JPWO2021187481A5

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Publication number: JPWO2021187481A5
Application number: JP2022508378A
Authority: JP
Filing date: 2021-03-16
Publication date: 2022-11-14
Anticipated expiration: 2041-03-16

Description

［式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーの調製方法］
式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーは、公知の方法によって調製することができる。例えば、ＨＯ－Ｂ ^１－ＯＨで表される化合物、ＨＯ－Ｂ ^２－ＯＨで表される化合物、Ｘ－Ａ ^１－Ｘで表される化合物、及びＸ－Ａ ^２－Ｘで表される化合物を適宜選択して縮合させることにより調製することができる（式中、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１、Ｂ^２は上記と同義であり、Ｘはハロゲン原子である）。ＨＯ－Ｂ ^１－ＯＨで表される化合物、及びＨＯ－Ｂ ^２－ＯＨで表される化合物、並びにＸ－Ａ ^１－Ｘで表される化合物、及びＸ－Ａ ^２－Ｘで表される化合物はそれぞれ１種を用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。この縮合反応においては、ＨＯ－Ｂ ^１－ＯＨで表される化合物とＨＯ－Ｂ ^２－ＯＨで表される化合物の合計１モルに対して、Ｘ－Ａ ^１－Ｘで表される化合物とＸ－Ａ ^２－Ｘで表される化合物の合計を通常０．１乃至１０モル、好ましくは０．１乃至２モルの割合に設定して用いることができる。

Claims

下記式（１）：

［式（１）において、
基Ａ^１は、

で表される５乃至８員芳香族複素環を表し、
当該芳香族複素環は架橋性置換基を有してもよく、
基Ａ^２は、

で表される５乃至８員芳香族複素環を表し、
当該芳香族複素環は架橋性置換基を有してもよく、
基Ｂ^１は、Ｎ、Ｓ及びＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、ハロゲン原子を含んでもよい、架橋性置換基を有する炭素原子数６乃至４０の有機基を表し、
基Ｂ^２は、Ｎ、Ｓ及びＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、ハロゲン原子を含んでもよい、架橋性置換基を有さない炭素原子数６乃至４０の有機基を表し、
ｎ^１、ｎ^２はそれぞれ独立に０以上、１以下の数であり、
ｍ^１、ｍ^２はそれぞれ独立に０以上、１以下の数であり、
ｎは１以上の数であり、
ｍは０以上の数であり、
１０≦ｎ＋ｍ≦５００であり、
但し、基Ａ^１、基Ａ^２が共に架橋性置換基を有しないとき、
ｍ≠０であればｎ^１及びｍ^１の少なくとも一方は１であり、
ｍ＝０であればｎ^１は１である。］
で表される繰り返し単位構造を有するポリマー、及び
溶媒
を含む感光性絶縁膜形成組成物。
基Ａ^１が、

で表される芳香族複素環を表し、当該芳香族複素環は架橋性置換基を有してもよい、
請求項１に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
基Ａ^２が、

及び

で表される芳香族複素環からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環を表し、これらの芳香族複素環はいずれも架橋性置換基を有してもよい、
請求項１又は２に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
基Ｂ^１が、下記から選択される少なくとも１種である、

（式中、Ｇは直接結合、又は下記式のいずれかを表す。

Ｌ、Ｍはそれぞれ独立に水素原子、フェニル基、又はＣ１－３アルキル基を表す。）
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
基Ｂ^１が、

で表される
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
基Ｂ^２が、下記から選択される少なくとも１種である、

（式中、Ｇは直接結合、又は下記式のいずれかを表す。

Ｌ、Ｍはそれぞれ独立に水素原子、フェニル基、又はＣ１－３アルキル基を表す。）
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
基Ｂ^２が、

で表される
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
架橋性置換基がラジカル架橋性基を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
架橋性置換基が、（メタ）アクリレート基、マレイミド基、又はアリル基を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
ｍ＝０である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の感光性絶縁膜形成組成物。
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の感光性絶縁膜形成組成物の塗布膜の焼成物であることを特徴とする感光性樹脂膜。
誘電正接が０．０１以下である、請求項１１に記載の感光性樹脂膜。
以下の工程：
（１）請求項１乃至１０の何れか１項に記載の感光性絶縁膜形成組成物を基板上に塗布して、感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、
（２）該感光性樹脂層を露光する工程と、
（３）該露光後の感光性樹脂層を現像して、レリーフパターンを形成する工程と、
（４）該レリーフパターンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程と
を含む硬化レリーフパターン付き基板の製造方法。
請求項１３に記載の方法により製造された硬化レリーフパターン付き基板。
半導体素子と、該半導体素子の上部又は下部に設けられた硬化膜とを備える半導体装置であって、該硬化膜は、請求項１４に記載の硬化レリーフパターンである、半導体装置。
下記式（１）：

［式（１）において、
基Ａ ^１は、

で表される芳香族複素環を表し、
当該芳香族複素環は架橋性置換基を有してもよく、
基Ａ ^２は、

で表される５乃至８員芳香族複素環を表し、
当該芳香族複素環は架橋性置換基を有してもよく、
基Ｂ ^１は、Ｎ、Ｓ及びＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、ハロゲン原子を含んでもよい、架橋性置換基を有する炭素原子数６乃至４０の有機基を表し、
基Ｂ ^２は、Ｎ、Ｓ及びＯから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、ハロゲン原子を含んでもよい、架橋性置換基を有さない炭素原子数６乃至４０の有機基を表し、
ｎ ^１は１であり、ｎ ^２は０以上、１以下の数であり、
ｍ ^１、ｍ ^２はそれぞれ独立に０以上、１以下の数であり、
ｎは１以上の数であり、
ｍは０であり、
１０≦ｎ＋ｍ≦５００である。］
で表される繰り返し単位構造を有するポリマー。
前記式（１）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーが、下記式（２）：

［式（２）において、ｎは１以上の数である。］
で表される繰り返し単位構造を有する、
請求項１６に記載のポリマー。