량％, 보다 바람직하게는 80 ∼ 100질량％, 더 바람직하게는 90 ∼ 100질량％, 보다 더 바람직하게는 95 ∼ 100질량％이다.

모노머(a3')로서는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀류; 염화비닐, 비닐리덴클로리드 등의 할로겐화 올레핀류; 부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌 등의 디엔계 모노머류; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드(메타)아크릴레이트 등의 환상 구조를 가지는 (메타)아크릴레이트; 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴로일모르폴린, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다.

또한, 아크릴계 공중합체(A1)는, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 일방에 중합성 관능기를 도입한, 에너지선 경화형의 아크릴계 공중합체로 해도 된다.

당해 중합성 관능기 및 당해 에너지선은, 상술한 바와 같다.

한편, 중합성 관능기는, 상술한 구성 단위 (a1) 및 (a2)를 가지는 아크릴계 공중합체와, 당해 아크릴계 공중합체의 구성 단위 (a2)가 가지는 관능기와 결합 가능한 치환기와 중합성 관능기를 가지는 중합성 화합물(Xa)을 반응시킴으로써 도입할 수 있다.

중합성 화합물(Xa)로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산 등을 들 수 있다.

(가교제)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-1)은, 상술한 아크릴계 공중합체(A1)와 같이, 관능기를 가지는 점착성 수지를 함유할 경우, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.

당해 가교제는, 관능기를 가지는 점착성 수지와 반응하여, 당해 관능기를 가교 기점으로 해서, 점착성 수지끼리를 가교하는 것이다.

가교제로서는, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다.

이들 가교제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

이들 가교제 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수하기 용이함 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.

이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 및 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 비시클로헵탄트리이소시아네이트, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 메틸시클로헥실렌디이소시아네이트, 메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 3-이소시아네이트메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트, 및 수첨(水添) 자일릴렌디이소시아네이트 등의 지환식 폴리이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 및 리신디이소시아네이트 등의 비환식 지방족 폴리이소시아네이트; 등의 다가 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 이소시아네이트계 가교제로서는, 당해 다가 이소시아네이트 화합물의 트리메틸올프로판 어덕트형 변성체, 물과 반응시킨 뷰렛형 변성체, 이소시아누레이트환을 포함하는 이소시아누레이트형 변성체 등도 들 수 있다.

이들 중에서도, 가열 시에 있어서의 점착제층(X1)의 탄성률의 저하를 억제하여, 점착제층(X1) 유래의 잔사가 피착체에 부착되는 것을 억제하는 관점에서, 이소시아누레이트환을 포함하는 이소시아누레이트형 변성체를 이용하는 것이 바람직하고, 비환식 지방족 폴리이소시아네이트의 이소시아누레이트형 변성체를 이용하는 것이 보다 바람직하고, 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트형 변성체를 이용하는 것이 더 바람직하다.

가교제의 함유량은, 점착성 수지가 가지는 관능기의 수에 따라 적절히 조정되는 것이지만, 관능기를 가지는 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7질량부, 더 바람직하게는 0.05 ∼ 5질량부이다. 한편, 가교제의 함유량을 당해 범위로 조정함으로써, 점착제층(X1)의 영률을 상기 범위로 조정하기 쉬운 것으로 할 수 있다.

(점착 부여제)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-1)은, 점착력을 보다 향상시키는 관점에서, 점착 부여제를 더 함유하고 있어도 된다.

본 명세서에 있어서, 「점착 부여제」란, 점착성 수지의 점착력을 보조적으로 향상시키는 성분으로서, 질량 평균 분자량(Mw)이 1만 미만인 것을 가리키며, 상기한 점착성 수지와는 구별되는 것이다.

점착 부여제의 질량 평균 분자량(Mw)은 1만 미만이며, 바람직하게는 400 ∼ 9000, 보다 바람직하게는 500 ∼ 8000, 더 바람직하게는 800 ∼ 5000이다.

점착 부여제로서는, 예를 들면, 로진계 수지, 테르펜계 수지, 스티렌계 수지, 석유 나프타의 열분해로 생성하는 펜텐, 이소프렌, 피페린, 1,3-펜타디엔 등의 C5 유분을 공중합하여 얻어지는 C5계 석유 수지, 석유 나프타의 열분해로 생성하는 인덴, 비닐톨루엔 등의 C9 유분을 공중합하여 얻어지는 C9계 석유 수지, 및 이들을 수소화한 수소화 수지 등을 들 수 있다.

점착 부여제의 연화점은, 바람직하게는 60 ∼ 170℃, 보다 바람직하게는 65 ∼ 160℃, 더 바람직하게는 70 ∼ 150℃이다.

한편, 본 명세서에 있어서, 점착 부여제의 「연화점」은, JIS K 2531에 준거하여 측정한 값을 의미한다.

점착 부여제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 연화점, 구조 등이 다른 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상의 점착 부여제를 이용할 경우, 그들 복수의 점착 부여제의 연화점의 가중 평균이, 상기 범위에 속하는 것이 바람직하다.

점착 부여제의 함유량은, 점착제 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 65질량％, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 50질량％, 더 바람직하게는 1 ∼ 40질량％, 보다 더 바람직하게는 2 ∼ 30질량％이다.

(광중합개시제)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-1)이, 점착성 수지로서, 에너지선 경화형의 점착성 수지를 포함할 경우, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다.

에너지선 경화형의 점착성 수지 및 광중합개시제를 함유하는 점착제 조성물로 함으로써, 당해 점착제 조성물로 형성되는 점착제층은, 비교적 저(低)에너지의 에너지선의 조사에 의해, 충분히 경화 반응을 진행시켜, 점착력을 원하는 범위로 조정하는 것이 가능해진다.

한편, 본 발명의 일 태양에서 이용하는 광중합개시제로서는, 예를 들면, 1-히드록시-시클로헥실-페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.

이들 광중합개시제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

광중합개시제의 함유량은, 에너지선 경화형의 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5질량부, 더 바람직하게는 0.05 ∼ 2질량부이다.

(점착제용 첨가제)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-1)은, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 상술한 첨가제 이외에도, 일반적인 점착제에 사용되는 점착제용 첨가제를 함유하고 있어도 된다.

이러한 점착제용 첨가제로서는, 예를 들면, 산화 방지제, 연화제(가소제), 방청제, 안료, 염료, 지연제, 반응 촉진제(촉매), 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.

한편, 이들 점착제용 첨가제는, 각각 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

이들 점착제용 첨가제를 함유할 경우, 각각의 점착제용 첨가제의 함유량은, 각각 독립적으로, 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001 ∼ 20질량부, 보다 바람직하게는 0.001 ∼ 10질량부이다.

(점착제층(X1)의 23℃에서의 두께)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께는, 양호한 점착력을 발현시킴과 함께, 열팽창성 입자를 가열에 의해 팽창시켰을 때에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 양호하게 형성시키는 관점에서, 바람직하게는 3 ∼ 10㎛이며, 보다 바람직하게는 3 ∼ 8㎛이며, 더 바람직하게는 3 ∼ 7㎛이다.

점착제층(X1)의 두께를 상기 범위로 조정함으로써, 점착제층(X1)을 형성하기 쉽게 할 수 있으며, 또한, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 양호하게 형성시키기 쉽게 할 수 있다.

한편, 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께는, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정한 값이다.

(점착제층(X1)의 23℃에서의 영률과 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께와의 곱)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률(단위: ㎫)과 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께(단위: ㎛)와의 곱은, 열팽창성 입자를 가열에 의해 팽창시켰을 때에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 양호하게 형성시키는 관점에서, 바람직하게는 0.3 ∼ 50이며, 보다 바람직하게는 1.0 ∼ 30이며, 더 바람직하게는 1.5 ∼ 20이며, 보다 더 바람직하게는, 2.0 ∼ 10이다.

<열팽창성 기재층(Y1)>

열팽창성 기재층(Y1)은, 열팽창성 입자를 가지는 기재층이며, 점착제층(X1)과 비열팽창성 기재층(Y2) 사이에 설치된다.

여기에서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 열팽창성 기재층(Y1)은, 하기 요건 (1)을 충족시키는 것이 바람직하다.

·요건 (1): 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서의, 열팽창성 기재층(Y1)의 저장 탄성률 E'(t)가, 1.0×10⁷㎩ 이하이다.

한편, 본 명세서에 있어서, 소정의 온도에서의 열팽창성 기재층(Y1)의 저장 탄성률 E'는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

상기 요건 (1)은, 열팽창성 입자가 팽창하기 직전의 열팽창성 기재층(Y1)의 강성을 나타내는 지표라고 할 수 있다.

열팽창성 입자의 팽창 전에 있어서, 열팽창성 기재층(Y1)의 저장 탄성률 E'는 승온에 수반하여 저하한다. 그러나, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에 도달하기 전후에, 열팽창성 입자가 팽창되기 시작함으로써, 열팽창성 기재층(Y1)의 저장 탄성률 E'의 저하가 억제된다.

한편으로, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 형성되기 쉽게 하기 위해서는, 팽창 개시 온도(t) 이상의 온도까지 가열함으로써, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면에, 요철이 형성되기 쉽게 할 필요가 있다. 상기 요건 (1)을 충족시키는 열팽창성 기재층(Y1)은, 팽창 개시 온도(t)에서 열팽창성 입자가 팽창되어 충분히 커져, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면에, 요철이 형성되기 쉽다. 그 때문에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 형성되기 쉽다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 열팽창성 기재층(Y1)의 요건 (1)에서 규정하는 저장 탄성률 E'(t)는, 상기 관점에서, 바람직하게는 9.0×10⁶㎩ 이하, 보다 바람직하게는 8.0×10⁶㎩ 이하, 더 바람직하게는 6.0×10⁶㎩ 이하, 보다 더 바람직하게는 4.0×10⁶㎩ 이하이다.

또한, 팽창된 열팽창성 입자의 유동을 억제해, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면에 형성되는 요철의 형상 유지성을 향상시켜, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 형성되기 쉬운 것으로 하는 관점에서, 열팽창성 기재층(Y1)의 요건 (1)에서 규정하는 저장 탄성률 E'(t)는, 바람직하게는 1.0×10³㎩ 이상, 보다 바람직하게는 1.0×10⁴㎩ 이상, 더 바람직하게는 1.0×10⁵㎩ 이상이다.

상기 요건 (1)을 충족시키는 열팽창성 기재층(Y1)으로 하는 관점에서, 열팽창성 기재층(Y1) 중의 열팽창성 입자의 함유량은, 열팽창성 기재층(Y1)의 전질량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 40질량％, 보다 바람직하게는 5 ∼ 35질량％, 더 바람직하게는 10 ∼ 30질량％, 보다 더 바람직하게는 15 ∼ 25질량％이다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 열팽창성 기재층(Y1)의 23℃에서의 영률은, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 크며, 또한 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률보다 큰 것이 바람직하다.

구체적으로는, 열팽창성 기재층(Y1)의 23℃에서의 영률은, 바람직하게는 100㎫ 이상, 보다 바람직하게는 200㎫ 이상, 더 바람직하게는 300㎫ 이상이다. 또한, 통상 600㎫ 이하이며, 바람직하게는 500㎫ 이하이다.

한편, 열팽창성 기재층(Y1)과 적층하는 다른 층과의 층간 밀착성을 향상시키는 관점에서, 열팽창성 기재층(Y1)의 표면에 대하여, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 이(易)접착 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시해도 된다.

산화법으로서는, 예를 들면, 코로나 방전 처리, 플라스마 방전 처리, 크롬산처리(습식), 열풍 처리, 오존, 및 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 요철화법으로서는, 예를 들면, 샌드 블라스트법, 용제 처리법 등을 들 수 있다.

열팽창성 기재층(Y1)은, 수지 및 열팽창성 입자를 포함하는 수지 조성물(y-1)로 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 수지 조성물(y-1)에는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 필요에 따라, 기재용 첨가제를 함유해도 된다.

