JP2023052554A - 半導体装置製造用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】チップ部品の剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることのできる半導体装置製造用粘着テープを提供する。【解決手段】半導体装置製造用粘着テープ１２は、基材５、アブレーション層１０、バリア層１１及び第１の粘着剤層４ａをこの順に有し、レーザー光を照射することでアブレーションによりアブレーション層を適度に変形させ、チップ部品１を剥離させる場合のチップ部品の剥離性能を向上させ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置製造用粘着テープに関する。

半導体デバイスの製造工程において、粘着剤層上に配置された多数のチップ部品を駆動回路基板上に転写することがある。
例えば、マイクロＬＥＤディスプレイは、画素を構成するチップの１つ１つが微細な発光ダイオード（ＬＥＤ、Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、このマイクロＬＥＤチップが自発光して画像を表示する表示装置である。マイクロＬＥＤディスプレイは、コントラストが高く、応答速度が速く、また、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で使用されるカラーフィルターを必要としないこと等により薄型化も可能であることから、次世代の表示装置として注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイにおいては、多数のマイクロＬＥＤチップが平面状に高密度で敷き詰められている。

このようなマイクロＬＥＤディスプレイ等の半導体デバイスの製造工程においては、例えば、粘着剤層上に多数のチップ部品が配置された転写用積層体を、駆動回路基板と対向させ、転写用積層体からチップ部品を剥離させて駆動回路基板と電気的な接続を行う（転写工程）。

転写用積層体からチップ部品を剥離させる方法としては、例えば、転写用積層体の支持体の背面から粘着剤層に焦点をあててレーザー光を照射する方法が知られている（例えば、特許文献１）。このような方法は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）とも呼ばれる。また、粘着剤層に熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を配合し、転写用積層体と駆動回路基板との熱圧着により熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を熱膨張させることで、粘着剤層の変形による接着面積低下によりチップ部品を剥離させる方法も知られている（例えば、特許文献２、３）。

特開２０１９－１３８９４９号公報 特開２０１９－１５８９９号公報 特開２００３－７９８６号公報

しかしながら、従来のチップ部品を剥離させる方法では、チップ部品の剥離不良により、歩留まりよくチップ部品を転写することが難しいという問題があった。
また、従来の粘着剤層を用いてレーザーアブレーションを行った場合、チップ部品に粘着剤層の残渣が付着するという問題もあった。即ち、例えば、レーザー光の出力を上げる等によってレーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させること自体はできたとしても、チップ部品が剥離する際に粘着剤層がちぎれ、チップ部品に粘着剤層の残渣が付着することがあった。

本発明は、チップ部品の剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることのできる半導体装置製造用粘着テープを提供することを目的とする。

本開示１は、基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有する半導体装置製造用粘着テープである。
本開示２は、上記基材は、樹脂フィルムである本開示１の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示３は、上記樹脂フィルムは、ポリエステルフィルムである本開示２の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示４は、上記アブレーション層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上である本開示１、２又は３の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示５は、上記アブレーション層は、２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上、２×１０^５Ｐａ以下である本開示１、２、３又は４の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示６は、上記バリア層は、厚みが２５μｍ以下である本開示１、２、３、４又は５の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示７は、上記バリア層は、厚みが６μｍ以下である本開示６の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示８は、上記バリア層は、ポリエステルフィルムである本開示１、２、３、４、５、６又は７の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示９は、上記バリア層は、上記第１の粘着剤層と接する面に易接着樹脂層を有する本開示１、２、３、４、５、６、７又は８の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１０は、上記第１の粘着剤層は、破断強度が１ＭＰａ以上である本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１１は、上記第１の粘着剤層は、２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上、２×１０^５Ｐａ以下である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１２は、上記第１の粘着剤層は、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーを含有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１３は、上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、ブロックＡが芳香族ビニルモノマーに由来する構造を含有し、ブロックＢが（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有する本開示１２の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１４は、上記ブロックＢは、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を有する本開示１２又は１３の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１５は、上記第１の粘着剤層は、ゲル分率が７０重量％以上、９５重量％以下である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１６は、上記第１の粘着剤層は、厚みが５μｍ以上、３０μｍ以下である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４又は１５の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１７は、上記半導体装置製造用粘着テープのボールタックがＮｏ．５以上である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１８は、上記半導体装置製造用粘着テープの上記第１の粘着剤層の面剥離力が１ＭＰａ以下である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６又は１７の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示１９は、上記基材と上記アブレーション層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７又は１８の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示２０は、上記アブレーション層と上記バリア層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８又は１９の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示２１は、上記第１の粘着剤層は、硬化型粘着剤層である本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９又は２０の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示２２は、更に第２の粘着剤層を有し、該第２の粘着剤層、上記基材、上記アブレーション層、上記バリア層、及び、上記第１の粘着剤層をこの順に有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０又は２１の半導体装置製造用粘着テープである。
本開示２３は、レーザー光を照射する工程を有する半導体装置の製造に用いられる本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１又は２２の半導体装置製造用粘着テープである。
以下に本発明を詳述する。

本発明者らは、基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有する半導体装置製造用粘着テープによれば、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる場合にも、チップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明の半導体装置製造用粘着テープは、基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有する。
本発明の半導体装置製造用粘着テープを用いることで、上記アブレーション層にレーザー光を照射することにより、上記アブレーション層のレーザー光を照射した部分にアブレーションによる変形を生じさせることができる。また、上記アブレーション層のレーザー光を照射した部分の変形が上記バリア層及び上記第１の粘着剤層に伝わるため、上記第１の粘着剤層上に配置されたチップ部品を剥離させることができる。また、このとき、アブレーションによる上記アブレーション層の飛散は、上記バリア層によって抑えられる。従って、本発明の半導体装置製造用粘着テープによれば、チップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品が剥離する際に上記第１の粘着剤層がちぎれ、チップ部品に上記第１の粘着剤層の残渣が付着することを防止することができる。

図１に、従来の粘着テープを用いて、粘着剤層上に配置されたチップ部品をレーザーアブレーションにより剥離させる工程の一例を模式的に示す断面図を示す。図１に示す工程においては、基材５上に積層された粘着剤層４上にチップ部品１が配置されており、レーザー光照射装置８から照射されるレーザー光８ａによりチップ部品１を剥離させて、チップ部品１と駆動回路基板７との電気的な接続を行う（転写工程）。基材５と粘着剤層４との積層体９は、例えば、基材５が樹脂フィルム等の基材であり、粘着剤層４が粘着剤層のみからなる従来の片面粘着テープであってもよいし、基材５がガラス基板等の支持体であり、粘着剤層４が従来の両面粘着テープ（基材を有していてもよい）である、支持体と両面粘着テープとの積層体であってもよい。
図１に示す工程において、レーザー光８ａを粘着剤層４に照射すると、粘着剤層４のレーザー光８ａを照射した部分がアブレーションにより変形する。より詳細には、レーザー光８ａを粘着剤層４に照射すると、熱によって粘着剤層４の分子が切れて低分子化し、瞬間的に蒸発したり、高温となることで昇華したりする（分解蒸散）ため、粘着剤層４のレーザー光８ａを照射した部分が変形する。これにより、チップ部品１を剥離させることができる。レーザー光８ａを用いることで、ごく小さい範囲に対してチップ部品１の剥離を起こさせることができるため、例えば、マイクロＬＥＤチップ等の極小のチップ部品が配列している場合であっても、チップ部品１を個別かつ高い剥離性能にて剥離させることができる。しかしながら、図１に示す工程においては、上述したように、チップ部品１の剥離不良が生じたり、チップ部品１が剥離する際に粘着剤層４がちぎれ、チップ部品１に粘着剤層４の残渣が付着したりする問題があった。

図２に、本発明の半導体装置製造用粘着テープの一例を模式的に示す断面図を示す。図２に示す本発明の半導体装置製造用粘着テープ１２においては、基材５、アブレーション層１０、バリア層１１、及び、第１の粘着剤層４ａがこの順に積層されている。

図３に、本発明の半導体装置製造用粘着テープを用いて、粘着剤層上に配置されたチップ部品をレーザーアブレーションにより剥離させる工程の一例を模式的に示す断面図を示す。図３に示す工程においても、図１に示す工程と同様に、第１の粘着剤層４ａ上にチップ部品１が配置されており、レーザー光照射装置８から照射されるレーザー光８ａによりチップ部品１を剥離させる。ただし、図３に示す工程においては、アブレーション層１０にレーザー光８ａを照射することにより、アブレーション層１０のレーザー光８ａを照射した部分にアブレーションによる変形を生じさせることができる。また、アブレーション層１０のレーザー光８ａを照射した部分の変形がバリア層１１及び第１の粘着剤層４ａに伝わるため、第１の粘着剤層４ａ上に配置されたチップ部品１を剥離させることができる。また、このとき、アブレーションによるアブレーション層１０の飛散は、バリア層１１によって抑えられる。

上記基材を有することにより、本発明の半導体装置製造用粘着テープは、適度なコシがあって、取り扱い性に優れた粘着テープとなる。
上記基材は特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。上記基材の紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。
なお、上記基材の波長３６５ｎｍでの紫外線透過率は、例えば、分光光度計（ＵＶ－２６００ｉ、島津製作所社製、又は、その同等品）等を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて測定することができる。

上記基材は、上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率を上記範囲に調整する観点からは、樹脂フィルムであることが好ましい。
上記樹脂フィルムは特に限定されないが、耐熱性に優れることから、ポリエステルフィルムが好ましい。上記ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等からなるフィルムが挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。また、上記樹脂フィルムは、紫外線透過性に優れる観点からは、アクリル樹脂フィルムであることが好ましい。上記アクリル樹脂フィルムとしては、例えば、ポリメチルメタクレートからなるフィルム等が挙げられる。また、上記樹脂フィルムとしては、例えば、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、超高分子量ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等からなるフィルムも挙げられる。

上記基材の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１８８μｍである。上記基材の厚みが上記範囲内であることにより、適度なコシがあって、取り扱い性に優れた粘着テープとすることができる。上記基材の厚みのより好ましい下限は１２μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。

上記基材のヘイズは特に限定されないが、レーザー光を効率よく透過させ、チップ部品の剥離性能をより向上させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記基材のヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は１％である。上記基材のヘイズの下限は特に限定されず、小さいほど好ましいが、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、上記基材のヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、ＮＤＨ４０００）等を用いて測定することができる。

