JPWO2021192854A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2021192854A5 JPWO2021192854A5 JP2022509458A JP2022509458A JPWO2021192854A5 JP WO2021192854 A5 JPWO2021192854 A5 JP WO2021192854A5 JP 2022509458 A JP2022509458 A JP 2022509458A JP 2022509458 A JP2022509458 A JP 2022509458A JP WO2021192854 A5 JPWO2021192854 A5 JP WO2021192854A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser
- layer
- stress
- absorption layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020053183 | 2020-03-24 | ||
| JP2020053183 | 2020-03-24 | ||
| PCT/JP2021/007940 WO2021192854A1 (ja) | 2020-03-24 | 2021-03-02 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021192854A1 JPWO2021192854A1 (https=) | 2021-09-30 |
| JPWO2021192854A5 true JPWO2021192854A5 (https=) | 2022-11-18 |
| JP7499845B2 JP7499845B2 (ja) | 2024-06-14 |
Family
ID=77892476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022509458A Active JP7499845B2 (ja) | 2020-03-24 | 2021-03-02 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240087900A1 (https=) |
| JP (1) | JP7499845B2 (https=) |
| KR (1) | KR20220158024A (https=) |
| CN (1) | CN115335965B (https=) |
| TW (1) | TWI871441B (https=) |
| WO (1) | WO2021192854A1 (https=) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023082761A (ja) * | 2021-12-03 | 2023-06-15 | 株式会社ディスコ | 支持板の除去方法及び板状部材の加工方法 |
| JP7814972B2 (ja) * | 2022-02-22 | 2026-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合基板の処理方法及び基板処理システム |
| JP7815447B2 (ja) * | 2022-07-27 | 2026-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びデバイス構造 |
| CN119631159A (zh) * | 2022-08-09 | 2025-03-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| TW202430304A (zh) * | 2022-12-26 | 2024-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 疊合基板、基板處理方法及基板處理系統 |
| CN115971642B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-11-15 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法 |
| JPWO2024190671A1 (https=) * | 2023-03-10 | 2024-09-19 | ||
| WO2026079048A1 (ja) * | 2024-10-09 | 2026-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3809681B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 剥離方法 |
| KR100481994B1 (ko) * | 1996-08-27 | 2005-12-01 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치 |
| DE112005001418T5 (de) | 2004-06-18 | 2008-02-21 | Electro Scientific Industries, Inc., Portland | Halbleiterstruktur-Bearbeitung unter Verwendung von mehreren Laserstrahlpunkten |
| US7425471B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| JP4816390B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-11-16 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法および半導体チップ |
| KR100858983B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2008-09-17 | 가부시키가이샤 덴소 | 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법 |
| JP2007220749A (ja) | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007254185A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | レーザスクライブ方法、表示装置の製造方法、基板、表示装置、電子機器 |
| CN106663391B (zh) * | 2013-12-02 | 2019-09-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
| JP2018117060A (ja) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 剥離基板及びレーザリフトオフ方法 |
| JP6864563B2 (ja) | 2017-06-07 | 2021-04-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP6980444B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2021-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 積層型素子の製造方法 |
| KR102903523B1 (ko) | 2018-04-27 | 2025-12-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| CN118983257A (zh) * | 2018-07-19 | 2024-11-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| JP7047922B2 (ja) * | 2018-09-04 | 2022-04-05 | 株式会社村田製作所 | Ｍｅｍｓデバイスの製造方法及びｍｅｍｓデバイス |
| US11024501B2 (en) * | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
-
2021
- 2021-03-02 CN CN202180021036.6A patent/CN115335965B/zh active Active
- 2021-03-02 WO PCT/JP2021/007940 patent/WO2021192854A1/ja not_active Ceased
- 2021-03-02 KR KR1020227036631A patent/KR20220158024A/ko active Pending
- 2021-03-02 US US17/907,217 patent/US20240087900A1/en active Pending
- 2021-03-02 JP JP2022509458A patent/JP7499845B2/ja active Active
- 2021-03-03 TW TW110107474A patent/TWI871441B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2021192854A5 (https=) | ||
| JPWO2021192853A5 (https=) | ||
| JP6349175B2 (ja) | リフトオフ方法及び超音波ホーン | |
| KR101792683B1 (ko) | 분자 접착에 의해 2개의 웨이퍼들을 함께 접합하기 위한 방법 및 장치 | |
| US10103048B2 (en) | Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates | |
| JP4488037B2 (ja) | 半導体ウェハの処理方法 | |
| JP7809180B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP6366996B2 (ja) | リフトオフ方法 | |
| JP7499845B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| US9111983B1 (en) | Methods for removing adhesive layers from semiconductor wafers | |
| JP2014236034A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| KR102535477B1 (ko) | 다이본드 다이싱 시트 | |
| JP2005162818A (ja) | ダイシングダイボンドシート | |
| JP7007053B2 (ja) | リフトオフ方法 | |
| JP6067348B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP6121116B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JPWO2021199585A5 (https=) | ||
| JP5613002B2 (ja) | ダイシング−ダイボンディングテープ | |
| CN113851414B (zh) | 一种激光解键合方法 | |
| JP6057616B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP5029298B2 (ja) | 分断方法 | |
| JP2015153828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007220693A (ja) | ウェハの転写方法 | |
| JP2018050010A (ja) | 加工方法 | |
| CN113851396B (zh) | 一种载物台组件及激光解键合装置 |