JPWO2020261466A5 - 断熱構造体、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム - Google Patents
断熱構造体、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020261466A5 JPWO2020261466A5 JP2021528768A JP2021528768A JPWO2020261466A5 JP WO2020261466 A5 JPWO2020261466 A5 JP WO2020261466A5 JP 2021528768 A JP2021528768 A JP 2021528768A JP 2021528768 A JP2021528768 A JP 2021528768A JP WO2020261466 A5 JPWO2020261466 A5 JP WO2020261466A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat insulating
- heat
- plates
- insulating structure
- treatment furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
Description
本開示は、断熱構造体、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラムに関する。
Claims (16)
- 熱処理炉の温度勾配を伴う炉口付近に配置される断熱構造体であって、
金属製の遮熱材と、前記遮熱材の表裏各面を覆う石英もしくはセラミックス製の封止部材とを有し、前記封止部材の内部に構成された真空の空洞に前記遮熱材が配置された断熱板を複数備え、
前記複数の断熱板が、それぞれ互いに間隔を空けて配置されてなる断熱構造体。 - 前記封止部材は1対の封止板で構成され、前記1対の封止板は、前記1対の封止板の全周において互いに接続される請求項1記載の断熱構造体。
- 前記複数の断熱板におけるそれぞれの前記遮熱材は、表裏面の間を連通させる少なくとも1つの貫通孔を有し、前記1対の封止板は、前記1対の封止板の全周及び前記貫通孔の中において互いに接続される請求項2記載の断熱構造体。
- 前記1対の封止板は、円盤状に形成され、前記遮熱材は前記1対の封止板のいずれよりも薄く形成される請求項2又は3記載の断熱構造体。
- 前記複数の断熱板におけるそれぞれの前記遮熱材は、鏡面の表面を有する請求項1記載の断熱構造体。
- 前記複数の断熱板におけるそれぞれの前記遮熱材は、前記空洞内で前記1対の封止板と面接触しないように支持される請求項2記載の断熱構造体。
- 前記複数の断熱板におけるそれぞれの前記遮熱材は、規則的に配置された複数の前記貫通孔を有する請求項3記載の断熱構造体。
- 前記1対の封止板は、自重で撓まないような剛性を有し、少なくとも前記互いに接続される部分を除き、鏡面の表面を有する請求項2記載の断熱構造体。
- 前記複数の断熱板におけるそれぞれの前記遮熱材は、エンボス加工が施される請求項6記載の断熱構造体。
- 前記複数の断熱板の配列軸と略同軸に設けられ、前記複数の断熱板を保持する断熱板保持具と、
前記配列軸と略同軸に設けられ、前記複数の断熱板を覆う、石英もしくはセラミックス製の筒状のカバーと、を更に備え、
前記カバーは、筒状の側部遮熱材が埋め込まれた側面を有する請求項1記載の断熱構造体。 - 内部で基板を処理する筒形の処理容器と、
前記処理容器内で前記基板を保持する基板保持具と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器外に設置され、前記処理容器内を加熱する筒形の第1ヒータと、
前記処理容器の一端に配置される蓋と、
前記基板保持具よりも前記蓋側寄りに設置され、前記処理容器内を加熱する第2ヒータと、
前記第1ヒータの前記蓋側の端と、前記蓋との間において、前記処理容器の外周に設置される断熱クロスと、
前記断熱クロスの外側に巻かれる遮熱シートと、
前記蓋と前記基板保持具との間に設置された断熱構造体と、を備え、
前記断熱構造体は、金属製の遮熱材と、前記遮熱材の表裏各面を覆う石英もしくはセラミックス製の封止部材とを有し、前記封止部材の内部に構成された真空の空洞に前記遮熱材が配置された断熱板を、互いに間隔を空けて複数配置して構成され、
前記断熱構造体の前記蓋から遠い端は、前記第1ヒータの前記蓋側の端よりも、前記処理容器の奥側に配置される
基板処理装置。 - 前記処理容器は、少なくとも前記第1ヒータに囲まれた部分が、赤外線を透過する材料で形成された反応管によって構成され、
前記反応管は、前記蓋側の相手側部材とシール部材を介して接続するフランジ部を有し、
前記フランジ部の、前記蓋側の相手側部材と反対側の面に、所定の放射率を有する熱吸収体を備えた請求項11記載の基板処理装置。 - 前記遮熱材および前記遮熱シートは、モリブデン製である請求項11又は12記載の基板処理装置。
- 金属製の遮熱材と前記遮熱材の表裏各面を覆う石英もしくはセラミックス製の封止部材とを有し、前記封止部材の内部に構成された真空の空洞に前記遮熱材が配置された断熱板が、間隔を空けて配置されてなる断熱構造体を、熱処理炉の温度勾配を伴う炉口付近に配置する工程と、
前記熱処理炉内に処理すべき基板を配置する工程と、
前記断熱構造体により断熱しながら、熱処理炉を加熱する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 金属製の遮熱材と前記遮熱材の表裏各面を覆う石英もしくはセラミックス製の封止部材とを有し、前記封止部材の内部に構成された真空の空洞に前記遮熱材が配置された断熱板が、間隔を空けて配置されてなる断熱構造体を、熱処理炉の温度勾配を伴う炉口付近に配置する工程と、
前記熱処理炉内に処理すべき基板を配置する工程と、
前記熱処理炉内を真空排気する工程と、
前記断熱構造体により断熱しながら、熱処理炉を加熱する工程と、
を有する基板処理方法。 - 金属製の遮熱材と前記遮熱材の表裏各面を覆う石英もしくはセラミックス製の封止部材とを有し、前記封止部材の内部に構成された真空の空洞に前記遮熱材が配置された断熱板が、間隔を空けて配置されてなる断熱構造体を、熱処理炉の温度勾配を伴う炉口付近に配置する手順と、
前記熱処理炉内に処理すべき基板を配置する手順と、
前記熱処理炉内を真空排気する手順と、
前記断熱構造体により断熱しながら、熱処理炉を加熱する手順と、
を基板処理装置のコンピュータに実行させるプログラム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/025525 WO2020261466A1 (ja) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 断熱構造体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020261466A1 JPWO2020261466A1 (ja) | 2020-12-30 |
JPWO2020261466A5 true JPWO2020261466A5 (ja) | 2022-02-14 |
JP7189345B2 JP7189345B2 (ja) | 2022-12-13 |
Family
ID=74061581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021528768A Active JP7189345B2 (ja) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 断熱構造体、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220108900A1 (ja) |
JP (1) | JP7189345B2 (ja) |
KR (1) | KR102601661B1 (ja) |
CN (1) | CN114127897A (ja) |
TW (1) | TWI783238B (ja) |
