KR102390521B1 - 보호막 형성용 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 보호막 형성용 필름은, 반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름이며, 경화 후의 필름 표면의 쇼어 D 경도가 55 이상임과 함께, 영률(23℃)이 1.0×109Pa 이상이다.

Description

보호막 형성용 필름
본 발명은, 예를 들어 반도체 칩의 이면을 보호하기 위하여 사용되는 보호막 형성용 필름에 관한 것이다.
종래, 페이스 다운 방식이라고 불리는 실장법을 사용한 반도체 장치의 제조가 행하여지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서, 반도체 칩은, 범프 등의 전극이 형성된 칩 표면이 기판 등에 대향되어 접합되는 한편, 칩 이면이 노출되기 때문에 보호막에 의해 보호되고 있다. 보호막은, 예를 들어 보호막 형성용 필름에 의해 형성되는 것이 알려져 있다. 보호막 형성용 필름은, 예를 들어 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 에폭시 수지 등을 포함하는 열 경화성 성분과, 아크릴계 중합체 등을 포함하는 결합제 중합체 성분을 함유하는 것이 알려져 있다.
보호막 형성용 필름을 사용하는 경우에는, 먼저 반도체 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 필름을 부착하고, 보호막 형성용 필름을 경화하고, 그 후, 경화된 보호막 형성 필름과 함께, 반도체 웨이퍼를 다이싱에 의해 개편화(個片化)하여, 보호막 부착 반도체 칩을 얻는 것이 일반적이다. 반도체 웨이퍼는, 다이싱 시, 웨이퍼 이면에 부착된 다이싱 시트 등에 의해 보유 지지된다. 또한, 다이싱에 의해 개편화된 반도체 칩은, 다이싱 시트 등을 개재하여 이면측으로부터 니들에 의해 밀려 올라가고, 콜릿 등에 의해 픽업되는 것이 일반적이다.
WO2014/1587426호
그런데, 반도체 웨이퍼는, 다이싱을 안정되게 행하기 위하여, 높은 접착력으로 다이싱 테이프에 보유 지지되는 것이 바람직하다. 그러나, 다이싱 테이프의 접착력을 높이면, 반도체 칩을 픽업할 때의 픽업력도 높아져, 니들 자국이 보호막 표면에 발생하는 문제가 생기기 쉬워진다.
본 발명은 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 보호막 표면에 니들 자국이 발생하는 것이 방지되는 보호막 형성용 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자는 예의 검토한 결과, 경화 후의 보호막 형성용 필름의 쇼어 D 경도 및 영률을 일정 값 이상으로 함으로써, 픽업 시에 보호막에 형성되는 니들 자국을 억제할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 본 발명은 이하의 (1) 내지 (10)을 제공한다.
(1) 반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름이며,
경화 후의 필름 표면의 쇼어 D 경도가 55 이상임과 함께, 경화 후의 영률(23℃)이 1.0×109Pa 이상인 보호막 형성용 필름.
(2) 아크릴계 중합체 (A) 및 에폭시계 경화성 성분 (B)를 함유하는 상기 (1)에 기재된 보호막 형성용 필름.
(3) 에폭시계 경화성 성분 (B)가, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)을 포함하는 상기 (2)에 기재된 보호막 형성용 필름.
(4) 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)이 하기의 일반식（I）또는 (Ⅱ)로 표시되는 화합물인 상기 (3)에 기재된 보호막 형성용 필름.
Figure 112017083893339-pct00001
(단, 일반식（I）에 있어서, CR은 축합 다환식 방향족 탄화수소기를 나타내고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, m은 2 내지 6의 정수를 나타냄)
Figure 112017083893339-pct00002
(단, 일반식 (Ⅱ)에 있어서, CR1 및 CR2는 축합 다환식 방향족 탄화수소기를 나타내고, 이들 축합 다환식 방향족 탄화수소기는 동일할 수도 상이할 수도 있고, R2는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 해당 탄화수소기는 치환기를 갖고 있을 수도 있고, R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 글리시딜에테르기를 나타내고, n은 0 내지 3의 정수를 나타내고, p는 0 내지 10의 정수이며, p가 0인 경우에는 R2는 단결합을 나타내고, q는 1 내지 3의 정수를 나타냄)
(5) 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체가, 알킬기의 탄소수가 1 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 상기 (2) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름.
(6) 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체가 메틸(메트)아크릴레이트를 포함하는 상기 (2) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름.
(7) 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체가 메틸아크릴레이트를 포함하는 상기 (2) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름.
(8) 충전재 (C)를 함유하는 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름.
(9) 지지 시트와, 상기 지지 시트 위에 설치되는, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트.
(10) 반도체 칩과, 상기 반도체 칩 위에 설치되고, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 필름을 경화하여 이루어지는 보호막을 구비하는 보호막 부착 칩.
본 발명에 있어서는, 픽업 시에 보호막에 발생하는 니들 자국을 억제하는 것이 가능한 보호막 형성용 필름을 제공한다.
이하, 본 발명에 대하여, 그 실시 형태를 사용하여 구체적으로 설명한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」 및 「메타크릴」의 양쪽을 나타내는 용어로서 사용하고, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다.
[보호막 형성용 필름]
본 발명에 관한 보호막 형성용 필름은, 반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 필름이며, 경화 후의 필름 표면의 쇼어 D 경도가 55 이상임과 함께, 경화 후의 영률(23℃)이 1.0×109Pa 이상이 되는 것이다.
보호막 형성용 필름은, 상기 쇼어 D 경도가 55 미만이 되거나, 또는 영률이 1.0×109Pa 미만이 되면, 보호막이 소성 변형되기 쉬워져, 보호막 부착 칩을 니들로 밀어올릴 때, 니들 자국이 필름 표면에 발생하기 쉬워져, 본 발명의 효과를 얻지 못하게 된다.
보호막 형성용 필름은, 상기한 쇼어 D 경도가 58 이상임과 함께, 영률(23℃)이 2.0×109Pa 이상인 것이 바람직하고, 쇼어 D 경도가 62 이상, 영률(23℃)이 5.0×109Pa 이상인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에서는, 이와 같이 쇼어 D 경도 및 영률을 보다 높임으로써, 높은 픽업력으로 반도체 칩을 픽업해도 니들 자국이 보호막 표면에 발생하기 어려워진다.
