CN100364189C - 半导体激光及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体激光器，其具有：衬底；至少具有活性层的层积体；上述层积体上的脊带部；设于上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面的电流阻止层；覆盖上述脊带部的上面以及上述电流阻止层的镀敷金属层。该镀敷金属层的脊带部的两侧的层厚比脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量，因此，镀敷金属层的上面是大致平坦的。

Description

半导体激光及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有例如脊带(ridge strip)形的电流波导路的半导体激光器及其制造方法。
背景技术
一般，对于半导体激光器来说，为实现低电力消耗以及提高特性，最好元件电阻小。特别是，对于要求高功率的半导体激光器来说，因为驱动电流大，所以有必要减小元件电阻，并排散产生的热量，抑制元件温度上升。
如图6所示，现有的半导体激光器在n-GaAs衬底10上具有p-AlGaAsP蚀刻阻止层17、p-InGaP包层18、p-GaAs接触层19、(Ti/Pt/Au带状图案的)金属掩膜30以及覆盖电极32(参照特开2000-340880号公报)。
并且，该半导体激光器介由金属镀层即上述覆盖电极32熔融安装在未图示的散热片上。另外，该状态在pn结成为上述散热片侧的意义上被称为“结倒置(junction down)”。
但是，在上述现有的半导体激光器中，存在不能将激光器振荡时活性层产生的热量高效地向上述散热片散热的问题。理由是，脊带使半导体激光器上面(上述覆盖电极32上面)产生凹凸，由此，将上述半导体激光器向上述散热片熔融安装时在上述半导体激光器和上述散热片之间产生空穴，该空穴阻碍激光器工作时产生的热量向上述散热片散热。
发明内容
因此本发明的目的在于提供一种即使在采用结倒置安装方式的情况下也可以提高散热性来高效散热的半导体激光器及其制造方法。
为实现上述目的，本发明的第一方面的半导体激光器具有：衬底；设于该衬底上并至少具有活性层的层积体；具有在该层积体上顺次层积的包层以及接触层并形成电流通路的脊带部；设于该脊带部的侧面以及上述脊带部横侧的上述层积体上面并由电介质构成的电流阻止层；覆盖上述脊带部的上面以及上述电流阻止层的镀敷金属层，该镀敷金属层的上面是大致平坦的。换言之，上述镀敷金属层的上面与上述衬底的表面大致平行，上述镀敷金属层的脊带部的两侧的层厚比脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量。此外，上述半导体激光器还具有：第一镀敷供电用金属层，其沿上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面配置在上述镀敷金属层和上述电流阻止层之间；第二镀敷供电用金属层，其沿上述脊带部的上面配置在上述镀敷金属层和上述脊带部的上面之间，上述第一镀敷供电用金属层和上述第二镀敷供电用金属层相互分离而来电连接。
在此，上述脊带部是通过例如在上述层积体上层积包层以及接触层后局部蚀刻该包层以及接触层来形成的。上述层积体在最上层例如可具有蚀刻阻止层。在该半导体激光器中，也可含有其他的层。另外，衬底可以使用GaAs等半导体衬底。
根据本发明的半导体激光器，上述镀敷金属层的上面由于是大致平坦的，所以可防止将上述镀敷金属层的上面熔化安装在散热片上时在上述半导体激光器上面和上述散热片之间产生空穴。因此，上述半导体激光器和上述散热片的接触面积变大，散热性提高。
另外，在本发明的第一方面中，上述脊带部的上面形成大致平坦状，上述脊带部的横侧的上述层积体的上面形成大致平坦状。
根据该半导体激光器，上述镀敷金属层的上面能够可靠地形成大致平坦状。
另外，本发明的第一方面中，还具有在上述脊带部的横侧的上述层积体的上面顺次层积的包层以及接触层并与上述脊带部大致等高的台部。
上述电流阻止层以及上述镀敷金属层还覆盖上述台部。
在此，上述台部通过例如在上述层积体上层积包层以及接触层后局部蚀刻该包层以及接触层而与上述脊带部一起形成。
该半导体激光器由于具有与上述脊带部大致等高的上述台部，所以可以防止在半导体激光器制造以及安装过程中上述脊带部破损。
这时，最好是上述台部的上面也形成大致平坦状。
