TW201310528A

TW201310528A - 膜形成設備

Info

Publication number: TW201310528A
Application number: TW101121810A
Authority: TW
Inventors: Izumi Sato; Isao Shiratani; Satoshi Asari; Tuyoshi Murakami
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2011-06-30
Filing date: 2012-06-18
Publication date: 2013-03-01
Also published as: KR101515095B1; TWI497593B; US20130167772A1; JP5753450B2; CN102856148B; JP2013016536A; KR20130007428A; US8833298B2; CN102856148A

Abstract

一種膜形成設備，包括一基板固定單元，其間隔固定複數基板；一反應室，其容納基板固定單元；一原料氣體供應管，其供應形成於基板之薄膜的原料氣體至基板；一支撐單元，其支撐反應室；一加熱單元，其設置於反應室外側且加熱基板；一保護管，其包括固定至支撐單元的一端部，沿基板的一排列方向在基板固定單元與反應室之間延伸，且包括一插入於其中的溫度量測單元；以及一突出部，其提供於保護管的一外表面與反應室的一內表面的至少一之上，且於保護管的外表面與反應室的內表面之間提供一間隙。

Description

膜形成設備

本發明關於一種在基板上形成薄膜的膜形成設備。

半導體積體電路的製程包括各種在基板，例如半導體晶圓(以下稱為晶圓)上形成數個薄膜的膜形成程序。在膜形成程序中，可使用一種被稱為批量型的膜形成設備。這種膜形成設備包括間隔地固定數個晶圓的晶圓載具，一容納晶圓載具的反應室，一支撐反應室的支撐單元，一在反應室中沿著晶圓載具延伸，向晶圓供應原料氣體以於晶圓上形成薄膜的原料氣體供應管，以及一設置在反應室外部以加熱由晶圓載具固定的晶圓的加熱器。

此外，在膜形成設備中，溫度量測單元沿著晶圓載具被提供，以量測晶圓的溫度。為了從原料氣體保護溫度量測單元，溫度量測單元可被插入至一沿著晶圓載具延伸的保護管中(例如，專利參考文獻1)。

在膜形成設備中，當薄膜形成於晶圓上，例如，承載於晶圓載具上的晶圓時，晶圓載具係容納於反應室中，加熱器被用來加熱被晶圓載具固定的晶圓，使得晶圓的溫度達到一預定的膜形成溫度，然後供應原料氣體。因此，原料氣體被晶圓的熱分解，且薄膜藉由分解產物形成於晶圓上。

此時，分解產物不只沉積於晶圓上，也沉積於晶圓載具、反應室與保護管上。因此，如果保護管的外表面接觸到反應室的內表面，保護管的外表面可能會由於分解產物黏著於反應室的內表面。在此情況中，在維護膜形成設備時，不容易將保護管從反應室的內表面分離，且若用力分離，保護管可能會損壞。因此，需要小心地作業，且因此維護所須的時間可能會增加。

而且，如果保護管的外表面黏著於反應室的內表面，當膜形成之後降低晶圓溫度時，應力可能會施加於保護管，從而損害保護管。

參考前案：(專利參考文獻1)日本專利公開公報第2002-270593號。

本發明提供了一種膜形成設備，其能夠避免保護管的外表面黏著於反應室的內表面。

依本發明的一態樣，提供了一種膜形成設備，包括一基板固定單元，其固定複數基板，使基板彼此間隔堆疊；一反應室，其容納基板固定單元；一原料氣體供應管，其供應形成於基板之薄膜的原料氣體至基板，基板由容納於反應室中之基板固定單元固定；一支撐單元，其支撐反應室；一加熱單元，其設置於反應室外側且加熱基板；一保護管，其包括固定至支撐單元的一端部，沿基板的一排列方向在基板固定單元與反應室之間延伸，且包括一插入於其中的溫度量測單元；以及一突出部，其提供於保護管的一外表面與反應室的一內表面的至少一之上，且於保護管的外表面與反應室的內表面之間提供一間隙。

