JP2002261022A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002261022A JP2002261022A JP2001054950A JP2001054950A JP2002261022A JP 2002261022 A JP2002261022 A JP 2002261022A JP 2001054950 A JP2001054950 A JP 2001054950A JP 2001054950 A JP2001054950 A JP 2001054950A JP 2002261022 A JP2002261022 A JP 2002261022A
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Abstract
けずに基板の温度を正確に検出できる熱電対を備えた基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置100は、ボート
6に装填したウェーハ7を外部反応管1に囲まれた内部
反応管2の中に配置し、外部反応管1の外側に配置した
ヒータで加熱し、処理ガスで最適に処理するために、反
応管の中に配置した熱電対11でウェーハ7の温度を検
出する。この場合、熱電対11は、ウェーハ7と対向す
る側の反対側に、熱電対11に対する輻射を遮断する輻
射遮断カバー11dを有する。したがって、輻射遮断カ
バー11dがウェーハ7の温度検出に悪影響を与える輻
射を遮断して、熱電対がウェーハの温度を正確に検出す
ることを可能にしている。
Description
し、特に、ボートに装填した基板(ウェーハ)を反応管
の中に配置し、反応管の外側に配置したヒータで加熱
し、処理ガスで最適に処理するために、反応管の中に配
置した熱電対でウェーハの温度を検出する基板処理装置
に関する。
を示す図である。この基板処理装置200は、いわゆる
縦型CVD装置であって、外部反応管1および内部反応
管2の内側には、シールキャップ5に搭載され、多数枚
のウェーハ7および所要数枚の断熱板4を装填したボー
ト6が収納されている。ウェーハ7の処理のために、内
部反応管2の中にはガス導入ノズル8から処理ガスが導
入され、排気管9から排気されるとともに、外部からヒ
ータ10で過熱される。この処理を良好に行うために、
熱電対21によってウェーハ7の温度を検出している。
理装置は、処理を良好に行うために、熱電対21によっ
てウェーハ7の温度を検出しているが、主にウェーハ7
に対向する側の反対側(ヒータ側)から輻射を受け(ウ
ェーハ側からも若干受ける)、その輻射があるためにウ
ェーハ7の温度を正確に検出できない。
されたものであって、加熱源であるヒータなどの輻射の
悪影響を受けずにウェーハの温度を正確に検出できる熱
電対を備えた基板処理装置を提供することを目的とす
る。
ために、本発明は、基板を処理する反応室内部に、基板
(ウェーハ)の温度を検出する熱電対を設けたホットウ
ォール型の基板処理装置において、前記熱電対が前記基
板と対向する側の反対側に前記熱電対に対する輻射を遮
断する輻射遮断カバーを設けたことを特徴とするもので
ある。
が基板(例えば半導体基板)の温度検出に悪影響を与え
る輻射を遮断して、熱電対が基板の温度を正確に検出す
ることを可能にする。
11の輻射遮断カバー11dがヒータ10の方向からく
る輻射を遮断している。
て添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の基板
処理装置の実施の形態を示すブロック図、図2(a)
は、図1の基板処理装置に用いられている熱電対の構造
および熱電対とウェーハとの関係を示す拡大断面図、図
2(b)は、図2(a)の熱電対のラインA−Aから見
た断面図、図3および図4は、図2に示された熱電対の
変形例である。
わゆるホットウォール型の縦型CVD装置である。ヒー
タ10の内側には、外部反応管(アウターチューブ)1
が設けられており、その外部反応管1の内側には、上端
部が開放状態にされた内部反応管(インナーチューブ)
2が同心状に配置されている。外部反応管1と内部反応
管2とは、炉口フランジ3の上に配置され、外部反応管
1と炉口フランジ3との間は不図示のOリングによりシ
ールされている。炉口フランジ3の下端は、シールキャ
ップ5により気密に閉塞されている。
載され、そのボート6は、内部反応管2の中に収納され
ている。ボート6には、処理されるウェーハ7が水平姿
勢で多段に装填されているが、ボート6の下方の領域に
おいては、特定の枚数の断熱板4が同様に水平姿勢で多
段に装填されている。この場合、シールキャップ5は、
下方を不図示のボートエレベータによって支えられてい
る。内部反応管2の下方における炉口フランジ3の一部
にガス導入ノズル8が配置されている。ガス導入ノズル
8から導入されるガスは、内部反応管2に導入され、ウ
ェーハ7の処理を行った後に、内部反応管2と外部反応
管1との間の円筒状の空間を通り、排気管9から排気さ
れる。ウェーハ7が処理される間に、ウェーハ7の温度
は、熱伝対11により検出される。
ェーハにPoly−Si膜を形成する場合がある。その
場合の条件としては、 (a)成膜温度:530℃〜620℃ (b)圧力:0〜数Torr(1000Pa前後) (c)ガス:SiH4(数十ccm〜数千ccm(リッ