根据该半导体激光器，由于上述第一镀敷供电用金属层和第二镀敷供电用金属层相互分离而未电连接，所以可分开进行上述脊带部的横凹部(上述第一镀敷供电用金属层的上侧)的镀敷金属层的形成和上述脊带部的上面上部(上述第二镀敷供电用金属层的上侧)的镀敷金属层的形成，可形成大致平坦的镀敷金属层。
另外，在本发明的第一方面中，上述脊带部的上部形成檐状。
在此，形成檐状的上述脊带部的上部是例如由接触层形成的部分。
根据该方面，上述脊带部的上部由于形成檐状，所以容易利用例如真空蒸镀法形成相互分离而不电连接的上述第一镀敷供电用金属层和上述第二镀敷供电用金属层。
另外，在本发明的第一方面中，上述层积体的上面的端部侧的上述第一镀敷供电用金属层露出。即，在半导体激光元件的端部不存在上述镀敷金属层。
该半导体激光器在端部具有台阶高差(凹部)，将该半导体激光器熔融安装在散热片上时，作为熔融材料的焊剂被上述台阶高差(凹部)吸收，阻止其向半导体激光器的侧面攀爬，防止该焊剂造成电流短路。
另外，具有上述台部的半导体激光器除上述第一镀敷供电用金属层和上述第二镀敷供电用金属层外还可以具有沿上述台部的上面在上述镀敷金属层和上述电流阻止层之间设置的第三镀敷供电用金属层。这时，最好是上述第一镀敷供电用金属层、上述第二镀敷供电用金属层以及上述第三镀敷供电用金属层相互分离而不电连接。
根据该半导体激光器，由于上述第一镀敷供电用金属层、上述第二镀敷供电用金属层以及上述第三镀敷供电用金属层相互分离而不电连接，所以可分开进行上述脊带部的横凹部(上述第一镀敷供电用金属层的上侧)的镀敷金属层的形成、上述脊带部的上面上部(上述第二镀敷供电用金属层的上侧)的镀敷金属层的形成以及上述台部的上面上部(上述第三镀敷供电用金属层的上侧)的镀敷金属层的形成，可形成大致平坦的镀敷金属层。
另外，在本发明的第一方面中，上述脊带部的上部以及上述台部的上部形成檐状。
在此，形成檐状的上述脊带部的上部以及上述台部的上部是例如由接触层形成的部分。
根据该半导体激光器，由于上述脊带部的上部以及上述台部的上部形成檐状，所以容易利用例如真空蒸镀法形成相互分离而不连接的上述第一镀敷供电用金属层、上述第二镀敷供电用金属层以及上述第三镀敷供电用金属层。
另外，在本发明的第一方面中，上述层积体的上面的端部侧的上述第三镀敷供电用金属层露出。即，在半导体激光元件的端部不存在上述镀敷金属层。
因此，与上述方面一样，该半导体激光器在端部具有台阶高差(凹部)，将该半导体激光器熔融安装在散热片上时，作为熔融材料的焊剂被上述台阶高差(凹部)吸收，阻止其向上述半导体激光器的侧面攀爬，防止该焊剂造成电流短路。
另外，本发明的另一方面的半导体激光器的制造方法具有如下工序：
在衬底上形成至少含有活性层的层积体；
在该层积体上形成含有包层以及接触层并形成电流通路的脊带部；
在上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面形成由电介质构成的电流阻止层；
沿上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面在上述电流阻止层的上侧形成第一镀敷供电用金属层；
沿上述脊带部的上面在上述脊带部的上面的上侧形成与上述第一镀敷供电用金属层相互分离而不电连接的第二镀敷供电用金属层；
至少在上述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成覆盖上述脊带部以及上述层积体的镀敷金属层。
根据本发明的半导体激光器的制造方法，由于至少在相互分离而不电连接的第一和第二镀敷供电用金属层中的上述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成镀敷金属层，所以可将上述镀敷金属层的上面形成大致平坦状。因此，可防止将上述镀敷金属层的上面熔融安装在散热片上时在上述半导体激光器上面和上述散热片之间形成空穴。这样，可最大与上述散热片的接触面积，制造散热性提高的半导体激光器。
另外，上述脊带部的上部也可以形成檐状，例如利用真空蒸镀法同时形成上述第一镀敷供电用金属层以及上述第二镀敷供电用金属层。
另外，在本发明的第一方面中，形成上述镀敷金属层的工序包括如下工序：
在上述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成与上述脊带部大致等高的第一镀敷金属层；
形成该第一镀敷金属层后，在上述第一和第二镀敷供电用金属层上施加电场，在上述第一镀敷金属层以及上述第二镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
