JP2002261022A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002261022A JP2002261022A JP2001054950A JP2001054950A JP2002261022A JP 2002261022 A JP2002261022 A JP 2002261022A JP 2001054950 A JP2001054950 A JP 2001054950A JP 2001054950 A JP2001054950 A JP 2001054950A JP 2002261022 A JP2002261022 A JP 2002261022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱源であるヒータなどの輻射の悪影響を受
けずに基板の温度を正確に検出できる熱電対を備えた基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置１００は、ボート
６に装填したウェーハ７を外部反応管１に囲まれた内部
反応管２の中に配置し、外部反応管１の外側に配置した
ヒータで加熱し、処理ガスで最適に処理するために、反
応管の中に配置した熱電対１１でウェーハ７の温度を検
出する。この場合、熱電対１１は、ウェーハ７と対向す
る側の反対側に、熱電対１１に対する輻射を遮断する輻
射遮断カバー１１ｄを有する。したがって、輻射遮断カ
バー１１ｄがウェーハ７の温度検出に悪影響を与える輻
射を遮断して、熱電対がウェーハの温度を正確に検出す
ることを可能にしている。
けずに基板の温度を正確に検出できる熱電対を備えた基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 本発明の基板処理装置１００は、ボート
６に装填したウェーハ７を外部反応管１に囲まれた内部
反応管２の中に配置し、外部反応管１の外側に配置した
ヒータで加熱し、処理ガスで最適に処理するために、反
応管の中に配置した熱電対１１でウェーハ７の温度を検
出する。この場合、熱電対１１は、ウェーハ７と対向す
る側の反対側に、熱電対１１に対する輻射を遮断する輻
射遮断カバー１１ｄを有する。したがって、輻射遮断カ
バー１１ｄがウェーハ７の温度検出に悪影響を与える輻
射を遮断して、熱電対がウェーハの温度を正確に検出す
ることを可能にしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に、ボートに装填した基板（ウェーハ）を反応管
の中に配置し、反応管の外側に配置したヒータで加熱
し、処理ガスで最適に処理するために、反応管の中に配
置した熱電対でウェーハの温度を検出する基板処理装置
に関する。
し、特に、ボートに装填した基板（ウェーハ）を反応管
の中に配置し、反応管の外側に配置したヒータで加熱
し、処理ガスで最適に処理するために、反応管の中に配
置した熱電対でウェーハの温度を検出する基板処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、この種の基板処理装置の従来例
を示す図である。この基板処理装置２００は、いわゆる
縦型ＣＶＤ装置であって、外部反応管１および内部反応
管２の内側には、シールキャップ５に搭載され、多数枚
のウェーハ７および所要数枚の断熱板４を装填したボー
ト６が収納されている。ウェーハ７の処理のために、内
部反応管２の中にはガス導入ノズル８から処理ガスが導
入され、排気管９から排気されるとともに、外部からヒ
ータ１０で過熱される。この処理を良好に行うために、
熱電対２１によってウェーハ７の温度を検出している。
を示す図である。この基板処理装置２００は、いわゆる
縦型ＣＶＤ装置であって、外部反応管１および内部反応
管２の内側には、シールキャップ５に搭載され、多数枚
のウェーハ７および所要数枚の断熱板４を装填したボー
ト６が収納されている。ウェーハ７の処理のために、内
部反応管２の中にはガス導入ノズル８から処理ガスが導
入され、排気管９から排気されるとともに、外部からヒ
ータ１０で過熱される。この処理を良好に行うために、
熱電対２１によってウェーハ７の温度を検出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の基板処
理装置は、処理を良好に行うために、熱電対２１によっ
てウェーハ７の温度を検出しているが、主にウェーハ７
に対向する側の反対側（ヒータ側）から輻射を受け（ウ
ェーハ側からも若干受ける）、その輻射があるためにウ
ェーハ７の温度を正確に検出できない。
理装置は、処理を良好に行うために、熱電対２１によっ
