JPWO2021261484A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114703461B (zh) * 2022-04-12 2024-03-15 浙江水晶光电科技股份有限公司 一种化合物薄膜及其制备方法
JP2024081176A (ja) * 2022-12-06 2024-06-18 株式会社Gaianixx 成膜装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2098563A5 (https=) * 1970-07-10 1972-03-10 Progil
JPH05255840A (ja) * 1992-03-11 1993-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空蒸着装置
US5879523A (en) * 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
JP2002069635A (ja) * 2000-09-05 2002-03-08 Ulvac Japan Ltd プラズマ発生装置並びにこの装置を利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び硬質薄膜の形成方法
JP2004076069A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 表面処理装置
JP2010126789A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Shibaura Mechatronics Corp スパッタ成膜装置
JP5400434B2 (ja) * 2009-03-11 2014-01-29 株式会社イー・エム・ディー プラズマ処理装置
US20140150975A1 (en) * 2010-09-06 2014-06-05 Emd Corporation Plasma processing device
WO2013030954A1 (ja) * 2011-08-30 2013-03-07 株式会社イー・エム・ディー スパッタリング薄膜形成装置
JP6142305B2 (ja) * 2012-08-02 2017-06-07 サムコ株式会社 静電吸着方法及び静電吸着装置
JP5969856B2 (ja) * 2012-08-10 2016-08-17 株式会社Screenホールディングス スパッタリング装置
JP6147177B2 (ja) * 2013-12-11 2017-06-14 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 アンテナカバー及びそれを用いたプラズマ発生装置
JP6373740B2 (ja) * 2014-11-26 2018-08-15 株式会社Screenホールディングス スパッタリング装置
JP6916699B2 (ja) * 2017-09-14 2021-08-11 株式会社Screenホールディングス 成膜方法および成膜装置
JP7025711B2 (ja) * 2018-03-14 2022-02-25 日新電機株式会社 アンテナ及びプラズマ処理装置

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