上記アブレーション層は特に限定されず、レーザー光を照射することでアブレーションによる変形を生じる層であればよく、粘着性を有していても有していなくてもよい。
上記アブレーション層は、レーザー光を照射することでアブレーションによる変形を生じる観点からは、適度な紫外線吸収率を有することが好ましい。上記アブレーション層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率は特に限定されないが、好ましい下限が９０％、より好ましい下限が９９％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が上記範囲内であれば、上記アブレーション層においてレーザー光の刺激が効率よく熱又は振動に変わるため、アブレーションによる変形が起こりやすくなり、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率の上限は特に限定されないが、実質的には９９．９％程度が上限である。
なお、上記アブレーション層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率は、例えば、分光光度計（ＵＶ－２６００ｉ、島津製作所社製、又は、その同等品）等を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じて測定することができる。

上記アブレーション層は、上記波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率を上記範囲に調整する観点からは、紫外線吸収剤を含有することが好ましい。
上記紫外線吸収剤は特に限定されず、例えば、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ヒドロキシルフェニルトリアジン系紫外線吸収剤等が挙げられる。また、例えば、メトキシケイヒ酸エチルヘキシル、メトキシケイヒ酸オクチル、パラメトキシ桂皮酸エチルヘキシル、ジエチルアミノヒドロキシベンゾイル安息香酸ヘキシル、ビスエチルヘキシルオキシフェノールメトキシフェニルトリアジン、ｔ－ブチルメトキシジベンゾイルメタン等が挙げられる。なかでも、上記アブレーション層において他の成分との相溶性に優れる観点から、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、及び、ヒドロキシルフェニルトリアジン系紫外線吸収剤が好ましい。これらの紫外線吸収剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記紫外線吸収剤の含有量は特に限定されないが、上記アブレーション層に含まれるベースポリマー１００重量部に対する好ましい下限が４重量部である。上記紫外線吸収剤の含有量が４重量部以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記紫外線吸収剤の含有量のより好ましい下限は６重量部、更に好ましい下限は８重量部、更により好ましい下限は１０重量部、一層好ましい下限は１５重量部である。
上記紫外線吸収剤の含有量の上限は特に限定されないが、上記アブレーション層と上記基材又は上記バリア層との接着性を確保する観点から、好ましい上限は３０重量部である。なお、上記アブレーション層と上記基材又は上記バリア層との接着性が不充分であると、例えば、半導体装置製造用粘着テープを所望のテープ幅に切断した際に切断後の端部において浮きが生じる（端部浮き）等の不具合が生じることがある。

上記アブレーション層の２３℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’は特に限定されないが、好ましい下限は１×１０^４Ｐａ、好ましい上限は２×１０^５Ｐａである。上記貯蔵弾性率Ｇ’が上記範囲内であれば、レーザー光を照射することでアブレーションにより上記アブレーション層が適度に変形することができ、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’のより好ましい下限は１．５×１０^４Ｐａ、より好ましい上限は１．５×１０^５Ｐａであり、更に好ましい下限は２．０×１０^４Ｐａ、更に好ましい上限は１．０×１０^５Ｐａである。
なお、上記アブレーション層の２３℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ’は、例えば、粘弾性スペクトロメーター（アイティー計測制御社製、ＤＶＡ－２００、又は、その同等品）等を用いて、単純昇温モードの昇温速度５℃／分、１Ｈｚの条件で－４０～１４０℃の動的粘弾性スペクトルを測定したときの２３℃における貯蔵弾性率として得ることができる。

上記アブレーション層は、粘着性を有していても有していなくてもよいが、上記アブレーション層と上記基材との接着性を確保し、例えば、上記端部浮き等の不具合を抑制する観点から、上記基材と上記アブレーション層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましい。上記基材と上記アブレーション層との間の粘着力の上限は特に限定されないが、好ましい上限は５０Ｎ／２５ｍｍである。
また、上記アブレーション層と上記バリア層との接着性を確保し、例えば、上記端部浮き等の不具合を抑制する観点から、上記アブレーション層と上記バリア層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、１０Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましい。上記アブレーション層と上記バリア層との間の粘着力の上限は特に限定されないが、好ましい上限は５０Ｎ／２５ｍｍである。
なお、ここでいう粘着力は、例えば、オートグラフ（島津製作所社製）等を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向にサンプルを引き剥がす剥離試験を行い、１８０°粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定することで求めることができる。

上記アブレーション層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、上記アブレーション層の貯蔵弾性率Ｇ’を上記範囲に調整しやすく、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上することから、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、及び、アクリル共重合体が好ましい。上記アブレーション層にレーザー光を照射した際、照射箇所に発生するアブレーションが大きくなりすぎない観点からは、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーがより好ましい。また、上記アブレーション層と上記基材又は上記バリア層との接着性を確保し、例えば、上記端部浮き等の不具合を抑制する観点からは、アクリル共重合体がより好ましい。
上記アブレーション層に含まれるベースポリマーとしての上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、及び、上記アクリル共重合体としては、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしての後述するようなＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、及び、アクリル共重合体と同様のポリマーを用いることができる。

上記アブレーション層に含まれるベースポリマーがＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーである場合、ＢブロックのコポリマーのＳＰ値は特に限定されないが、９．５以上であることが好ましい。上記ＳＰ値が９．５以上であることにより、上記基材や上記バリア層との密着性が良くなり、アブレーション発生時に上記アブレーション層の剥離が生じにくく、チップ部品の剥離性能をより向上させることができる。上記ＳＰ値は、９．６以上であることがより好ましく、９．８以上であることが更に好ましい。上記ＳＰ値の上限は特に限定されないが、合成が困難なことから、実質的には１４程度が上限である。
なお、ＳＰ値は溶解性パラメータ（Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）と呼ばれ、極性の指標として用いられるパラメータである。本明細書においてＳＰ値の算出にはＦｅｄｏｒｓ法（Ｒ．Ｆ．Ｆｅｄｏｒｓ，Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．，１４（２），１４７－１５４（１９７４））が用いられる。また、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーのＢブロックのコポリマーのＳＰ値は、Ｂブロックの共重合体中のそれぞれの繰り返し単位単独でのＳＰ値をもとに、その配合比（モル比）を用いて算出できる。

上記アブレーション層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が５０μｍである。上記アブレーション層の厚みが上記範囲内であれば、レーザー光を照射することでアブレーションにより上記アブレーション層が適度に変形することができ、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記アブレーション層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は３０μｍであり、更に好ましい下限は８μｍ、更に好ましい上限は２０μｍである。

上記アブレーション層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が７０重量％、好ましい上限が９５重量％である。上記ゲル分率が７０重量％以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記ゲル分率が９５重量％以下であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能がより向上する。上記ゲル分率のより好ましい下限は８０重量％、より好ましい上限は９０重量％である。
なお、上記アブレーション層のゲル分率は、以下の方法により測定することができる。
半導体装置製造用粘着テープから上記アブレーション層（アブレーション層組成物）のみを０．１ｇ取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤したアブレーション層組成物を分離する。分離後のアブレーション層組成物を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含むアブレーション層組成物の重量を測定し、下記式を用いて上記アブレーション層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期アブレーション層組成物重量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含むアブレーション層組成物重量、Ｗ_２：金属メッシュの初期重量）
ただし、上記アブレーション層組成物が酢酸エチルで溶けきらない場合は、酢酸エチルの代わりにトルエンやヘキサン、水等の溶媒を用いる。具体的にはアブレーション層組成物が、例えば、スチレン系エラストマーを含有する場合はトルエンやヘキサンを用い、ポリビニルアルコールを含有する場合は９０℃の熱水を用いる。

上記バリア層は特に限定されず、上記アブレーション層の飛散を抑えつつ、上記アブレーション層のレーザー光を照射した部分の変形に応じて変形できる層であればよい。上記バリア層は、上記アブレーション層の飛散を抑えつつ、上記アブレーション層のレーザー光を照射した部分の変形に応じて変形できる観点から、樹脂フィルムであることが好ましい。
上記樹脂フィルムは特に限定されないが、上記アブレーション層の飛散を抑えつつ、上記アブレーション層のレーザー光を照射した部分の変形に応じて変形できる観点から、ポリエステルフィルム、及び、ポリオレフィンフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムがより好ましい。上記ポリエステルフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等からなるフィルムが挙げられる。上記ポリオレフィンフィルムとしては、例えば、ポリエチレン、無延伸ポリプロピレン、二軸延伸ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等からなるフィルムが挙げられる。
また、上記樹脂フィルムとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等からなるフィルムも挙げられる。

上記バリア層は、上記第１の粘着剤層と接する側の表面に、易接着処理層を有することが好ましい。上記易接着処理層を有することで、上記バリア層と上記第１の粘着剤層との接着性がより向上する。上記易接着処理層は特に限定されず、例えば、コロナ処理層、プライマー処理層等が挙げられる。

上記バリア層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１μｍ、好ましい上限は２５μｍである。上記バリア層の厚みが１μｍ以上であれば、上記アブレーション層の飛散を充分に抑えることができる。上記バリア層の厚みが２５μｍ以下であれば、上記アブレーション層のレーザー光を照射した部分の変形に応じて充分に変形することができ、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記厚みのより好ましい下限は２μｍ、より好ましい上限は１０μｍであり、更に好ましい上限は６μｍである。

上記バリア層のヘイズは特に限定されないが、視認性がよくなり、チップの正確な場所にレーザー光を照射しやすいことにより、チップ部品の剥離性能をより向上させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記バリア層のヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は１％である。上記ヘイズの下限は特に限定されず、小さいほど好ましいが、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、上記バリア層のヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、ＮＤＨ４０００）等を用いて測定することができる。

上記バリア層は、上記第１の粘着剤層と接する面に易接着樹脂層を有していても良い。上記易接着樹脂層を有すると、上記バリア層と上記第１の粘着剤層との密着性が高くなり、チップを転写した際に上記バリア層から上記第１の粘着剤層が剥離しにくく、チップ上に糊残りが発生することを抑制することができる。

上記易接着樹脂層を形成する樹脂は特に限定されないが、例えば、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ニトリルゴム等が挙げられる。

上記易接着樹脂層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記易接着樹脂層のナノインデンテーション法による弾性率（ＭＰａ）は特に限定されないが、好ましい下限が４０００ＭＰａ、好ましい上限が１００００ＭＰａである。なお、上記樹脂層のナノインデンテーション法による弾性率は、例えば、ナノインデンター（Ｈｙｓｉｔｒｏｎ Ｉｎｃ社製、Ｔｒｉｂｏｉｎｄｅｎｔｅｒ ＴＩ－９５０）を用い、所定温度（２５℃）における単一押し込み法により、押し込み速度４００ｎｍ／ｓｅｃ、引き抜き速度４００ｎｍ／ｓｅｃ、押し込み深さ１００ｎｍの測定条件でダイヤモンド製のＢｅｒｋｏｖｉｃｈ型（三角錐型）探針を測定対象層に垂直に押し当てることで得られる変位－荷重ヒステリシス曲線を、測定装置付帯のソフトウェア（ｔｒｉｂｏｓｃａｎ）で数値処理することで得ることができる。

