JP2002270593A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002270593A JP2002270593A JP2001064297A JP2001064297A JP2002270593A JP 2002270593 A JP2002270593 A JP 2002270593A JP 2001064297 A JP2001064297 A JP 2001064297A JP 2001064297 A JP2001064297 A JP 2001064297A JP 2002270593 A JP2002270593 A JP 2002270593A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板処理装置に於いて、温度測定手段が挿入さ
れた保護管の固定方法を改良し、取扱い性を向上させ
る。 【解決手段】基板１２を保持する保持手段１３と、該保
持手段が装入される処理容器５と、該処理容器を囲繞す
るヒータユニット２と、前記処理容器内の温度を測定す
る温度測定手段１０とを具備し、前記処理容器内に処理
ガスを導入し前記基板を所定温度に加熱して基板の処理
を行う基板処理装置に於いて、前記温度測定手段が保護
管９に装入され、該保護管が前記処理容器に固着され
る。
れた保護管の固定方法を改良し、取扱い性を向上させ
る。 【解決手段】基板１２を保持する保持手段１３と、該保
持手段が装入される処理容器５と、該処理容器を囲繞す
るヒータユニット２と、前記処理容器内の温度を測定す
る温度測定手段１０とを具備し、前記処理容器内に処理
ガスを導入し前記基板を所定温度に加熱して基板の処理
を行う基板処理装置に於いて、前記温度測定手段が保護
管９に装入され、該保護管が前記処理容器に固着され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散等の所要の処理を
行う基板処理装置、特に縦型反応炉を具備した基板処理
装置に於いて、縦型反応炉内の温度を検出する温度検出
器の支持構造の改良をした基板処理装置に関するもので
ある。
等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散等の所要の処理を
行う基板処理装置、特に縦型反応炉を具備した基板処理
装置に於いて、縦型反応炉内の温度を検出する温度検出
器の支持構造の改良をした基板処理装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板処理装置について説明する。
【０００３】図６は基板処理装置の縦型反応炉を示して
おり、炉ベース板１に有天筒状のヒータユニット２が立
設されている。該ヒータユニット２は有天筒状の断熱部
材３及び該断熱部材３の内面に設けられたヒータ４等か
ら構成されている。該ヒータ４は軸心方向に沿って所要
数のヒータ分体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに分割され、該
ヒータ分体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄのそれぞれは独立し
て発熱量が制御可能となっている。
おり、炉ベース板１に有天筒状のヒータユニット２が立
設されている。該ヒータユニット２は有天筒状の断熱部
材３及び該断熱部材３の内面に設けられたヒータ４等か
ら構成されている。該ヒータ４は軸心方向に沿って所要
数のヒータ分体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに分割され、該
ヒータ分体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄのそれぞれは独立し
て発熱量が制御可能となっている。
【０００４】前記炉ベース板１を貫通し、前記ヒータユ
ニット２と同心に石英製の処理容器である反応管５が設
けられ、該反応管５はインレットフランジ６上に気密に
立設され、該インレットフランジ６は図示しない支持部
材により前記炉ベース板１に支持されている。
ニット２と同心に石英製の処理容器である反応管５が設
けられ、該反応管５はインレットフランジ６上に気密に
立設され、該インレットフランジ６は図示しない支持部
材により前記炉ベース板１に支持されている。
【０００５】前記インレットフランジ６内面には内鍔７
が形成され、該内鍔７上に石英製のインナチューブ８が
前記反応管５と同心に立設されている。
が形成され、該内鍔７上に石英製のインナチューブ８が
前記反応管５と同心に立設されている。
【０００６】前記インナチューブ８と前記反応管５との
間には石英製の熱電対保護管９が設けられている。該熱
電対保護管９は基部が水平方向に屈曲し、前記インレッ
トフランジ６を貫通し、前記熱電対保護管９は基部に於
いて前記インレットフランジ６に支持されている。
