JPWO2022025161A5 - - Google Patents
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Description
このとき、当然のことながら、式（１’）で示される水酸化第四級アンモニウムカチオンは式（１）で示される水酸化第四級アンモニウムと同じ濃度、式（２’）で示される第四級アンモニウムカチオンとＸ－とは式（２）で示される第四級アンモニウム塩と同じ濃度である。
本発明のシリコンエッチング液の組成は、液中のイオン成分及びその濃度を分析定量して、式（１）で示される水酸化第四級アンモニウム及び式（２）で示される第四級アンモニウム塩に換算することにより、確認することができる。第四級アンモニウムカチオンは液体クロマトグラフィー、またはイオンクロマトグラフィー、ＯＨ－イオンは中和滴定、Ｘ－イオンはイオンクロマトグラフィーで測定できる。
本発明のシリコンエッチング液の組成は、液中のイオン成分及びその濃度を分析定量して、式（１）で示される水酸化第四級アンモニウム及び式（２）で示される第四級アンモニウム塩に換算することにより、確認することができる。第四級アンモニウムカチオンは液体クロマトグラフィー、またはイオンクロマトグラフィー、ＯＨ－イオンは中和滴定、Ｘ－イオンはイオンクロマトグラフィーで測定できる。
実施例１
式（１）で示される水酸化第四級アンモニウムとしてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を用い、式（２）で示される第四級アンモニウム塩としてオクチルトリメチルアンモニウムクロライドを用い、残りが水である表１に示す組成のシリコンエッチング液を調製した。
式（１）で示される水酸化第四級アンモニウムとしてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を用い、式（２）で示される第四級アンモニウム塩としてオクチルトリメチルアンモニウムクロライドを用い、残りが水である表１に示す組成のシリコンエッチング液を調製した。
Claims (5)
- 下記式（１）で示される水酸化第四級アンモニウム、下記式（２）で示される第四級アンモニウム塩、および水を含み、かつ、前記式（２）で示される第四級アンモニウム塩の濃度が１質量％を超え、５０質量％以下であることを特徴とする、シリコンエッチング液。
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋・ＯＨ－ （１）
（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アリール基またはベンジル基であり、それぞれ同一の基であっても異なる基であってもよい。）
Ｒ５Ｒ６Ｒ７Ｒ８Ｎ＋・Ｘ－ （２）
（式（２）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、置換基を有していてもよい炭素数１～１６のアルキル基であり、それぞれ同一の基であっても、異なる基であってもよい。Ｘは、塩素原子、または臭素原子である。） - 前記式（１）で示される水酸化第四級アンモニウムの濃度が０．０５モル／Ｌ以上、１．１モル／Ｌ以下である、請求項１に記載のシリコンエッチング液。
- 前記式（２）で示される第四級アンモニウム塩の分子中の炭素の総数が４個以上、１２個以下である、請求項１又は２に記載のシリコンエッチング液。
- シリコンウェハ、シリコン単結晶膜、ポリシリコン膜、およびアモルファスシリコン膜からなる群から選択される少なくとも１つのシリコン材料を含むシリコン基板の処理方法であって、
請求項１～３のいずれか１項に記載のシリコンエッチング液を用いて、前記シリコン材料をエッチングする工程を含む、シリコン基板の処理方法。 - シリコンウェハ、シリコン単結晶膜、ポリシリコン膜、およびアモルファスシリコン膜からなる群から選択される少なくとも１つのシリコン材料を有するシリコンデバイスの製造方法であって、
請求項１～３のいずれか１項に記載のシリコンエッチング液を用いて前記シリコン材料をエッチングする工程を含む、シリコンデバイスの製造方法。
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