上記易接着樹脂層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が０．０５μｍ、好ましい上限が０．３μｍである。上記易接着樹脂層の厚みが０．０５μｍ以上であれば、上記第１の粘着剤層との密着性が高くなる。上記接着樹脂層の厚みが０．３μｍ以下であれば、アブレーションの際に変形しやすく、チップ部品の剥離性能がより向上する。上記易接着樹脂層の厚みのより好ましい下限は０．０８μｍ、より好ましい上限は０．２μｍであり、更に好ましい下限は０．１μｍ、更に好ましい上限は０．１８μｍである。

上記第１の粘着剤層は特に限定されないが、感圧粘着剤層であることが好ましい。また、上記第１の粘着剤層は、チップ部品の剥離性能をより向上させる観点からは、熱硬化型、光硬化型等の硬化型粘着剤層であってもよい。
上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を後述する範囲に調整しやすく、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、及び、アクリル共重合体が好ましい。同様の観点から、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーがより好ましい。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、剛直な構造であるブロックＡ（以下、「ハードセグメント」ともいう）と、柔軟な構造であるブロックＢ（以下、「ソフトセグメント」ともいう）とを含む共重合体である。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、２つのブロックが相溶し難く、ブロックＢの海の中にブロックＡが凝集してできた球状の島が点在する不均一な相分離構造や、上記ブロックＢの海の中に上記ブロックＡが凝集してできた円筒状の構造が点在する不均一な相分離構造をとることがある。このような球状の島が点在する相分離構造を、スフィア状の相分離構造、円筒状の構造が点在する相分離構造をシリンダー状の相分離構造ともいう。そして、上記相分離構造の島が疑似架橋点となることで、上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにゴム弾性を付与できることから、上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を後述する範囲に調整しやすく、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、Ａ－Ｂ－Ａ型トリブロックコポリマーであることが好ましい。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＡは、剛直な構造を有していれば特に限定されないが、芳香族ビニルモノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記ブロックＡは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造に加えて更に、例えば、環状構造を有する化合物、側鎖置換基が短い化合物等に由来する構造を有していてもよい。

上記芳香族ビニルモノマーとしては、例えば、スチレン、アルファメチルスチレン、パラメチルスチレン、クロロスチレン等が挙げられる。これらの芳香族ビニルモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、スチレンが好ましい。なお、本明細書において芳香族ビニルモノマーに由来する構造とは、下記一般式（１）又は（２）に示すような構造のことを指す。

一般式（１）及び（２）中、Ｒ^１は芳香環を有する置換基を表す。芳香環を有する置換基Ｒ^１としては、フェニル基、メチルフェニル基、クロロフェニル基等が挙げられる。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されないが、１重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の破断強度が高くなり、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記芳香族ビニルモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は５重量％、更に好ましい下限は８重量％、特に好ましい下限は１０重量％、より好ましい上限は２８重量％、更に好ましい上限は２５重量％、特に好ましい上限は２０重量％である。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＢは、柔軟な構造を有していれば特に限定されないが、上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を後述する範囲に調整しやすいことから、共役ジエンモノマーに由来する構造、又は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。上記第１の粘着剤層がより適切なタックを有することができ、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能がより向上することから、ブロックＢは、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することがより好ましい。
上記ブロックＢは、本発明の効果を損なわない範囲で、上記共役ジエンモノマー及び上記（メタ）アクリル系モノマー以外のモノマーに由来する構造を有していてもよい。

上記共役ジエンモノマーとしては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－オクタジエン、１，３－ヘキサジエン、１，３－シクロヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン、ミルセン、クロロプレン等が挙げられる。これらの共役ジエンモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、重合反応性が高く、工業的に入手しやすいことから、１，３－ブタジエン、イソプレンが好ましい。

上記共役ジエンモノマーに由来する構造は、二重結合（不飽和結合）が水素添加により飽和結合に変換されていてもよい。なお、例えば、上記共役ジエンモノマーに由来する構造としての１，３－ブタジエンに由来する構造の二重結合（不飽和結合）が水素添加されると、エチレン－ブチレン構造に変換される。上記水素添加の比率（水素添加率）は特に限定されず、部分的に水素添加されていてもよく、大部分が水素添加されていてもよい。
なお、水素添加の比率（水素添加率）は、重水素化クロロホルムを溶媒として用い、２０Ｈｚでの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定して算出することができる。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記共役ジエンモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されず、本発明の効果が発揮されればよいが、０重量％以上、９９重量％以下であることが好ましい。上記共役ジエンモノマーに由来する構造の含有量は、３０重量％以上であることがより好ましく、４０重量％以上であることが更に好ましく、７０重量％以上であることが更により好ましく、８０重量％以上であることが一層好ましい。また、上記共役ジエンモノマーに由来する構造の含有量は、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下であることが更に好ましい。
上記共役ジエンモノマーに由来する構造の含有量は、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以上、９０重量％以下であることが更に好ましい。

上記（メタ）アクリル系モノマーは、単一のものであってもよいし、複数のモノマーを用いてもよい。なお、本明細書において（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造とは、下記一般式（５）又は（６）に示すような構造のことを指す。

一般式（５）及び（６）中、Ｒ^３は側鎖を表す。側鎖Ｒ^３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２－エチルへキシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、ラウリル基、ステアリル基、イソステアリル基、イソボルニル基等が挙げられる。

上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル系モノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、チップ部品の剥離性能と、チップ部品への糊残り抑制効果とのバランスを取る観点から、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルへキシル（メタ）アクリレート、及び、ラウリル（メタ）アクリレートが好ましい。チップ部品への糊残りをより抑える観点から、ブチル（メタ）アクリレート、及び、２－エチルへキシル（メタ）アクリレートがより好ましい。また、これらのアクリレートが更に好ましい。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記ブロックＢのガラス転移温度は特に限定されないが、－３０℃以上、０℃以下であることが好ましい。上記ブロックＢのガラス転移温度が上記範囲であることで、突起を有するチップ部品、又は、小さいサイズのチップ部品を転写する場合にも粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記ブロックＢのガラス転移温度のより好ましい下限は－２８℃、更に好ましい下限は－２５℃であり、より好ましい上限は－５℃、更に好ましい上限は－１０℃である。
なお、上記ブロックＢのガラス転移温度は、例えば、示差走査熱量計（ティー・エイ・インスツルメント社製、日立ハイテクサイエンス社製等）等を用いて測定することによって求めることができる。より具体的には、示差走査熱量計（日立ハイテクサイエンス社製、ＳＩＩ Ｅｘｓｔａｒ ６０００／ＤＳＣ ６２２０）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件でＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーの測定を行った際に２ｎｄ ｒｕｎで得られる値を用いることができる。なお、上記ブロックＡに由来するピークと上記ブロックＢに由来するピークとが得られるが、低温側のピークを上記ブロックＢに由来するピークとし、上記ブロックＢのガラス転移温度を決定する。

上記ブロックＢのガラス転移温度を上記範囲に調整する方法は特に限定されないが、上記ブロックＢのガラス転移温度を上記範囲に調整するためには、上記（メタ）アクリル系モノマーが、ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーを含有することが好ましい。

上記（メタ）アクリル系モノマーが上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーを含有することで、上記第１の粘着剤層の貯蔵弾性率をより好ましい範囲に調整することができる。上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ノルマルブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ターシャリーブチルアクリレート、ターシャリーブチルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ベンジルメタクリレートが挙げられる。特に、メチルアクリレート、メチルメタクリレートが好ましい。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されず、０重量％であってもよいが、好ましい下限は３５重量％である。上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量が３５重量％以上であれば、粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は４０重量％である。
上記ホモポリマーとしたときのガラス転移温度が０℃以上である（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構造の含有量の上限は特に限定されないが、チップ部品を仮固定する観点から、好ましい上限は６０重量％、より好ましい上限は５０重量％である。

上記ブロックＢは、更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記ブロックＢが上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することで、架橋性官能基の架橋によって上記第１の粘着剤層の凝集力が高まることから、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。上記架橋性官能基は架橋されていても架橋されていなくてもよいが、架橋されていることがより好ましい。ただし、架橋されていない構造のままであったとしても、官能基間の相互作用により上記第１の粘着剤層の凝集力が高まり、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。なお、本明細書において架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造とは、下記一般式（３）又は（４）に示すような構造のことを指す。

一般式（３）及び（４）中、Ｒ^２は少なくとも１つの架橋性官能基を含む置換基を表す。架橋性官能基としては、例えば、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、二重結合、三重結合、アミノ基、アミド基、ニトリル基等が挙げられる。なお、少なくとも１つの架橋性官能基を含む置換基Ｒ^２は、その構成要素として、アルキル基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、カーボネート基、アミド基、ウレタン基等を含んでいてもよい。

上記架橋性官能基を有するモノマーは特に限定されず、例えば、カルボキシル基含有モノマー、水酸基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、二重結合含有モノマー、三重結合含有モノマー、アミノ基含有モノマー、アミド基含有モノマー、ニトリル基含有モノマー等が挙げられる。これらの架橋性官能基を有するモノマーは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、カルボキシル基含有モノマー、水酸基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、二重結合含有モノマー、三重結合含有モノマー及びアミド基含有モノマーからなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
上記カルボキシル基含有モノマーとしては、（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸系モノマーが挙げられる。上記水酸基含有モノマーとしては、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキルアクリレート又はヒドロキシアルキルメタクリレートが挙げられる。上記エポキシ基含有モノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記二重結合含有モノマーとしては、アリル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記三重結合含有モノマーとしては、プロパルギル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記アミド基含有モノマーとしては、（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。なかでも、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、カルボキシル基含有モノマー及び水酸基含有モノマーが好ましい。更に、（メタ）アクリル酸系モノマー及びヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましく、アクリル酸、２－ヒドロキシエチルアクリレート及び４－ヒドロキシブチルアクリレートが更に好ましい。