기재용 첨가제로서는, 예를 들면, 자외선 흡수제, 광안정제, 산화 방지제, 대전 방지제, 슬립제, 안티 블로킹제, 착색제 등을 들 수 있다.

한편, 이들 기재용 첨가제는, 각각 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

이들 기재용 첨가제를 함유할 경우, 각각의 기재용 첨가제의 함유량은, 각각 독립적으로, 상기 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001 ∼ 20질량부, 보다 바람직하게는 0.001 ∼ 10질량부이다.

열팽창성 기재층(Y1)의 형성 재료인 수지 조성물(y-1)에 포함되는 열팽창성 입자에 대해서는, 상술한 바와 같다.

열팽창성 입자의 함유량은, 수지 조성물(y-1)의 유효 성분의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 40질량％, 보다 바람직하게는 5 ∼ 35질량％, 더 바람직하게는 10 ∼ 30질량％, 보다 더 바람직하게는 15 ∼ 25질량％이다.

열팽창성 기재층(Y1)의 형성 재료인 수지 조성물(y-1)에 포함되는 수지로서는, 비점착성 수지여도 되고, 점착성 수지여도 된다.

즉, 수지 조성물(y-1)에 포함되는 수지가 점착성 수지여도, 수지 조성물(y-1)로 열팽창성 기재층(Y1)을 형성하는 과정에 있어서, 당해 점착성 수지가 중합성 화합물과 중합 반응해, 얻어지는 수지가 비점착성 수지가 되고, 당해 수지를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)이 비점착성이 되면 된다.

수지 조성물(y-1)에 포함되는 상기 수지의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 바람직하게는 1000 ∼ 100만, 보다 바람직하게는 1000 ∼ 70만, 더 바람직하게는 1000 ∼ 50만이다.

또한, 당해 수지가 2종 이상의 구성 단위를 가지는 공중합체일 경우, 당해 공중합체의 형태는, 특별히 한정되지 않고, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 및 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다.

수지의 함유량은, 수지 조성물(y-1)의 유효 성분의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 50 ∼ 99질량％, 보다 바람직하게는 60 ∼ 95질량％, 더 바람직하게는 65 ∼ 90질량％, 보다 더 바람직하게는 70 ∼ 85질량％이다.

한편, 상기 요건 (1)을 충족시키는 열팽창성 기재층(Y1)을 형성하는 관점에서, 수지 조성물(y-1)에 포함되는 상기 수지로서는, 아크릴우레탄계 수지 및 올레핀계 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 아크릴우레탄계 수지로서는, 이하의 수지(U1)가 바람직하다.

·우레탄 프리폴리머(UP)와 (메타)아크릴산에스테르를 포함하는 비닐 화합물을 중합하여 이루어지는 아크릴우레탄계 수지(U1).

(아크릴우레탄계 수지(U1))

아크릴우레탄계 수지(U1)의 주쇄가 되는 우레탄 프리폴리머(UP)로서는, 폴리올과 다가 이소시아네이트와의 반응물을 들 수 있다.

한편, 우레탄 프리폴리머(UP)는, 또한 쇄연장제를 이용한 쇄연장 반응을 실시하여 얻어진 것임이 바람직하다.

우레탄 프리폴리머(UP)의 원료가 되는 폴리올로서는, 예를 들면, 알킬렌형 폴리올, 에테르형 폴리올, 에스테르형 폴리올, 에스테르아미드형 폴리올, 에스테르·에테르형 폴리올, 카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다.

이들 폴리올은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는 폴리올로서는, 디올이 바람직하고, 에스테르형 디올, 알킬렌형 디올 및 카보네이트형 디올이 보다 바람직하고, 에스테르형 디올, 카보네이트형 디올이 더 바람직하다.

에스테르형 디올로서는, 예를 들면, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올 등의 알칸디올; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜; 등의 디올류로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 나프탈렌디카르복시산, 4,4-디페닐디카르복시산, 디페닐메탄-4,4'-디카르복시산, 숙신산, 아디프산, 아젤라산, 세바스산, 헤트산, 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시클로헥산-1,3-디카르복시산, 시클로헥산-1,4-디카르복시산, 헥사히드로프탈산, 헥사히드로이소프탈산, 헥사히드로테레프탈산, 메틸헥사히드로프탈산 등의 디카르복시산 및 이들 무수물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 축중합체를 들 수 있다.

구체적으로는, 폴리에틸렌아디페이트디올, 폴리부틸렌아디페이트디올, 폴리헥사메틸렌아디페이트디올, 폴리헥사메틸렌이소프탈레이트디올, 폴리네오펜틸아디페이트디올, 폴리에틸렌프로필렌아디페이트디올, 폴리에틸렌부틸렌아디페이트디올, 폴리부틸렌헥사메틸렌아디페이트디올, 폴리디에틸렌아디페이트디올, 폴리(폴리테트라메틸렌에테르)아디페이트디올, 폴리(3-메틸펜틸렌아디페이트)디올, 폴리에틸렌아젤레이트디올, 폴리에틸렌세바케이트디올, 폴리부틸렌아젤레이트디올, 폴리부틸렌세바케이트디올 및 폴리네오펜틸테레프탈레이트디올 등을 들 수 있다.

알킬렌형 디올로서는, 예를 들면, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올 등의 알칸디올; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜; 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 폴리옥시알킬렌글리콜; 등을 들 수 있다.

카보네이트형 디올로서는, 예를 들면, 1,4-테트라메틸렌카보네이트디올, 1,5-펜타메틸렌카보네이트디올, 1,6-헥사메틸렌카보네이트디올, 1,2-프로필렌카보네이트디올, 1,3-프로필렌카보네이트디올, 2,2-디메틸프로필렌카보네이트디올, 1,7-헵타메틸렌카보네이트디올, 1,8-옥타메틸렌카보네이트디올, 1,4-시클로헥산카보네이트디올 등을 들 수 있다.

우레탄 프리폴리머(UP)의 원료가 되는 다가 이소시아네이트로서는, 방향족 폴리이소시아네이트, 지방족 폴리이소시아네이트, 지환식 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다.

이들 다가 이소시아네이트는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 이들 다가 이소시아네이트는, 트리메틸올프로판 어덕트형 변성체, 물과 반응시킨 뷰렛형 변성체, 이소시아누레이트환을 함유시킨 이소시아누레이트형 변성체여도 된다.

이들 중에서도, 본 발명의 일 태양에서 이용하는 다가 이소시아네이트로서는, 디이소시아네이트가 바람직하고, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 2,4-톨릴렌디이소시아네이트(2,4-TDI), 2,6-톨릴렌디이소시아네이트(2,6-TDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HMDI), 및 지환식 디이소시아네이트로부터 선택되는 1종 이상이 보다 바람직하다.

지환식 디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 3-이소시아네이트메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트(이소포론디이소시아네이트, IPDI), 1,3-시클로펜탄디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,4-시클로헥산디이소시아네이트, 메틸-2,6-시클로헥산디이소시아네이트 등을 들 수 있지만, 이소포론디이소시아네이트(IPDI)가 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 아크릴우레탄계 수지(U1)의 주쇄가 되는 우레탄 프리폴리머(UP)로서는, 디올과 디이소시아네이트와의 반응물이며, 양말단에 에틸렌성 불포화기를 가지는 직쇄 우레탄 프리폴리머가 바람직하다.

당해 직쇄 우레탄 프리폴리머의 양말단에 에틸렌성 불포화기를 도입하는 방법으로서는, 디올과 디이소시아네이트 화합물을 반응하여 이루어지는 직쇄 우레탄 프리폴리머의 말단의 NCO기와 히드록시알킬(메타)아크릴레이트를 반응시키는 방법을 들 수 있다.

히드록시알킬(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

아크릴우레탄계 수지(U1)의 측쇄가 되는, 비닐 화합물로서는, 적어도 (메타)아크릴산에스테르를 포함한다.

(메타)아크릴산에스테르로서는, 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬(메타)아크릴레이트를 병용하는 것이 보다 바람직하다.

알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬(메타)아크릴레이트를 병용할 경우, 알킬(메타)아크릴레이트 100질량부에 대한, 히드록시알킬(메타)아크릴레이트의 배합 비율로서는, 바람직하게는 0.1 ∼ 100질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 30질량부, 더 바람직하게는 1.0 ∼ 20질량부, 보다 더 바람직하게는 1.5 ∼ 10질량부이다.

당해 알킬(메타)아크릴레이트가 가지는 알킬기의 탄소수로서는, 바람직하게는 1 ∼ 24, 보다 바람직하게는 1 ∼ 12, 더 바람직하게는 1 ∼ 8, 보다 더 바람직하게는 1 ∼ 3이다.

또한, 히드록시알킬(메타)아크릴레이트로서는, 상술한 직쇄 우레탄 프리폴리머의 양말단에 에틸렌성 불포화기를 도입하기 위해 이용되는 히드록시알킬(메타)아크릴레이트와 같은 것을 들 수 있다.

(메타)아크릴산에스테르 이외의 비닐 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 비닐 화합물; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르 등의 비닐에테르류; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, (메타)아크릴로니트릴, N-비닐피롤리돈, (메타)아크릴산, 말레산, 푸말산, 이타콘산, 메타(아크릴아미드) 등의 극성기 함유 모노머; 등을 들 수 있다.

이들은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

비닐 화합물 중의 (메타)아크릴산에스테르의 함유량으로서는, 당해 비닐 화합물의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 100질량％, 보다 바람직하게는 65 ∼ 100질량％, 더 바람직하게는 80 ∼ 100질량％, 보다 더 바람직하게는 90 ∼ 100질량％이다.

비닐 화합물 중의 알킬(메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬(메타)아크릴레이트의 합계 함유량으로서는, 당해 비닐 화합물의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 100질량％, 보다 바람직하게는 65 ∼ 100질량％, 더 바람직하게는 80 ∼ 100질량％, 보다 더 바람직하게는 90 ∼ 100질량％이다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는 아크릴우레탄계 수지(U1)는, 우레탄 프리폴리머(UP)와, (메타)아크릴산에스테르를 포함하는 비닐 화합물을 혼합하고, 양자를 중합함으로써 얻을 수 있다.

당해 중합에 있어서는, 라디칼 개시제를 더 더하여 행하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 태양에서 이용하는 아크릴우레탄계 수지(U1)에 있어서, 우레탄 프리폴리머(UP)에 유래하는 구성 단위(u11)와 비닐 화합물에 유래하는 구성 단위(u12)와의 함유량비〔(u11)／(u12)〕로서는, 질량비로, 바람직하게는 10／90 ∼ 80／20, 보다 바람직하게는 20／80 ∼ 70／30, 더 바람직하게는 30／70 ∼ 60／40, 보다 더 바람직하게는 35／65 ∼ 55／45이다.

(올레핀계 수지)

수지 조성물(y-1)에 포함되는 수지로서 호적(好適)한, 올레핀계 수지로서는, 올레핀 모노머에 유래하는 구성 단위를 적어도 가지는 중합체이다.

상기 올레핀 모노머로서는, 탄소수 2 ∼ 8의 α-올레핀이 바람직하고, 구체적으로는, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 이소부틸렌, 1-헥센 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 에틸렌 및 프로필렌이 바람직하다.

구체적인 올레핀계 수지로서는, 예를 들면, 초저밀도 폴리에틸렌(VLDPE, 밀도: 880㎏／㎥ 이상 910㎏／㎥ 미만), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 밀도: 910㎏／㎥ 이상 915㎏／㎥ 미만), 중밀도 폴리에틸렌(MDPE, 밀도: 915㎏／㎥ 이상 942㎏／㎥ 미만), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE, 밀도: 942㎏／㎥ 이상), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 등의 폴리에틸렌 수지; 폴리프로필렌 수지(PP); 폴리부텐 수지(PB); 에틸렌-프로필렌 공중합체; 올레핀계 엘라스토머(TPO); 폴리(4-메틸-1-펜텐)(PMP); 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA); 에틸렌-비닐알코올 공중합체(EVOH); 에틸렌-프로필렌-(5-에틸리덴 2-노르보르넨) 등의 올레핀계 삼원 공중합체; 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 올레핀계 수지는, 또한 산 변성, 수산기 변성, 및 아크릴 변성으로부터 선택되는 1종 이상의 변성을 실시한 변성 올레핀계 수지여도 된다.