本發明的其它目的與優點將說明如下，且部份將因說明而顯而易見，或藉由實施本發明而習得。

本發明的目的與優點可能藉由以下特別指出的器械及組合而實現或獲得。

以下將參考伴隨的圖式說明本發明的一實施例。在以下的說明中，具有實質上相同功能與安排的構成元件將以相同的參照標號表示，且重複的敘述將緊在必要時為之。

圖1為一剖面示意圖，顯示一本發明一實施例的膜形成設備10。如圖1所示，膜形成設備10包括一晶圓載具21，其固定多數個晶圓W，使得這些晶圓W在上下方向上間隔地堆疊，一容納晶圓載具21的反應室22，，一容納反應室22的外室23，以及一支撐反應室22與外室23的多支管24。此外，膜形成設備10提供有一供應原料氣體至晶圓載具21所固定的晶圓W的原料氣體噴嘴25，以及插入有例如熱電偶或熱電阻之溫度量測單元，以從原料氣體保護溫度量測單元的保護管26。原料氣體噴嘴25與保護管26係於晶圓載具21與反應室22之間的空間中沿晶圓載具21延伸，並且彼此設置跨越晶圓載具21。

而且，膜形成設備10提供有一加熱器27，其環繞外室23的外周圍設置且加熱由晶圓載具21固定的晶圓W。加熱器27可包括複數個依上下方向設置的分區加熱器，且一電源供應裝置(未顯示)連接至個分區加熱器。此外，外室23的頂部可提供一額外加熱器(未顯示)以從外室23的頂部加熱晶圓W。

晶圓載具21係由，例如，石英玻璃製成，且包括一上蓋部21a、一下蓋部21b、以及例如三個支撐上蓋部21a至下蓋部21b的支撐部21c(圖1中僅顯示兩個)。支撐部21c上提供有複數個狹縫。各該些狹縫係和各支撐部21c之相對應的狹縫同樣的高度，從而晶圓W係以這些狹縫來支撐。狹縫的數量與間隔可依晶圓W的數量、一次膜形成程序所要處理的晶圓W的數量、或是反應室22的尺寸來決定。

此外，晶圓載具21的底部是由基座28支撐，且基座28固定於升高板29上。升高板29可以由一升高機構(未顯示)向上與下移動。在膜形成時，升高板29藉由升高機構向上移動，且藉由一密封件例如一O環或一金屬密封件，與多支管24的底表面接觸。因此，外室23、多支管24、以及升高板29所界定的空間與外部空間隔離。此外，當晶圓載具21自反應室22卸載時，升高板29進而晶圓載具21係藉由升高機構向下移動。

反應室22係由，例如，包括一蓋的圓柱狀石英玻璃製成，且反應室22的底部由多支管24內周圍所提供的凸緣部所支撐。環繞反應室22外側的外室23是由，例如，包括一蓋的圓柱狀石英玻璃所構成。此外，外室23係以一密封件，例如O環或是金屬密封件，氣密地黏著於多支管24的上表面。

此外，反應室22提供有一或至兩個開口(未顯示)，因此反應室22的內部空間與反應室22的外部空間(外室23的外部空間)經由開口彼此連通。進一步地，一排氣管連接至多支管24，且排氣管與一包括了真空幫浦的排氣設備連接。因此，下述從原料氣體噴嘴25供應至晶圓W的原料氣體係經由反應室22的開口與外室23的排氣管排出。此外，一壓力控制器(圖未示)提供於排氣管，因此可以調整反應室22內部的壓力。

多支管24的上凸緣以多個螺栓與螺帽連接到底部單元30。因此，多支管24支撐反應室22與外室23至底部單元30。

原料氣體噴嘴25係由，例如，石英玻璃製成，且經由提供於多支管24的噴嘴引入部24a到達內部空間，且藉由向上彎曲而沿著晶圓載具21延伸。密封件24b，例如O環，與一將密封件24b推向原料氣體噴嘴25以維持氣密的連接器24c係提供於噴嘴引入部24a的端部。此外，原料氣體噴嘴25位於多支管24外側的端部係連接至一原料供應系統(未顯示)，且原料氣體係自原料供應系統供應至原料氣體噴嘴25。此外，原料氣體噴嘴25提供有多數個朝向晶圓載具21所固定之晶圓W的開口25a，且原料供應系統所供應的原料氣體係經由開口25a供應至晶圓W。

此外，原料供應系統包括一氣體槽(未顯示)，其儲存欲形成於晶圓W上的薄膜對應的原料氣體，且一壓力控制器(例如，一調節器)或一流量調整器(例如，一質量流量控制器)(均未顯示)係提供於一連接氣體槽與原料氣體噴嘴25的管線，從而原料氣體供應至原料氣體噴嘴25時，其流量可被控制。