なお、上記ブロックＢに加えて、上記ブロックＡも、上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量（上記ブロックＡ中の含有量と上記ブロックＢ中の含有量との合計）は特に限定されないが、０．１重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の凝集力がより高まり、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．５重量％、更に好ましい下限は１重量％、より好ましい上限は２５重量％、更に好ましい上限は２０重量％である。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー中、上記ブロックＡ（ハードセグメント）の含有量は特に限定されないが、１重量％以上、４０重量％以下であることが好ましい。上記ブロックＡの含有量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の破断強度が高くなり、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記ブロックＡの含有量のより好ましい下限は２重量％、更に好ましい下限は５重量％、特に好ましい下限は１０重量％である。上記ブロックＡの含有量のより好ましい上限は３５重量％、更に好ましい上限は３０重量％、更に好ましい上限は２５重量％、更により好ましい上限は２２重量％、特に好ましい上限は２０重量％である。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、５万以上、８０万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を後述する範囲に調整しやすく、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記重量平均分子量のより好ましい下限は７５０００、更に好ましい下限は１０万、更により好ましい下限は２０万である。上記重量平均分子量のより好ましい上限は６０万である。
なお、上記重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）法により標準ポリスチレン換算にて求めることができる。より具体的には、例えば、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定することができる。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーのＳＰ値は特に限定されないが、１０以下であることが好ましい。上記ＳＰ値が１０以下であることにより、チップ部品との密着を抑制し、剥離性能をより向上させることができる。上記ＳＰ値は、９．９８以下であることがより好ましく、９．９５以下であることが更に好ましい。上記ＳＰ値の下限は特に限定されないが、合成が困難なことから、実質的には８程度が下限である。
なお、上記ＳＰ値は溶解性パラメータ（Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）と呼ばれ、極性の指標として用いられるパラメータである。本明細書において上記ＳＰ値の算出にはＦｅｄｏｒｓ法（Ｒ．Ｆ．Ｆｅｄｏｒｓ，Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．，１４（２），１４７－１５４（１９７４））が用いられる。また、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーのＳＰ値は、共重合体中のそれぞれの繰り返し単位単独でのＳＰ値をもとに、その配合比（モル比）を用いて算出できる。

上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーを得るには、上記ブロックＡ及び上記ブロックＢの原料モノマーを、重合開始剤の存在下にてそれぞれラジカル反応させて上記ブロックＡ及び上記ブロックＢを得た後、両者を反応させる又は共重合すればよい。また、上記ブロックＡを得た後、続けて上記ブロックＢの原料モノマーを投入し、共重合してもよい。
上記ラジカル反応をさせる方法、即ち、重合方法としては、従来公知の方法が用いられ、例えば、溶液重合（沸点重合又は定温重合）、乳化重合、懸濁重合、塊状重合等が挙げられる。

上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしての上記アクリル共重合体は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を有する共重合体である。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、上述したＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおける（メタ）アクリル系モノマーと同様のモノマーが挙げられる。なかでも、チップ部品の剥離性能と、チップ部品への糊残り抑制効果とのバランスを取る観点から、ブチル（メタ）アクリレート、及び、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートが好ましく、ブチルアクリレート、及び、２－エチルヘキシルアクリレートがより好ましい。

上記アクリル共重合体は、更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記アクリル共重合体が上記架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することで、架橋性官能基の架橋によって上記第１の粘着剤層の凝集力が高まることから、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。上記架橋性官能基は架橋されていても架橋されていなくてもよいが、架橋されていることがより好ましい。ただし、架橋されていない構造のままであったとしても、官能基間の相互作用により上記第１の粘着剤層の凝集力が高まり、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能が向上し、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。
上記架橋性官能基を有するモノマーとしては、例えば、上述したＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおける架橋性官能基を有するモノマーと同様のモノマーが挙げられる。

上記アクリル共重合体中、上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されないが、０．１重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の凝集力がより高まり、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．５重量％、更に好ましい下限は１重量％、より好ましい上限は２５重量％、更に好ましい上限は２０重量％である。

上記アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、２０万以上、２００万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を後述する範囲に調整しやすく、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記重量平均分子量のより好ましい下限は４０万、より好ましい上限は１５０万である。

上記アクリル共重合体のＳＰ値は特に限定されないが、１０以下であることが好ましい。上記ＳＰ値が１０以下であることにより、チップ部品との密着を抑制し、剥離性能をより向上させることができる。上記ＳＰ値は、９．９８以下であることがより好ましく、９．９５以下であることが更に好ましい。上記ＳＰ値の下限は特に限定されないが、合成が困難なことから、実質的には８程度が下限である。
なお、上記ＳＰ値は溶解性パラメータ（Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）と呼ばれ、極性の指標として用いられるパラメータである。本明細書において上記ＳＰ値の算出にはＦｅｄｏｒｓ法（Ｒ．Ｆ．Ｆｅｄｏｒｓ，Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．，１４（２），１４７－１５４（１９７４））が用いられる。また、アクリル共重合体のＳＰ値は、共重合体中のそれぞれの繰り返し単位単独でのＳＰ値をもとに、その配合比（モル比）を用いて算出できる。

上記第１の粘着剤層は、更に、架橋剤を含有することが好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。より具体的には、例えば、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基がカルボキシル基の場合、上記架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
なかでも、上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を後述する範囲に調整しやすいことから、エポキシ系架橋剤及びイソシアネート系架橋剤が好ましい。

上記架橋剤の含有量は特に限定されず、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の量、及び、上記架橋剤の含有量を調整することで、上記第１の粘着剤層の架橋度（ゲル分率）を調整することができる。
上記架橋剤の含有量は、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００重量部に対して０．０１重量部以上、１０重量部以下であることが好ましい。上記架橋剤の含有量が上記範囲であることで、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーを適度に架橋して上記第１の粘着剤層の凝集力を高めることができ、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は５重量部であり、更に好ましい下限は０．１５重量部、更に好ましい上限は３重量部である。

上記第１の粘着剤層は、更に、タッキファイヤー（粘着付与剤）を含有してもよい。
上記タッキファイヤーは、常温で固体状のタッキファイヤーであってもよく、常温で液状のタッキファイヤーであってもよい。なお、常温とは、２０～２５℃を意味し、液状とは流動性を有することを意味する。

上記タッキファイヤーは特に限定されず、例えば、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂等が挙げられる。

上記タッキファイヤーの含有量は特に限定されず、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能の観点から、上記第１の粘着剤層に含有されないことが好ましい。上記タッキファイヤーを含有する場合は、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００重量部に対して１０重量部以下であることが好ましい。上記タッキファイヤーの含有量が上記範囲であることで、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい上限は５重量部である。

上記第１の粘着剤層は、本発明の効果を損なわない範囲で、更に、上記アブレーション層に含まれる上記紫外線吸収剤と同様の紫外線吸収剤を含有してもよい。上記粘第１の着剤層の紫外線吸収率は、上記アブレーション層の紫外線吸収率と同程度であってもよいが、特に限定されない。

上記第１の粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。
上記無機フィラーを配合することにより、上記第１の粘着剤層の凝集力を高めることができ、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。

上記第１の粘着剤層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第１の粘着剤層の破断強度は特に限定されないが、好ましい下限が１ＭＰａである。上記破断強度が１ＭＰａ以上であれば、レーザーアブレーションによりチップ部品が剥離する際に上記第１の粘着剤層がよりちぎれにくくなり、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記破断強度のより好ましい下限は１．３ＭＰａ、更に好ましい下限は１．４ＭＰａである。
上記破断強度の上限は特に限定されないが、上記破断強度が高すぎると半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能が低下することから、好ましい上限は１０ＭＰａ、より好ましい上限は８ＭＰａ、更に好ましい上限は７ＭＰａ、更により好ましい上限は６ＭＰａである。
なお、上記第１の粘着剤層の破断強度は、例えば、オートグラフ（島津製作所社製）等を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１：２０１４に準じて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで粘着剤層を引っ張った際の破断時の応力から算出することができる。なお、測定時は上記基材等上記第１の粘着剤層以外を取り除き、上記第１の粘着剤層のみのサンプルを作製した後に破断強度の測定を行う。上記基材等を取り除く方法としては、上記第１の粘着剤層の変性を避けるため、溶剤を用いた処理、化学反応を伴う処理、高温での処理等を避ける限りにおいて特に限定されない。具体的な方法としては、上記第１の粘着剤層同士を貼り合わせた後、適切な温度及び剥離速度を選択し、引き剥がすことによって上記基材等と上記第１の粘着剤層とを剥離し、上記基材等を取り除く方法、又は、上記基材等を物理的に研削する方法を選択することができる。
なお、上記第１の粘着剤層の厚みが１００μｍ未満の場合は、上記第１の粘着剤層を重ね合わせることにより、厚みが１００μｍ以上となるように測定用の粘着剤層を形成する。得られた測定用の粘着剤層について、上記の通り破断強度の測定を行う。

上記第１の粘着剤層の２３℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’は特に限定されないが、好ましい下限は１×１０^４Ｐａ、好ましい上限は２×１０^６Ｐａである。上記貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’が２×１０^６Ｐａ以下であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’のより好ましい下限は２×１０^４Ｐａ、より好ましい上限は１．５×１０^６Ｐａであり、更に好ましい下限は３×１０^４Ｐａ、更に好ましい上限は１．２×１０^６Ｐａである。
なお、上記第１の粘着剤層の２３℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ’は、例えば、粘弾性スペクトロメーター（アイティー計測制御社製、ＤＶＡ－２００、又は、その同等品）等を用いて、単純昇温モードの昇温速度５℃／分、１Ｈｚの条件で－４０～１４０℃の動的粘弾性スペクトルを測定したときの２３℃における貯蔵弾性率として得ることができる。
なお、上記第１の粘着剤層の厚みが１００μｍ未満の場合は、上記第１の粘着剤層を重ね合わせることにより、厚みが１００μｍ以上となるように測定用の粘着剤層を形成する。得られた測定用の粘着剤層について、上記の通り貯蔵弾性率Ｇ’の測定を行う。

上記第１の粘着剤層の－２０℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’は特に限定されないが、好ましい下限は３×１０^５Ｐａ、好ましい上限は１×１０^８Ｐａである。上記貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０^５Ｐａ以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^８Ｐａ以下であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’のより好ましい下限は５×１０^６Ｐａ、より好ましい上限は５×１０^７Ｐａであり、更に好ましい下限は１×１０^７Ｐａ、更に好ましい上限は３×１０^７Ｐａである。

上記第１の粘着剤層の１４０℃、１Ｈｚでの貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’は特に限定されないが、好ましい下限は３×１０^４Ｐａ、好ましい上限は３×１０^５Ｐａである。上記貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０^４Ｐａ以上であれば、突起を有するチップ部品、又は、小さいサイズのチップ部品を転写する場合にも半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’が３×１０^５Ｐａ以下であれば、半導体装置製造用粘着テープの突起を有するチップ部品、又は、小さいサイズのチップ部品の保持性能がより向上する。上記貯蔵弾性率Ｇ’のより好ましい下限は５×１０^４Ｐａ、より好ましい上限は２．５×１０^５Ｐａであり、更に好ましい下限は９×１０^４Ｐａ、更に好ましい上限は２×１０^５Ｐａである。