예를 들면, 올레핀계 수지에 대하여 산 변성을 실시하여 이루어지는 산 변성 올레핀계 수지로서는, 상술한 무변성의 올레핀계 수지에, 불포화 카르복시산 또는 그 무수물을, 그래프트 중합시켜 이루어지는 변성 중합체를 들 수 있다.

상기한 불포화 카르복시산 또는 그 무수물로서는, 예를 들면, 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 글루타콘산, 테트라히드로프탈산, 아코니트산, (메타)아크릴산, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 글루타콘산, 무수 시트라콘산, 무수 아코니트산, 노르보르넨디카르복시산무수물, 테트라히드로프탈산무수물 등을 들 수 있다.

한편, 불포화 카르복시산 또는 그 무수물은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

올레핀계 수지에 대하여 아크릴 변성을 실시하여 이루어지는 아크릴 변성 올레핀계 수지로서는, 주쇄인 상술한 무변성의 올레핀계 수지에, 측쇄로서, 알킬(메타)아크릴레이트를 그래프트 중합시켜 이루어지는 변성 중합체를 들 수 있다.

상기한 알킬(메타)아크릴레이트가 가지는 알킬기의 탄소수로서는, 바람직하게는 1 ∼ 20, 보다 바람직하게는 1 ∼ 16, 더 바람직하게는 1 ∼ 12이다.

상기한 알킬(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 후술하는 모노머(a1')로서 선택 가능한 화합물과 같은 것을 들 수 있다.

올레핀계 수지에 대하여 수산기 변성을 실시하여 이루어지는 수산기 변성 올레핀계 수지로서는, 주쇄인 상술한 무변성의 올레핀계 수지에, 수산기 함유 화합물을 그래프트 중합시켜 이루어지는 변성 중합체를 들 수 있다.

상기한 수산기 함유 화합물로서는, 상술한 수산기 함유 화합물과 마찬가지인 것을 들 수 있다.

(아크릴우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지)

본 발명의 일 태양에 있어서, 수지 조성물(y-1)에는, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 아크릴우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지를 함유해도 된다.

그러한 수지로서는, 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올 등의 비닐계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리스티렌; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체; 삼아세트산셀룰로오스; 폴리카보네이트; 아크릴우레탄계 수지에는 해당하지 않는 폴리우레탄; 폴리설폰; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르설폰; 폴리페닐렌설파이드; 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 폴리이미드계 수지; 폴리아미드계 수지; 아크릴 수지; 불소계 수지 등을 들 수 있다.

단, 상기 요건 (1)을 충족시키는 열팽창성 기재층(Y1)을 형성하는 관점에서, 수지 조성물(y-1) 중의 아크릴우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지의 함유량은, 적은 것이 바람직하다.

아크릴우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지의 함유량으로서는, 수지 조성물(y-1) 중에 포함되는 수지의 전량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 30질량부 미만, 보다 바람직하게는 20질량부 미만, 보다 바람직하게는 10질량부 미만, 더 바람직하게는 5질량부 미만, 보다 더 바람직하게는 1질량부 미만이다.

(무용제형 수지 조성물(y-1a))

본 발명의 일 태양에서 이용하는 수지 조성물(y-1)의 일 태양으로서, 질량 평균 분자량(Mw)이 50000 이하인 에틸렌성 불포화기를 가지는 올리고머와, 에너지선 중합성 모노머와, 상술한 열팽창성 입자를 배합하여 이루어지고, 용제를 배합하지 않은, 무용제형 수지 조성물(y-1a)을 들 수 있다.

무용제형 수지 조성물(y-1a)에서는, 용제를 배합하지 않지만, 에너지선 중합성 모노머가, 상기 올리고머의 가역성의 향상에 기여하는 것이다.

무용제형 수지 조성물(y-1a)로 형성한 도막에 대하여, 에너지선을 조사함으로써, 상기 요건 (1)을 충족시키는 열팽창성 기재층(Y1)을 형성하기 쉽다.

한편, 무용제형 수지 조성물(y-1a)에 배합되는 열팽창성 입자의 종류나 형상, 배합량(함유량)에 대해서는, 상술한 바와 같다.

무용제형 수지 조성물(y-1a)에 포함되는 상기 올리고머의 질량 평균 분자량(Mw)은, 50000 이하이지만, 바람직하게는 1000 ∼ 50000, 보다 바람직하게는 2000 ∼ 40000, 더 바람직하게는 3000 ∼ 35000, 보다 더 바람직하게는 4000 ∼ 30000이다.

또한, 상기 올리고머로서는, 상술한 수지 조성물(y-1)에 포함되는 수지 중, 질량 평균 분자량이 50000 이하인 에틸렌성 불포화기를 가지는 것이면 되지만, 상술한 우레탄 프리폴리머(UP)가 바람직하다.

한편, 당해 올리고머로서는, 에틸렌성 불포화기를 가지는 변성 올레핀계 수지도 사용할 수 있다.

무용제형 수지 조성물(y-1a) 중에 있어서의, 상기 올리고머 및 에너지선 중합성 모노머의 합계 함유량은, 무용제형 수지 조성물(y-1a)의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 50 ∼ 99질량％, 보다 바람직하게는 60 ∼ 95질량％, 더 바람직하게는 65 ∼ 90질량％, 보다 더 바람직하게는 70 ∼ 85질량％이다.

에너지선 중합성 모노머로서는, 예를 들면, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 아다만탄(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸아크릴레이트 등의 지환식 중합성 화합물; 페닐히드록시프로필아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페놀에틸렌옥사이드 변성 아크릴레이트 등의 방향족 중합성 화합물; 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 모르폴린아크릴레이트, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 복소환식 중합성 화합물 등을 들 수 있다.

이들 에너지선 중합성 모노머는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

무용제형 수지 조성물(y-1a) 중에 있어서의, 상기 올리고머와, 상기 에너지선 중합성 모노머와의 함유량비[올리고머／에너지선 중합성 모노머]는, 질량비로, 바람직하게는 20／80 ∼ 90／10, 보다 바람직하게는 30／70 ∼ 85／15, 더 바람직하게는 35／65 ∼ 80／20이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 무용제형 수지 조성물(y-1a)은, 광중합개시제를 더 배합하여 이루어지는 것이 바람직하다. 　

광중합개시제를 함유함으로써, 비교적 저에너지의 에너지선의 조사에 의해서도, 충분히 경화 반응을 진행시킬 수 있다.

광중합개시제로서는, 점착제 조성물(x-1)이 함유해도 되는 광중합개시제와 마찬가지인 것을 들 수 있다.

이들 광중합개시제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

광중합개시제의 배합량은, 상기 올리고머 및 에너지선 중합성 모노머의 전량(100질량부)에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 5질량부, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 4질량부, 더 바람직하게는 0.02 ∼ 3질량부이다.

(열팽창성 기재층(Y1)의 두께)

본 발명의 일 태양에 있어서, 열팽창성 기재층(Y1)의 두께는, 바람직하게는 10 ∼ 1000㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 500㎛, 더 바람직하게는 25 ∼ 400㎛, 보다 더 바람직하게는 30 ∼ 300㎛이다.

<비열팽창성 기재층(Y2)>

본 발명의 점착 시트가 가지는 비열팽창성 기재층(Y2)은, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)의 적층면과는 반대측의 면에 설치된다. 본 발명의 점착 시트에 있어서, 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률은, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높다. 그 때문에, 열팽창성 입자를 팽창시켰을 때에, 열팽창성 기재층(Y1)의 비열팽창성 기재층(Y2)측의 표면보다, 열팽창성 기재층(Y1)의 점착제층(X1)측의 표면에 요철이 형성되기 쉬워진다. 그 때문에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철이 양호하게 형성된다.

이러한 관점에서, 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률은, 바람직하게는 700㎫ 이상, 보다 바람직하게는 1000㎫ 이상, 더 바람직하게는 1300㎫ 이상, 보다 더 바람직하게는 1600㎫ 이상, 더욱 더 바람직하게는 1800㎫ 이상이다. 또한, 통상 10000㎫ 이하이다.

비열팽창성 기재층(Y2)의 형성 재료로서는, 예를 들면, 수지, 금속, 및 지재(紙材) 등을 들 수 있고, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다.

수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 등의 비닐계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리스티렌; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체; 삼아세트산셀룰로오스; 폴리카보네이트; 폴리우레탄, 아크릴 변성 폴리우레탄 등의 우레탄 수지; 폴리메틸펜텐; 폴리설폰; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르설폰; 폴리페닐렌설파이드; 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 폴리이미드계 수지; 폴리아미드계 수지; 아크릴 수지; 불소계 수지 등을 들 수 있다.

금속으로서는, 예를 들면, 알루미늄, 주석, 크롬, 티타늄 등을 들 수 있다.

지재로서는, 예를 들면, 박엽지(薄葉紙), 중질지, 상질지, 함침지, 코팅지, 아트지, 황산지, 글라신지 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지가 바람직하다.

이들 형성 재료는, 1종으로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

2종 이상의 형성 재료를 병용한 비열팽창성 기재층(Y2)으로서는, 지재를 폴리에틸렌 등의 열가소성 수지로 라미네이트한 것이나, 수지를 포함하는 수지 필름 또는 시트의 표면에 금속막을 형성한 것 등을 들 수 있다.

한편, 금속층의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 상기 금속을 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD법에 의해 증착하는 방법, 또는, 상기 금속으로 이루어지는 금속박을 일반적인 점착제를 이용하여 첩부하는 방법 등을 들 수 있다.

한편, 비열팽창성 기재층(Y2)과 적층하는 다른 층과의 층간 밀착성을 향상시키는 관점에서, 비열팽창성 기재층(Y2)이 수지를 포함할 경우, 비열팽창성 기재층(Y2)의 표면에 대해서도, 상술한 열팽창성 기재층(Y1)과 마찬가지로, 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리, 이접착 처리, 혹은 프라이머 처리를 실시해도 된다.

또한, 비열팽창성 기재층(Y2)이 수지를 포함할 경우, 당해 수지와 함께, 수지 조성물(y-1)에도 함유할 수 있는, 상술한 기재용 첨가제를 함유해도 된다.

비열팽창성 기재층(Y2)은, 상술한 방법에 의거하여 판단되는, 비열팽창성층이다. 　

그 때문에, 상술한 식으로부터 산출되는 비열팽창성 기재층(Y2)의 체적 변화율(％)로서는, 5％ 미만이지만, 바람직하게는 2％ 미만, 보다 바람직하게는 1％ 미만, 더 바람직하게는 0.1％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01％ 미만이다.

또한, 비열팽창성 기재층(Y2)은, 체적 변화율이 상기 범위인 한, 열팽창성 입자를 함유해도 된다. 예를 들면, 비열팽창성 기재층(Y2)에 포함되는 수지를 선택함으로써, 열팽창성 입자가 포함되어 있었다고 해도, 체적 변화율을 상기 범위로 조정하는 것은 가능하다.

단, 비열팽창성 기재층(Y2) 중의 열팽창성 입자의 함유량은, 적을수록 바람직하다.

구체적인 열팽창성 입자의 함유량으로서는, 비열팽창성 기재층(Y2)의 전질량(100질량％)에 대하여, 통상 3질량％ 미만, 바람직하게는 1질량％ 미만, 보다 바람직하게는 0.1질량％ 미만, 더 바람직하게는 0.01질량％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.001질량％ 미만이다. 더욱 더 바람직하게는 열팽창성 입자를 함유하지 않는 것이다.

(비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 저장 탄성률 E'(23))

비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 저장 탄성률 E'(23)는, 바람직하게는 5.0×10⁷ ∼ 5.0×10⁹㎩, 보다 바람직하게는 5.0×10⁸ ∼ 4.5×10⁹㎩, 더 바람직하게는 1.0×10⁹ ∼ 4.0×10⁹㎩이다.

