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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7423854B1 (ja) * 2022-03-04 2024-01-29 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
CN115896731B (zh) * 2022-12-06 2024-01-12 等离子体装备科技(广州)有限公司 电子设备金属外壳的制备工艺及其加工设备
WO2026004036A1 (ja) * 2024-06-27 2026-01-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
CN118777217B (zh) * 2024-07-11 2024-12-20 南通科技职业学院 一种蔬菜中有机磷农药残留量的快速检测方法
WO2026047926A1 (ja) * 2024-08-29 2026-03-05 株式会社日立ハイテク プラズマ処理・制御装置およびプラズマ処理・制御方法
CN120656168B (zh) * 2025-08-19 2025-10-31 常熟市新明宇新材料科技有限公司 Pe膜表面静电微尘识别系统及方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6153115A (en) * 1997-10-23 2000-11-28 Massachusetts Institute Of Technology Monitor of plasma processes with multivariate statistical analysis of plasma emission spectra
JPH11260799A (ja) 1998-03-13 1999-09-24 Hitachi Ltd 薄膜の微細加工方法
US6160621A (en) 1999-09-30 2000-12-12 Lam Research Corporation Method and apparatus for in-situ monitoring of plasma etch and deposition processes using a pulsed broadband light source
JP4347517B2 (ja) * 2000-12-06 2009-10-21 浜松ホトニクス株式会社 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
KR100733120B1 (ko) * 2000-06-20 2007-06-28 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체 웨이퍼처리의 검출방법 및 검출장치
US6903826B2 (en) * 2001-09-06 2005-06-07 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process
JP5383265B2 (ja) 2009-03-17 2014-01-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム
KR100945889B1 (ko) * 2009-05-08 2010-03-05 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리의 판정방법
JP5699795B2 (ja) * 2011-05-12 2015-04-15 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法及半導体製造装置
JP6002487B2 (ja) 2012-07-20 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム
JP6088867B2 (ja) * 2013-03-15 2017-03-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及び分析装置
JP6186152B2 (ja) 2013-03-29 2017-08-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6504915B2 (ja) * 2015-05-25 2019-04-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6650258B2 (ja) * 2015-12-17 2020-02-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法
JP6837886B2 (ja) * 2017-03-21 2021-03-03 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN111587478B (zh) * 2018-06-28 2025-02-21 应用材料公司 用于光谱监测的机器学习系统的训练光谱产生

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