WO (1) | WO2020261466A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114921633A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-08-19 | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 | 一种金属棒料高通量梯度热处理装置以及工艺 |
CN117660927A (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-08 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种温度控制部件及cvd反应装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0914575A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-17 | Masaki Murakami | 断熱板または断熱フィルム |
JPH0986943A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-03-31 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス質断熱材及びその製造法 |
JP2000150403A (ja) | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 保温筒および縦型熱処理装置 |
JP4298899B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2009-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3641193B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2005-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット |
JP4063661B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2008-03-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体の製造法 |
JP2005163848A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Seven Seven:Kk | 真空断熱材の製造方法及び断熱容体の製造方法 |
KR101304763B1 (ko) * | 2011-12-16 | 2013-09-10 | 윤관옥 | 단열효율이 우수한 건축패널 |
JP5788448B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2015-09-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP6457779B2 (ja) * | 2014-10-27 | 2019-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 断熱部材及びこれを用いた熱処理装置 |
KR101757363B1 (ko) | 2015-05-18 | 2017-07-13 | (주)아모레퍼시픽 | 커버 일체형 자동인출 립스틱 용기 |
JP6605398B2 (ja) | 2015-08-04 | 2019-11-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム |
KR101915072B1 (ko) | 2016-12-21 | 2018-11-05 | 노홍숙 | 진공 단열판재, 제조장치 및 그 제조방법 |
KR101955682B1 (ko) * | 2016-12-21 | 2019-03-07 | (주)대산공업 | 복합 단열판재 |
JP6815526B2 (ja) | 2017-09-13 | 2021-01-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-06-27 KR KR1020217040229A patent/KR102601661B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-27 WO PCT/JP2019/025525 patent/WO2020261466A1/ja active Application Filing
- 2019-06-27 JP JP2021528768A patent/JP7189345B2/ja active Active
- 2019-06-27 CN CN201980097936.1A patent/CN114127897A/zh active Pending
-
2020
- 2020-06-19 TW TW109120717A patent/TWI783238B/zh active
-
2021
- 2021-12-16 US US17/553,582 patent/US20220108900A1/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2020261466A5 (ja) | 断熱構造体、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム | |
NL2017558B1 (en) | A chemical vapour deposition apparatus and use thereof | |
TWI570378B (zh) | 熱處理爐及熱處理設備 | |
JP4912463B2 (ja) | 炉のためのマルチゾーンヒータ | |
JP2009510262A5 (ja) | ||
JP2009010195A (ja) | 載置台構造及び熱処理装置 | |
JP7175766B2 (ja) | サセプタ支持体 | |
TWI594361B (zh) | 具有遮罩邊緣的支撐環 | |
JP2011515015A (ja) | 基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法 | |
TW300327B (ja) | ||
JP2020043221A5 (ja) | ||
JP2010084169A (ja) | 真空排気方法、真空排気プログラム、および真空処理装置 | |
TWI570265B (zh) | Film forming apparatus, base, and film forming method | |
JPH04243123A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP6783235B2 (ja) | 加工物を保持及び加熱する装置、加工物を加熱する方法及びリングヒータアセンブリ | |
KR20070013364A (ko) | 화학 기상 증착장치의 히터모듈 | |
JP4063661B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造法 | |
TW201028629A (en) | Heat treatment device | |
TW201310528A (zh) | 膜形成設備 | |
CN114127897A (zh) | 隔热结构体、基板处理装置以及半导体装置的制造方法 | |
JP2010169896A5 (ja) | ||
JPS63253629A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI577957B (zh) | 加熱器單元及熱處理裝置 | |
KR20140003362A (ko) | 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 | |
KR100848359B1 (ko) | 배치식 반응챔버의 히팅시스템 |