비열팽창성 기재층(Y2)의 저장 탄성률 E'(23)가 5.0×10⁷㎩ 이상이면, 열팽창성 기재층(Y1)의 비열팽창성 기재층(Y2)측의 표면의 팽창을 효과적으로 억제하기 쉬움과 함께, 점착 시트의 내변형성을 향상시키기 쉽다. 한편, 비열팽창성 기재층(Y2)의 저장 탄성률 E'(23)가 5.0×10⁹㎩ 이하이면, 점착 시트의 취급성을 향상시키기 쉽다.

한편, 본 명세서에 있어서, 비열팽창성 기재층(Y2)의 저장 탄성률 E'(23)는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

(비열팽창성 기재층(Y2)의 팽창 개시 온도(t)에서의 저장 탄성률 E'(t))

비열팽창성 기재층(Y2)의 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서의 저장 탄성률 E'(t)는, 바람직하게는 5.0×10⁷ ∼ 3.0×10⁹㎩, 보다 바람직하게는 2.0×10⁸ ∼ 2.5×10⁹㎩, 더 바람직하게는 5.0×10⁸ ∼ 2.0×10⁹㎩이다.

비열팽창성 기재층(Y2)의 저장 탄성률 E'(t)가 5.0×10⁷㎩ 이상이면, 열팽창성 기재층(Y1)의 비열팽창성 기재층(Y2)측의 표면의 팽창을 효과적으로 억제하기 쉬움과 함께, 점착 시트의 내변형성을 향상시키기 쉽다. 한편, 비열팽창성 기재층(Y2)의 저장 탄성률 E'(t)가 3.0×10⁹㎩ 이하이면, 점착 시트의 취급성을 향상시키기 쉽다.

한편, 본 명세서에 있어서, 비열팽창성 기재층(Y2)의 저장 탄성률 E'(t)는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

(비열팽창성 기재층(Y2)의 두께)

비열팽창성 기재층(Y2)의 두께는, 바람직하게는 5 ∼ 500㎛, 보다 바람직하게는 15 ∼ 300㎛, 더 바람직하게는 20 ∼ 200㎛이다. 비열팽창성 기재층(Y2)의 두께가 5㎛ 이상이면, 점착 시트의 내변형성을 향상시키기 쉽다. 한편, 비열팽창성 기재층(Y2)의 두께가 500㎛ 이하이면, 점착 시트의 취급성을 향상시키기 쉽다.

한편, 본 명세서에 있어서, 비열팽창성 기재층(Y2)의 두께는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.

<점착제층(X2)>

점착제층(X2)은, 비열팽창성 기재층(Y2)의 열팽창성 기재층(Y1)의 적층면과는 반대측의 면에 임의로 설치되는 층이다.

점착제층(X2)은, 열팽창성층이어도 되고, 비열팽창성층이어도 되지만, 비열팽창성층인 것이 바람직하다. 점착제층(X1)과 점착제층(X2)에서, 점착제층의 점착력을 저하시키는 작용 기구를 서로 다른 것으로 함으로써, 어느 일방의 점착제층의 점착력을 저하시키는 처리를 행할 때에, 의도하지 않게 타방의 점착제층의 점착력까지 저하시켜 버리는 것을 억제할 수 있다.

점착제층(X2)이 비열팽창성층일 경우, 상기 식으로부터 산출되는 점착제층(X2)의 체적 변화율(％)은 5％ 미만이며, 바람직하게는 2％ 미만, 보다 바람직하게는 1％ 미만, 더 바람직하게는 0.1％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01％ 미만이다.

점착제층(X2)은, 열팽창성 입자를 함유하지 않은 것이 바람직하지만, 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에서 열팽창성 입자를 함유하고 있어도 된다.

점착제층(X2)이 열팽창성 입자를 함유할 경우, 그 함유량은 적을수록 바람직하고, 점착제층(X2)의 전질량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 3질량％ 미만, 보다 바람직하게는 1질량％ 미만, 더 바람직하게는 0.1질량％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01질량％ 미만, 보다 더 바람직하게는 0.001질량％ 미만이다.

점착제층(X2)은, 점착성 수지를 함유하는 점착제 조성물(x-2)로 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 점착제 조성물(x-2)에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다.

(점착제 조성물(x-2))

점착제 조성물(x-2)은, 점착성 수지를 함유하는 것이며, 필요에 따라, 가교제, 점착 부여제, 중합성 화합물, 중합개시제, 상기 각 성분 이외의 일반적인 점착제에 사용되는 점착제용 첨가제 등을 함유하고 있어도 된다.

(점착성 수지)

점착성 수지로서는, 당해 수지 단독으로 점착성을 갖고, 질량 평균 분자량(Mw)이 1만 이상인 중합체이면 된다.

점착성 수지의 질량 평균 분자량(Mw)은, 점착제층(X2)의 점착력을 보다 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 1만 ∼ 200만, 보다 바람직하게는 2만 ∼ 150만, 더 바람직하게는 3만 ∼ 100만이다.

점착성 수지로서는, 점착제 조성물(x-1)이 함유하는 점착제 조성물과 마찬가지인 것을 들 수 있다.

이들 점착성 수지는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 이들 점착성 수지가, 2종 이상의 구성 단위를 가지는 공중합체일 경우, 당해 공중합체의 형태는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 및 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다.

점착제 조성물(x-2)이 함유하는 점착성 수지는, 점착제층(X1)과의 점착력 저하의 작용 기서(機序)를 다르게 하는 관점에서, 당해 점착성 수지를 함유하는 점착제 조성물(x-2)은, 에너지선의 조사에 의해 경화하는 점착제 조성물인 것이 바람직하고, 측쇄에 에너지선 중합성 관능기를 가지는 점착제 조성물인 것이 보다 바람직하다. 당해 점착제 조성물로 형성함으로써, 점착제층(X2)을, 에너지선 조사에 의해 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층으로 할 수 있다. 이에 따라, 점착제층(X1)의 점착 표면은 가열에 의해 점착력이 저하하는 태양으로 하고, 점착제층(X2)의 점착 표면은 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 태양으로 할 수 있어, 서로의 점착제층의 점착력을 저하시키는 작용 기구를 서로 다른 것으로 할 수 있다. 따라서, 어느 일방의 점착제층의 점착력을 저하시키는 처리를 행할 때에, 의도하지 않게 타방의 점착제층의 점착력까지 저하시켜 버리는 것을 억제할 수 있다.

에너지선 중합성 관능기로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등의 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 것을 들 수 있다.

에너지선으로서는, 상기한 것 중에서도, 취급이 용이한 자외선이 바람직하다.

점착제 조성물(x-2)을 에너지선의 조사에 의해 경화하는 점착제 조성물로 할 경우, 당해 점착제 조성물은, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다.

광중합개시제를 함유함으로써, 에너지선 중합성 성분의 중합을 보다 효율적으로 진행시킬 수 있다.

광중합개시제로서는, 점착제 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 광중합개시제와 같은 것을 들 수 있다.

광중합개시제의 함유량은, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 점착성 수지의 전량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5질량부, 더 바람직하게는 0.05 ∼ 2질량부이다.

점착성 수지는, 우수한 점착력을 발현시키는 관점에서, 아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다.

점착제 조성물(x-2) 중에 있어서의 아크릴계 수지의 함유량은, 점착제 조성물(x-2)에 함유되는 점착성 수지의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 30 ∼ 100질량％, 보다 바람직하게는 50 ∼ 100질량％, 더 바람직하게는 70 ∼ 100질량％, 보다 더 바람직하게는 85 ∼ 100질량％이다.

점착제 조성물(x-2) 중에 있어서의 점착성 수지의 함유량은, 점착제 조성물(x-2)의 유효 성분의 전량(100질량％)에 대하여, 바람직하게는 35 ∼ 100질량％, 보다 바람직하게는 50 ∼ 100질량％, 더 바람직하게는 60 ∼ 98질량％, 보다 더 바람직하게는 70 ∼ 95질량％이다.

(가교제)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-2)이 관능기를 가지는 점착성 수지를 함유할 경우, 점착제 조성물(x-2)은, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.

당해 가교제는, 관능기를 가지는 점착성 수지와 반응하여, 당해 관능기를 가교 기점으로 해서, 점착성 수지끼리를 가교하는 것이다.

점착제 조성물(x-2)이 함유하고 있어도 되는 가교제로서는, 점착제 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 가교제와 동등한 것을 들 수 있지만, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수하기 용이함 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.

가교제의 함유량은, 점착성 수지가 가지는 관능기의 수에 따라 적절히 조정되는 것이지만, 관능기를 가지는 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7질량부, 더 바람직하게는 0.05 ∼ 5질량부이다.

(점착 부여제)

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-2)은, 점착력을 보다 향상시키는 관점에서, 점착 부여제를 더 함유하고 있어도 된다.

점착제 조성물(x-2)이 함유하고 있어도 되는 점착 부여제로서는, 점착제 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 점착 부여제와 동등한 것을 사용할 수 있다.

(점착제용 첨가제)

점착제용 첨가제로서는, 점착제 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 점착제용 첨가제와 같은 것을 들 수 있다.

점착제 조성물(x-2)은, 점착성 수지, 필요에 따라 사용되는 가교제, 점착 부여제, 점착제용 첨가제 등을 혼합함으로써 제조할 수 있다.

(점착제층(X2)의 23℃에서의 두께)

점착제층(X2)의 23℃에서의 두께는, 바람직하게는 5 ∼ 150㎛, 보다 바람직하게는 8 ∼ 100㎛, 더 바람직하게는 12 ∼ 70㎛, 보다 더 바람직하게는 15 ∼ 50㎛이다.

점착제층(X2)의 23℃에서의 두께가 5㎛ 이상이면, 충분한 점착력이 얻어지기 쉬워져, 가고정 시에 있어서의 피착체로부터의 의도하지 않은 박리, 피착체의 위치 어긋남 등을 억제할 수 있는 경향이 있다. 한편, 점착제층(X2)의 23℃에서의 두께가 150㎛ 이하이면, 점착 시트의 취급이 용이해지는 경향이 있다.

<박리재>

박리재로서는, 양면 박리 처리된 박리 시트, 편면 박리 처리된 박리 시트 등이 이용되고, 박리재용의 기재 상에 박리재를 도포한 것 등을 들 수 있다.

박리재용의 기재로서는, 예를 들면, 플라스틱 필름, 종이류 등을 들 수 있다. 플라스틱 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름; 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 올레핀 수지 필름 등을 들 수 있고, 종이류로서는, 예를 들면, 상질지, 글라신지, 크래프트지 등을 들 수 있다.

박리재로서는, 예를 들면, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머; 장쇄 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다. 박리재는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

박리재의 두께는, 바람직하게는 10 ∼ 200㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 150㎛, 더 바람직하게는 35 ∼ 80㎛이다.

[점착 시트의 제조 방법]

본 발명의 점착 시트의 제조 방법은, 특별히 제한은 없고, 예를 들면 하기 공정 (1a) ∼ (3a)를 가지는, 점착 시트의 제조 방법을 들 수 있다.

·공정 (1a): 박리재의 박리 처리 표면 상에, 점착제 조성물(x-1)을 도포하여 점착제층(X1)을 형성하는 공정.

공정 (2a): 비열팽창성 기재층(Y2)의 편면에, 수지 조성물(y-1)을 도포하여 비열팽창성 기재층(Y2)과 열팽창성 기재층(Y1)이 적층된 기재 적층체를 형성하는 공정.

·공정 (3a): 공정 (1a)에서 형성한 점착제층(X1)의 점착 표면과, 공정 (2a)에서 형성한 기재 적층체의 열팽창성 기재층(Y1)측의 표면을 첩합하는 공정.

또한, 본 발명의 점착 시트의 다른 제조 방법으로서는, 상기 공정 (1a) ∼ (3a)에 더하여, 상기 공정 (4a) ∼ (5a)를 가지는, 양면 점착 시트의 제조 방법을 들 수 있다.