間には石英製の熱電対保護管９が設けられている。該熱
電対保護管９は基部が水平方向に屈曲し、前記インレッ
トフランジ６を貫通し、前記熱電対保護管９は基部に於
いて前記インレットフランジ６に支持されている。
【０００７】前記熱電対保護管９は細く、長いものであ
り、図６の紙面に対して垂直方向、左右方向に傾斜す
る。傾斜したままでは前記インナチューブ８の組立時に
該インナチューブ８と前記熱電対保護管９とが干渉し
て、該熱電対保護管９が損傷することがあるので、図７
に示される様に、前記反応管５の内面にＵ字状の熱電対
サポート１１が設けられ、該熱電対サポート１１により
前記熱電対保護管９が傾かない様に支持されている。該
熱電対保護管９内には温度検出手段として熱電対１０が
挿入され、該熱電対１０は軸心方向に沿って所要箇所の
温度を検出可能な様に複数の検出部１０ａ，１０ｂ，１
０ｃ，１０ｄを有している。
り、図６の紙面に対して垂直方向、左右方向に傾斜す
る。傾斜したままでは前記インナチューブ８の組立時に
該インナチューブ８と前記熱電対保護管９とが干渉し
て、該熱電対保護管９が損傷することがあるので、図７
に示される様に、前記反応管５の内面にＵ字状の熱電対
サポート１１が設けられ、該熱電対サポート１１により
前記熱電対保護管９が傾かない様に支持されている。該
熱電対保護管９内には温度検出手段として熱電対１０が
挿入され、該熱電対１０は軸心方向に沿って所要箇所の
温度を検出可能な様に複数の検出部１０ａ，１０ｂ，１
０ｃ，１０ｄを有している。
【０００８】前記インレットフランジ６の下端開口部
（炉口部）は炉口蓋１４により気密に閉塞可能であり、
該炉口蓋１４は図示しないボートエレベータにより昇降
可能に支持され、該炉口蓋１４に断熱の為に設けられる
キャップ部１５を介して基板保治具（ボート１３）が前
記インナチューブ８と同心に載置される。
（炉口部）は炉口蓋１４により気密に閉塞可能であり、
該炉口蓋１４は図示しないボートエレベータにより昇降
可能に支持され、該炉口蓋１４に断熱の為に設けられる
キャップ部１５を介して基板保治具（ボート１３）が前
記インナチューブ８と同心に載置される。
【０００９】前記ボート１３には基板１２が水平姿勢で
多段に装填され、前記ボートエレベータ（図示せず）に
より装入される。
多段に装填され、前記ボートエレベータ（図示せず）に
より装入される。
【００１０】尚、図示していないが、前記炉ベース板１
内部には処理ガス供給ライン、排気ラインが接続され、
処理ガス供給ラインより処理ガスが導入され、又排気ラ
インより排気される。
内部には処理ガス供給ライン、排気ラインが接続され、
処理ガス供給ラインより処理ガスが導入され、又排気ラ
インより排気される。
【００１１】前記基板１２の処理は、前記ボート１３に
保持されて前記反応管５内に装入され、前記ヒータ４に
より加熱された状態で、処理ガスが供給され、又排気さ
れることで行われる。基板処理の成膜速度、成膜品質、
成膜膜厚、膜厚の均一性等成膜状態は成膜温度により大
きく影響される。この為、前記熱電対１０により所要箇
所の温度が検出され、該検出結果に基づき前記ヒータ分
体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが個々にゾーンコントロール
される。
保持されて前記反応管５内に装入され、前記ヒータ４に
より加熱された状態で、処理ガスが供給され、又排気さ
れることで行われる。基板処理の成膜速度、成膜品質、
成膜膜厚、膜厚の均一性等成膜状態は成膜温度により大
きく影響される。この為、前記熱電対１０により所要箇
所の温度が検出され、該検出結果に基づき前記ヒータ分
体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄが個々にゾーンコントロール
される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】成膜処理が行われる
と、基板１２の表面だけでなく、インナチューブ８の表
面、反応管５の内面にも反応生成物が堆積成膜される。
前記した熱電対保護管９と熱電対サポート１１間にも反
応生成物が堆積する。この為、この堆積物により熱電対
保護管９と熱電対サポート１１とが接着することがあ
る。
と、基板１２の表面だけでなく、インナチューブ８の表
面、反応管５の内面にも反応生成物が堆積成膜される。
前記した熱電対保護管９と熱電対サポート１１間にも反
応生成物が堆積する。この為、この堆積物により熱電対
保護管９と熱電対サポート１１とが接着することがあ
る。
【００１３】前記反応管５、インナチューブ８に堆積し
た反応生成物は、やがて剥離し、パーティクルの原因と
なり、該パーティクルが基板１２に付着し、該基板１２
を汚染すると処理品質を低下させるので、前記反応管
５、前記インナチューブ８は定期的に洗浄する必要があ
る。洗浄は該インナチューブ８を前記反応管５から外
し、該反応管５、インナチューブ８は個々に洗浄され
る。
