JPWO2021261253A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020132133A1 (de) * 2020-12-03 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes laserbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden laserbauteils
JP2023143314A (ja) * 2022-03-25 2023-10-06 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体発光装置、基台、半田付き基台、及び、半導体発光装置の製造方法
WO2025182613A1 (ja) * 2024-02-26 2025-09-04 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法
WO2025182611A1 (ja) * 2024-02-26 2025-09-04 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ装置、及び半導体レーザ装置の製造方法
WO2025205525A1 (ja) * 2024-03-26 2025-10-02 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 サブマウント、半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3794987B2 (ja) * 2002-05-29 2006-07-12 ローム株式会社 半導体発光装置
JP4529372B2 (ja) * 2003-04-23 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子
JP2009231820A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2011018761A (ja) * 2009-07-08 2011-01-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法及び光ピックアップ並びに光学装置
US8633600B2 (en) * 2010-09-21 2014-01-21 Infineon Technologies Ag Device and method for manufacturing a device
JP2012119637A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 光半導体装置の製造方法
JP6197845B2 (ja) * 2015-09-15 2017-09-20 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ素子、および半導体レーザ装置の製造方法
US10608404B2 (en) * 2017-02-14 2020-03-31 Cisco Technology, Inc. Bonded laser with solder-free laser active stripe in facing relationship with submount
JP6988268B2 (ja) * 2017-03-27 2022-01-05 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置
JP7150705B2 (ja) * 2017-05-01 2022-10-11 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 窒化物系発光装置
WO2019026474A1 (ja) * 2017-08-04 2019-02-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 サブマウント、半導体レーザ装置及び熱アシストハードディスク装置
JP7232239B2 (ja) * 2018-02-26 2023-03-02 パナソニックホールディングス株式会社 半導体発光装置
JP7329519B2 (ja) * 2018-08-09 2023-08-18 ローム株式会社 半導体レーザ装置

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