上記第１の粘着剤層の－２０℃、１Ｈｚ、１４０℃、１Ｈｚでのそれぞれの貯蔵弾性率Ｇ’は、例えば、粘弾性スペクトロメーター（アイティー計測制御社製、ＤＶＡ－２００、又は、その同等品）等を用いて、単純昇温モードの昇温速度５℃／分、１Ｈｚの条件で－４０～１６０℃の動的粘弾性スペクトルを測定したときの－２０℃、１４０℃における貯蔵弾性率として得ることができる。
なお、上記第１の粘着剤層の厚みが１００μｍ未満の場合は、上記第１の粘着剤層を重ね合わせることにより、厚みが１００μｍ以上となるように測定用の粘着剤層を形成する。得られた測定用の粘着剤層について、上記の通り貯蔵弾性率Ｇ’の測定を行う。

上記第１の粘着剤層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が７０重量％、好ましい上限が９５重量％である。上記ゲル分率が７０重量％以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記ゲル分率が９５重量％以下であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能がより向上する。上記ゲル分率のより好ましい下限は８０重量％、より好ましい上限は９０重量％である。
なお、上記第１の粘着剤層のゲル分率は、以下の方法により測定することができる。
半導体装置製造用粘着テープから上記第１の粘着剤層（粘着剤組成物）のみを０．１ｇ取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した粘着剤組成物を分離する。分離後の粘着剤組成物を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤組成物の重量を測定し、下記式を用いて上記第１の粘着剤層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期粘着剤組成物重量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤組成物重量、Ｗ_２：金属メッシュの初期重量）
ただし、上記第１の粘着剤組成物が酢酸エチルで溶けきらない場合は、酢酸エチルの代わりにトルエンやヘキサン、水等の溶媒を用いる。具体的には第１の粘着剤組成物が、例えば、スチレン系エラストマーを含有する場合はトルエンやヘキサンを用い、ポリビニルアルコールを含有する場合は９０℃の熱水を用いる。

上記第１の粘着剤層の破断強度、貯蔵弾性率Ｇ’、ゲル分率等を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記第１の粘着剤層に含まれるベースポリマーの組成又は重量平均分子量（Ｍｗ）、上記架橋剤の種類又は量を上述したように調整する方法等が挙げられる。

上記第１の粘着剤層の相分離構造は特に限定されないが、スフィア状の相分離構造を有することが好ましい。上記第１の粘着剤層がスフィア状の相分離構造を有することで、上記第１の粘着剤層の貯蔵弾性率、破断強度、ゲル分率等が上記の範囲に調整されやすくなり、粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。上記第１の粘着剤層の相分離構造は、例えば、上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおける各ブロックの比を調整することで制御することができる。

上記第１の粘着剤層は、シリンダー状の相分離構造を有していてもよい。上記第１の粘着剤層がシリンダー状の相分離構造を有することで、上記第１の粘着剤層の貯蔵弾性率、破断強度、ゲル分率等が上記の範囲に調整されやすくなり、粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。特に、上記第１の粘着剤層がシリンダー状の相分離構造を有する場合、上記第１の粘着剤層の貯蔵弾性率、破断強度等を比較的大きい範囲に調整しやすくなり、突起を有するチップ部品、又は、小さいサイズのチップ部品を転写する場合にも粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
なお、上記粘着剤層の相分離構造は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行うことにより確認することができ、スフィア状とは、ミクロ相分離構造が球構造であることを意味し、シリンダー状とは、ミクロ相分離構造が円筒構造であることを意味する。

上記第１の粘着剤層がスフィア状の相分離構造を有する場合、スフィア状の相分離構造における島構造のサイズは特に限定されないが、島構造の平均長径の好ましい下限が５ｎｍ、好ましい上限が１００ｎｍであり、より好ましい下限が１０ｎｍ、より好ましい上限が５０ｎｍである。上記平均長径が上記範囲内であることで、粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。
なお、上記スフィア状の相分離構造における島構造の平均長径は、以下の方法により測定することができる。
倍率５０００倍で上記第１の粘着剤層の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行い、４．３μｍ×４．３μｍの領域についての観察画像を取得する。取得した画像について、画像解析ソフトウェア（例えば、Ａｖｉｚｏ、ｖｅｒ２０１９．４、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製等）を用いて自動二値化を行う。二値化された画像から、それぞれの島構造（暗部）の長径を計測し、これらの算術平均値を平均長径とする。なお、自動二値化手法の詳細は、既知文献（「判別および最小２乗規準に基づく自動しきい値選定法」、大津展之、電子情報通信学会論文誌Ｄ、Ｖｏｌ．Ｊ６３－Ｄ、Ｎｏ．４、ｐｐ．３４９－３５６）に基づく。

上記第１の粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が５０μｍである。上記第１の粘着剤層の厚みが３μｍ以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能及び剥離性能がより向上する。上記第１の粘着剤層の厚みが５０μｍ以下であれば、チップ部品への糊残りをより抑えることができる。半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能及び剥離性能がより向上し、かつ、チップ部品への糊残りをより抑えることができることから、上記第１の粘着剤層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は３０μｍであり、更に好ましい下限は８μｍ、更に好ましい上限は２０μｍである。

本発明の半導体装置製造用粘着テープは、上記基材の上記アブレーション層、上記バリア層、上記第１の粘着剤層がこの順に積層されている面とは反対の面に、第２の粘着剤層を有していても良い。
即ち、本発明の半導体装置製造用粘着テープは、更に第２の粘着剤層を有し、該第２の粘着剤層、前記基材、前記アブレーション層、前記バリア層、及び、前記第１の粘着剤層をこの順に有するものであってもよい。上記第２の粘着剤層を有していると、本発明の半導体装置製造用粘着テープをガラス支持体等に容易に貼り付けることができる。

図４に、上記第２の粘着剤層を有する場合における本発明の半導体装置製造用粘着テープの一例を模式的に示す断面図を示す。図４に示す本発明の半導体装置製造用粘着テープ１２においては、第２の粘着剤層４ｂ、基材５、アブレーション層１０、バリア層１１、及び、第１の粘着剤層４ａがこの順に積層されている。

上記第２の粘着剤層は特に限定されないが、感圧粘着剤層であることが好ましい。
上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしては、例えば、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体、ウレタン共重合体、シリコーン粘着剤等が挙げられる。なかでも、ガラス基板等の支持体へ強く貼りつくことができ、且つ糊残りなく再剥離できる観点から、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー、アクリル共重合体が好ましい。

上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしての上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、上述した上記第１の粘着剤層に用いられるＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーと同様のポリマーを用いることができる。
上記第２の粘着剤層の相分離構造は特に限定されないが、強粘着性と再剥離性の両立をさせやすい観点から、相分離構造はスフィア状の相分離構造が好ましい。
上記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおいて、ブロックＢは、柔軟な構造を有していれば特に限定されないが、ブロックＢは（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することが好ましく、なかでもブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートを含有することがより好ましい。

上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしての上記アクリル共重合体は、上述した上記第１の粘着剤層に用いられるアクリル共重合体と同様のポリマーを用いることができる。
上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーとしての上記アクリル共重合体は、（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を有する共重合体である。
上記（メタ）アクリル系モノマーとしては、例えば、上述したＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおける（メタ）アクリル系モノマーと同様のモノマーが挙げられる。なかでも、強粘着性と再剥離性の両立をさせやすい観点から、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートがより好ましい。

上記アクリル共重合体は、糊残りなく再剥離する観点から更に、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を含有することが好ましい。
上記架橋性官能基を有するモノマーとしては、例えば、上述したＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーにおける架橋性官能基を有するモノマーと同様のモノマーが挙げられる。

上記アクリル共重合体中、上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量は特に限定されないが、０．１重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性を両立することができる。上記架橋性官能基を有するモノマーに由来する構造の含有量のより好ましい下限は０．５重量％、更に好ましい下限は１重量％、より好ましい上限は２５重量％、更に好ましい上限は２０重量％である。

上記アクリル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、２０万以上、２００万以下であることが好ましい。上記重量平均分子量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性を両立することができる。上記重量平均分子量のより好ましい下限は４０万、より好ましい上限は１５０万である。

上記第２の粘着剤層は、更に、架橋剤を含有することが好ましい。
上記架橋剤は特に限定されず、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の種類に応じて選択され、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。より具体的には、例えば、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基がカルボキシル基の場合、上記架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
なかでも、強粘着性と再剥離性の両立の観点から、エポキシ系架橋剤及びイソシアネート系架橋剤が好ましい。

上記架橋剤の含有量は特に限定されず、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー中の架橋性官能基の量、及び、上記架橋剤の含有量を調整することで、上記第２の粘着剤層の架橋度（ゲル分率）を調整することができる。
上記架橋剤の含有量は、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００重量部に対して０．０１重量部以上、１０重量部以下であることが好ましい。上記架橋剤の含有量が上記範囲であることで、強粘着性と再剥離性を両立することができる。上記架橋剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は５重量部であり、更に好ましい下限は０．１５重量部、更に好ましい上限は３重量部である。

上記第２の粘着剤層は、更に、タッキファイヤー（粘着付与剤）を含有してもよい。
上記タッキファイヤーは特に限定されないが、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。上記タッキファイヤーの紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。紫外線透過率が高い観点から、水素添加されたタッキファイヤーが好ましい。

上記タッキファイヤーは特に限定されず、例えば、ロジンエステル樹脂、テルペンフェノール樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂等が挙げられる。なかでも水素添加ロジンエステル、水素添加テルペンフェノール、水素添加テルペン樹脂等が好ましい。

上記タッキファイヤーの含有量は特に限定されず、再剥離性の観点から、上記第２の粘着剤層に含有されないことが好ましい。上記タッキファイヤーを含有する場合は、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマー１００重量部に対して１０重量部以下であることが好ましい。上記常温で固体状のタッキファイヤーの含有量が上記範囲であると再剥離時に糊残りしにくい。上記タッキファイヤーの含有量のより好ましい下限は５重量部、より好ましい上限は３重量部である。

上記第２の粘着剤層は、適度な紫外線透過率を有することが好ましい。紫外線透過率は特に限定されないが、波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の好ましい下限が１％、より好ましい下限が５０％、更に好ましい下限が８０％である。上記波長３６５ｎｍでの紫外線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。

上記第２の粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。
上記無機フィラーを配合することにより、上記第２の粘着剤の凝集力が向上し、強粘着性と再剥離性の両立がしやすくなる。

上記第２の粘着剤層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。これらの添加剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記第２の粘着剤層の粘着力は特に限定されないが、好ましい下限が０．８Ｎ／２５ｍｍである。上記粘着力が０．８Ｎ／２５ｍｍ以上であれば、チップ部品の剥離の際にガラス基板等の支持体からテープが剥離するのを防ぐことができる。上記粘着力のより好ましい下限は２Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい下限は６Ｎ／２５ｍｍ、更により好ましい下限は１２Ｎ／２５ｍｍである。
上記粘着力の上限は特に限定されないが、再剥離性の観点から、好ましい上限は２０Ｎ／２５ｍｍ、より好ましい上限は１８Ｎ／２５ｍｍ、更に好ましい上限は１６Ｎ／２５ｍｍである。
なお、上記第２の粘着剤層の粘着力は、例えば、オートグラフ（島津製作所社製）等を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９に準じて、粘着テープを２５ｍｍ幅に裁断し、ガラス板に、室温２３℃、相対湿度５０％で、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で貼り付け、３０分間放置した後、粘着テープを３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き剥がして１８０°剥離強度を測定することで得られる。