た反応生成物は、やがて剥離し、パーティクルの原因と
なり、該パーティクルが基板１２に付着し、該基板１２
を汚染すると処理品質を低下させるので、前記反応管
５、前記インナチューブ８は定期的に洗浄する必要があ
る。洗浄は該インナチューブ８を前記反応管５から外
し、該反応管５、インナチューブ８は個々に洗浄され
る。
【００１４】ところが、前記熱電対保護管９と熱電対サ
ポート１１間に反応生成物が堆積していた場合は、前記
熱電対保護管９と熱電対サポート１１とが接着状態にあ
るので前記インナチューブ８を外す場合に熱電対サポー
ト１１、熱電対保護管９を損傷する虞れがあった。損傷
した場合、補修の為に時間を要し、基板処理装置の稼働
率を低下させるという問題があった。
ポート１１間に反応生成物が堆積していた場合は、前記
熱電対保護管９と熱電対サポート１１とが接着状態にあ
るので前記インナチューブ８を外す場合に熱電対サポー
ト１１、熱電対保護管９を損傷する虞れがあった。損傷
した場合、補修の為に時間を要し、基板処理装置の稼働
率を低下させるという問題があった。
【００１５】本発明は斯かる実情に鑑み、インナチュー
ブと反応管とを取外す場合に熱電対保護管、熱電対の支
持機構が損傷しない様な基板処理装置を提供するもので
ある。
ブと反応管とを取外す場合に熱電対保護管、熱電対の支
持機構が損傷しない様な基板処理装置を提供するもので
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板を保持す
る保持手段と、該保持手段が装入される処理容器と、該
処理容器を囲繞するヒータユニットと、前記処理容器内
の温度を測定する温度測定手段とを具備し、前記処理容
器内に処理ガスを導入し前記基板を所定温度に加熱して
基板の処理を行う基板処理装置に於いて、前記温度測定
手段が保護管に装入され、該保護管が前記処理容器に固
着された基板処理装置に係るものである。
る保持手段と、該保持手段が装入される処理容器と、該
処理容器を囲繞するヒータユニットと、前記処理容器内
の温度を測定する温度測定手段とを具備し、前記処理容
器内に処理ガスを導入し前記基板を所定温度に加熱して
基板の処理を行う基板処理装置に於いて、前記温度測定
手段が保護管に装入され、該保護管が前記処理容器に固
着された基板処理装置に係るものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１８】先ず、図１に於いて、基板処理装置の概略
を説明する。図１中、図６中で示したものと同等のもの
には同符号を付してある。又、縦型反応炉の基本的な構
造、基板の処理については同様であるので、説明を省略
する。図２、図３を参照して説明する。
を説明する。図１中、図６中で示したものと同等のもの
には同符号を付してある。又、縦型反応炉の基本的な構
造、基板の処理については同様であるので、説明を省略
する。図２、図３を参照して説明する。
【００１９】熱電対保護管９を反応管５の内面に該反応
管５の軸心と平行に取付ける。取付け方法は種々考えら
れるが、該熱電対保護管９の全長に亘って溶接をする。
該熱電対保護管９の下端部９ａは外方に向かって屈曲さ
れ、前記反応管５の下端近傍を貫通し、外部に突出して
いる。前記下端部９ａの貫通箇所は溶接等により気密と
なっており、又該下端部９ａの屈曲半径は熱電対１０を
挿脱可能な大きさとする。前記熱電対保護管９には前記
熱電対１０が前記下端部９ａより挿入され、該下端部９
ａに螺着された固定螺子１７を締込むことで前記熱電対
１０を固定可能となっている。又、断熱素材（例えば、
Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2 のファイバー等）を使用した緩衝材
２０を入れて前記熱電対保護管９内の熱が外部に放熱で
きない構成としている。
管５の軸心と平行に取付ける。取付け方法は種々考えら
れるが、該熱電対保護管９の全長に亘って溶接をする。
該熱電対保護管９の下端部９ａは外方に向かって屈曲さ
れ、前記反応管５の下端近傍を貫通し、外部に突出して
いる。前記下端部９ａの貫通箇所は溶接等により気密と
なっており、又該下端部９ａの屈曲半径は熱電対１０を
挿脱可能な大きさとする。前記熱電対保護管９には前記
熱電対１０が前記下端部９ａより挿入され、該下端部９
ａに螺着された固定螺子１７を締込むことで前記熱電対
１０を固定可能となっている。又、断熱素材（例えば、
Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2 のファイバー等）を使用した緩衝材
２０を入れて前記熱電対保護管９内の熱が外部に放熱で
きない構成としている。
【００２０】而して、前記熱電対保護管９は前記反応管
５に一体化され、又前記熱電対保護管９が前記反応管５
に溶接されることで、前記熱電対保護管９の傾きは防止
される。更に、前記熱電対１０は外部に露出している前
記下端部９ａより前記熱電対保護管９内に挿脱可能であ