또한, 쇼어 D 경도 및 영률(23℃)의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 보호막이 취화되는 것을 방지하며, 또한 신뢰성 등을 높이기 쉽게 하는 관점에서, 쇼어 D 경도가 90 이하임과 함께, 영률(23℃)이 9.0×1010Pa 이하인 것이 바람직하고, 쇼어 D 경도가 80 이하임과 함께, 영률(23℃)이 5.0×1010Pa 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서의 보호막 형성용 필름의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 통상 결합제 수지와, 열 경화성 성분을 함유하는 것이다. 결합제 수지는, 보호막 및 보호막 형성용 필름에 가요성, 조막성을 부여하는 성분이다. 결합제 수지로서는, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무계 중합체, 페녹시 수지 등을 사용할 수 있다. 결합제 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
열 경화성 성분은, 경화에 의해 경질의 보호막을 반도체 칩 위에 형성시키기 위한 성분이며, 통상 열 경화성 수지와, 그 열 경화성 수지를 열 경화하기 위한 열 경화제를 포함한다. 열 경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열 경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열 경화성 수지 및 열 경화제는, 각각 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서의 보호막 형성용 필름은, 결합제 수지로서 아크릴계 중합체 (A)(즉, 아크릴계 수지)를 함유함과 함께, 열 경화성 성분으로서 에폭시계 경화성 성분 (B)를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 이상의 (A), (B) 성분을 사용함으로써, 보호막의 신뢰성을 높이면서, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 원하는 범위 내로 제어하기 쉬워진다. 그리고, 높은 픽업력으로 반도체 칩을 픽업해도 보호막에 니들 자국이 발생하기 어려워진다.
이하, 이들 아크릴계 중합체 (A) 및 에폭시계 경화성 성분 (B)에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
<아크릴계 중합체 (A)>
아크릴계 수지를 구성하는 아크릴계 중합체 (A)는, 적어도 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체로서 (메트)아크릴산에스테르 단량체를 함유하는 중합체이다. 즉, 아크릴계 중합체 (A)는, 적어도 (메트)아크릴산에스테르 단량체를 포함하는 단량체를 중합하여 이루어지는 것이다.
(메트)아크릴산에스테르 단량체로서는, 구체적으로는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬기의 탄소수가 1 내지 18인 알킬(메트)아크릴레이트; 시클로알킬기의 탄소수가 1 내지 18 정도인 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이미드(메트)아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트; 히드록시메틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트; 글리시딜(메트)아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트, 3-에폭시시클로-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
또한, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 비닐에테르, N-메틸올아크릴아미드 등의 (메트)아크릴산에스테르 단량체 이외의 단량체를, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체로서 사용할 수도 있다. 상기한 단량체는, 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체는, 상기한 단량체 중 알킬(메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 알킬기의 탄소수가 1 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 알킬기의 탄소수가 1 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트는, 아크릴계 중합체를 구성하는 전체 단량체에 대하여, 50질량％ 이상인 것이 바람직하고, 60 내지 95질량％인 것이 보다 바람직하고, 70 내지 90질량％인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기한 알킬기의 탄소수가 1 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트는, 알킬기의 탄소수가 1 내지 4인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 알킬기의 탄소수가 1 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트는, 쇼어 D 경도 및 영률을 높이기 쉽게 하기 위하여, 메틸(메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트는, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 전체 단량체에 대하여, 50 내지 80질량％ 함유되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 메틸(메트)아크릴레이트는, 보호막 형성용 필름의 반도체 웨이퍼에 대한 밀착성, 점착성 향상 및 취급성 향상의 관점에서, 메틸아크릴레이트인 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체는, 추가로, 상기한 단량체 중 수산기 함유 (메트)아크릴레이트, 또는 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트를 함유하는 것이 바람직하고, 이들의 양쪽을 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 이들 단량체를 사용함으로써, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 적절한 값으로 하면서, 보호막 형성용 필름의 반도체 웨이퍼에 대한 밀착성 및 점착 특성의 제어가 용이해진다.
수산기 함유 (메트)아크릴레이트는, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 전체 단량체에 대하여, 1 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 5 내지 25질량％인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 20질량％인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트는, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 전체 단량체에 대하여, 0.1 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 0.5 내지 25질량％인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 8질량％인 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 중합체 (A)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 보호막 형성용 필름에 가요성, 조막성을 부여할 수 있도록 하기 위하여, 10,000 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 중량 평균 분자량은, 보다 바람직하게는 15,000 내지 1,000,000, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 500,000이다.
또한, 아크릴계 중합체 (A)의 유리 전이 온도는 -60 내지 50℃인 것이 바람직하고, -30 내지 30℃인 것이 보다 바람직하고, -20 내지 20℃인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 아크릴계 중합체 (A)의 유리 전이 온도는 폭스(Fox)의 식으로부터 구해지는 이론값이다. 유리 전이 온도를 이상의 범위로 함으로써, 보호막의 신뢰성을 높이면서, 쇼어 D 경도 및 영률을 양호한 값으로 하기 쉬워진다.
아크릴계 중합체 (A)는, 보호막 형성용 필름의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 통상 10 내지 80질량％, 바람직하게는 15 내지 50질량％이다.
<에폭시계 경화성 성분 (B)>
에폭시계 경화성 성분 (B)는, 통상 열 경화성 수지로서의 에폭시계 화합물(에폭시 수지)과, 열 경화제를 포함한다.
에폭시계 화합물로서는, 구체적으로는 비페닐 화합물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르나 그의 수소 첨가물, 오르토크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 등, 분자 중에 2관능 이상 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에폭시계 화합물은, 상기 아크릴계 중합체 (A) 100질량부에 대하여, 45 내지 150질량부가 바람직하고, 55 내지 120질량부가 보다 바람직하고, 68 내지 110질량부가 더욱 바람직하고, 75 내지 100질량부가 보다 더욱 바람직하다. 에폭시계 화합물을 상기 범위 내로 함으로써, 보호막의 신뢰성 등을 양호하게 하면서, 쇼어 D 경도 및 영률을 원하는 값으로 조정하기 쉬워진다.