上記第２の粘着剤層のゲル分率は特に限定されないが、好ましい下限が３０重量％、好ましい上限が９０重量％である。上記ゲル分率が３０重量％以上であれば、再剥離時に糊残りが生じにくい。上記ゲル分率が９０重量％以下であれば、粘着力を高く調整しやすい。上記ゲル分率のより好ましい下限は４０重量％、より好ましい上限は８０重量％である。
なお、上記第２の粘着剤層のゲル分率は、以下の方法により測定することができる。
半導体装置製造用粘着テープから上記第２の粘着剤層（粘着剤組成物）のみを０．１ｇ取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中に浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうする。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した粘着剤組成物を分離する。分離後の粘着剤組成物を１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤組成物の重量を測定し、下記式を用いて上記第２の粘着剤層のゲル分率を算出する。
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期粘着剤組成物重量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含む粘着剤組成物重量、Ｗ_２：金属メッシュの初期重量）
ただし、上記第２の粘着剤組成物が酢酸エチルで溶けきらない場合は、酢酸エチルの代わりにトルエンやヘキサン、水等の溶媒を用いる。具体的には上記第２の粘着剤組成物が、例えば、スチレン系エラストマーを含有する場合はトルエンやヘキサンを用い、ポリビニルアルコールを含有する場合は９０℃の熱水を用いる。

上記第２の粘着剤層の粘着力、ゲル分率等を上記範囲に調整する方法は特に限定されず、例えば、上記第２の粘着剤層に含まれるベースポリマーの組成又は重量平均分子量（Ｍｗ）、上記架橋剤の種類又は量を上述したように調整する方法等が挙げられる。

上記第２の粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が３０μｍである。上記第２の粘着剤層の厚みが３μｍ以上であれば、チップ部品の剥離の際にガラス基板等の支持体からテープが剥離するのを防ぐことができる。上記第２の粘着剤層の厚みが３０μｍ以下であれば、再剥離しやすくすることができる。上記第２の粘着剤層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は２０μｍであり、更に好ましい下限は８μｍ、更に好ましい上限は１２μｍである。

本発明の半導体装置製造用粘着テープは、上述したような基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有していればよく、本発明の効果を損なわない範囲で、更に他の層を有していてもよい。上記バリア層が上記第１の粘着剤層と接する面に易接着樹脂層を有する場合は、上述したような基材、アブレーション層、バリア層（第１の粘着剤層と接する面に易接着樹脂層を有する）、及び、第１の粘着剤層をこの順に有していればよく、本発明の効果を損なわない範囲で、更に他の層を有していてもよい。上記第２の粘着剤層を有する場合は、上述したような第２の粘着剤層、基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有していればよく、本発明の効果を損なわない範囲で、更に他の層を有していてもよい。

本発明の半導体装置製造用粘着テープの第１の粘着剤層のボールタックは特に限定されないが、Ｎｏ．５以上であることが好ましい。上記ボールタックがＮｏ．５以上であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の保持性能がより向上する。上記ボールタックはＮｏ．６以上であることがより好ましい。上記ボールタックの上限は特に限定されないが、チップ部品の剥離性能をより向上させる観点から、Ｎｏ．１２以下であることが好ましい。
なお、半導体装置製造用粘着テープのボールタックは、例えば、ボールタックテスター（安田精機製作所社製）等を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で測定し、算出することができる。

本発明の半導体装置製造用粘着テープの第１の粘着剤層の面剥離力は特に限定されないが、好ましい上限が１ＭＰａである。上記面剥離力が１ＭＰａ以下であれば、半導体装置製造用粘着テープのチップ部品の剥離性能がより向上する。上記面剥離力のより好ましい上限は０．８ＭＰａである。上記面剥離力の下限は特に限定されないが、チップ部品の保持性能をより向上させる観点から、好ましい下限は０．６５ＭＰａである。
なお、半導体装置製造用粘着テープの第１の粘着剤層の面剥離力は、例えば、次のようにして求めることができる。半導体装置製造用粘着テープの第１の粘着剤層の表面に、一辺が１０ｍｍのＳＵＳ製の立方体の一面を貼り合わせ、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下、０．３ＭＰａで１０秒圧着する。その後、オートグラフ（島津製作所社製）等を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、半導体装置製造用粘着テープの基材面を固定した状態でＳＵＳ製の立方体を引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引張り、剥離させる。剥離時の最大応力を面剥離力とする。

本発明の半導体装置製造用粘着テープの可視光線透過率は特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、適度な可視光線透過率を有することが好ましい。上記可視光線透過率の好ましい下限は５０％、より好ましい下限は８０％である。上記可視光線透過率の上限は特に限定されないが、実質的には９５％程度が上限である。
本発明の半導体装置製造用粘着テープのヘイズは特に限定されないが、レーザーアブレーションによりチップ部品を剥離させる観点からは、ヘイズが小さいことが好ましい。上記ヘイズの好ましい上限は１０％、より好ましい上限は５％、更に好ましい上限は３％である。上記ヘイズの下限は特に限定されず、小さいほど好ましく、実質的な下限は０．１％程度である。
なお、半導体装置製造用粘着テープの可視光線透過率及びヘイズは、例えば、ヘイズメーター（日本電色工業社製、ＮＤＨ４０００）等を用いて測定することができる。

本発明の半導体装置製造用粘着テープの用途は特に限定されないが、レーザー光を照射する工程を有する半導体装置の製造に好適に用いられる。本発明の半導体装置製造用粘着テープは、チップ部品の剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができることから、図３に示すような第１の粘着剤層上に配置されたチップ部品をレーザーアブレーションにより剥離させる工程に更に好適に用いられる。
上記チップ部品は特に限定されず、例えば、ＭｉｎｉＬＥＤチップ、マイクロＬＥＤチップ、イメージセンサーの光学チップ等が挙げられ、特にマイクロＬＥＤチップが好ましい。

本発明の半導体装置製造用粘着テープを用いたチップ部品の転写方法は特に限定されず、例えば、本発明の半導体装置製造用粘着テープの第１の粘着剤層上にチップ部品を配置する工程と、レーザー光を照射し、上記チップ部品を剥離させる工程とを含む、チップ部品の転写方法等が挙げられる。また、本発明の半導体装置製造用粘着テープを用いた電子機器部品の製造方法も特に限定されず、例えば、上記のようなチップ部品の転写方法を含む、電子機器部品の製造方法等が挙げられる。これらの方法によれば、チップ部品を歩留まりよく転写することができ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることができる。

本発明によれば、チップ部品の剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることのできる半導体装置製造用粘着テープを提供することができる。

従来の粘着テープを用いて、粘着剤層上に配置されたチップ部品をレーザーアブレーションにより剥離させる工程の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の半導体装置製造用粘着テープの一例を模式的に示す断面図である。 本発明の半導体装置製造用粘着テープを用いて、第１の粘着剤層上に配置されたチップ部品をレーザーアブレーションにより剥離させる工程の一例を模式的に示す断面図である。 第２の粘着剤層を有する場合における本発明の半導体装置製造用粘着テープの一例を模式的に示す断面図である。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。

（粘着剤Ａ）
（１）アクリル共重合体（１）の調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器に酢酸エチル５２重量部を入れて、窒素置換した後、反応器を加熱して還流を開始した。酢酸エチルが沸騰してから、３０分後に重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．０８重量部を投入した。ここにブチルアクリレート（ＢＡ）９８重量部、アクリル酸（ＡＡｃ）２重量部からなるモノマー混合物を１時間３０分かけて、均等かつ徐々に滴下し反応させた。滴下終了３０分後にアゾビスイソブチロニトリル０．１重量部を添加し、更に５時間重合反応させ、反応器内に酢酸エチルを加えて希釈しながら冷却することにより、固形分率３０重量％のアクリル共重合体（１）の溶液を得た。
得られたアクリル共重合体（１）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
また、得られたアクリル共重合体（１）について、Ｆｅｄｏｒｓ法によりポリマー全体のＳＰ値を算出した。

（２）粘着剤溶液の調製
得られたアクリル共重合体（１）を固形分率が１５重量％になるよう酢酸エチルに溶解させた。アクリル共重合体（１）１００重量部に対して、イソシアネート系架橋剤としてコロネートＬ（東ソー社製）３．６重量部、紫外線吸収剤としてＴｉｎｕｖｉｎ ９２８（ＢＡＳＦジャパン社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）８重量部を加えて更に充分に撹拌し、粘着剤Ａの粘着剤溶液を得た。

（粘着剤Ｂ）
（１）Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）の調製
オートクレーブ中に脱気、脱水されたシクロヘキサン５００重量部、ｎ－ブチルリチウム（ｎ－ＢｕＬｉ）０．１３重量部及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）をモル比でｎ－ＢｕＬｉ／ＴＨＦ＝４０の割合で加えた。次いで、スチレンモノマー４．５重量部を加えて４０℃で重合を行い、共重合体（ブロックＡ）を得た。スチレンモノマーの重合転化率が約１００％に達した後、１，３－ブタジエンモノマー９１重量部を加えて重合を行いＡ－Ｂ型ブロックコポリマーを得た。重合転化率がほぼ１００％に達した後、更にスチレンモノマー４．５重量部を加えて４０℃で重合転嫁率が約１００％に達するまで重合を行い、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（水素添加前）を得た。
このＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーを精製乾燥したシクロヘキサンで希釈し、重合体濃度５重量％に調整して水素添加反応に供した。水素添加反応では、撹拌下で水素ガス供給圧０．７ＭＰａ－Ｇａｕｇｅ、反応温度８０℃で水素添加反応を開始し、水素の吸収が終了した時点で、反応溶液を常温、常圧に戻し、反応容器から抜き出すことにより、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）を得た。
得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
また、得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）について、示差走査熱量計（日立ハイテクサイエンス社製、ＳＩＩ Ｅｘｓｔａｒ ６０００／ＤＳＣ６２２０）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定を行った際に２ｎｄ ｒｕｎで得られた値を用い、ブロックＢのガラス転移温度を求めた。なお、ブロックＡに由来するピークとブロックＢに由来するピークとが得られたが、低温側のピークをブロックＢに由来するピークとし、ブロックＢのガラス転移温度を決定した。
また、得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）について、^１Ｈ－ＮＭＲにより測定されるエチレンとブチレンの成分のピーク面積比からエチレンとブチレンの比率を算出し、Ｆｅｄｏｒｓ法によりポリマー全体及びブロックＢのＳＰ値を算出した。