トル/min))とし、成膜を行う。
膜処理が完了して、新しいウェーハ7が装填されたボー
ト6と交換する場合、ガス導入ノズル8から不活性ガス
を供給し、反応管1,2の中の処理ガスを不活性ガスに
置換し、常圧に復帰させた後に、ボートエレベータがボ
ート6を下降させ、新しいボートとの交換処理が行われ
る。新しいボートとの交換処理が完了すると、シールキ
ャップ5の上には新しいボート6が搭載されているの
で、ボートエレベータは、新しいボート6を搭載したシ
ールキャップ5を再び上昇させ、ボートを内部反応管2
の中に収納して、上述の処理と同様な処理を繰り返す。
は、図2に示すような構造としている。すなわち、熱電
対11は、熱電対ケース11aと、その内部に配置され
た温度検出部11bと、温度検出部11bを支持してい
る支持部11cと、輻射遮断カバー11dとから構成さ
れている。熱電対11の温度検出部分11bの前面はウ
ェーハ7の方向を向き、後面はヒータ10の方向を向い
ている。そこで、熱電対11の温度検出部11bの後面
に、ヒータ10からの輻射を遮断する輻射遮断カバー1
1dを配置している。したがって、熱電対11は、ヒー
タ10の輻射の悪影響を受けずにウェーハ7の温度を正
確に検出できる。
ー11eは、上方からの輻射も防止できるように上端が
水平に曲げられている。図4に示されるカバー11f
は、表面に反射膜が形成されているので、後面からくる
輻射を効率よく遮断するとともに、ウェーハ7の方向か
らくる輻射も反射する。このように、熱電対11に輻射
遮断カバー11d,11e,11f等を設けることによ
り、温度検出部11bは、輻射の悪影響を受けずに、正
確にウェーハの温度を検出することができる。これによ
り、基板処理装置は、処理する基板の歩留まりや品質を
向上させることができる。なお、上述の実施の形態にお
いては、CVD装置を例として説明したが、基板処理装
置としては、拡散装置やアニール装置であってもよいこ
とはいうまでもない。
説明したように構成されているので、熱電対が、加熱源
であるヒータなどの輻射の悪影響を受けずに基板の温度
を正確に検出でき、ひいては、製造する半導体の歩留ま
り向上や品質向上に寄与することができる。
ブロック図である。
る熱電対の構造および熱電対とウェーハとの関係を示す
拡大断面図である。(b)は、(a)の熱電対のライン
A−Aから見た断面図である。
る。
る熱電対の構造および熱電対とウェーハとの関係を示す
拡大断面図である。(b)は、(a)の熱電対のライン
A−Aから見た断面図である。
4 断熱板、5 シールキャップ、6 ボート、7 ウ
ェーハ、8 ガス導入ノズル、9 排気管、10 ヒー
タ、11 熱電対、11a 熱電対ケース、11b 温
度検出部、11c 支持部、11d,11e,11f
輻射遮断カバー、100 基板処理装置
Claims (1)
- 【請求項1】 基板を処理する反応室内部に、基板の温
度を検出する熱電対を設けたホットウォール型の基板処
理装置において、 前記熱電対が前記基板と対向する側の反対側に前記熱電
対に対する輻射を遮断する輻射遮断カバーを設けたこと
を特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001054950A JP2002261022A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001054950A JP2002261022A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002261022A true JP2002261022A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18915210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001054950A Pending JP2002261022A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002261022A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113272940A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-17 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001054950A patent/JP2002261022A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113272940A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-17 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元 |
CN113272940B (zh) * | 2019-01-07 | 2024-03-26 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元 |
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