保護管26係由，例如，石英玻璃製成，其經由一提供於多支管24的保護管引入部24d到達內部空間，且藉由向上彎曲而沿晶圓載具21延伸。密封件24b與連接器24c亦提供於保護管引入部24d，因此可維持氣密。多數個例如熱電偶26b(圖1只顯示一個)插入至保護管26。各熱電偶26b的溫度量測端係在高度方向上設置於不同位置，因此可獲取晶圓載具21在長度方向上的溫度分布。溫度調整器(未顯示)係連接至熱電偶26b。各上述分區加熱器的電源供應裝置係基於熱電偶26b的溫度量測結果來控制，因此晶圓載具21固定的多個晶圓W可均勻地加熱。

圖2為膜形成設備10的部份俯視示意圖，其顯示晶圓載具21、反應室22、以及保護管26的位置關係。如圖2所示，反應室22上提供了向晶圓載具21凹陷的溝槽部22a。在本實施例中，溝槽部22a從反應室22的底部向頂部延伸。由於反應室22的內表面向外凹陷為溝槽部22a，設置保護管26的空間可以增加。換言之，當反應室22與晶圓載具21之間的空間狹窄，在反應室22提供溝槽部22a是有效的。而且，當反應室22與晶圓載具21之間的空間藉由提供溝槽部22a而狹窄，從原料氣體噴嘴25供應的原料氣體可容易地流向晶圓W之間的空間，所以膜形成效率被提升。

進一步地，兩個突出部26a係提供於接近保護管26的頂部(參照圖1)。在本實施例中，突出部26a係圍繞保護管26以間隔120度角設置。突出部26a的形狀並不限於圖2所示的半球形，而可為柱形(圓柱形或號角形)或針形。而且，為減少突出部26a反應室22的內表面的接觸面積，如果突出部26a具有一柱形，前端可為圓形。而且，突出部26a的尺寸可基於溝槽部22a的深度或寬度、保護管26的外徑、反應室22與晶圓載具21的間隔，或類似因素而決定。在本實施例中，突出部26a的高度(從保護管26的外表面的突出量)為約4公釐。

而且，在本實施例中，由於兩突出部26a的前端部接觸溝槽部22a的內表面，且兩突出部26a的間隔角為約120度，保護管26的沿反應室22的內表面方向的不當位移可有效地避免。

當使用膜形成設備10在晶圓W上形成薄膜時，首先，藉由使用一與膜形成設備10一起提供的晶圓傳送機構(未顯示)，晶圓W從晶圓架被裝載到從反應室22卸載的晶圓載具21上。接著，晶圓載具21被裝載至反應室22中，且內部空間(由外室23、多支管24、以及升高板29所界定的空間)被抽氣到一預定的壓力，同時內部空間由，例如，惰性氣體供應噴嘴(未顯示)所供應的惰性氣體清洗。接著，使用加熱器27加熱晶圓W至一預定的膜形成溫度(例如，攝氏500度至600度)，從原料氣體噴嘴25供應例如矽烷(Si2H6)，矽烷被晶圓W的熱分解，然後一非晶矽薄膜形成於晶圓W上。在一預定膜厚度的非晶矽薄膜形成之後，矽烷供應停止，晶圓W的加熱停止，以惰性氣體清洗內部空間，且然後圓載具21從反應室22卸載。接著，晶圓W從晶圓載具21使用傳送機構被送到，例如，晶圓架，從而結束膜形成程序。

在上述的膜形成程序中，由於當保護管26的外表面與反應室22的內表面接觸時，薄膜形成於保護管26的外表面或反應室22的內表面，保護管26的外表面可能會由於薄膜黏著於反應室22的內表面。在此狀況中，經由本發明之發明人的檢視，得知當晶圓W的溫度下降時，相對大的應力會施加於保護管26。此處，本發明之發明人所檢視的應力的原因將參照圖3A與圖3B加以說明。

圖3A顯示在安裝或維護膜形成設備10後，當外室23、反應室22與晶圓載具21處於室溫下時的多支管24、保護管引入部24d與保護管26。如圖3A所示，保護管引入部24d從多支管24幾乎水平地延伸，因此保護管26係水平地插入多支管24。並且，多支管24係在內部空間中向上彎曲。