·공정 (4a): 박리재의 박리 처리 표면 상에, 점착제 조성물(x-2)을 도포하여 점착제층(X2)을 형성하는 공정.

·공정 (5a): 공정 (3a)에서 형성한 점착 시트의 비열팽창성 기재층(Y2)의 표면에, 공정 (4a)에서 형성한 점착제층(X2)의 점착 표면을 첩합하는 공정

상기 점착 시트의 제조 방법에 있어서, 수지 조성물(y-1), 점착제 조성물(x-1), 및 점착제 조성물(x-2)은, 희석 용제를 더 배합해, 용액의 형태로 해도 된다.

도포 방법으로서는, 예를 들면, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 및 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.

또한, 수지 조성물(y-1), 점착제 조성물(x-1), 및 점착제 조성물(x-2)로 형성되는 도막을 건조하는 공정은, 열팽창성 입자의 팽창을 억제하는 관점에서, 건조 온도를 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 미만에서 행하는 것이 바람직하다.

[본 발명의 점착 시트의 용도 및 사용 방법]

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 가고정된 피착체를 가열에 의해 용이하게 박리할 수 있고, 게다가 박리 후의 피착체 표면의 오염을 억제할 수 있으며, 다양한 용도에 적용 가능하다. 구체적으로는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 다이싱할 때에 이용되는 다이싱 시트, 피착체를 연삭하는 공정에 이용되는 백 그라인드 시트, 다이싱에 의해 개편화된 반도체 칩 등의 피착체끼리의 거리를 확대시키기 위해 이용되는 익스팬드 테이프, 반도체 칩 등의 피착체의 표리를 반전시키기 위해 이용되는 전사 테이프, 검사 대상물을 검사하기 위해 가고정하는데 이용되는 가고정용 시트 등에 호적하다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트의 피착체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 화합물 반도체, 반도체 패키지, 전자 부품, 사파이어 기판, 디스플레이, 패널용 기판 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트와 같이, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)를 125℃ 미만으로 했을 경우, 저온에서의 가열 박리가 가능하므로, DAF 부착 반도체 칩 등의 열변화하기 쉬운 피착체를 가고정하는데 호적하다.

또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트와 같이, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)를 50℃ 이상으로 했을 경우, 피착체에 대하여 연삭을 행할 경우 등의 온도 상승에 의한 열팽창성 입자의 의도하지 않은 팽창을 억제할 수 있으므로, 피착체를 연삭하는 공정에 이용되는 백 그라인드 시트로서 이용하는데 호적하다.

본 발명의 일 태양의 점착 시트를 피착체로부터 가열 박리할 때의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상이며, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 높은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 2℃」 이상, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 4℃」 이상, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 5℃」 이상이다. 또한, 에너지 절약성 및 가열 박리 시에 있어서의 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 50℃」 이하, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 40℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 20℃」 이하이다.

또한, 가열 박리할 때의 가열 온도는, 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 팽창 개시 온도(t) 이상의 범위 내에 있어서, 바람직하게는 125℃ 미만, 보다 바람직하게는 120℃ 이하, 더 바람직하게는 115℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 110℃ 이하, 더욱 더 바람직하게는 105℃ 이하이다.

가열의 방식으로서는, 열팽창성 입자가 팽창되는 온도 이상으로 가열할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 전열 히터; 유전 가열; 자기 가열; 근적외선, 중적외선, 및 원적외선 등의 적외선 등의 전자파에 의한 가열 등을 적절히 사용할 수 있다. 한편, 가열 방식은, 가열 롤러, 가열 프레스 등의 접촉형 가열 방식, 및 분위기 가열 장치, 적외선 조사 등의 비접촉형 가열 방식 중 어느 가열 방식이어도 된다.

[반도체 장치의 제조 방법]

본 발명은, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법도 제공한다.

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일 태양으로서는, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를, 피착체를 가공 및 검사의 적어도 어느 일방을 행하기 위한 가고정용 시트로서 사용하는 태양(이하, 「제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법」이라고도 함)을 들 수 있다.

한편, 본 명세서에 있어서, 「반도체 장치」란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리킨다. 예를 들면, 집적 회로를 구비하는 웨이퍼, 집적 회로를 구비하는 박화(薄化)된 웨이퍼, 집적 회로를 구비하는 칩, 집적 회로를 구비하는 박화된 칩, 이들 칩을 포함하는 전자 부품, 및 당해 전자 부품을 구비하는 전자 기기류 등을 들 수 있다.

<제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법>

제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법의 보다 구체적인 태양으로서는, 본 발명의 일 태양의 점착 시트에 가공 검사 대상물을 첩부하고, 당해 가공 검사 대상물에 대하여, 가공 및 검사로부터 선택되는 1 이상을 실시한 후에, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법을 들 수 있다.

가공 검사 대상물로서는, 예를 들면, 반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 화합물 반도체, 반도체 패키지, 전자 부품, LED 소자, 사파이어 기판, 디스플레이, 패널용 기판 등을 들 수 있다.

가공 검사 대상물에 대하여 행해지는 가공은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 연삭 처리, 개편화 처리 등을 들 수 있다.

가공 검사 대상물에 대하여 행해지는 검사는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 광학 현미경, 레이저를 이용한 결함 검사(예를 들면, 티끌 검사, 표면 흠집 검사, 배선 패턴 검사 등), 육안에 의한 표면 검사 등을 들 수 있다.

제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 가공 검사 대상물을 첩부하는 점착 시트의 점착제층은, 점착제층(X1)이어도 되고, 점착 시트가 양면 점착 시트일 경우에는, 점착제층(X2)이어도 된다.

또한, 점착 시트가 양면 점착 시트일 경우, 어느 일방의 점착제층에 가공 검사 대상물을 첩부하고, 어느 타방의 점착제층에 지지체를 첩부하는 것이 바람직하다. 가공 검사 대상물이 점착 시트를 개재하여 지지체에 고정됨으로써, 가공 및 검사의 적어도 어느 일방을 행할 때에, 가공 검사 대상물의 진동, 위치 어긋남, 취약한 가공 검사 대상물의 파손 등을 억제하여, 가공 정밀도 및 가공 속도 그리고 검사 정밀도 및 검사 속도를 향상시킬 수 있다. 이때, 지지체가 점착제층(X1)에 첩부되고, 가공 검사 대상물이 점착제층(X2)에 첩부되는 태양이어도 되고, 가공 검사 대상물이 점착제층(X1)에 첩부되고, 지지체가 점착제층(X2)에 첩부되는 태양이어도 된다.

지지체가 점착제층(X1)에 첩부되고, 가공 검사 대상물이 점착제층(X2)에 첩부되는 태양일 경우, 지지체가 가열 처리 후의 박리성이 우수한 점착제층(X1)에 첩부됨으로써, 지지체가 경질(硬質)인 재질로 구성되는 것이어도, 점착 시트 및 지지체를 굴곡시키지 않고 가열 박리할 수 있다. 또한, 점착제층(X2)은, 가공 검사 대상물의 종류 등에 따라 적절히 조성을 선택하면 되고, 예를 들면, 점착제층(X2)을 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 점착제층으로 하면, 열팽창성 입자에 유래하는 잔사 등에 의해 가공 대상물을 오염시키지 않고 박리할 수 있다.

한편, 가공 검사 대상물이 점착제층(X1)에 첩부되고, 지지체가 점착제층(X2)에 첩부되는 태양일 경우, 가공 검사 대상물이 가열 처리 후의 박리성이 우수한 점착제층(X1)에 첩부됨으로써, 가공 후에 가열 박리할 때, 가공 검사 대상물을 개별적으로 픽업 등 할 필요가 없이, 일괄적으로 용이하게 박리할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 생산성이 우수하다.

또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를, 제조 공정의 일환으로서 가공 검사 대상물을 검사하기 위한 가고정용 시트로서 사용할 경우, 점착 시트의 점착제층(X1)에 복수개의 가공 검사 대상물을 첩부한 상태로 검사를 실시할 수 있다. 검사를 행한 후, 예를 들면, 상기 복수개의 가공 검사 대상물이 첩부되어 있는 점착 시트의 일부를 국소적으로 가열하여, 당해 부분에 첩부되어 있는 특정의 가공 검사 대상물을 선택적으로 가열 박리할 수도 있다. 이때, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 저온에서의 가열 박리가 가능하기 때문에, 가열 박리 작업의 작업성 및 에너지 절약성이 우수함과 함께, 가공 검사 대상물이 열변화하기 쉬운 것이어도, 가열 박리 시의 가열에 의한 가공 검사 대상물의 열변화를 억제할 수 있다

<제2 태양의 반도체 장치의 제조 방법>

제2 태양의 반도체 장치의 제조 방법으로서는, 본 발명의 일 태양의 점착 시트로서, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)가 50℃ 이상 125℃ 미만인 양면 점착 시트를 이용하여, 하기 공정 1A ∼ 3A, 하기 제1 분리 공정, 및 하기 제2 분리 공정을 포함하는 제조 방법(이하, 「제조 방법 A」라고도 함)을 들 수 있다.

공정 1A: 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정

공정 2A: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정

공정 3A: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성 필름을 첩부하는 공정

제1 분리 공정: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정

제2 분리 공정: 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정

이하, 공정 1A ∼ 3A, 제1 분리 공정, 및 제2 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 이하의 설명에서는, 가공 대상물로서 반도체 웨이퍼를 이용할 경우의 예를 주로 설명하지만, 다른 가공 대상물의 경우도 마찬가지이다. 다른 가공 대상물로서는, 가공 검사 대상물로서 든 상기와 마찬가지인 것을 들 수 있다.

(공정 1A)

공정 1A는, 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정이다.

도 3에는, 점착 시트(2b)가 가지는 점착제층(X2)에 반도체 웨이퍼(W)를 첩부하고, 점착제층(X1)에 지지체(3)를 첩부하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.

반도체 웨이퍼(W)는, 회로면인 표면(W1)이 점착제층(X2)측이 되도록 첩부된다.

반도체 웨이퍼(W)는, 실리콘 웨이퍼여도 되고, 갈륨비소, 탄화규소, 사파이어, 탄탈럼산리튬, 니오븀산리튬, 질화갈륨, 인듐 인 등의 웨이퍼, 유리 웨이퍼여도 된다.

반도체 웨이퍼(W)의 연삭 전의 두께는, 통상은 500 ∼ 1000㎛이다.

반도체 웨이퍼(W)의 표면(W1)이 가지는 회로는, 예를 들면, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법에 의해 형성할 수 있다.

지지체(3)의 재질은, 가공 대상물의 종류, 가공 내용 등에 따라, 기계 강도, 내열성 등의 요구되는 특성을 고려 후, 적절히 선택하면 된다.

지지체(3)의 재질로서는, 예를 들면, SUS 등의 금속 재료; 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 비금속 무기 재료; 에폭시 수지, ABS 수지, 아크릴 수지, 엔지니어링 플라스틱, 슈퍼 엔지니어링 플라스틱, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 등의 수지 재료; 유리 에폭시 수지 등의 복합 재료 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, SUS, 유리, 실리콘 웨이퍼가 바람직하다.

상기 엔지니어링 플라스틱으로서는, 예를 들면, 나일론, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등을 들 수 있다.

상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱으로서는, 예를 들면, 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등을 들 수 있다.

지지체(3)는, 점착제층(X1)의 점착 표면의 전면에 첩부되는 것이 바람직하다. 그 때문에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 첩부되는 측의 지지체(3)의 표면의 면적은, 점착제층(X1)의 점착 표면의 면적 이상인 것이 바람직하다. 또한, 점착제층(X1)의 점착 표면에 첩부되는 측의 지지체(3)의 면은 평면상인 것이 바람직하다.

지지체(3)의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 판상(板狀)인 것이 바람직하다.

지지체(3)의 두께는, 요구되는 특성을 고려하여 적절히 선택하면 되지만, 바람직하게는 20㎛ 이상 50㎜ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상 20㎜ 이하이다.