根据该制造方法，由于分成第一镀敷金属层和第二镀敷金属层这两个阶段形成镀敷金属层，所以可一边进行调整，一边可靠地将上述镀敷金属层的上面形成大致平坦状。
另外，在本发明的第一方面中，形成上述镀敷金属层的工序是这样的工序：
在上述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成与上述脊带部大致等高的第一镀敷金属层，然后，将该第一镀敷金属层与上述第二镀敷供电用金属层电接触，在上述第一镀敷金属层以及上述第二镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
根据该制造方法，由于在第一阶段形成镀敷金属层，所以可迅速地将上述镀敷金属层的上面形成大致平坦状。另外，仅在第一镀敷供电用金属层的一个位置取得电场镀敷用端子即可，使结构简化。
另外，在本发明的第一方面的半导体激光器的制造方法中，上述第一镀敷供电用金属层和上述第二镀敷供电用金属层在基片内形成相补的梳形。
根据该制造方法，仅通过在上述第一镀敷供电用金属层上例如在一个位置取得电场镀敷用端子，就能够在整个基片的上述第一镀敷供电用金属层的上侧形成镀敷金属层。同样，仅通过在上述第二镀敷供电用金属层上例如在一个位置取得电场镀敷用端子，就能够在整个基片的上述第二镀敷供电用金属层的上侧形成镀敷金属层。这样，可迅速形成镀敷金属层。
另外，在形成上述镀敷金属层的工序中，分别上述第一镀敷供电用金属层和上述第二镀敷供电用金属层取得各自的电场镀敷用端子，形成上述镀敷金属层。
另外，在本发明的第一方面中，具有在上述脊带部的横侧的上述层积体的上面形成含有包层以及接触层并与上述脊带部大致等高的台部的工序，
形成上述电流阻止层的工序进而用上述电流阻止层覆盖上述台部，
另外，还具有沿上述台部的上面在上述台部的上面的上述电流阻止层的上侧形成与上述第一镀敷供电用金属层以及上述第二镀敷供电用金属层相互分离而不电连接的第三镀敷供电用金属层的工序。
形成上述镀敷金属层的工序进而用上述镀敷金属层覆盖上述台部。
最好是台部与脊带部同时形成。
根据该制造方法，由于形成与上述脊带部大致等高的上述台部，所以可在半导体激光器制造过程中防止上述脊带部破损。
另外，上述台部的上部可与上述脊带部的上部一样形成檐状，例如利用真空蒸镀法同时形成上述第一和上述第二和上述第三镀敷供电用金属层。
另外，在本发明的第一方面中，形成上述镀敷金属层的工序包括如下工序：
将上述第一镀敷供电用金属层施加电场，形成与上述脊带部大致等高的第一镀敷金属层；
形成该第一镀敷金属层后，在上述第一和上述第二和上述第三镀敷供电用金属层上施加电场，在上述第一镀敷金属层、上述第二镀敷供电用金属层以及上述第三镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
根据该制造方法，由于分成第一镀敷金属层和第二镀敷金属层这两个阶段形成镀敷金属层，所以可一边进行调整，一边可靠地将上述镀敷金属层的上面形成大致平坦状。
另外，在本发明的第一方面中，形成上述镀敷金属层的工序是这样的工序：
在上述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成与上述脊带部以及上述台部大致等高的第一镀敷金属层，然后，将该第一镀敷金属层与上述第二和上述第三镀敷供电用金属层电接触，在上述第一镀敷金属层、上述第二镀敷供电用金属层以及上述第三镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
根据该制造方法，由于在一个阶段形成镀敷金属层，所以可迅速地将上述镀敷金属层的上面形成大致平坦状。另外，仅在第一镀敷供电用金属层的一个位置取得电场镀敷用端子即可，使结构简化。
下面接着说明本发明的其他目的、特征、优点。
附图说明
图1是表示本发明的半导体激光器的第一实施例的剖面图；
图2A是表示本发明的半导体激光器的制造方法的第一工序的剖面图；
图2B是表示本发明的半导体激光器的制造方法的第二工序的剖面图；
图2C是表示本发明的半导体激光器的制造方法的第三工序的剖面图；
图2D是表示代替图2C所表示的工序的工序的剖面图；
图3是没有镀敷金属层的状态的半导体激光器的平面图；
图4是表示本发明的半导体激光器的第二实施例的剖面图；
图5是表示将半导体激光器安装在散热器上的状态的剖面图；
图6是表示现有半导体激光器的剖面图。
具体实施方式
下面详细说明本发明的图示的实施例。
第一实施例
图1表示作为本发明的半导体激光器的一实施例的剖面图。