同時，圖3B顯示外室23、反應室22與晶圓載具21由於，例如，膜的形成而加熱的多支管24、保護管引入部24d與保護管26。如圖3B所示，當多支管24因熱而變形時，保護管引入部24d係向下傾斜θ角。依實際量測本實施例之膜形成設備10，當晶圓W加熱到攝氏400度時，多支管24的溫度為約攝氏195度，且保護管引入部24d的傾斜角θ約為0.35°。當保護管引入部24d傾斜時，保護管26也傾斜，因此保護管26在晶圓載具21與反應室22之間的空間中，向反應室22的內表面傾斜。

此時，如果假設保護管26未提供有突出部26a，向反應室22傾斜的保護管26沿溝槽部22a的內表面(此後為方便起見，稱為反應室22的內表面)彎曲，且因此保護管26的外表面6大範圍地接觸反應室22的內表面。在此狀況中，由於沉積在反應室22或保護管26的膜，在膜形成時，保護管26的外表面可能會相對強力地黏著於反應室22的內表面。此處，當使用加熱器27對晶圓W的加熱在膜形成後停止，多支管24的溫度也會降低。此外，保護管引入部24d會回到水平方向(圖3A)。接著，一彎曲應力會施加於外表面黏著於反應室22的內表面的保護管26。

接著敘述當保護管引入部24d傾斜θ角時，量測施加於保護管26彎曲應力之程度的結果。在此量測中，取代加熱多支管24以傾斜保護管引入部24d，保護管引入部24d係藉由傾斜多支管24而傾斜，從而使用一推拉力計來量測施加至保護管26的重量。施加於保護管26的彎曲應力從得到的重量、保護管26的彎曲量、以及保護管26的形狀來獲得。而且，彎曲應力係當保護管26的垂直部(在晶圓載具21與反應室22之間的空間的部份)為約1350公釐時，從保護管26的水平部(由保護管引入部24d支持的部份)高150公釐、300公釐、450公釐以及1330公釐處獲得。

彎曲應力的量測結果如圖4所示。如圖4的圖所示，施加於保護管26的彎曲應力隨著保護管引入部24d的傾斜角θ的增加而直線增加。而且，越接近保護管26的垂直部的底部，彎曲應力增加的幅度越大。詳言之，施加於保護管26從垂直部底部起150公釐處的彎曲應力，約為施加於保護管26從垂直部底部起1330公釐處的彎曲應力的六倍。

如上所述，如果保護管26的外表面在膜形成時黏著於反應室22的內表面，例如，在中心部的周圍，在降溫時當多支管24回復到其原本的形狀時，一相對大的彎曲應力會以遠離反應室22的方向施加於保護管26。然後，保護管在黏著部份下方的部份可能會損壞。

然而，在本實施例中，由於突出部26a係提供於保護管26的上部(前端)，即使保護管26在升溫時由於多支管24的熱變形向反應室22的內表面傾斜，只有突出部26a接觸到反應室22的內表面，因此保護管26的外表面不會接觸到反應室22的內表面。因此，即使膜形成於保護管26的外表面或反應室22的內表面，保護管26的外表面可避免黏著於反應室32的內表面。

而且，當突出部26a由於膜形成而黏著於反應室22的內表面，保護管26的前端部係經由突出部26a固定於反應室22的內表面，但如圖4所示，由於施加於保護管26前端部的應力相對較小，保護管26可能不會損壞。而且，即使突出部26a黏著於反應室22的內表面，接觸面積也小於保護管26的外表面黏著於反應室22的內表面，所以在降溫時，突出部26a係容易從反應室22的內表面分開。因此，保護管26的前端部會是一自由端，從而彎曲應力不會施加於保護管26。

此處描述當多支管24的保護管引入部24d傾斜時，保護管26是如何彎曲的模擬狀況。圖5A顯示模擬所使用的模型。保護管26的垂直部的長渡為1350公釐，保護管26的厚度約為12公釐。而且，保護管26於其底部端部與反應室22的間隔約為8公釐，於其前端部與反應室22的間隔則為4公釐。換言之，保護管26的垂直部係稍微地向反應室22的內表面傾斜。而且，當提供突出部26a時，突出部26a的位置為從保護管26的前端起約20公釐。而且，突出部26a的高度(從保護管26的外表面的突出量)約為4公釐。換言之，突出部26接觸反應室22的內表面(亦即，由於突出部26a，保護管26的前端部約離反應室22的內表面4公釐遠)。