(공정 2A)

공정 2A는, 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정이다.

연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리로서는, 예를 들면, 그라인더 등을 이용하는 연삭 처리; 블레이드 다이싱법, 레이저 다이싱법, 스텔스 다이싱(등록상표)법에 의한 개편화 처리; 블레이드 선다이싱법, 스텔스 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리; 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 스텔스 다이싱법에 의한 개편화 처리, 블레이드 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리, 스텔스 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리가 호적하며, 블레이드 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리, 스텔스 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리가 보다 호적하다.

스텔스 다이싱법은, 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하고, 당해 개질 영역을 분할 기점으로 해서, 반도체 웨이퍼를 개편화하는 방법이다. 반도체 웨이퍼에 형성된 개질 영역은 다광자 흡수에 의해 취질화된 부분이며, 반도체 웨이퍼가 익스팬드에 의해 웨이퍼면과 평행하며 또한 웨이퍼가 확장되는 방향으로 응력이 걸림으로써, 당해 개질 영역을 기점으로 해서 반도체 웨이퍼의 표면 및 이면을 향하여 균열이 신전(伸展)함으로써, 반도체 칩으로 개편화된다. 즉, 개질 영역은, 개편화될 때의 분할선을 따라 형성된다.

개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 레이저광의 입사면은, 반도체 웨이퍼의 표면이어도 이면이어도 된다. 또한, 레이저광 입사면은, 점착 시트가 첩부된 면이어도 되고, 그 경우, 레이저광은 점착 시트를 개재하여 반도체 웨이퍼에 조사된다.

블레이드 선다이싱법은, DBG법(Dicing　Before　Grinding)이라고도 불린다. 블레이드 선다이싱법은, 분할 예정의 라인을 따라, 미리 반도체 웨이퍼에 그 두께보다 얕은 깊이로 홈을 형성한 후, 당해 반도체 웨이퍼를, 연삭면이 적어도 홈에 도달할 때까지 이면 연삭하여 박화시키면서 개편화하는 방법이다. 연삭면이 도달한 홈은, 반도체 웨이퍼를 관통하는 노치가 되고, 반도체 웨이퍼는 당해 노치에 의해 분할되어 반도체 칩으로 개편화된다. 미리 형성되는 홈은, 통상은 반도체 웨이퍼의 표면(회로면)에 설치되는 것이며, 예를 들면, 종래 공지의, 다이싱 블레이드를 구비하는 웨이퍼 다이싱 장치 등을 이용한 다이싱에 의해 형성할 수 있다.

스텔스 선다이싱법은, SDBG법(Stealth　Dicing　Before　Grinding)이라고도 불린다. 스텔스 선다이싱법은, 스텔스 다이싱법과 마찬가지로, 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하고, 당해 개질 영역을 분할 기점으로 해서 반도체 웨이퍼를 개편화하는 방법의 일종이지만, 연삭 처리를 행하여 반도체 웨이퍼를 박화시키면서 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 점이 스텔스 다이싱법과는 다르다. 구체적으로는, 개질 영역을 가지는 반도체 웨이퍼를 이면 연삭하여 박화시키면서, 그때에 반도체 웨이퍼에 걸리는 압력에 의해 당해 개질 영역을 기점으로 해서 반도체 웨이퍼의 점착제층과의 첩부면을 향하여 균열을 신전시켜, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화한다.

한편, 개질 영역을 형성한 후의 연삭 두께는, 개질 영역에 이르는 두께여도 되지만, 엄밀하게 개질 영역에까지 이르지 않아도, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하여 연삭숫돌 등의 가공 압력으로 할단시켜도 된다.

반도체 웨이퍼(W)를 블레이드 선다이싱법에 의해 개편화할 경우, 공정 1A에서 점착제층(X2)에 첩부하는 반도체 웨이퍼(W)의 표면(W1)에는, 미리 홈을 형성해 두는 것이 바람직하다.

한편, 반도체 웨이퍼(W)를 스텔스 선다이싱법에 의해 개편화할 경우에는, 공정 1A에서 점착제층(X2)에 첩부하는 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 레이저광을 조사하여 미리 개질 영역을 형성해 두어도 되고, 점착제층(X2)에 첩부되어 있는 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 레이저광을 조사하여 개질 영역을 형성해도 된다.

도 4에는, 점착제층(X2)에 첩부한 반도체 웨이퍼(W)에 대하여, 레이저광 조사 장치(4)를 이용해서 복수의 개질 영역(5)을 형성하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.

레이저광은 반도체 웨이퍼(W)의 이면(W2)측으로부터 조사되고, 반도체 웨이퍼(W)의 내부에 복수의 개질 영역(5)이 대략 등간격으로 형성되어 있다.

도 5에는, 개질 영역(5)을 형성한 반도체 웨이퍼(W)의 이면(W2)을 그라인더(6)에 의해 연삭하여, 개질 영역(5)을 기점으로 하는 할단에 의해, 반도체 웨이퍼(W)를 박화시키면서 복수의 반도체 칩(CP)으로 개편화하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.

개질 영역(5)이 형성된 반도체 웨이퍼(W)는, 예를 들면, 당해 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고 있는 지지체(3)를 척 테이블 등의 고정 테이블 상에 고정한 상태에서, 그 이면(W2)이 연삭된다.

연삭 후의 반도체 칩(CP)의 두께는, 바람직하게는 5 ∼ 100㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45㎛이다. 또한, 스텔스 선다이싱법에 의해 연삭 처리 및 개편화 처리를 행할 경우, 연삭되어 얻어진 반도체 칩(CP)의 두께를 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45㎛로 하는 것이 용이해진다.

연삭 후의 반도체 칩(CP)의 평면에서 볼 때의 크기는, 바람직하게는 600㎟ 미만, 보다 바람직하게는 400㎟ 미만, 더 바람직하게는 300㎟ 미만이다. 한편, 평면에서 본다는 것은 두께 방향으로 보는 것을 말한다.

개편화 후의 반도체 칩(CP)의 평면에서 볼 때의 형상은, 사각형이도 되고, 직사각형 등의 가늘고 긴 형상이어도 된다.

한편, 제2 태양의 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 점착 시트는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)가 50℃ 이상이기 때문에, 연삭을 행할 경우 등의 온도 상승에 의해, 열팽창성 입자가 의도하지 않게 팽창되어 버리는 사태를 회피할 수 있다. 따라서, 가공 대상물의 의도하지 않은 분리나 위치 어긋남 등이 억제된다.

(공정 3A)

공정 3A는, 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성 필름을 첩부하는 공정이다.

도 6에는, 상기 처리를 실시하여 얻어진 복수의 반도체 칩(CP)의, 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 지지 시트(8)를 구비하는 열경화성 필름(7)을 첩부하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.

열경화성 필름(7)은, 적어도 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물을 제막하여 얻어지는 열경화성을 가지는 필름이며, 반도체 칩(CP)을 기판에 실장할 때의 접착제로서 이용된다. 열경화성 필름(7)은, 필요에 따라, 상기 열경화성 수지의 경화제, 열가소성 수지, 무기 충전재, 경화 촉진제 등을 함유하고 있어도 된다.

열경화성 필름(7)으로서는, 예를 들면, 다이본딩 필름, 다이아 터치 필름 등으로서 일반적으로 사용되고 있는 열경화성 필름을 사용할 수 있다.

열경화성 필름(7)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 통상은 1 ∼ 200㎛이며, 바람직하게는 3 ∼ 100㎛, 보다 바람직하게는 5 ∼ 50㎛이다.

지지 시트(8)는, 열경화성 필름(7)을 지지할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 가지는 비열팽창성 기재층(Y2)으로서 들어진 수지, 금속, 및 지재 등을 들 수 있다.

열경화성 필름(7)을, 복수의 반도체 칩(CP)에 첩부하는 방법으로서는, 예를 들면, 라미네이트에 의한 방법을 들 수 있다.

라미네이트는 가열하면서 행해도 되고, 비가열로 행해도 된다. 라미네이트를 가열하면서 행할 경우의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창을 억제하는 관점 및 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 낮은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 5℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 10℃」 이하, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 15℃」 이하이다.

(제1 분리 공정)

제1 분리 공정은, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정이다.

도 7에는, 점착 시트(2b)를 가열하여, 점착제층(X1)과 지지체(3)를 분리하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.

제1 분리 공정에 있어서의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상이며, 120℃ 이하의 범위에 있어서, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 높은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 2℃」 이상, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 4℃」 이상, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 5℃」 이상이다. 또한, 제1 분리 공정에 있어서의 가열 온도는 에너지 절약성 및 가열 박리 시에 있어서의 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 125℃ 미만의 범위에 있어서, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 50℃」 이하, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 40℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) ＋ 20℃」 이하이다.

제1 분리 공정에 있어서의 가열 온도는, 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 팽창 개시 온도(t) 이상의 범위 내에 있어서, 바람직하게는 120℃ 이하, 보다 바람직하게는 115℃ 이하, 더 바람직하게는 110℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 105℃ 이하이다.

(제2 분리 공정)

제2 분리 공정은, 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정이다.

도 8에는, 점착제층(X2)과 복수의 반도체 칩(CP)을 분리하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.

점착제층(X2)과 복수의 반도체 칩(CP)을 분리하는 방법은, 점착제층(X2)의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. 예를 들면, 점착제층(X2)이, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 점착제층일 경우에는, 점착제층(X2)에 대하여 에너지선 조사를 행하고, 점착력을 저하시키고 나서 분리하면 된다.

상기 공정 1A ∼ 3A, 상기 제1 분리 공정, 및 상기 제2 분리 공정을 거쳐, 열경화성 필름(7) 상에 첩부된 복수의 반도체 칩(CP)을 얻을 수 있다.

다음으로, 복수의 반도체 칩(CP)이 첩부되어 있는 열경화성 필름(7)을, 반도체 칩(CP)과 같은 형상으로 분할하여, 열경화성 필름(7) 부착 반도체 칩(CP)을 얻는 것이 바람직하다. 열경화성 필름(7)의 분할 방법으로서는, 예를 들면, 레이저광에 의한 레이저 다이싱, 익스팬드, 용단(溶斷) 등의 방법을 적용할 수 있다.

도 9에는, 반도체 칩(CP)과 같은 형상으로 분할된 열경화성 필름(7) 부착 반도체 칩(CP)이 나타나 있다.

열경화성 필름(7) 부착 반도체 칩(CP)은, 또한, 필요에 따라, 반도체 칩(CP)끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정, 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩(CP)을 배열시키는 재배열 공정, 복수의 반도체 칩(CP)의 표리를 반전시키는 반전 공정 등이 적절히 실시된 후, 열경화성 필름(7)측으로부터 기판에 첩부(다이아 터치)된다. 그 후, 열경화성 필름을 열경화시킴으로써 반도체 칩과 기판을 고착할 수 있다.

본 발명의 일 태양의 반도체 장치의 제조 방법은, 제조 방법 A에 있어서, 공정 3A를 포함하지 않는 것이어도 된다. 공정 3A를 포함하지 않을 경우, 제1 분리 공정은, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정이어도 된다.

제2 태양의 반도체 장치의 제조 방법은, 하기 공정 1B ∼ 3B, 하기 제1 분리 공정, 및 하기 제2 분리 공정을 포함하는 제조 방법(이하, 「제조 방법 B」라고도 함)이어도 된다.

공정 1B: 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 지지체를 첩부하는 공정

공정 2B: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정

공정 3B: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X1)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정

제1 분리 공정: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정

제2 분리 공정: 점착제층(X2)과 상기 지지체를 분리하는 공정

공정 1B ∼ 3B는, 공정 1A ∼ 3A의 설명에 있어서의 점착제층(X1)을 점착제층(X2)으로, 점착제층(X2)을 점착제층(X1)으로 치환하여 설명되는 것이다.

제1 분리 공정은, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정이다.

제1 분리 공정에 있어서의 점착 시트의 가열 온도 등의 가열 조건은, 제조 방법 A에 있어서의 설명과 같다.