또한, 에폭시계 화합물은, 상기한 화합물 중에서도 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)을 함유하는 것이 바람직하다. 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)이란, 축합 다환식 방향족 탄화수소기와, 에폭시기를 갖고, 축합 다환식 방향족 탄화수소기에 에폭시기가 직접 또는 알킬렌에테르기를 통하여 결합하고 있는 화합물을 의미한다. 해당 축합환식 방향족 화합물 (b1)에 있어서의, 축합 다환식 방향족 탄화수소기의 탄소수의 총 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 8 내지 55, 보다 바람직하게는 12 내지 45, 더욱 바람직하게는 16 내지 35이다. 또한, 알킬렌에테르기란, 알킬렌기와 에테르성 산소 원자를 갖는 2가의 기를 의미하고, 옥시메틸렌기 등을 들 수 있다.
에폭시계 화합물로서, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)을 사용함으로써, 보호막 형성용 필름의 쇼어 D 경도 및 영률을 높은 값으로 하기 쉬워진다. 또한, 보호막 형성용 필름을 단시간에 경화할 수 있음과 함께, 보호막의 고강도화를 도모할 수 있기 때문에, 보호막의 신뢰성 및 보호막 부착 칩의 생산성을 향상시키기 쉬워진다.
에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)로서는, 축합환(Condensed Ring)에 글리시딜에테르기가 결합(옥시메틸렌기를 통하여 에폭시기가 결합)한 것으로서, 예를 들어 하기 일반식（I）또는 (Ⅱ)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112017083893339-pct00003
단, 일반식（I）에 있어서, CR은 축합 다환식 방향족 탄화수소기를 나타내고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, m은 2 내지 6의 정수를 나타낸다. R1이 알킬기인 경우, 그의 탄소수는 1 내지 6이 바람직하다. 또한, m은 2 내지 4가 바람직하다.
Figure 112017083893339-pct00004
단, 일반식 (Ⅱ)에 있어서, CR1 및 CR2는 축합 다환식 방향족 탄화수소기를 나타내고, 이들 축합 다환식 방향족 탄화수소기는 동일할 수도 상이할 수도 있고, R2는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 해당 탄화수소기는 치환기 a를 갖고 있을 수도 있고, R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 글리시딜에테르기를 나타내고, n은 0 내지 3의 정수를 나타내고, p는 0 내지 10의 정수이며, p가 0인 경우에는 R2는 단결합을 나타내고, q는 1 내지 3의 정수를 나타낸다. R2의 탄소수는 1 내지 6이 바람직하다. 또한, R3이 알킬기인 경우, 그의 탄소수는 1 내지 6이 바람직하다. n은 1 내지 2가 바람직하고, p는 0 내지 4가 바람직하고, q는 1 내지 2가 바람직하고, 그 중에서도 p는 1이 보다 바람직하다.
일반식 (Ⅱ)에 있어서의 R2의 치환기 a로서는, 페닐기 또는 치환기 b를 갖는 페닐기 등을 들 수 있다. 치환기 b로서는, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 글리시딜에테르기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
축합 다환식 방향족 탄화수소기는, 2개 이상의 방향족환이 축합한 것이며, 상기한 일반식（I）또는 (Ⅱ)에 있어서의 축합 다환식 방향족 탄화수소기의 탄소수는 각각 독립적으로, 8 내지 22인 것이 바람직하고, 10 내지 20이 보다 바람직하다. 구체적인 축합 다환식 방향족 탄화수소기로서는, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환 또는 3,4-벤조피렌환 등으로 구성되는 탄화수소기를 들 수 있고, 이들 중에서도 보호막 형성용 필름의 경화성의 관점에서 나프탈렌환이 바람직하다.
에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물로서는, 상기한 것 중에서는, 일반식 (II)로 표시되는 화합물이 바람직하고, 나프탈렌환을 갖는 일반식 (II)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하다. 나프탈렌환을 갖는 일반식 (II)로 표시되는 구체적인 화합물의 예로서는, 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 1,1-비스(2,7-디글리시딜옥시-1-나프틸)알칸 등의 화합물, 하기 일반식 (Ⅳ)로 표시되는 1-(2,7-디글리시딜옥시-1-나프틸)-1-(2-글리시딜옥시-1-나프틸)알칸 등의 화합물 또는 하기 일반식 (V)로 표시되는 1,1-비스(2-글리시딜옥시-1-나프틸)알칸 등의 화합물을 들 수 있다.
Figure 112017083893339-pct00005
Figure 112017083893339-pct00006
Figure 112017083893339-pct00007
단, 일반식 (Ⅲ) 내지 (V) 각각에 있어서, R4는 단결합 또는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 해당 탄화수소기는 치환기를 갖고 있을 수도 있다. 또한, 일반식 (Ⅲ) 내지 (V)의 화합물을 2종 이상 병용하는 경우, 그들 각 화합물에 있어서의 R4는, 서로 동일할 수도 상이할 수도 있다.
일반식 (Ⅲ) 내지 (V)의 R4는, 하기 식 (VI)로 표시되는, 치환기를 갖고 있을 수도 있는 2가의 탄화수소기인 것이 더욱 바람직하다.
Figure 112017083893339-pct00008
상기 식 (VI) 중 탄소에 결합하는 상하 방향의 결합손은, 각각 나프탈렌환에 결합하고, R5 및 R6은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기 또는 치환기 c를 갖는 페닐기를 나타낸다. R5 및 R6이 치환기 c를 갖는 페닐기인 경우, 그 치환기 c로서는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 글리시딜에테르기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. R5 및 R6으로서는, 보호막 형성용 필름의 경화성의 관점에서 수소 원자가 특히 바람직하다. 상기 식 (VI) 중 r은 0 내지 4, 바람직하게는 0 내지 3의 정수이며, 더욱 바람직하게는 1이다. 또한, r이 0인 경우, 상기 식 (VI)의 구조는 단결합인 것을 나타낸다.
또한, 일반식 (Ⅲ) 내지 (V)로 표시되는 화합물 중에서도, 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물이 바람직하고, 특히 일반식 (Ⅲ) 중의 R4가 메틸렌(-CH2-)인 화합물이 바람직하다.
또한, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)의 에폭시 당량은, 바람직하게는 120 내지 250g/eq이며, 보다 바람직하게는 130 내지 180g/eq이다. 에폭시 당량을 상기 범위 내로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 경화성이 양호해지고, 나아가, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 양호한 값으로 하기 쉬워진다.
에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)의 경화물의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 220℃ 이상, 보다 바람직하게는 220 내지 350℃, 더욱 바람직하게는 240 내지 345℃, 특히 바람직하게는 300 내지 330℃이다. 화합물 (b1)의 경화물의 유리 전이 온도를 상기 범위로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 경화성이 양호해지고, 강도도 높아진다. 나아가, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 양호한 값으로 하기 쉬워진다.