而且，在此模擬中，多支管24的保護管引入部24d的傾斜角θ約為1.0度。保護管26的傾斜角的角度以示意地顯示於圖5A中，一點線顯示如果在此傾斜角θ下反應室22不存在的狀況。

圖5B顯示保護管26如何彎曲的計算結果。如標號W所示，保護管26的前端部係由突出部26a固定，且保護管26在前端部與底端部之間向反應室22的內表面彎曲。然而，即使在一接近反應室22的內表面的位置(在高度約1050公釐的位置)，保護管26的外表面與反應室22的內表面之間仍有約2.5公釐的間隔。換言之，藉由在保護管26的前端部提供具有約4公釐高度的突出部26a，可避免保護管26的外表面接觸到反應室22的內表面。

而且，為了比較，對於在保護管26的前端部並未包括突出部26a的狀況下，多支管24的保護管引入部24d傾斜了約1.0度的狀況作了檢查。結果，如圖5B的標號WO所示，依據計算，保護管26彎曲超過了反應室22的內表面的位置。在此情況中，由於未提供突出部26a，保護管26的外表面可能在從高度約750公釐到頂部的範圍接觸到反應室22的內表面。所以，在膜形成時，保護管26的外表面可能於一寬廣的範圍內黏著於反應室22的內表面。此外，若保護管26的外表面在從高度約750公釐到頂部的範圍接觸到反應室22的內表面，保護管26的外表面係相對地強力黏著於反應室22的內表面，且一相對大的彎曲應力施加於保護管26的底部(參考圖4)，所以保護管26很有可能損壞。

突出部26a提供給保護管26的效果基於以上的檢查而被了解。

當本發明參考例示性的實施例加以說明與顯示，熟習該項技藝者可了解各種形式與詳細內容的改變，可在不脫離由伴隨的申請專利範圍所界定的本發明的情況下完成。

例如，溝槽部22a係於反應室22上沿保護管26向外突出，但溝槽部22a並非必要。例如，如相對於圖2的俯視圖6A所示，包括突出部26a的保護管26可設置於不具有溝槽部的反應室22。

而且，保護管26可以只提供有一個突出部26a。然而，如上所述，在與溝槽部22a的關係中，提供兩個突出部26a以避免保護管26在沿反應室22的內表面的方向上的不當位移是較佳的。而且，兩個突出部26a的間隔角度也不現於約120度，而是只要保護管26的外表面不接觸反應室22的內表面(溝槽部22a)，可適當地決定。

另外，如圖6B所示，除了保護管26，突出部26a也可提供於反應室22的溝槽部22a，或是提供於不具有溝槽部22a的反應室22的內表面。在此情況中，可提供一個或多個(較佳為兩個)突出部26a。或者，可以在保護管26的外表面與反應室22的內表面都提供突出部26a。

而且，在上述實施例中，提供於保護管26之前端部的突出部26a係設置為與反應室22的溝槽部22a的內表面接觸，但保護管 26可以設置為突出部26a於室溫下不接觸溝槽部22a的內表面。在此狀況中，在溫度上升時，保護管26的外表面絕對不會接觸溝槽部22a的內表面。

然而，如果突出部26a與溝槽部22a的內表面分開，保護管26在某些狀況下可能會振動，所以突出部26a可能會碰溝部22a的內表面，從而產生粒子。所以，為解決上述狀況，突出部26a可以接觸溝槽部22a的內表面。

而且，依保護管引入部24d在上下方向上的位置，保護管26可能會遠離反應室22的內表面。在此情況中，當保護管26由於多支管24的熱變形而向反應室22的內表面傾斜時，保護管26中的熱電偶26b與晶圓載具21的距離可能會改變。當此距離改變，晶圓載具21固定的晶圓W的溫度改變，因此晶圓溫度的再現性可能會惡化。然而，當保護管26的設置使其突出部26a預先接觸反應室22(或是溝槽部22a)，護管26與晶圓載具21之間的間隔改變會減少。因此，突出部26a與反應室22(或是溝槽部22a)的接合/不接合可以視情況決定。

