JP5274105B2 - 研磨終点検出方法 - Google Patents
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Description
前記所定の膜からの反射光を各波長ごとに分光する第1のステップと、前記反射光を各波長ごとの反射率に換算する第2のステップと、各基準波長幅における前記反射率の変化量をそれぞれ算出する第3のステップと、前記各反射率の変化量を評価波長範囲にわたって平均し一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値を求める第4のステップと、研磨の進行に伴って前記一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値波形に生じる極大点を基に研磨終点を検出する第5のステップとを有する研磨終点検出方法を提供する。
Zn=Max[R(λ(n−L/2))〜R(λ(n+L/2))]
−Min[R(λ(n−L/2))〜R(λ(n+L/2))]…(1)
で各反射率の変化量Znが求められる。なお、図3中の基準波長幅Lは15nmにとられているが、この基準波長幅Lは数nm程度の小区間もしくはその幅を極限まで狭めてもよい。基準波長幅Lを数nm程度の小区間もしくは極限まで狭めることで、後述する一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値に発生する特徴的な変化の発生時点を細かく調整すること等が可能となる。
(研磨試料)
SOIウェーハ:膜構成Si活性層(5000nm)/SiO2(1000nm)/Si基板。
(研磨条件)
プラテン回転数:60rpm、研磨ヘッド回転数:60rpm、研磨ヘッド加重:3psi、研磨レート:約7nm/sec(1回転当たり約7nmの研磨量)、プラテン回転数が60rpmであるので、プラテン1回転当たり1つの反射率データを取得。
(Si活性層の研磨目標膜厚):800nm。
(基準波長幅L):15nm。
(評価波長範囲)500〜600nm。
(特徴的な変化として極大点の検出):膜厚が890nmで検出。
(オーバーポリッシュ時間の設定):極大点検出が890nmで目標膜厚が800nm、研磨レートが7nm/secなのでオーバーポリッシュ時間を12.9secと設定して研磨処理を終了した。
(結果):目標とするSi活性層の所望の厚み800nmを得た。
2 プラテン
3 研磨パッド
4 研磨ヘッド
5 スラリー供給ノズル
6 制御部
7 観測孔
8 観測窓
9 研磨終点検出装置
10 光源部
11 照射・受光光学系
12 受光部
13 分光部
14 コンピュータ
15 ライトガイド
16a,16b ライトガイド
P 極大点
Claims (11)
- 研磨中の所定の膜に光を照射し、その反射光を基に前記所定の膜の研磨状態をモニタする研磨終点検出方法であって、
前記所定の膜からの反射光を各波長ごとに分光する第1のステップと、前記反射光を各波長ごとの反射率に換算する第2のステップと、各基準波長幅における前記反射率の変化量をそれぞれ算出する第3のステップと、前記各反射率の変化量を評価波長範囲にわたって平均し一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値を求める第4のステップと、研磨の進行に伴って前記一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値波形に生じる極大点を基に研磨終点を検出する第5のステップとを有することを特徴とする研磨終点検出方法。 - 上記極大点は、研磨中の上記所定の膜が所望の膜厚になった時点で生じさせることを特徴とする請求項1記載の研磨終点検出方法。
- 上記基準波長幅及び上記評価波長範囲のうち少なくとも何れかを変更することにより、該変更に対応した所望の膜厚において上記極大点を生じさせることを特徴とする請求項1又は2記載の研磨終点検出方法。
- 上記所定の膜は、SOI(Si on Insurator)ウェーハにおけるSi活性層であることを特徴とする請求項1,2又は3記載の研磨終点検出方法。
- 上記研磨の進行に伴って前記一定波長域ごとの反射率変化度合いの平均値波形に生じる極大点は、変曲点と併存していることを特徴とする請求項1,2,3,又は4記載の研磨終点検出方法。
- 上記第3のステップにおける処理前の反射率波形に微分処理を施すことを特徴とする請求項1,2,3,4又は5記載の研磨終点検出方法。
- 上記第3のステップにおける処理前の反射率波形に正規化処理を施すことを特徴とする請求項1,2,3,4,5又は6記載の研磨終点検出方法。
- 上記第3のステップにおける処理前の反射率波形にスムージング処理を施すことを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6又は7記載の研磨終点検出方法。
- 上記基準波長幅は数nm(nano meter)程度の小区間であってもよいことを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7又は8記載の研磨終点検出方法。
- 上記基準波長幅はその幅を極限まで狭めてもよいことを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7又は8記載の研磨終点検出方法。
- 上記光は白色光領域、近赤外光領域、赤外光領域、紫外光領域を使用することを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9又は10記載の研磨終点検出方法。
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