또한, 화합물 (b1) 및 후술하는 다른 에폭시계 화합물 (b2)의 경화물의 유리 전이 온도는, 이들 화합물 (b1) 또는 (b2)에 경화제를 배합한 다음 경화시킨 후, 점탄성 측정 장치를 사용하여 측정한 것이다. 자세한 측정 조건은 후술하는 실시예에 기재하는 바와 같다.
에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물의 연화점은, 바람직하게는 60 내지 110℃, 보다 바람직하게는 70 내지 100℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 97℃이다. 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물의 연화점을 상기 범위로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 경화성이 향상되고, 나아가, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 양호한 값으로 하기 쉬워진다. 또한, 연화점은, JISK2207:2006에 준거하여 환구법에 의해 측정한 것이며, 구체적으로는 후술하는 실시예에 기재하는 방법으로 측정한다.
에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물의 용융 점도는, 바람직하게는 1.0 내지 25.0dPa·s, 보다 바람직하게는 2.0dPa·s를 초과하고 15.0dPa·s 이하, 더욱 바람직하게는 2.5 내지 7.0dPa·s이다. 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물의 용융 점도를 상기 범위로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 경화성을 향상시킬 수 있다. 또한, 용융 점도는, 캐필러리 레오미터에 의해 측정 온도 150℃, 측정 주파수 1Hz의 조건에서 측정한 점도이다.
또한, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)의 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 200 내지 1000, 보다 바람직하게는 300 내지 900, 더욱 바람직하게는 400 내지 800, 특히 바람직하게는 450 내지 750이다. 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물의 수 평균 분자량(Mn)을 상기 범위로 함으로써, 보호막 형성용 필름의 경화성을 향상시킬 수 있고, 나아가, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 양호한 값으로 하기 쉬워진다.
보호막 형성용 필름에 있어서는, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)과 함께, 다른 에폭시계 화합물 (b2)를 병용하는 것이 바람직하다. 병용하는 다른 에폭시계 화합물 (b2)로서는, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1) 이외의 상기에서 열거한 에폭시계 화합물을 들 수 있으며, 그 중에서 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 중 적어도 어느 것을 사용하는 것이 바람직하고, 이들을 모두 사용하는 것이 보다 바람직하다.
에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)과, 다른 에폭시계 화합물 (b2)를 사용하는 경우, 보호막 형성용 필름에 있어서의, 축합환식 방향족 화합물 (b1)과 다른 에폭시계 화합물 (b2)의 질량비(b1:b2)는, 1:3 내지 1:15가 바람직하고, 1:5 내지 1:10이 보다 바람직하다. 이상과 같은 질량비로 2종 이상의 에폭시계 화합물을 병용함으로써, 보호막 형성용 필름의 강도, 경화성, 신뢰성 등을 높이면서, 쇼어 D 경도 및 영률을 원하는 범위로 조정하기 쉬워진다.
또한, 다른 에폭시계 화합물 (b2)의 수 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 접착제의 경화성이나 경화 후의 강도나 내열성의 관점에서는 바람직하게는 250 내지 10000, 특히 바람직하게는 300 내지 3000이다. 다른 에폭시계 화합물 (b2)의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100 내지 1000g/eq이며, 보다 바람직하게는 150 내지 800g/eq이다.
또한, 다른 에폭시계 화합물 (b2)의 경화물의 유리 전이 온도는, 반도체 칩에 대한 밀착성 등을 높이기 위하여, 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)보다도 낮고, 바람직하게는 150 내지 240℃, 보다 바람직하게는 165 내지 225℃, 더욱 바람직하게는 170 내지 220℃이다.
에폭시계 화합물과 함께 사용되는 열 경화제로서는, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 그 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산 무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산 무수물 등을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기를 들 수 있다.
페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제의 구체적인 예로서는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 아르알킬페놀 수지를 들 수 있다. 아미노기를 갖는 아민계 경화제의 구체적인 예로서는, 디시안디아미드를 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
보호막 형성용 필름에 있어서 열 경화제의 함유량은, 에폭시계 화합물 100질량부에 대하여, 0.1 내지 100질량부인 것이 바람직하고, 0.5 내지 50질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 20질량부인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 에폭시계 경화성 성분 (B)(즉, 에폭시계 화합물과 열 경화제의 합계량)는, 보호막 형성용 필름의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 통상 5 내지 60질량％, 바람직하게는 15 내지 40질량％이다.
<충전재 (C)>
보호막 형성용 필름은 충전재 (C)를 더 함유하는 것이 바람직하다. 충전재 (C)를 함유함으로써, 보호막에 내습성, 치수 안정성 등을 부여하여, 보호막의 신뢰성도 향상시키는 것이 가능해진다. 나아가, 상기한 쇼어 D 경도 및 영률을 양호한 값으로 하기 쉬워진다. 충전재 (C)로서는, 구체적으로는 무기 필러를 들 수 있다. 바람직한 무기 필러로서는, 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 산화티타늄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 실리카 필러 및 알루미나 필러가 바람직하고, 실리카 필러가 보다 바람직하다. 또한, 상기 무기 필러는, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
충전재 (C)의 함유량은, 보호막 형성용 필름의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 바람직하게는 10 내지 70질량％, 보다 바람직하게는 40 내지 65질량％이다.
또한, 무기 필러의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.02 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 10㎛이다. 무기 필러의 평균 입자 직경은, 전자 현미경으로 무작위로 선택한 무기 필러 20개의 장축 직경을 측정하여, 그의 산술 평균값으로서 산출되는 개수 평균 입자 직경으로 한다.
<경화 촉진제 (D)>
보호막 형성용 필름은 경화 촉진제 (D)를 더 함유하고 있을 수도 있다. 보호막 형성용 필름은 경화 촉진제 (D)를 함유함으로써, 열 경화의 속도를 조정하는 것이 가능해진다.
바람직한 경화 촉진제 (D)로서는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
경화 촉진제 (D)는 에폭시계 화합물 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 10질량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5질량부의 양으로 보호막 형성용 필름에 포함된다. 경화 촉진제 (D)를 상기 범위의 양으로 함유함으로써, 보호막 형성용 필름은 고온도 고습도 하에 노출되어도 우수한 접착 특성을 갖고, 엄격한 조건에 노출된 경우에도 높은 신뢰성을 달성할 수 있다.