るので、前記反応管５単体の状態でも、該反応管５がヒ
ータユニット２内に組込まれた状態でも任意の状態で前
記熱電対１０の組込みが可能である。
５に一体化され、又前記熱電対保護管９が前記反応管５
に溶接されることで、前記熱電対保護管９の傾きは防止
される。更に、前記熱電対１０は外部に露出している前
記下端部９ａより前記熱電対保護管９内に挿脱可能であ
るので、前記反応管５単体の状態でも、該反応管５がヒ
ータユニット２内に組込まれた状態でも任意の状態で前
記熱電対１０の組込みが可能である。
【００２１】縦型反応炉の組立に於いて、インナチュー
ブ８をインレットフランジ６に組立てた後前記反応管５
内に挿入する場合、前記熱電対保護管９は前記反応管５
に固定されているので、干渉して損傷することがない。
ブ８をインレットフランジ６に組立てた後前記反応管５
内に挿入する場合、前記熱電対保護管９は前記反応管５
に固定されているので、干渉して損傷することがない。
【００２２】又、前記インナチューブ８、前記反応管５
の洗浄作業に於いて、前記熱電対保護管９は前記反応管
５に固定されているので、前記インナチューブ８と前記
反応管５とは前記熱電対保護管９の支持に関し注意を払
うことなく、個別に取扱いが可能であるので、作業性が
よい。
の洗浄作業に於いて、前記熱電対保護管９は前記反応管
５に固定されているので、前記インナチューブ８と前記
反応管５とは前記熱電対保護管９の支持に関し注意を払
うことなく、個別に取扱いが可能であるので、作業性が
よい。
【００２３】図４は前記熱電対保護管９の他の固定方法
を示すものである。
を示すものである。
【００２４】上記実施の形態では該熱電対保護管９を全
長に亘って溶接したが、他の実施の形態では、点付けと
したものである。
長に亘って溶接したが、他の実施の形態では、点付けと
したものである。
【００２５】図５は更に他の固定方法を示すものであ
り、ブリッジ１８を介して前記熱電対保護管９を前記反
応管５に固着したものであり、前記熱電対保護管９と反
応管５間に空間が形成される様にしたものである。空間
を設けることで、該反応管５と熱電対保護管９間での熱
伝達が抑止され、炉ベース板１内の雰囲気温度を正確に
検出することが可能となる。
り、ブリッジ１８を介して前記熱電対保護管９を前記反
応管５に固着したものであり、前記熱電対保護管９と反
応管５間に空間が形成される様にしたものである。空間
を設けることで、該反応管５と熱電対保護管９間での熱
伝達が抑止され、炉ベース板１内の雰囲気温度を正確に
検出することが可能となる。
【００２６】尚、縦型反応炉としては前記インナチュー
ブ８のないものもあるが、該インナチューブ８のない縦
型反応炉についても実施可能であることは勿論である。
更に、前記反応管５が横向きに設置される横型反応炉に
も実施可能であることも言う迄もない。
ブ８のないものもあるが、該インナチューブ８のない縦
型反応炉についても実施可能であることは勿論である。
更に、前記反応管５が横向きに設置される横型反応炉に
も実施可能であることも言う迄もない。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、基板を
保持する保持手段と、該保持手段が装入される処理容器
と、該処理容器を囲繞するヒータユニットと、前記処理
容器内の温度を測定する温度測定手段とを具備し、前記
処理容器内に処理ガスを導入し前記基板を所定温度に加
熱して基板の処理を行う基板処理装置に於いて、前記温
度測定手段が保護管に装入され、該保護管が前記処理容
器に固着されたので、保護管と処理容器とが一体に取扱
え処理容器の洗浄等の作業性が向上すると共に保護管の
処理取扱いが容易になる等の優れた効果を発揮する。
保持する保持手段と、該保持手段が装入される処理容器
と、該処理容器を囲繞するヒータユニットと、前記処理
容器内の温度を測定する温度測定手段とを具備し、前記
処理容器内に処理ガスを導入し前記基板を所定温度に加
熱して基板の処理を行う基板処理装置に於いて、前記温
度測定手段が保護管に装入され、該保護管が前記処理容
器に固着されたので、保護管と処理容器とが一体に取扱
え処理容器の洗浄等の作業性が向上すると共に保護管の
処理取扱いが容易になる等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２】（Ａ）は該実施の形態に於ける熱電対保護管の
固定方法の一例を示す説明図であり、（Ｂ）は図２
（Ａ）のＡ矢視図である。
固定方法の一例を示す説明図であり、（Ｂ）は図２
（Ａ）のＡ矢視図である。
【図３】（Ａ）は熱電対保護管下端部の拡大図であり、
（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ矢視図である。
（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ矢視図である。
【図４】（Ａ）は熱電対保護管の他の固定方法を示す説