（２）粘着剤溶液の調製
得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）を固形分率が２０重量％になるようトルエンに溶解させた。Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（１）１００重量部に対して、紫外線吸収剤としてＴｉｎｕｖｉｎ ９２８（ＢＡＳＦジャパン社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）８重量部を加えて更に充分に撹拌し、粘着剤Ｂの粘着剤溶液を得た。
（３）相分離構造の確認
後述の実施例及び比較例と同様の方法にて粘着剤層のみを作製した。粘着剤層をトリミングした小片を２％オスミウム酸水溶液で６０℃、１２時間染色した後、洗浄した。クライオミクロトーム（ＬＥＩＣＡ社製、ＵＬＴＲＡＣＵＴ ＦＣ７）を用いて粘着剤層の厚み方向に小片温度－１００℃で切断し、厚み１００ｎｍ未満の切片を切り出した。切り出した切片を、支持膜を張ったシートメッシュ上に載せ、測定サンプルとした。得られた測定サンプルを、透過型電子顕微鏡（ＪＥＯＬ社製、ＪＥＭ－２１００）を用いて倍率５０００倍で観察して相分離構造を確認したところ、スフィア状の相分離構造を有していた。

（粘着剤Ｃ）
（１）Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）の調製
１，６－ヘキサンジチオール０．９０２ｇと、二硫化炭素１．８３ｇと、ジメチルホルムアミド１１ｍＬとを２口フラスコに投入し、２５℃で攪拌した。これに、トリエチルアミン２．４９ｇを１５分かけて滴下し、２５℃で３時間攪拌した。次いで、メチル－α－ブロモフェニル酢酸２．７５ｇを１５分かけて滴下し、２５℃で４時間攪拌した。その後、反応液に抽出溶媒（ｎ－ヘキサン：酢酸エチル＝５０：５０）１００ｍＬと水５０ｍＬとを加えて分液抽出した。１回目と２回目の分液抽出で得られた有機層を混合し、１Ｍ塩酸５０ｍＬ、水５０ｍＬ、飽和食塩水５０ｍＬで順に洗浄した。洗浄後の有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥した後、硫酸ナトリウムをろ過し、ろ液をエバポレーターで濃縮して、有機溶媒を除去した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィにて精製することでＲＡＦＴ剤を得た。

スチレン（Ｓｔ）１５重量部と、アクリル酸（ＡＡｃ）２重量部と、ＲＡＦＴ剤１．９重量部と、２，２’－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）（ＡＢＮ－Ｅ）とを２口フラスコに投入し、フラスコ内を窒素ガスで置換しながら８５℃に昇温した。その後、８５℃で６時間撹拌して重合反応を行った（第一段階反応）。
反応終了後、フラスコ内にｎ－ヘキサン４０００重量部を投入し、撹拌して反応物を沈殿させた後、未反応のモノマー及びＲＡＦＴ剤をろ過し、反応物を７０℃で減圧乾燥して共重合体（ブロックＡ）を得た。

ブチルアクリレート（ＢＡ）８１重量部、アクリル酸（ＡＡｃ）２重量部、ＡＢＮ－Ｅ０．０５８重量部及び酢酸エチル５０重量部を含む混合物と、上記で得られた共重合体（ブロックＡ）とを２口フラスコに投入し、フラスコ内を窒素ガスで置換しながら８５℃に昇温した。その後、８５℃で６時間撹拌して重合反応を行い（第二段階反応）、ブロックＡとブロックＢとから形成されるブロック共重合体を含む反応液を得た。
反応液の一部を採取し、これにｎ－ヘキサン４０００重量部を投入し、撹拌して反応物を沈殿させた後、未反応のモノマー及び溶媒をろ過し、反応物を７０℃で減圧乾燥してＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）を得た。
得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）について、ＧＰＣ法により重量平均分子量を測定した。なお、測定機器としてＷａｔｅｒｓ社製「２６９０ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｓ Ｍｏｄｕｌｅ」、カラムとして昭和電工社製「ＧＰＣ ＫＦ－８０６Ｌ」、溶媒として酢酸エチルを用い、サンプル流量１ｍＬ／ｍｉｎ、カラム温度４０℃の条件で測定した。
また、得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）について、示差走査熱量計（日立ハイテクサイエンス社製、ＳＩＩ Ｅｘｓｔａｒ ６０００／ＤＳＣ６２２０）を用い、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で測定を行った際に２ｎｄ ｒｕｎで得られた値を用い、ブロックＢのガラス転移温度を求めた。なお、ブロックＡに由来するピークとブロックＢに由来するピークとが得られたが、低温側のピークをブロックＢに由来するピークとし、ブロックＢのガラス転移温度を決定した。
また、得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）について、Ｆｅｄｏｒｓ法によりポリマー全体及びブロックＢのＳＰ値を算出した。

（２）粘着剤溶液の調製
得られたＡ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）を固形分率が１５重量％になるよう酢酸エチルに溶解させた。Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマー（２）１００重量部に対して、エポキシ系架橋剤としてテトラッドＣ（三菱化学社製）１重量部、紫外線吸収剤としてＴｉｎｕｖｉｎ ９２８（ＢＡＳＦジャパン社製、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤）８重量部を加えて更に充分に撹拌し、粘着剤Ｃの粘着剤溶液を得た。
（３）相分離構造の確認
後述の実施例及び比較例と同様の方法にて粘着剤層のみを作製した。粘着剤層をトリミングした小片を２％オスミウム酸水溶液で６０℃１２時間染色した後、洗浄した。クライオミクロトーム（ＬＥＩＣＡ社製、ＵＬＴＲＡＣＵＴ ＦＣ７）を用いて粘着剤層の厚み方向に小片温度－１００℃で切断し、厚み１００ｎｍ未満の切片を切り出した。切り出した切片を、支持膜を張ったシートメッシュ上に載せ、測定サンプルとした。得られた測定サンプルを、透過型電子顕微鏡（ＪＥＯＬ社製、ＪＥＭ－２１００）を用いて倍率５０００倍で観察して相分離構造を確認したところ、スフィア状の相分離構造を有していた。

（粘着剤Ｄ～Ｅ，Ｊ～Ｏ，及び，Ｒ）
Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーの組成、紫外線吸収剤の種類又は量、及び、架橋剤の種類又は量を表１、２に示すように変更したこと以外は粘着剤Ｃと同様にして、粘着剤溶液を得た。

（粘着剤Ｆ～I，Ｐ，及び，Ｑ）
アクリル共重合体の組成、紫外線吸収剤の種類又は量、及び、架橋剤の種類又は量を表１、２に示すように変更したこと以外は粘着剤Ａと同様にして粘着剤溶液を得た。なお、粘着剤Ｈでは、紫外線吸収剤として、Ｔｉｎｕｖｉｎ４６０（ＢＡＳＦジャパン社製、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤）を用いた。

表中のアルファベット記号はそれぞれ下記の略称である。
Ｓｔ：スチレン
ＡＡｃ：アクリル酸
ＢＡ：ブチルアクリレート
２－ＥＨＡ：２－エチルヘキシルアクリレート
ＬＡ：ラウリルアクリレート
ＭＡ：メチルアクリレート
ＭＯＥＡ：メトキシエチルアクリレート
２－ＨＥＡ：２－ヒドロキシエチルアクリレート

（実施例１）
（１）粘着テープの製造
得られた粘着剤Ａの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが１６μｍになるようにアプリケーターを用いて基材としてのコロナ処理がなされた厚み５０μｍ、ヘイズ３．８％のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、アブレーション層を形成した。これを積層フィルム（ａ）とした。次いで、積層体フィルム（ａ）のアブレーション層側と、バリア層としてのコロナ処理がなされた厚み４μｍのＰＥＴフィルムとを重ね合わせた。これを積層フィルム（ｂ）とした。
一方、得られた粘着剤Ａの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて離型処理された７５μｍの離型ＰＥＴフィルムの離型処理面に塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着剤層を形成した。この粘着剤層を積層フィルム（ｂ）のバリア層側に貼り合わせた。その後、４０℃で４８時間加熱養生し、基材、アブレーション層、バリア層、第１の粘着剤層、及び、離型ＰＥＴフィルムをこの順に有する粘着テープを得た。

（２）第１の粘着剤層の破断強度の測定
第１の粘着剤層のみからなる厚み５００μｍのシートを別途作製した。この粘着剤層について、オートグラフ（島津製作所社製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１に準じて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張った際の破断時の応力から破断強度を算出した。

（３）第１の粘着剤層、アブレーション層のゲル分率の測定
粘着テープから第１粘着剤層（粘着剤組成物）のみ、アブレーション層（アブレーション層組成物）のみをそれぞれ０．１ｇ取り出し、酢酸エチル５０ｍＬ中にそれぞれ浸漬し、振とう機で温度２３℃、２００ｒｐｍの条件で２４時間振とうした。振とう後、金属メッシュ（目開き＃２００メッシュ）を用いて、酢酸エチルと酢酸エチルを吸収し膨潤した組成物をそれぞれ分離した。分離後の組成物を１１０℃の条件下で１時間乾燥させた。乾燥後の金属メッシュを含む組成物の重量をそれぞれ測定し、下記式を用いて第１の粘着剤層、アブレーション層のゲル分率を算出した。
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ_１－Ｗ_２）／Ｗ_０
（Ｗ_０：初期組成物重量、Ｗ_１：乾燥後の金属メッシュを含む組成物重量、Ｗ_２：金属メッシュの初期重量）
ただし実施例３のアブレーション層、実施例４の第１の粘着剤層については酢酸エチルの代わりにトルエンを用いてゲル分率をそれぞれ測定した。

（４）アブレーション層の２３℃、１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’及び第１の粘着剤層の－２０℃・２３℃・１４０℃、１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’の測定
アブレーション層、又は、第１の粘着剤層のみからなる厚み１ｍｍのシートを別途作製した。このアブレーション層、及び、第１の粘着剤層について、粘弾性スペクトロメーターＤＶＡ－２００（アイティー計測制御社製）を用いて、単純昇温モードの昇温速度５℃／分、１Ｈｚの条件で－４０～１６０℃の動的粘弾性スペクトルを測定したとき－２０℃・２３℃・１４０℃における貯蔵弾性率Ｇ’を求めた。

（５）アブレーション層及び第１の粘着剤層の紫外線吸収率の測定
分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ－２６００ｉ）を用いて、ＪＩＳ Ｌ１９２５に準じてアブレーション層及び第１の粘着剤層の波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率を測定した。

（６）粘着テープのボールタックの測定
粘着テープについて、ボールタックテスター（安田精機製作所社製）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で粘着テープのボールタックを測定した。