<착색제 (E)>
보호막 형성용 필름은 착색제 (E)를 더 함유하고 있을 수도 있다. 착색제 (E)를 함유함으로써, 적외선 등을 차단할 수 있기 때문에, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있다. 또한, 레이저 마킹 등의 수단에 의해 보호막에 마킹을 행한 경우에, 문자, 기호 등의 마크를 인식하기 쉬워진다.
착색제로서는, 유기 또는 무기의 안료 또는 염료가 사용된다. 염료로서는, 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료, 양이온 염료 등의 어느 염료이든 사용하는 것이 가능하다. 또한, 안료도 특별히 제한되지 않고, 공지의 안료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이들 중에서는, 전자파나 적외선의 차폐성이 양호하며, 또한 레이저 마킹법에 의한 식별성을 보다 향상시키는 것이 가능한 흑색 안료가 보다 바람직하다. 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 산화철, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들에 한정되지는 않는다. 보호막의 신뢰성을 높이는 관점에서는, 카본 블랙이 특히 바람직하다. 착색제 (E)는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
착색제 (E)의 함유량은, 보호막 형성용 필름의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 바람직하게는 0.01 내지 10질량％, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량％이다.
<커플링제 (F)>
보호막 형성용 필름은 커플링제를 더 함유하고 있을 수도 있다. 커플링제는, 무기물과 반응하는 관능기 및 유기 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 것이며, 보호막 형성용 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시키는 것이 가능하다. 나아가, 보호막의 응집성을 향상시키는 것도 가능하다. 커플링제로서는, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실란 커플링제 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도 실란 커플링제가 바람직하다.
실란 커플링제로서는, 상기한 결합제 수지 및 열 경화성 성분을 구성하는 열 경화성 수지 중 적어도 한쪽이 갖는 관능기와 반응하는 기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 실란 커플링제의 구체예로서는, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도 프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
커플링제의 함유량은, 보호막 형성용 필름의 전체 질량(고형분 환산)에서 차지하는 비율로서, 바람직하게는 0.1 내지 10질량％, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3.0질량％이다.
<그 밖의 첨가제>
보호막 형성용 필름에 포함될 수도 있는 그 밖의 첨가제로서는, 특히 이들에 한정되는 것은 아니지만, 가교제, 상용화제, 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제, 에너지선 중합성 화합물, 광 중합 개시제 등을 들 수 있다.
보호막 형성용 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3 내지 300㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 250㎛, 더욱 바람직하게는 7 내지 200㎛이다.
[보호막 형성용 복합 시트]
본 발명의 보호막 형성용 복합 시트는, 지지 시트와, 지지 시트 위에 설치된 보호막 형성용 필름을 구비하는 것이며, 보호막 형성용 필름은 지지 시트로부터 박리 가능한 것이다.
보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 보호막 형성용 필름은 지지 시트와 동일 형상으로 할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트는, 보호막 형성용 필름이 웨이퍼와 대략 동일 형상 또는 웨이퍼의 형상을 그대로 포함할 수 있는 형상으로 제조됨과 함께, 지지 시트가 보호막 형성용 필름보다도 큰 사이즈의 것으로 되어 있는 구성(이하 「사전 성형 구성」이라고도 함)을 갖고 있을 수도 있다.
지지 시트는 보호막 형성용 필름을 지지하는 것으로서, 기재를 구비하는 것이다. 기재로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 이들의 가교 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들 필름이 2층 이상 적층하여 이루어지는 적층 필름이나, 이들을 착색한 필름을 기재로서 사용할 수도 있다.
또한, 지지 시트는 기재 단체(單體)로 구성될 수도 있지만, 기재 이외에도 다양한 층을 갖는 것일 수도 있다.
예를 들어, 지지 시트는, 기재의 보호막 형성용 필름이 설치되는 측의 면에 박리 처리를 실시하여, 박리제층을 구비한 박리 필름일 수도 있다. 박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 예를 들어 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등을 들 수 있지만, 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.
또한, 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 보호막 형성용 필름의 지지 시트가 설치되는 측과는 반대의 면에 박리 필름이 더 접합되어, 그 박리 필름에 의해 보호막 형성용 필름이 보호 내지 지지될 수도 있다.
또한, 기재와, 기재 위에 점착제층을 설치한 점착 시트를 지지 시트로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 보호막 형성용 필름은 점착제층 위에 설치된다. 이러한 구성으로 함으로써, 특히 지지 시트 위에서 보호막 형성용 필름 또는 보호막째 웨이퍼를 칩으로 개편화하는 경우에, 지지 시트에 의해 웨이퍼나 칩을 적절하게 고정하는 것이 가능해진다.
또한, 점착제층을 재박리성 점착제층으로 함으로써, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 지지 시트로부터 분리하는 것이 용이하게 되기 때문에 바람직하다. 재박리성 점착제층은, 보호막 형성용 필름을 박리할 수 있을 정도의 점착력을 갖는 약 점착성의 것을 사용할 수도 있고, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하되는 에너지선 경화성의 것을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 재박리성 점착제층은, 종래부터 공지의 여러 점착제(예를 들어, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐에테르계 등의 범용 점착제, 표면 요철이 있는 점착제, 에너지선 경화형 점착제, 열 팽창 성분 함유 점착제 등)에 의해 형성할 수 있다.
에너지선 경화성의 재박리성 점착제층을 사용하는 경우에 있어서, 보호막 형성용 복합 시트가 사전 성형 구성을 취할 때는, 보호막 형성용 필름이 적층되는 영역에 미리 에너지선 조사를 행하여, 점착성을 저감시켜 두는 한편, 다른 영역은 에너지선 조사를 행하지 않고, 예를 들어 링 프레임 등의 지그에 대한 접착을 목적으로 하여, 점착력을 높은 상태로 유지해 둘 수도 있다. 다른 영역에만 에너지선 조사를 행하지 않도록 하기 위해서는, 예를 들어 지지 시트의 다른 영역에 대응하는 영역에 인쇄 등에 의해 에너지선 차폐층을 설치하고, 지지 시트측으로부터 에너지선 조사를 행하면 된다. 또한, 마찬가지의 효과를 얻기 위하여, 점착 시트에 있어서의 점착제층 위의 보호막 형성용 필름이 적층되는 영역에, 보호막 형성용 필름과 대략 동일 형상의 재박리성 점착제층을 더 적층한 구성으로 할 수도 있다.