该半导体激光器具有：衬底101；设于该衬底101上的层积体130；局部设置在该层积体130上并由电流通路构成的的脊带部120；设于该脊带部120的侧面以及上述脊带部120的横侧的上述层积体130的上面的电流阻止层110；覆盖上述脊带部120的上面以及上述电流阻止层110的镀敷金属层112。
上述衬底101使用n-GaAs衬底。在上述衬底101的下面设有n电极113。
上述层积体130从上述衬底101侧顺次具有：n-GaInP缓冲层102、n-AlGaInP包层103、量子阱活性层104、p-AlGaInP第一包层105以及蚀刻阻止层106。
上述脊带部120从上述层积体130顺次具有p-AlGaInP第二包层107以及p-GaAs接触层108。
上述脊带部120的上面(上述接触层108的上面)形成大致平坦状。另外，上述脊带部120的横侧的上述层积体130的上面(上述蚀刻阻止层106的上面)形成大致平坦状。下面称上述脊带部120的横侧的上述层积体130的上面为脊带横平坦部121。
上述电流阻止层110使用电介质膜。上述镀敷金属层112使用作为导热率大的镀敷金属的Au。上述镀敷金属层112的脊带部120的两侧的层厚比脊带部120的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量，结果，上述镀敷金属层112的上面形成得与衬底表面大致平行即大致平坦。
另外，该半导体激光器具有：第一镀敷供电用金属层111a，其沿上述脊带部120的侧面以及上述脊带横平坦部121配置在上述镀敷金属层112和上述电流阻止层110(上述层积体130以及上述脊带部120)之间；第二镀敷供电用金属层111b，其沿上述脊带部120的上面配置在设于上述脊带部120的上面的p侧接触电极109和上述镀敷金属层112之间。
上述第一镀敷供电用金属层111a和第二镀敷供电用金属层111b相互分离而未电连接。
根据该半导体激光器，由于上述镀敷金属层112的上面形成大致平坦状，所以可防止将上述镀敷金属层112的上面熔融安装在散热片(例如图5的散热片115)上时(即，将上述半导体激光器以结倒置的方式向上述散热片熔融安装时)在上述半导体激光器上面和上述散热片之间形成空穴。因此，上述半导体激光器和上述散热片的接触面积变大，散热性提高。
具体说，激光器工作时在上述量子阱活性层104产生的热量介由导热率大的上述镀敷金属层112向上述散热片传递。这时，作为传热材料的镀敷金属层112将脊带部120的侧面埋入，进而大致平坦地形成在上述半导体激光器上，从而可防止在上述半导体激光器和上述散热片之间形成空穴，从而不会因空穴而阻碍导热，提高了散热特性。
下面说明上述半导体激光器的制造方法。
首先，如图2A所示，利用外延成长，使n-GaInP缓冲层102、n-AlGaInP包层103、量子阱活性层104、p-AlGaInP第一包层105、蚀刻阻止层106、p-AlGaInP第二包层107以及p-GaAs接触层108在n-GaAs衬底(基片)101上结晶成长。由上述n-GaInP缓冲层102、n-AlGaInP包层103、量子阱活性层104、p-AlGaInP第一包层105、蚀刻阻止层106形成层积体130。
并且，利用湿蚀刻局部除去上述p-GaAs接触层108以及上述p-AlGaInP第二包层107，在层积体130之上形成构成光波导路以及电流通路的脊带部120。
另外，上述脊带部120的形成可并用干蚀刻和湿蚀刻。这时，通过选择性湿蚀刻上述p-AlGaInP第二包层107将上述p-GaAs接触层108形成檐状。
接着，将作为(SiO2、SiNx、AL2O3等的)电介质膜的电流阻止层110在上述脊带部120的两侧成膜，在上述脊带部120的上面形成p侧接触电极109。另外，可不形成p侧接触电极109，而用接下来形成的镀敷供电用金属层111a、111b兼作上述p侧接触电极109。
接着，沿上述脊带部120的侧面以及上述脊带横平坦部121在上述电流阻止层110的上侧形成第一镀敷供电用金属层111a。另外，沿上述脊带部120的上面在上述p侧接触电极109的上侧形成与上述第一镀敷供电用金属层111a相互分离而不电连接的第二镀敷供电用金属层111b。这时，由于上述p-GaAs接触层108形成檐状，所以可简单地利用真空蒸镀法同时形成电气分离的上述第一和上述第二镀敷供电用金属层111a、111b。
接着，如图2B所示，仅在上述第一镀敷供电用金属层111a取得未图示的电解镀敷用端子，在上述第一镀敷供电用金属层111a施加电场，形成第一镀敷金属层112a，直到达到与上述脊带部120具有大致相同程度的高度。