明図であり、（Ｂ）は図４（Ａ）のＣ矢視図である。
明図であり、（Ｂ）は図４（Ａ）のＣ矢視図である。
【図５】（Ａ）は熱電対保護管の更に他の固定方法を示
す説明図であり、（Ｂ）は図５（Ａ）のＤ矢視図であ
る。
す説明図であり、（Ｂ）は図５（Ａ）のＤ矢視図であ
る。
【図６】従来例を示す概略断面図である。
【図７】該従来例に於ける熱電対保護管の固定方法を示
す説明図である。
す説明図である。
２ ヒータユニット ５ 反応管 ９ 熱電対保護管 １０ 熱電対 １２ 基板 １３ ボート １７ 固定螺子 １８ ブリッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/22 ５１１ Ｈ０１Ｌ 21/22 ５１１Ｑ (72)発明者 柳川 秀宏 東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式 会社日立国際電気内 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 KA04 KA08 KA23 KA39 KA46 5F045 AA03 AA20 BB20 DP19 DQ05 GB05
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を保持する保持手段と、該保持手段
が装入される処理容器と、該処理容器を囲繞するヒータ
ユニットと、前記処理容器内の温度を測定する温度測定
手段とを具備し、前記処理容器内に処理ガスを導入し前
記基板を所定温度に加熱して基板の処理を行う基板処理
装置に於いて、前記温度測定手段が保護管に装入され、
該保護管が前記処理容器に固着されたことを特徴とする
基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064297A JP2002270593A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064297A JP2002270593A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270593A true JP2002270593A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18923132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001064297A Pending JP2002270593A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270593A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102856148A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
-
2001
- 2001-03-08 JP JP2001064297A patent/JP2002270593A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102856148A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
| JP2013016536A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| US20130167772A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-07-04 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
| US8833298B2 (en) * | 2011-06-30 | 2014-09-16 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
| KR101515095B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2015-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| TWI497593B (zh) * | 2011-06-30 | 2015-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成設備 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050930 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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