보호막 형성용 필름이 사전 성형 구성을 취하지 않는 경우는 보호막 형성용 필름의 표면(피착체와 접하는 면)의 외주부에는, 링 프레임 등의 다른 지그를 고정하기 위하여, 별도 접착제층이나 양면 점착 테이프가 설치되어 있을 수도 있다. 보호막 형성용 필름이 사전 성형 구성을 취하는 경우에는, 지지 시트의 외주부에 있어서의 보호막 형성용 필름이 적층되어 있지 않은 영역에, 링 프레임 등의 다른 지그를 고정하기 위하여, 별도 접착제층이나 양면 점착 테이프가 설치되어 있을 수도 있다.
보호막 형성용 필름은, 상기 각 성분을 적당한 비율로, 적당한 용매 중에서 또는 무용매로 혼합하여 이루어지는 보호막 형성용 조성물을, 지지 시트 위에 도포하고, 그 후 건조함으로써 형성할 수 있다. 또한, 지지 시트와는 다른 공정 필름 위에 보호막 형성용 조성물을 도포, 건조하여 성막하여, 적절히 지지 시트 등에 전사하여 형성할 수도 있다. 공정 필름은, 그 후 제거하지 않고 상술한 박리 필름으로서 사용할 수도 있다.
[보호막 형성용 필름의 사용 방법]
보호막 형성용 필름은, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩 등의 피착체에 부착되고, 그 후 열 경화되어 보호막으로서 사용된다. 여기서, 보호막 형성용 필름이, 보호막 형성용 복합 시트로서, 피착체에 부착되는 경우에는 먼저 필요에 따라 박리 필름이 박리되고, 계속해서 보호막 형성용 필름과 지지 시트의 적층체가, 보호막 형성용 필름이 피착체에 접하도록, 피착체에 부착된 후, 필요에 따라 적절히 지지 시트가 보호막 형성용 필름으로부터 박리된다.
또한, 보호막 형성용 필름은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 100 내지 180℃에서, 30 내지 180분간 가열함으로써, 경화된다.
이하, 보호막 형성용 필름의 사용 방법에 대하여, 보호막 형성용 필름이, 반도체 칩의 이면 보호용으로 사용되어, 보호막 부착 칩이 제조되는 예를 설명하지만, 이하에 기재하는 예에 한정되는 것은 아니다.
본 방법에서는, 먼저 상기 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 적층한다. 예를 들어, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우에는, 보호막 형성용 필름과 기재 시트의 적층체를 반도체 웨이퍼의 이면에 부착한다. 그 후, 반도체 웨이퍼 위에 적층된 보호막 형성용 필름을 열 경화하여, 웨이퍼의 전체면에 보호막을 형성한다.
지지 시트는, 열 경화 전에 보호막 형성용 필름으로부터 박리할 수도 있지만, 그 박리는 보호막의 열 경화 후에 행할 수도 있고, 다이싱 후에 행할 수도 있다. 또한, 지지 시트의 박리가 다이싱 후에 행하여지는 경우, 지지 시트는 다이싱 시트로서의 역할을 할 수 있다. 지지 시트는, 다이싱 시트로서의 역할을 하는 경우에는, 상기한 점착 시트인 것이 바람직하다.
또한, 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼일 수도 있고, 또한 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼일 수도 있다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 그 표면에 회로가 형성되어 있음과 함께, 이면이 적절히 연삭되거나 하여, 두께가 50 내지 500㎛ 정도가 되는 것이다.
계속해서, 반도체 웨이퍼와 보호막의 적층체를, 웨이퍼 표면에 형성된 회로째 다이싱한다. 다이싱은, 웨이퍼와 보호막을 함께 절단하도록 행하여져, 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼와 보호막의 적층체는 복수의 칩으로 개편화되어, 이면에 보호막을 갖는 반도체 칩(보호막 부착 칩)이 된다.
웨이퍼의 다이싱은, 다이싱 시트를 사용한 통상의 방법에 의해 행하여진다. 여기서, 보호막 형성 시에 사용한 지지 시트를 박리하지 않고, 지지 시트를 그대로 다이싱 시트로서 사용할 수도 있다. 또한, 지지 시트가 이미 박리되어 있는 경우에는, 다이싱 전에 반도체 웨이퍼와 보호막의 적층체의 보호막측의 면에, 공지의 다이싱 시트를 부착할 수도 있다.
다이싱이 종료되면, 다이싱 시트측의 면으로부터, 개편화된 각 보호막 부착 칩의 이면측을 니들에 의해 밀어올림과 함께, 콜릿 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 보호막 부착 칩을 회수한다. 본 발명에서는, 상기한 바와 같이 보호막 형성용 필름의 경화 후의 쇼어 D 경도 및 영률이 소정값 이상이기 때문에, 픽업할 때에 픽업 자국이 보호막에 발생하는 것이 방지된다.
또한, 이상의 설명에서는, 다이싱 전에 보호막 형성용 필름을 열 경화하는 예를 나타냈지만, 보호막 형성용 필름은, 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 픽업하기 전에 열 경화할 수도 있다. 또한, 보호막 부착 칩을 페이스 다운으로 실장할 때 혹은 실장 후에 열 경화할 수도 있다.
[보호막 부착 칩]
본 발명의 보호막 부착 칩은, 예를 들어 상기 제조 방법에 의해 얻어지고, 반도체 칩과, 해당 반도체 칩에 설치되는 보호막을 구비하고, 해당 보호막이, 상술한 보호막 형성용 필름을 경화시켜 이루어지는 것이다. 보호막은, 통상 칩의 이면에 적층되어, 칩 이면을 보호하는 것이다. 본 발명의 보호막 부착 칩을, 페이스 다운 방식으로 기판 등 위에 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 보호막 부착 칩은, 다이 패드부 또는 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 위(칩 탑재부 위)에 접착함으로써, 반도체 장치를 제조할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서의 측정 방법, 평가 방법은 이하와 같다.
[쇼어 D 경도]
보호막 형성용 필름을 두께 6㎜ 이상이 되도록 적층하고, 그 후, 130℃에서 2시간 가열하여 경화했다. 경화된 보호막 형성용 필름 표면의 쇼어 D 경도를 측정 온도 23℃에서 정압 하중기(고분시 게이끼 가부시끼가이샤제, CL-150)에 의해 측정했다.