然后，如图2C所示，也在上述第二镀敷供电用金属层111b上取得未图示的电解镀敷用端子，在上述第一镀敷供电用金属层111a和上述第二镀敷供电用金属层111b上施加电场，在上述第一镀敷金属层112a以及上述第二镀敷供电用金属层111b的上侧形成厚度达到2.5～3.5μm的规定厚度的第二镀敷金属层112b。
这样，通过分两次进行金属镀敷，可形成上面大致平坦(换言之，与衬底表面大致平行)的镀敷金属层112。另外，通过电气分离上述第一镀敷金属层112a和上述第二镀敷供电用金属层111b，可容易进行分成两次的金属镀敷。
在此，如图3所示，从平面视图上看，上述第一镀敷供电用金属层111a和上述第二镀敷供电用金属层111b在基片内形成相补的梳形。另外，在图3中，表示有作为形成镀敷金属层112之前的阶段的图2A的平面图。
通过设置成这样的梳形，仅通过在上述第一镀敷供电用金属层111a上取得一处电解镀敷用端子，而能够在整个基片的上述第一镀敷供电用金属层111a的上侧形成镀敷金属层112。另外，同样，仅通过在上述第二镀敷供电用金属层111b上取得一处电解镀敷用端子，而能够在整个基片的上述第二镀敷供电用金属层111b的上侧形成镀敷金属层112。这样，可迅速形成镀敷金属层112。
然后，如图2C所示，在上述衬底101的下面形成n电极113，制造半导体激光器。最后，在由AuSn金属喷镀的散热片上以结倒置的方式熔融安装该半导体激光器。
这样，由于该半导体激光器的上述镀敷金属层112的上面形成大致平坦状，所以可防止向散热片熔融安装时在上述镀敷金属层112和散热片之间形成空穴，由于因空穴妨碍激光器振荡时在上述量子阱活性层104产生的热量从上述镀敷金属层112向散热片散热的情况不存在，所以改善了散热性。由此，热抵抗值可从例如40℃/W降低至30℃/W，实现高温的激光器的高输出工作。因此，向上述散热片熔融安装时不会产生空穴，改善散热特性，可实现温度特性提高的半导体激光器。
另外，虽然未图示，但是在形成上述镀敷金属层112的工序中，可仅在上述第一镀敷供电用金属层111a施加电场，形成与上述脊带部120大致等高的上述第一镀敷金属层112a，然后，将该第一镀敷金属层112a与上述第二镀敷供电用金属层111b电连接，在上述第一镀敷金属层112a以及上述第二镀敷供电用金属层111b的上侧形成上述第二镀敷金属层112b。
这样，由于在一个阶段形成上述镀敷金属层112，所以可将上述镀敷金属层112的上面迅速形成大致平坦状。另外，仅在上述第一镀敷供电用金属层111a的一处取得电解镀敷用端子即可，使结构简化。
另外，如图2D所示，可通过进行选择镀敷，使上述层积体130的上面的两端部侧的上述第一镀敷供电用金属层111a的上侧不存在上述镀敷金属层112。换言之，上述镀敷金属层112在平面视图上看与上述衬底101以及上述层积体130的端部不重合。
这样，可在上述半导体激光器的端部形成台阶高差(凹部)，在向上述半导体激光器熔融安装散热片时，利用上述台阶高差防止形成焊剂材料的AuSn向上述半导体激光器的侧面攀派，可防止上述半导体激光器的电流的短路，提高上述半导体激光器的电流特性。
图4表示本发明的半导体激光器的其他实施例。该半导体激光器具有含有在上述脊带部120的横侧的上述层积体130的上面顺次层积的包层107以及接触层108并与上述脊带部120形成大致等高的台部122。另外，图4中，与上述第一实施例(图1)相同的部件赋予相同的符号，其说明省略。
在上述台部122上层积上述电流阻止层110，进而，沿上述台部122的上面在上述电流阻止层110上层积第三镀敷供电用金属层111c。然后，层积上述镀敷金属层112，覆盖上述台部122。上述镀敷金属层112在脊带部120以及各台部122之间的层厚比脊带部120以及台部122的上方的层厚厚出相当于脊带部或台部的高度的量。
具体地说，在上述第一实施例中，显示了蚀刻形成脊带部120的部分的两侧，形成上述脊带部120的情况，但在该第二实施例中，在形成上述脊带部1 20的部分的两侧，仅蚀刻5μm～100μm的宽度，形成上述脊带部120。
由此，设置从上述脊带部120离开5μm～100μm并与上述脊带部120等高的上述台部122，在半导体激光器制造过程中，避免仅上述脊带部120形成凸部，在制造以及安装过程中，可防止上述脊带部120破损，提高半导体激光器的成品率。
上述第一镀敷供电用金属层111a、上述第二镀敷供电用金属层111b以及上述第三镀敷供电用金属层111c相互分离而不电连接。