제1 분리 공정에 의해, 열경화성 필름 상에 첩부된 복수의 반도체 칩을 얻을 수 있다. 그 후, 상기한 제조 방법 A의 경우와 같이, 열경화성 필름을 분할하여, 열경화성 필름 부착 반도체 칩을 얻을 수 있다.

제2 분리 공정은, 점착제층(X2)과 상기 지지체를 분리하는 공정이다.

점착제층(X2)과 지지체를 분리하는 방법은, 점착제층(X2)의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. 예를 들면, 점착제층(X2)이, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 점착제층일 경우에는, 점착제층(X2)에 대하여 에너지선 조사를 행해, 점착력을 저하시키고 나서 분리하면 된다.

본 발명의 일 태양의 반도체 장치의 제조 방법은, 제조 방법 B에 있어서, 공정 3B를 포함하지 않는 것이어도 된다. 공정 3B를 포함하지 않을 경우, 제1 분리 공정은, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정이어도 된다.

<다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법>

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기한 제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법으로 한정되는 것이 아니고, 제1 태양과는 다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법이어도 된다.

다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법의 다른 일례로서는, 다른 시트에 첩부되어 있는 가공 대상물을, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를 이용하여, 당해 다른 시트로부터 분리시키는 방법을 들 수 있다.

예를 들면, 익스팬드 테이프 상에서 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩은, 익스팬드 테이프의 점착 표면에 첩부되어 있지만, 이들 칩을 1개씩 픽업하는 작업은 번잡하다. 본 발명의 일 태양의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 익스팬드 테이프 상에 첩부된 복수의 반도체 칩의 표출면에, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 점착제층(X1)을 첩부하고, 그 다음에, 복수의 반도체 칩으로부터 익스팬드 테이프를 박리함으로써, 익스팬드 테이프로부터 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 분리할 수 있다.

상기한 공정을 거쳐, 본 발명의 일 태양의 점착 시트 상에 첩부된 복수의 반도체 칩을 얻을 수 있다. 당해 복수의 반도체 칩은, 그 후, 점착 시트를 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열함으로써, 용이하게 분리할 수 있다. 이때, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 저온에서의 가열 박리가 가능하기 때문에, 가열 박리 작업의 작업성 및 에너지 절약성이 우수함과 함께, 가공 대상물이 열변화하기 쉬운 것이어도, 가열 박리 시의 가열에 의한 피착체의 열변화를 억제할 수 있다.

분리된 복수의 반도체 칩은, 다른 점착 시트로 전사되어도 되고, 일단 분리한 후, 복수의 반도체 칩을 정렬시키는 재배열 공정에 제공되어도 된다.

(실시예)

본 발명에 대해서, 이하의 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다. 한편, 이하의 합성예, 제조예, 및 실시예에 있어서의 물성치는, 이하의 방법에 의해 측정한 값이다.

[질량 평균 분자량(Mw)]

겔 침투 크로마토그래프 장치(도소 가부시키가이샤제, 제품명 「HLC-8020」)를 이용하여, 하기의 조건 하에서 측정해, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 이용했다.

(측정 조건)

·칼럼: 「TSK　guard　column　HXL-L」 「TSK　gel　G2500HXL」 「TSK　gel G2000HXL」 「TSK　gel　G1000HXL」(모두 도소 가부시키가이샤제)를 순차 연결한 것

·칼럼 온도: 40℃

·전개 용매: 테트라히드로퓨란

·유속: 1.0mL／min

[각 층의 두께]

가부시키가이샤 테크로크제의 정압 두께 측정기(형번: 「PG-02 J」, 표준 규격: JIS　K6783, Z1702, Z1709에 준거)를 이용하여 측정했다.

[열팽창성 입자의 평균 입자경(D₅₀), 90％ 입자경(D₉₀)]

레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예를 들면, Malvern사제, 제품명 「마스터 사이더 3000」)를 이용하여, 23℃에서의 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포를 측정했다.

그리고, 입자 분포의 입자경이 작은 쪽으로부터 계산한 누적 체적 빈도가 50％ 및 90％에 상당하는 입자경을, 각각 「열팽창성 입자의 평균 입자경(D₅₀)」 및 「열팽창성 입자의 90％ 입자경(D₉₀)」으로 했다.

[기재의 저장 탄성률 E']

종 5㎜×횡 30㎜로 재단한 열팽창성 기재층(Y1)과 비열팽창성 기재층(Y2)을 시험 샘플로 하여, 동적 점탄성 측정 장치(TA 인스트루먼트사제, 제품명 「DMAQ800」)를 이용하여, 시험 개시 온도 0℃, 시험 종료 온도 200℃, 승온 속도 3℃／분, 진동 수 1㎐, 진폭 20㎛의 조건으로, 소정의 온도에서의 저장 탄성률 E'를 측정했다.

[기재의 23℃에서의 영률]

시험 속도 200㎜／분에서 JISK-7127(1999)에 준거하여, 열팽창성 기재층(Y1) 및 비열팽창성 기재층(Y2)의 영률을 측정했다.

이하의 제조예에 있어서, 각 층의 형성에 사용한 점착성 수지, 첨가제, 열팽창성 입자, 및 박리재의 상세는 이하와 같다.

<점착성 수지>

·아크릴계 공중합체(A1): n-부틸아크릴레이트(BA)／메틸메타크릴레이트(MMA)／아크릴산(AA)／2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)＝86／8／1／5(질량비)로 이루어지는 원료 모노머에 유래하는 구성 단위를 가지는, Mw60만의 아크릴계 공중합체를 포함하는 용액, 희석 용제: 아세트산에틸, 고형분 농도: 40질량％

·아크릴계 공중합체(A2): 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA)／아크릴산(AA)／2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)＝92.8／0.2／7(질량비)로 이루어지는 원료 모노머에 유래하는 구성 단위를 가지는, Mw60만의 아크릴계 공중합체를 포함하는 용액, 희석 용제: 아세트산에틸, 고형분 농도: 35질량％

·아크릴계 공중합체(A3): 니혼고세이가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명 「코포닐　N-9177」, 아크릴계 공중합체를 포함하는 점착제 용액

·아크릴계 공중합체(A4): 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA)／메틸메타크릴레이트(MMA)／2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)＝60／30／10(질량비)으로 이루어지는 원료 모노머에 유래하는 구성 단위를 가지는, Mw60의 아크릴계 공중합체를 포함하는 용액, 희석 용제: 아세트산에틸, 고형분 농도: 40질량％

·아크릴계 공중합체(A5): n-부틸아크릴레이트(BA)／메틸메타크릴레이트(MMA)／2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA)＝52／20／28(질량비)로 이루어지는 원료 모노머에 유래하는 구성 단위를 가지는 아크릴계 공중합체에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를 아크릴계 공중합체 중의 전체 수산기에 대한 부가율이 몰수 기준으로 80％가 되도록 반응시킨, Mw50만의 에너지선 경화성의 아크릴계 공중합체를 포함하는 용액, 희석 용제: 아세트산에틸, 고형분 농도: 35질량％

<첨가제>

·이소시아네이트계 가교제(ⅰ): 도소 가부시키가이샤제, 제품명 「콜로네이트 HX」, 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트형 변성체를 포함하는 용액, 고형분 농도: 75질량％

·이소시아네이트계 가교제(ⅱ): 도소 가부시키가이샤제, 제품명 「콜로네이트 L」, 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트를 포함하는 용액, 고형분 농도: 75질량％

·에너지선 경화성 화합물: 니혼고세이가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명 「시코우 UT-4332」, 다관능 우레탄 아크릴레이트

·광중합개시제(ⅰ): 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드

·광중합개시제(ⅱ): 1-히드록시시클로헥실페닐케톤

·프타로시아닌계 안료

<열팽창성 입자>

·열팽창성 입자: AkzoNobel사제, 제품명 「Ex㎩ncel(등록상표) 031-40」(DU타입), 팽창 개시 온도(t)＝88℃, 평균 입자경(D₅₀)＝12.6㎛, 90％ 입자경(D₉₀)＝26.2㎛

<박리재>

·중박리 필름: 린텍 가부시키가이샤제, 제품명 「SP-PET382150」, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름의 편면에 실리콘계 박리재로 형성한 박리재층을 설치한 것, 두께: 38㎛

·경박리 필름: 린텍 가부시키가이샤제, 제품명 「SP-PET381031」, PET 필름의 편면에 실리콘계 박리재로 형성한 박리재층을 설치한 것, 두께: 38㎛

제조예 1-1: 점착제층(X1-A1)의 형성

아크릴계 공중합체(A1)의 고형분 100질량부에, 이소시아네이트계 가교제(ⅰ) 0.74질량부(고형분비)를 배합하고, 톨루엔으로 희석해, 균일하게 교반하여, 고형분 농도(유효 성분 농도) 25질량％의 점착제 조성물(x-1-A1)을 조제했다.

그리고, 경박리 필름의 박리면 상에, 조제한 점착제 조성물(x-1-A1)을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 100℃에서 60초간 건조하여, 두께 5㎛의 점착제층(X1-A1)을 형성했다.

제조예 1-2: 점착제층(X1-A2)의 형성

아크릴계 공중합체(A1)를, 아크릴계 공중합체(A2)로 변경하고, 이소시아네이트계 가교제(ⅰ)의 배합량을 당해 아크릴계 공중합체(A2)의 고형분 100질량부에 대하여 4.76질량부(고형분비)로 변경한 것 이외는, 제조예 1-1과 마찬가지인 방법에 의해, 고형분 농도(유효 성분 농도) 25질량％의 점착제 조성물(x-1-A2)을 조제하고, 두께 5㎛의 점착제층(X1-A2)을 형성했다.

제조예 1-3: 점착제층(X1-A3)의 형성

아크릴계 공중합체(A1)를, 아크릴계 공중합체(A3)로 변경하고, 이소시아네이트계 가교제(ⅰ)의 배합량을 당해 아크릴계 공중합체(A3)의 고형분 100질량부에 대하여 3.85질량부(고형분비)로 변경한 것 이외는, 제조예 1-1과 마찬가지인 방법에 의해, 고형분 농도(유효 성분 농도) 25질량％의 점착제 조성물(x-1-A3)을 조제하고, 두께 5㎛의 점착제층(X1-A3)을 형성했다.

제조예 1-4: 점착제층(X1-A4)의 형성

아크릴계 공중합체(A1)를, 아크릴계 공중합체(A4)로 변경하고, 이소시아네이트계 가교제(ⅰ)의 배합량을 당해 아크릴계 공중합체(A4)의 고형분 100질량부에 대하여 15.8질량부(고형분비)로 변경한 것 이외는, 제조예 1-1과 마찬가지인 방법에 의해, 고형분 농도(유효 성분 농도) 25질량％의 점착제 조성물(x-1-A4)을 조제하고, 두께 5㎛의 점착제층(X1-A4)을 형성했다.

제조예 2: 점착제층(X2)의 형성

에너지선 경화성의 점착성 수지인 아크릴계 공중합체(A5)의 고형분 100질량부에, 에너지선 경화성 화합물을 4.2질량부, 이소시아네이트계 가교제(ⅱ)를 0. 74질량부, 광중합개시제(ⅰ)를 1질량부 배합하고, 톨루엔으로 희석해, 균일하게 교반하여, 고형분 농도(유효 성분 농도) 30질량％의 점착제 조성물(x-2-A5)을 조제했다.

그리고, 중박리 필름의 박리면 상에, 조제한 점착제 조성물(x-2-A5)을 도포하여 도막을 형성하고, 당해 도막을 100℃에서 60초간 건조하여, 두께 20㎛의 점착제층(X2-A5)을 형성했다.

제조예 3: 열팽창성 기재층(Y1)과 비열팽창성 기재층(Y2)을 적층한 기재 적층체의 형성

(1) 무용제형 수지 조성물(y-1a)의 조제

에스테르형 디올과, 이소포론디이소시아네이트(IPDI)를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량(Mw) 5000의 2관능의 아크릴우레탄계 올리고머를 얻었다.