[영률]
보호막 형성용 필름을 130℃, 2시간 가열하여 경화했다. 그 경화 후의 보호막 형성용 필름을, 시험 속도 200㎜/분으로 JIS K 7127에 준거하여, 23℃ 환경 하에서 영률을 측정했다.
[에폭시계 화합물의 경화 후의 유리 전이 온도]
에폭시계 화합물 100g에 대하여, 경화제로서 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤제, 큐어졸 2PHZ) 2g을 첨가하고, 경화 온도 160℃, 경화 시간 120분에 에폭시계 화합물을 경화시켰다. 계속해서, 에폭시계 화합물의 경화물을 폭 4.5㎜, 길이 20.0㎜, 두께 0.18㎜의 직사각형상으로 절단하여 시험편을 제작했다. 그 후, 점탄성 측정 장치(TA 인스트루먼트(TA instruments)사제 DMA Q800)를 사용하여, 인장 모드에서, 시험편의 tanδ(손실 탄성률과 저장 탄성률의 비)를, 주파수 11Hz, 승온 속도 3℃/분, 대기 분위기 하에서 0 내지 350℃에서 측정했다. 이 온도 범위에 있어서 tanδ가 최댓값을 나타내는 온도를 판독하여, 에폭시계 화합물의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)로 했다.
[에폭시계 화합물의 연화점]
JISK 2207:2006에 준거하여, 물 또는 글리세린의 욕 중에 유지하고 환 중앙에 일정 중량의 구를 놓고, 욕온을 규정 속도로 상승시킨 후, 구의 무게에 의해 시료가 늘어진 온도를 측정하여, 연화점으로 했다(환구법).
[에폭시계 화합물의 용융 점도]
에폭시계 화합물의 용융 점도는, 캐필러리 레오미터(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제, CFT-100D)에 의해, 측정 온도 150℃, 측정 주파수 1Hz의 조건에서 측정하여 구했다.
[중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)]
중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)은, 이하의 측정 조건에서 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정하여, 표준 폴리스티렌 환산으로 구했다.
측정 장치: 도소 가부시키가이샤제의 고속 GPC 장치 「HLC-8120GPC」에, 고속 칼럼 「TSKguard column HXL-H」, 「TSKGel GMHXL」, 「TSK GelG2000 HXL」(이상, 모두 도소 가부시키가이샤제)을 이 순서로 연결하여 측정했다.
칼럼 온도: 40℃, 송액 속도: 1.0mL/분, 검출기: 시차 굴절률계
[픽업 시의 니들 자국 검사]
먼저, 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트로부터 박리 필름을 박리했다. 그리고, 테이프 마운터(린텍 가부시키가이샤제, Adwill RAD-3600F/12)를 사용하여, 노출된 보호막 형성용 필름이, #2000 연마한 실리콘 웨이퍼(200㎜ 직경, 두께 280㎛)의 연마면에 면하도록 하여, 보호막 형성용 복합 시트를 실리콘 웨이퍼에 부착했다. 이때, 실리콘 웨이퍼가 놓인 테이블의 온도는 70℃가 되도록 가열하고 있었다.
계속해서, 보호막 형성용 복합 시트로부터 지지 시트를 재차 박리한 후, 130℃에서 2시간 가열함으로써, 보호막 형성용 필름을 경화하여, 실리콘 웨이퍼 위에 보호막을 형성했다. 그 후, 보호막측에 다이싱 시트가 되는 점착 시트(린텍 가부시키가이샤제, Adwill D-676H)를 부착하고, 다이싱 장치(가부시키가이샤 디스코제, DFD651)를 사용하여 5㎜×5㎜ 크기로 다이싱하여, 실리콘 웨이퍼를 보호막째 개편화했다.
계속해서, 조도 230mW/㎠, 적산 광량 170mJ/㎠의 UV 조사 조건에서 다이싱 시트에 UV를 조사하여 점착 시트의 점착제층을 경화한 후, 픽업 시험을 행하여, 니들 자국의 유무를 확인했다. 픽업 시험은, 푸시-풀 게이지(Push-Pull Gauge) (아이코 엔지니어링 가부시키가이샤제, MODEL-RE)에 5호 니들을 세트한 것을 사용하여, 다이싱 시트에 있어서 픽업 대상이 되는 반도체 칩에 접하는 부분을, 다이싱 시트측으로부터 니들로 1.5㎜ 밀어올림으로써 행했다. 보호막에 니들 자국이 없는 것을 A, 니들 자국이 있는 것을 B로서 평가했다.
[보호막 형성용 조성물]
실시예, 비교예에 있어서의 보호막 형성용 필름을 구성하는 각 성분을 하기에 나타낸다.
(아크릴계 공중합체)
아크릴계 중합체 1: 부틸아크릴레이트 8질량부, 메틸아크릴레이트 70질량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 17질량부 및 글리시딜메타크릴레이트 5질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중합 평균 분자량: 30만, 유리 전이 온도: 0℃)
아크릴계 중합체 2: 부틸아크릴레이트 15질량부, 메틸아크릴레이트 65질량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 10질량부 및 글리시딜메타크릴레이트 10질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중합 평균 분자량: 40만, 유리 전이 온도: -1℃)
아크릴계 중합체 3: 부틸아크릴레이트 55질량부, 메틸아크릴레이트 10질량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 15질량부 및 글리시딜메타크릴레이트 20질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴 중합체(중량 평균 분자량: 80만, 유리 전이 온도: -28℃)
(에폭시계 화합물)
에폭시 화합물 1: 1,1-비스(2,7-디글리시딜옥시-1-나프틸)메탄(경화물의 유리 전이 온도: 326℃, 연화점: 92℃, 용융 점도: 4.5dPa·s, 수 평균 분자량: 550, 에폭시 당량: 160g/eq)
에폭시 화합물 2: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸 가부시키가이샤제, jER828, 경화물의 유리 전이 온도: 180℃, 수 평균 분자량: 370, 에폭시 당량: 184 내지 194g/eq)
에폭시 화합물 3: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC 가부시키가이샤제, 에피클론 HP-7200HH, 경화물의 유리 전이 온도: 210℃, 연화점: 88℃, 용융 점도: 8dPa·s, 수 평균 분자량: 760, 에폭시 당량: 275 내지 280g/eq)
열 경화제: 디시안디아미드(가부시키가이샤 아데카(ADEKA)제, 아데카 하드너 3636AS)
경화 촉진제: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤제, 큐어졸 2PHZ)
무기 필러: 실리카 필러(용융 석영 필러, 평균 입경 8㎛)
착색제: 카본 블랙(미쯔비시 가가꾸 가부시키가이샤제, MA600B)
(커플링제)
커플링제 1: 실란 커플링제(신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, X-41-1056)
커플링제 2: 실란 커플링제(신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, KBE-403)
커플링제 3: 실란 커플링제(신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, KBM-403)
실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 4
각 실시예, 비교예에 있어서, 박리 필름(린텍 가부시키가이샤제, SP-PET381031, 두께: 38㎛)의 박리 처리면에, 표 1에서 나타낸 배합으로 이루어지는 보호막 형성용 조성물을 메틸에틸케톤으로 희석한 희석액(고형분 농도 61질량％)을 나이프 코터로, 건조 후의 두께가 25㎛가 되도록 도공하고, 그 후 120℃에서 3분간 건조하여, 박리 필름 위에 보호막 형성용 필름을 형성했다.