说明上述镀敷金属层112的形成：仅在上述第一镀敷供电用金属层111a上取得电解镀敷用端子，形成上述镀敷金属层112。该镀敷金属层112形成直至到达与上述脊带部120相同程度的高度，所形成的上述镀敷金属层112和上述第二镀敷供电用金属层111b以及上述第三镀敷供电用金属层111c接触且电连接，然后，在上述脊带部120、上述脊带横平坦部121以及上述台部122的上侧的整个范围内形成上述镀敷金属层112。
这样，利用一次金属镀敷可得到与上述第一实施例所示的分两次进行金属镀敷的情况相同的效果，上面可形成大致平坦的镀敷金属层112。
另外，通过选择镀敷，在距形成半导体激光器的两端的上述台部122的一端5～40μm的宽度上设置不形成上述镀敷金属层112的部分。即，上述台部122的上面的端部侧的上述第三镀敷供电用金属层111c露出。换言之，上述镀敷金属层112在平面视图上看不与上述衬底101以及上述层积体130的端部重合。
这样，在上述半导体激光器的端部形成台阶高差(凹部)，如图5所示，将上述半导体激光器向散热片115熔融安装时，利用上述台阶高差(凹部)防止形成焊剂材料的AuSn向上述半导体激光器的侧面攀爬，可防止上述半导体激光器的电流短路，提高上述半导体激光器的电流特性。
另外，虽然未图示，在形成上述镀敷金属层112的工序中，也可具有如下工序：在上述第一镀敷供电用金属层111a施加电场，形成与上述脊带部120大致等高的第一镀敷金属层；形成该第一镀敷金属层后，在上述第一和上述第二和上述第三镀敷供电用金属层111a、111b、111c上施加电场，在上述第一镀敷金属层、上述第二镀敷供电用金属层111b以及上述第三镀敷供电用金属层111c的上侧形成第二镀敷金属层。
这样，由于分成第一镀敷金属层和第二镀敷金属层这两个阶段形成镀敷金属层112，所以可一边进行调整，一边将上述镀敷金属层112的上面可靠地形成大致平坦状。
上面对本发明的实施例进行了说明，但是显然也可以进行各种变更。这种变更不应该看成脱离本发明的精神和范围，而对本技术领域的从业人员来说清楚的全部变更都包含在本发明的请求保护的范围内。

Claims (18)

1.一种半导体激光器，其特征在于，具有：衬底；设于该衬底上并至少具有活性层的层积体；具有在该层积体上顺次层积的包层以及接触层并形成电流通路的脊带部；设于该脊带部的侧面以及所述脊带部的横侧的所述层积体的上面并由电介质构成的电流阻止层；覆盖所述脊带部的上面以及所述电流阻止层的镀敷金属层，该镀敷金属层的上面是大致平坦的，
其还具有：第一镀敷供电用金属层，其沿所述脊带部的侧面以及所述脊带部的横侧的所述层积体的上面配置在所述镀敷金属层和所述电流阻止层之间；第二镀敷供电用金属层，其沿所述脊带部的上面配置在所述镀敷金属层和所述脊带部的上面之间，
所述第一镀敷供电用金属层和第二镀敷供电用金属层相互分离而未电连接。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述镀敷金属层的上面与所述衬底的表面大致平行。
3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述镀敷金属层在脊带部的两侧的层厚比在脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量。
4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述脊带部的上部形成檐状。
5.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，在所述层积体的上面的端部侧的所述第一镀敷供电用金属层的上侧不存在所述镀敷金属层。
6.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，具有含有在所述脊带部的横侧的所述层积体的上面顺次层积的包层以及接触层并与所述脊带部大致等高的台部，所述电流阻止层以及所述镀敷金属层还覆盖所述台部。
7.如权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，还具有：
第三镀敷供电用金属层，其沿所述台部的上面设置在所述镀敷金属层和所述电流阻止层之间，
所述第一镀敷供电用金属层、第二镀敷供电用金属层以及所述第三镀敷供电用金属层相互分离而未电连接。
8.如权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述脊带部的上部以及所述台部的上部形成檐状。
9.如权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，在所述台部的上面的端部侧的所述第三镀敷供电用金属层的上侧不存在所述镀敷金属层。