而且，突出部26a的位置不限保護管26的前端部，而可為一中心部(反應室22的內表面的中心部)，因為藉由使用提供在中心部的突出部26a，保護管26的外表面可避免直接接觸反應室22的內表面。因此，保護管26的外表面避免黏著於反應室22的內表面。而且，即使提供於中心部的突出部26a黏著於反應室22的內表面，由於突出部26a與反應室22的內表面之間的接觸面積小，突出部26a可輕易地從反應室22的內表面分開。依本發明的發明人的實驗，即使當突出部26a係提供於離保護管26的底部約700公釐至800公釐的位置，保護管26的外表面不會藉由突出部26a強力地黏著於反應室22的內表面。

而且，在上述實施例中，反應室22係提供在外室23的內側，且晶圓載具21、原料氣體噴嘴25與保護管26係設置於反應室22的內側。所以，薄膜不會形成於外室23的內表面。同時，薄膜形成於反應室22的內表面，但由於反應室22比外室23小，清洗以去除內表面上形成的薄膜可輕易地進行。而且，準備與適當地交換多個反應室22的成本，低於準備與適當地交換多個外室23的成本。

而且，除了使用反應室22，保護管26可設置沿外室23的內表面延伸。換言之，外室23可用來當作反應室。在此情況中，上述實施例的功效與優點可清楚地展現。

而且，可提供多個具有不同長度(高度)的保護管26，且熱電偶可分別插入於其中。在此情況中，可為各保護管26提供突出部26a。

而且，在膜形成設備10中，形成在晶圓W上的薄膜不限於非多晶矽膜，且可為例如氧化矽膜、氮化矽膜或類似者。

而且，提供於反應室22的溝槽部22a的深度(凹陷量)或寬度可依所使用的保護管26的外徑適當地決定。而且，陷入的形狀也不陷於圓形截面(俯視形狀)，且可為長方形截面。當溝槽部22a具有長方形截面時，可依具有長方形截面的溝槽部22a的各個表面，在保護管26上提供三個突出部26a。

上述保護管26的長度與直徑、突出部26a的尺寸等僅為例子，且在各膜形成設備中可依形成有薄膜的晶圓W的尺寸，或是每次膜形成程序的晶圓W的數量來適當地決定。

依本發明的實施例，提供了一種能夠避免保護管的外表面黏著於反應室內表面的膜形成設備。依上述的結構，由於保護管的一端部固定於支撐反應室的支撐單元，當支撐單元因加熱單元的熱而熱變形時，保護管可能向反應室的內表面傾斜。然而，即使在此情況中，保護管的外表面係藉由突出部而避免接觸反應室的內表面。因此，即使當膜因原料氣體供應管所供應的原料氣體而形成於保護管的外表面與反應室的內表面，保護管的外表面係避免黏著於反應室的內表面。所以，在維護時不需進行從反應室的內表面分離保護管的作業。而且，如果保護管的外表面沒黏著於反應室的內表面，大的應力不會施加於保護管，因此保護管可不會損壞。

10‧‧‧膜形成設備

21‧‧‧晶圓載具

21a‧‧‧上蓋部

21b‧‧‧下蓋部

21c‧‧‧支撐部

22‧‧‧反應室

22a‧‧‧溝槽部

23‧‧‧外室

24‧‧‧多支管

24a‧‧‧噴嘴引入部

24b‧‧‧密封件

24c‧‧‧連接器

24d‧‧‧保護管引入部

25‧‧‧原料氣體噴嘴

25a‧‧‧開口

26‧‧‧保護管

26a‧‧‧突出部

26b‧‧‧熱電偶

27‧‧‧加熱器

28‧‧‧基座

29‧‧‧升高板

30‧‧‧底部單元

W‧‧‧晶圓

θ‧‧‧傾斜角

附隨的圖示描繪本發明之實施例，納入成為說明書的一部份，且與本發明的實施例的詳細說明一起用於解釋本發明的原理。

圖1為一示意剖面圖，顯示依本發明一實施例的膜形成設備。

圖2為一示意俯視圖，顯示圖1的膜形成設備的保護管與反應室之間的位置關係。

圖3A與圖3B為解釋圖1的膜形成設備中，應力施加於保護管的原因的視圖。

圖4為一統計圖，顯示圖1的膜形成設備中，量測施加於保護管的應力的結果。

圖5A與圖5B分別為視圖與統計圖，其解釋於圖1的膜形成設備的保護管的前端部提供突出部的效果。

圖6A與圖6B為示意俯視圖，顯示圖1的膜形成設備的修改例子中，保護管與反應室之間的位置關係。