그리고, 상기에서 합성한 아크릴우레탄계 올리고머 40질량％(고형분비)에, 에너지선 중합성 모노머로서, 이소보르닐아크릴레이트(IBXA) 40질량％(고형분비), 및 페닐히드록시프로필아크릴레이트(HPPA) 20질량％(고형분비)를 배합하고, 아크릴우레탄계 올리고머 및 에너지선 중합성 모노머의 전량(100질량부)에 대하여, 광중합개시제(ⅱ)를 2.0질량부(고형분비), 및 첨가제로서, 프타로시아닌계 안료 0.2질량부(고형분비)를 더 배합해, 에너지선 경화성 조성물을 조제했다.

그리고, 당해 에너지선 경화성 조성물에, 열팽창성 입자(ⅰ)를 배합해, 용제를 함유하지 않는, 무용제형 수지 조성물(y-1a)을 조제했다.

한편, 무용제형 수지 조성물(y-1a)의 전량(100질량％)에 대한, 열팽창성 입자(ⅰ)의 함유량은 20질량％로 했다.

(2) 열팽창성 기재층(Y1)과 비열팽창성 기재층(Y2)을 적층한 기재 적층체의 형성　

비열팽창성 기재층(Y2)으로서, PET 필름(도요보 가부시키가이샤제, 제품명 「코스모샤인 A4300」, 두께: 50㎛)을 이용해, 당해 PET 필름의 편면에 무용제형 수지 조성물(y-1a)을 도포하여 도막을 형성했다.

그리고, 자외선 조사 장치(아이그라픽스 가부시키가이샤제, 제품명 「ECS-401GX」) 및 고압 수은 램프(아이그라픽스 가부시키가이샤제, 제품명 「H04-L41」)를 이용하여, 조도 160mW／㎠, 광량 500mJ／㎠의 조건으로 자외선 조사하고, 당해 도막을 경화시켜, 두께 100㎛의 열팽창성 기재층(Y1)을 비열팽창성 기재층(Y2)으로서의 PET 필름 상에 형성했다. 한편, 자외선 조사 시의 상기한 조도 및 광량은, 조도·광량계(EIT사제, 제품명 「UV　Power Puck Ⅱ」)를 이용하여 측정한 값이다.

한편, 열팽창성 기재층(Y1)의 23℃에서의 저장 탄성률 E'는 5.0×10⁸㎩이었다.

또한, 열팽창성 기재층(Y1)의 23℃에서의 영률은 330㎫이며, 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률은 2000㎫이었다.

실시예 1

제조예 1-1에서 형성한 점착제층(X1-A1)의 점착 표면과, 제조예 3에서 형성한 기재 적층체의 열팽창성 기재층(Y1) 표면을 첩합했다. 다음으로, 제조예 2에서 형성한 점착제층(X2-A5)의 점착 표면과, 당해 기재 적층체의 PET 필름 표면을 첩합했다.

이에 따라, 이하의 구성을 가지는 점착 시트를 제작했다.

<경박리 필름>／<점착제층(X1-A1), 두께: 5㎛>／<열팽창성 기재층(Y1), 두께: 100㎛>／<비열팽창성 기재층(Y2), 두께: 50㎛>／<점착제층(X2-A5), 두께: 20㎛>／<중박리 필름>

실시예 2

제조예 1-2에서 형성한 점착제층(X1-A2)을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이하의 구성을 가지는 점착 시트를 제작했다.

<경박리 필름>／<점착제층(X1-A2), 두께: 5㎛>／<열팽창성 기재층(Y1), 두께: 100㎛>／<비열팽창성 기재층(Y2), 두께: 50㎛>／<점착제층(X2-A5), 두께: 20㎛>／<중박리 필름>

비교예 1

제조예 1-3에서 형성한 점착제층(X1-A3)을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이하의 구성을 가지는 점착 시트를 제작했다.

<경박리 필름>／<점착제층(X1-A3), 두께: 5㎛>／<열팽창성 기재층(Y1), 두께: 100㎛>／<비열팽창성 기재층(Y2), 두께: 50㎛>／<점착제층(X2-A5), 두께: 20㎛>／<중박리 필름>

비교예 2

제조예 1-4에서 형성한 점착제층(X1-A4)을 이용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 이하의 구성을 가지는 점착 시트를 제작했다.

<경박리 필름>／<점착제층(X1-A4), 두께: 5㎛>／<열팽창성 기재층(Y1), 두께: 100㎛>／<비열팽창성 기재층(Y2), 두께: 50㎛>／<점착제층(X2-A5), 두께: 20㎛>／<중박리 필름>

[점착제층(X1)의 초기 점착력의 평가]

실시예 1 및 2 그리고 비교예 1 및 2에서 제작한 점착 시트의 경박리 필름을 제거하고, 표출된 점착제층(X1)의 점착 표면을, 피착체인 소다 라임 유리판에 무게 2㎏의 롤러로 1 왕복시켜 첩부한 후, 23℃, 50％RH(상대습도)의 환경 하에서, 20분간 정치한 것을 시험 샘플로 했다.

그리고, 만능형 인장 시험기(가부시키가이샤 오리엔테크제, 형번: 텐시론 RTC-1210A)를 이용하여, 23℃, 50％RH(상대습도)의 환경 하에서, JIS　Z0237:2000에 의거하여, 180℃ 박리법에 의해, 인장 속도 300㎜／분으로, 시험 샘플의 23℃에서의 점착력을 측정했다.

시험 샘플의 초기 점착력은 각각 2회 측정하고, 그 평균치를 산출했다. 한편, 실시예 1 및 2 그리고 비교예 1 및 2에 있어서의 점착 시트 중 어느 점착제층(X1-A1, X1-A2, X1-A3, 및 X1-A4)이나, 피착체인 소다 라임 유리판이 자중(自重)으로는 벗겨져 떨어지지 않는 레벨로 첩부되어 있는 것을 확인했다.

[자기 박리성의 평가]

30㎜×30mm×1.1㎜의 소다 라임 유리판을 2매 준비했다. 이하, 2매의 소다 라임 유리판을, 각각 「유리판 G1」 및 「유리판 G2」라고 한다.

실시예 1-2 및 비교예 1-2에서 제작한 점착 시트를 30㎜×30㎜로 재단하고, 재단한 점착 시트의 열팽창성 기재층(Y1)측의 점착제층(X1-A1, X1-A2, X1-A3, 및 X1-A4)으로부터, 경박리 필름을 제거하여, 유리판 G1을 첩부했다. 그 다음에, 비열팽창성 기재층(Y2)측의 점착제층(X2-A5)으로부터 중박리 필름을 제거하여 유리판 G2를 첩부한 후, 진공 라미네이터(닛코머터리얼즈 가부시키가이샤제, 제품명 「V-130」)로, 60℃에서 0.2㎫의 조건으로 30초간 프레스하여 시험 샘플을 제작했다.

그리고, 시험 샘플을 핫플레이트 상에 재치하고, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도 이상인 100℃에서 5분간 가열했다. 한편, 시험 샘플은, 유리판 G2측이 핫플레이트와 접촉하는 측이 되고, 점착 시트측이 핫플레이트와 접촉하지 않는 측이 되도록 핫플레이트에 재치했다.

100℃에서 5분간 가열한 후, 유리판 G1의 점착 시트로부터의 박리 상태를 육안으로 확인하고, 이하의 기준에 의해 자기 박리성을 평가했다.

A: 유리판 G1의 전면이 점착 시트로부터 박리하고 있다.

F: 유리판 G1의 일부 또는 전부가 점착 시트로부터 박리하고 있지 않다.

[점착제층(X1)의 영률의 평가]

(1) 평가용 샘플의 제작

양면에 PET계 박리 필름(린텍 가부시키가이샤제, 제품명 「SP-PET38 1031」, 두께: 38㎛)이 첩부된, 두께 400㎛의 점착제층(X1-A1), 점착제층(X1-A2), 점착제층(X1-A3), 및 점착제층(X1-A4)을 제작했다.

(2) 인장 시험

제작한 평가용 샘플을, 15㎜×140㎜로 잘라내어, 양단 20㎜ 부분에 필름 인장용 라벨을 첩부하고, 15㎜×100㎜의 덤벨형 샘플을 제작했다. 그리고, 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼제, 오토 그래프 AG-100N XPlus로 속도 200㎜／min에서 인장을 행했을 때의 영률을 측정했다.

평가 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

표 1에서, 실시예 1 및 2의 점착 시트는, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하이며, 또한 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높기 때문에, 자기 박리성이 양호한 것을 알 수 있다. 이에 대해, 비교예 1 및 2의 점착 시트는, 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫보다 크기 때문에, 자기 박리성이 나빠지는 것을 알 수 있다.

1a, 1b, 2a, 2b: 점착 시트
10, 10a, 10b: 박리재
3: 지지체
4: 레이저광 조사 장치
5: 개질 영역
6: 그라인더
7: 열경화성 필름
8: 지지 시트
W: 반도체 웨이퍼
W1: 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 회로면
W2: 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 이면
CP: 반도체 칩

Claims (15)

1. 　점착제층(X1)과, 열팽창성 입자를 포함하는 열팽창성 기재층(Y1)과, 비열팽창성 기재층(Y2)이, 이 순으로 배치된 적층 구조를 갖고,
   상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률이 5.0㎫ 이하이며,
   상기 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률보다 높은, 점착 시트.
2. 제1항에 있어서,
   상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께가 3 ∼ 10㎛인, 점착 시트.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 영률(단위: ㎫)과, 상기 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께(단위: ㎛)와의 곱이, 0.3 ∼ 50인, 점착 시트.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 점착제층(X1)이, 아크릴계 수지와 이소시아네이트계 가교제를 포함하는 점착제 조성물(x-1)로 형성된 층인, 점착 시트.
5. 제4항에 있어서,
   상기 이소시아네이트계 가교제가, 이소시아누레이트환을 가지는 이소시아누레이트형 변성체를 포함하는, 점착 시트.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 비열팽창성 기재층(Y2)의 23℃에서의 영률이 700㎫ 이상인, 점착 시트.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 비열팽창성 기재층(Y2)이, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인, 점착 시트.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 비열팽창성 기재층(Y2)의, 상기 열팽창성 기재층(Y1)의 적층면과는 반대측의 면에, 점착제층(X2)을 더 가지는, 점착 시트.
9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 열팽창성 입자는, 팽창 개시 온도(t)가 50℃ 이상 125℃ 미만인, 점착 시트.
10. 제8항에 있어서,
    상기 열팽창성 입자는, 팽창 개시 온도(t)가 50℃ 이상 125℃ 미만인, 점착 시트.
11. 제10항에 있어서,
    상기 점착제층(X2)이, 에너지선을 조사함으로써 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층인, 점착 시트.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트에 가공 검사 대상물을 첩부하고,
    상기 가공 검사 대상물에 대하여, 가공 및 검사로부터 선택되는 1 이상을 실시한 후에, 상기 점착 시트를, 상기 점착 시트가 가지는 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
13. 제10항 또는 제11항에 기재된 점착 시트를 이용하여, 하기 공정 1A ∼ 3A, 하기 제1 분리 공정, 및 하기 제2 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
    공정 1A: 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정
    공정 2A: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정
    공정 3A: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정
    제1 분리 공정: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 상기 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정
    제2 분리 공정: 상기 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정
14. 제10항 또는 제11항에 기재된 점착 시트를 이용하여, 하기 공정 1B ∼ 3B, 하기 제1 분리 공정, 및 하기 제2 분리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
    공정 1B: 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 지지체를 첩부하는 공정
    공정 2B: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정
    공정 3B: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X1)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정
    제1 분리 공정: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 125℃ 미만으로 가열하여, 상기 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정
    제2 분리 공정: 상기 점착제층(X2)과 상기 지지체를 분리하는 공정
15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    제11항에 기재된 점착 시트를 이용하여,
    상기 제2 분리 공정이, 점착제층(X2)에 에너지선을 조사함으로써 점착제층(X2)을 경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
    

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