（７）粘着テープの第１の粘着剤層の面剥離力
粘着テープについて、粘着テープの第１の粘着剤層の表面に、一辺が１０ｍｍのＳＵＳ製の立方体の一面を貼り合わせ、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下、０．３ＭＰａで１０秒圧着した。その後、オートグラフ（島津製作所社製）を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、粘着テープの基材面を固定した状態でＳＵＳ製の立方体を引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引張り、剥離させた。剥離時の最大応力を面剥離力として測定した。

（実施例２～１８、２２～２４、比較例１～４）
各層について表３、４、及び５に示したとおりに変更したこと以外は実施例１と同様にして、粘着テープを得た。なお、実施例１５～１８、２２～２４には基材として厚み５０μｍ、ヘイズ０．３％のＰＥＴフィルムを使用し、バリア層として厚み５．５μｍの易接着樹脂層付ＰＥＴフィルム（易接着樹脂層のナノインデンテーション法による弾性率５８５０ＭＰａ）を使用した。

（実施例１９）
（１）両面粘着テープの製造
一面が離型処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムに得られた粘着剤Ｐの粘着剤溶液を、乾燥皮膜の厚さが１０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃で３分間乾燥させて、ポリエチレンテレフタレートフィルムの離型処理面に粘着剤層を有する積層フィルム（ｐ）を作製した。
次に、各層について、表４に示したとおりに変更したこと以外は、実施例１と同様にして粘着テープを作製し、得られた粘着テープの基材のアブレーション層、バリア層、第１の粘着剤層、及び、離型ＰＥＴフィルムが順に積層されている面とは反対の面に、積層フィルム（ｐ）を粘着剤層面から積層して粘着剤層を基材に転写及び積層一体化させた。これにより、表４に示した厚み、ゲル分率を有する第２の粘着剤層が設けられた両面粘着テープを得た。
第１の粘着剤層の破断強度、第１の粘着剤層、アブレーション層のゲル分率、アブレーション層の２３℃、１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’及び第１の粘着剤層の－２０℃・２３℃・１４０℃、１Ｈｚにおける貯蔵弾性率（せん断貯蔵弾性率）Ｇ’、アブレーション層及び第１の粘着剤層の紫外線吸収率、粘着テープのボールタック、並びに、粘着テープの第１の粘着剤層の面剥離力を、実施例１と同様の方法で測定した。
また、第２の粘着剤層のゲル分率を、上記「（３）第１の粘着剤層、アブレーション層のゲル分率の測定」と同様の方法で測定した。

（実施例２０，２１）
各層について、表４に示したとおりに変更したこと以外は実施例１９と同様にして、粘着テープを得た。

（２）粘着テープの第２の粘着剤層の粘着力
上記の方法で得られた両面粘着テープを２５ｍｍ幅に裁断し、両面粘着テープの第１の粘着剤層の表面に３０ｍｍ幅に裁断した厚み２５μｍのＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、第２の粘着剤層の表面を、ガラス板に、室温２３℃、相対湿度５０％で、２ｋｇの圧着ゴムローラーを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で貼り付けた。その後、オートグラフ（島津製作所社製）を用いて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で、両面粘着テープの第２の粘着剤層側を３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で１８０°方向に引き剥がし、１８０°粘着力を測定した。

＜評価＞
実施例及び比較例で得られた粘着テープについて以下の評価を行った。結果を表３、４、及び５に示した。

（１）レーザーアブレーション評価
（１－１－１）チップ部品の保持性能及び剥離性能
Ｓｉチップ（５００μｍ×５００μｍ角、厚み５０μｍ）が１０個配列されたウエハのＳｉチップ側の面に、得られた粘着テープを貼り合わせた。その後、ウエハを剥離することで、Ｓｉチップを粘着テープ上へ配置した。半導体固体レーザーを用いて、出力４Ｗ、４ＫＨｚの３６５ｎｍのレーザー光を粘着テープの基材側から各Ｓｉチップに照射して、Ｓｉチップを粘着テープから剥離した。
ウエハから粘着テープ上にＳｉチップがすべて配置できた場合を「○」、８～９個のＳｉチップを粘着テープ上に配置できた場合を「△」、粘着テープ上に配置できたＳｉチップが７個以下であった場合を「×」としてチップ部品の保持性能を評価した。
粘着テープから１０個のＳｉチップをすべて剥離できた場合を「◎」、８～９個のＳｉチップを粘着テープから剥離できた場合を「○」、７個のＳｉチップを粘着テープから剥離できた場合を「△」、粘着テープから剥離できたＳｉチップが６個以下であった場合を「×」としてチップ部品の剥離性能を評価した。粘着テープが第２の粘着剤層を有する場合は、第２の粘着剤層を厚み２ｍｍのガラス支持体に貼り合わせた状態で評価した。

（１－１－２）糊残り
チップ部品の保持性能及び剥離性能を評価した後、粘着テープから剥離したＳｉチップの表面を顕微鏡にて観察し、糊残りの有無を確認した。糊残りが全くなかった場合を「◎」、チップ部品の表面の面積の２０％未満に糊残りがあった場合を「〇」、チップ部品の表面の面積の２０％以上に糊残りがあった場合を「×」として糊残りを評価した。

（１－２－１）小さいサイズのチップ部品の保持性能及び剥離性能
実施例１、１５～２３で得られた粘着テープについて、小さいサイズのＳｉチップ（３０μｍ×４０μｍ角、厚み１０μｍ）が１０個配列されたウエハのＳｉチップ側の面に、得られた粘着テープを貼り合わせた。その後、ウエハを剥離することで、Ｓｉチップを粘着テープ上へ配置した。半導体固体レーザーを用いて、出力４Ｗ、４ＫＨｚの３６５ｎｍのレーザー光を粘着テープの基材側から各Ｓｉチップに照射して、Ｓｉチップを粘着テープから剥離した。
ウエハから粘着テープ上にＳｉチップがすべて配置できた場合を「○」、８～９個のＳｉチップを粘着テープ上に配置できた場合を「△」、粘着テープ上に配置できたＳｉチップが７個以下であった場合を「×」としてチップ部品の保持性能を評価した。
１０個のＳｉチップをすべて剥離できた場合を「◎」、８～９個剥離できた場合を「○」、剥離できたＳｉチップが７個以下であった場合を「×」としてチップ部品の剥離性能（小チップ）を評価した。粘着テープが第２の粘着剤層を有する場合は、第２の粘着剤層を厚み２ｍｍのガラス支持体に貼り合わせた状態で評価した。

（１－２－２）小さいサイズのチップ部品の糊残り
小さいサイズのチップ部品の保持性能及び剥離性能を評価した後、粘着テープから剥離したＳｉチップの表面を顕微鏡にて観察し、糊残りの有無を確認した。糊残りが全くなかった場合を「◎」、チップ部品の表面の面積の２０％未満に糊残りがあった場合を「〇」、チップ部品の表面の面積の２０％以上に糊残りがあった場合を「×」として糊残りを評価した。

（１－２－３）ガラス支持体からの剥離
実施例１９～２１について、小さいサイズのチップ部品の保持性能及び剥離性能を評価した後、粘着テープとガラス支持体の界面を顕微鏡にて観察し、第２の粘着剤層の支持体からの剥離の有無を確認した。剥離がなかった場合を「〇」、剥離があった場合を「×」として支持体からの剥離を評価した。

（２）１８０°粘着力の測定及び端部浮き評価
この評価は、実施例５、６、８、１２、１３及び１４で得られた粘着テープについてのみ行った。
オートグラフ（島津製作所社製）を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で１８０°方向に基材層をバリア層から引き剥がす剥離試験を行い、１８０°粘着力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。基材－アブレーション層間の１８０°粘着力、及び、アブレーション層－バリア層間の１８０°粘着力を測定した。
また、各実施例と同様にして幅１０００ｍｍ、長さ２０ｍの粘着テープ原反を作製した。原反を３００ｍｍのテープ幅になるよう長さ方向へ切断（スリット）した。切断後の粘着テープの端部（切断面）における基材とバリア層との間の浮き（端部浮き）を光学顕微鏡（キーエンス社製）により観察した。端部浮きが見られなかった場合を「○」、端部浮きが１か所以上見られた場合を「×」として端部浮きを評価した。

本発明によれば、チップ部品の剥離性能に優れ、かつ、チップ部品への糊残りを抑えることのできる半導体装置製造用粘着テープを提供することができる。

１ チップ部品
１ａ 電極
４ 粘着剤層
４ａ 第１の粘着剤層
４ｂ 第２の粘着剤層
５ 基材
７ 駆動回路基板
７ａ 電極
８ レーザー光照射装置
８ａ レーザー光
９ 基材と粘着剤層との積層体
１０ アブレーション層
１１ バリア層
１２ 半導体装置製造用粘着テープ

Claims (23)

1. 基材、アブレーション層、バリア層、及び、第１の粘着剤層をこの順に有することを特徴とする半導体装置製造用粘着テープ。
2. 前記基材は、樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造用粘着テープ。
3. 前記樹脂フィルムは、ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置製造用粘着テープ。
4. 前記アブレーション層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
5. 前記アブレーション層は、２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上、２×１０^５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
6. 前記バリア層は、厚みが２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
7. 前記バリア層は、厚みが６μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置製造用粘着テープ。
8. 前記バリア層は、ポリエステルフィルムであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
9. 前記バリア層は、前記第１の粘着剤層と接する面に易接着樹脂層を有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
10. 前記第１の粘着剤層は、破断強度が１ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
11. 前記第１の粘着剤層は、２３℃における貯蔵弾性率Ｇ’が１×１０^４Ｐａ以上、２×１０^５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
12. 前記第１の粘着剤層は、Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーを含有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
13. 前記Ａ－Ｂ－Ａ型ブロックコポリマーは、ブロックＡが芳香族ビニルモノマーに由来する構造を含有し、ブロックＢが（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造を含有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置製造用粘着テープ。
14. 前記ブロックＢは、架橋性官能基含有モノマーに由来する構造を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置製造用粘着テープ。
15. 前記第１の粘着剤層は、ゲル分率が７０重量％以上、９５重量％以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
16. 前記第１の粘着剤層は、厚みが５μｍ以上、３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
17. 前記半導体装置製造用粘着テープのボールタックがＮｏ．５以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
18. 前記半導体装置製造用粘着テープの前記第１の粘着剤層の面剥離力が１ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
19. 前記基材と前記アブレーション層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
20. 前記アブレーション層と前記バリア層との間の粘着力が６Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
21. 前記第１の粘着剤層は、硬化型粘着剤層であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
22. 更に第２の粘着剤層を有し、該第２の粘着剤層、前記基材、前記アブレーション層、前記バリア層、及び、前記第１の粘着剤層をこの順に有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
23. レーザー光を照射する工程を有する半導体装置の製造に用いられることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体装置製造用粘着テープ。
    
    

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