10.如权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述镀敷金属层在脊带部和台部之间的层厚比在脊带部以及台部上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部或者台部的高度的量。
11.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在衬底上形成至少含有活性层的层积体；
在该层积体上形成含有包层以及接触层并形成电流通路的脊带部；
在所述脊带部的侧面以及所述脊带部的横侧的所述层积体的上面形成由电介质构成的电流阻止层；
沿所述脊带部的侧面以及所述脊带部的横侧的所述层积体的上面在所述电流阻止层的上侧形成第一镀敷供电用金属层；
沿所述脊带部的上面在所述脊带部的上面的上侧形成与所述第一镀敷供电用金属层相互分离而不电连接的第二镀敷供电用金属层；
至少在所述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成覆盖所述脊带部以及所述层积体的镀敷金属层，所述镀敷金属层的上面是大致平坦的。
12.如权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述镀敷金属层具有如下工序：
在所述第一镀敷供电用金属层施加电场，形成与所述脊带部大致等高的第一镀敷金属层；
形成该第一镀敷金属层后，在所述第一和第二镀敷供电用金属层上施加电场，在所述第一镀敷金属层以及所述第二镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
13.如权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述镀敷金属层的工序是这样的工序：
在所述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成与所述脊带部大致等高的第一镀敷金属层，然后，将该第一镀敷金属层与所述第二镀敷供电用金属层电接触，在所述第一镀敷金属层以及所述第二镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
14.如权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述第一镀敷供电用金属层和所述第二镀敷供电用金属层形成为相补的梳形。
15.如权利要求14所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，在形成所述镀敷金属层的工序中，分别在所述第一镀敷供电用金属层和所述第二镀敷供电用金属层取得各自的电场镀敷用端子，形成所述镀敷金属层。
16.如权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有在所述脊带部的横侧的所述层积体的上面形成含有包层以及接触层并与所述脊带部大致等高的台部的工序，
形成所述电流阻止层的工序中，进而用所述电流阻止层覆盖所述台部，
另外，还具有沿所述台部的上面在所述台部的上面的所述电流阻止层的上侧形成与所述第一镀敷供电用金属层以及所述第二镀敷供电用金属层相互分离而不电连接的第三镀敷供电用金属层的工序，
形成所述镀敷金属层的工序进而用所述镀敷金属层覆盖所述台部。
17.如权利要求16所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述镀敷金属层的工序包括如下工序：
在所述第一镀敷供电用金属层施加电场，形成与所述脊带部大致等高的第一镀敷金属层；
形成该第一镀敷金属层后，在所述第一和所述第二和所述第三镀敷供电用金属层上施加电场，在所述第一镀敷金属层、所述第二镀敷供电用金属层以及所述第三镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
18.如权利要求16所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述镀敷金属层的工序是这样的工序：
在所述第一镀敷供电用金属层上施加电场，形成与所述脊带部以及所述台部大致等高的第一镀敷金属层，然后，将该第一镀敷金属层与所述第二和所述第三镀敷供电用金属层电接触，在所述第一镀敷金属层、所述第二镀敷供电用金属层以及所述第三镀敷供电用金属层的上侧形成第二镀敷金属层。
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