계속해서, 보호막 형성용 필름 위에 지지 시트(린텍 가부시키가이샤제, SP-PET381130, 두께: 38㎛)를 더 적층하여, 박리 필름, 보호막 형성용 필름 및 지지 시트로 이루어지는 3층 구조의 보호막 형성용 복합 시트를 얻었다.
Figure 112017083893339-pct00009
이상의 실시예 1 내지 4에서는, 쇼어 D 경도 및 영률 모두 높은 값이 됨으로써, 픽업 시험에서 니들 자국이 보이지 않아, 양호한 성능의 보호막 부착 칩을 제조할 수 있었다. 그에 반하여, 비교예 1 내지 4에서는, 쇼어 D 경도 및 영률 중 적어도 한쪽이 낮은 값이 되었기 때문에, 픽업 시험에서 니들 자국이 보여, 양호한 성능의 보호막 부착 칩을 제조할 수 없었다.

Claims (10)

  1. 반도체 칩을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름이며,
    경화 후의 필름 표면의 쇼어 D 경도가 55 이상임과 함께, 경화 후의 영률(23℃)이 1.0×109Pa 이상이고,
    아크릴계 중합체 (A), 및 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)을 포함하는 에폭시계 경화성 성분 (B)를 함유하고,
    상기 에폭시기를 갖는 축합환식 방향족 화합물 (b1)이 하기의 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 화합물인, 보호막 형성용 필름.
    Figure 112021134850558-pct00011

    (단, 일반식 (Ⅱ)에 있어서, CR1 및 CR2는 축합 다환식 방향족 탄화수소기를 나타내고, R2는 2가의 탄화수소기를 나타내고, R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 글리시딜에테르기를 나타내고, n은 0 내지 3의 정수를 나타내고, p는 0 내지 10의 정수이며, p가 0인 경우에는 R2는 단결합을 나타내고, q는 1 내지 3의 정수를 나타냄)
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체가 알킬기의 탄소수가 1 내지 8인 알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는, 보호막 형성용 필름.
  6. 제1항에 있어서, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체가 메틸(메트)아크릴레이트를 포함하는, 보호막 형성용 필름.
  7. 제1항에 있어서, 아크릴계 중합체 (A)를 구성하는 단량체가 메틸아크릴레이트를 포함하는, 보호막 형성용 필름.
  8. 제1항에 있어서, 충전재 (C)를 함유하는 보호막 형성용 필름.
  9. 지지 시트와, 상기 지지 시트 위에 설치되는, 제1항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성용 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트.
  10. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩 위에 설치되고, 제1항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 보호막 형성용 필름을 경화하여 이루어지는 보호막을 구비하는 보호막 부착 칩.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI805704B (zh) * 2018-03-09 2023-06-21 日商琳得科股份有限公司 保護膜形成用複合片及附有保護膜的半導體晶片的製造方法
KR20210141929A (ko) * 2019-03-15 2021-11-23 린텍 가부시키가이샤 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
CN113263718B (zh) * 2020-02-17 2022-12-13 华为技术有限公司 保护膜及其制备方法、贴合方法和终端

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214288A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Lintec Corp チップ用保護膜形成用シート
JP2009147277A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP2011228447A (ja) 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2012049388A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体ウエハ保護膜形成用シート
JP2013118206A (ja) * 2010-03-25 2013-06-13 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2014046473A (ja) 2012-08-29 2014-03-17 Idemitsu Unitech Co Ltd 二軸延伸ナイロンフィルム、ラミネートフィルム、ラミネート包材および二軸延伸ナイロンフィルムの製造方法
JP2014136067A (ja) 2013-01-17 2014-07-28 Dunlop Sports Co Ltd ゴルフボール用樹脂組成物及びゴルフボール
JP2015053468A (ja) 2013-08-07 2015-03-19 日東電工株式会社 半導体パッケージの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001089644A (ja) * 1999-09-22 2001-04-03 Dainippon Ink & Chem Inc 多層プリント配線板用層間電気絶縁材料
US7070713B2 (en) * 2003-01-27 2006-07-04 3L & T, Inc Moisture activated single-component ebonite composition
WO2011132647A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5344022B2 (ja) * 2011-11-16 2013-11-20 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP5994404B2 (ja) * 2012-06-07 2016-09-21 Dic株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板
CN104837942B (zh) * 2012-12-14 2017-04-26 琳得科株式会社 保护膜形成用膜
CN104937712B (zh) * 2013-03-22 2018-03-27 琳得科株式会社 保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片
PT2980835T (pt) 2013-03-27 2021-01-27 Lintec Corp Folha compósita para formar película protetora

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004214288A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Lintec Corp チップ用保護膜形成用シート
JP2009147277A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP2013118206A (ja) * 2010-03-25 2013-06-13 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2011228447A (ja) 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP2012049388A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体ウエハ保護膜形成用シート
JP2014046473A (ja) 2012-08-29 2014-03-17 Idemitsu Unitech Co Ltd 二軸延伸ナイロンフィルム、ラミネートフィルム、ラミネート包材および二軸延伸ナイロンフィルムの製造方法
JP2014136067A (ja) 2013-01-17 2014-07-28 Dunlop Sports Co Ltd ゴルフボール用樹脂組成物及びゴルフボール
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