てウェーハ７の温度を検出しているが、主にウェーハ７
に対向する側の反対側（ヒータ側）から輻射を受け（ウ
ェーハ側からも若干受ける）、その輻射があるためにウ
ェーハ７の温度を正確に検出できない。
【０００４】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたものであって、加熱源であるヒータなどの輻射の
悪影響を受けずにウェーハの温度を正確に検出できる熱
電対を備えた基板処理装置を提供することを目的とす
る。
されたものであって、加熱源であるヒータなどの輻射の
悪影響を受けずにウェーハの温度を正確に検出できる熱
電対を備えた基板処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ために、本発明は、基板を処理する反応室内部に、基板
（ウェーハ）の温度を検出する熱電対を設けたホットウ
ォール型の基板処理装置において、前記熱電対が前記基
板と対向する側の反対側に前記熱電対に対する輻射を遮
断する輻射遮断カバーを設けたことを特徴とするもので
ある。
ために、本発明は、基板を処理する反応室内部に、基板
（ウェーハ）の温度を検出する熱電対を設けたホットウ
ォール型の基板処理装置において、前記熱電対が前記基
板と対向する側の反対側に前記熱電対に対する輻射を遮
断する輻射遮断カバーを設けたことを特徴とするもので
ある。
【０００６】このような構成によれば、輻射遮断カバー
が基板（例えば半導体基板）の温度検出に悪影響を与え
る輻射を遮断して、熱電対が基板の温度を正確に検出す
ることを可能にする。
が基板（例えば半導体基板）の温度検出に悪影響を与え
る輻射を遮断して、熱電対が基板の温度を正確に検出す
ることを可能にする。
【０００７】そして、本発明の実施の形態では、熱電対
１１の輻射遮断カバー１１ｄがヒータ１０の方向からく
る輻射を遮断している。
１１の輻射遮断カバー１１ｄがヒータ１０の方向からく
る輻射を遮断している。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の基板
処理装置の実施の形態を示すブロック図、図２（ａ）
は、図１の基板処理装置に用いられている熱電対の構造
および熱電対とウェーハとの関係を示す拡大断面図、図
２（ｂ）は、図２（ａ）の熱電対のラインＡ−Ａから見
た断面図、図３および図４は、図２に示された熱電対の
変形例である。
て添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の基板
処理装置の実施の形態を示すブロック図、図２（ａ）
は、図１の基板処理装置に用いられている熱電対の構造
および熱電対とウェーハとの関係を示す拡大断面図、図
２（ｂ）は、図２（ａ）の熱電対のラインＡ−Ａから見
た断面図、図３および図４は、図２に示された熱電対の
変形例である。
【０００９】図１に示された基板処理装置１００は、い
わゆるホットウォール型の縦型ＣＶＤ装置である。ヒー
タ１０の内側には、外部反応管（アウターチューブ）１
が設けられており、その外部反応管１の内側には、上端
部が開放状態にされた内部反応管（インナーチューブ）
２が同心状に配置されている。外部反応管１と内部反応
管２とは、炉口フランジ３の上に配置され、外部反応管
１と炉口フランジ３との間は不図示のＯリングによりシ
ールされている。炉口フランジ３の下端は、シールキャ
ップ５により気密に閉塞されている。
わゆるホットウォール型の縦型ＣＶＤ装置である。ヒー
タ１０の内側には、外部反応管（アウターチューブ）１
が設けられており、その外部反応管１の内側には、上端
部が開放状態にされた内部反応管（インナーチューブ）
２が同心状に配置されている。外部反応管１と内部反応
管２とは、炉口フランジ３の上に配置され、外部反応管
１と炉口フランジ３との間は不図示のＯリングによりシ
ールされている。炉口フランジ３の下端は、シールキャ
ップ５により気密に閉塞されている。
【００１０】シールキャップ５の上には、ボート６が搭
載され、そのボート６は、内部反応管２の中に収納され
ている。ボート６には、処理されるウェーハ７が水平姿
勢で多段に装填されているが、ボート６の下方の領域に
おいては、特定の枚数の断熱板４が同様に水平姿勢で多
段に装填されている。この場合、シールキャップ５は、
下方を不図示のボートエレベータによって支えられてい
る。内部反応管２の下方における炉口フランジ３の一部
にガス導入ノズル８が配置されている。ガス導入ノズル
８から導入されるガスは、内部反応管２に導入され、ウ
ェーハ７の処理を行った後に、内部反応管２と外部反応
管１との間の円筒状の空間を通り、排気管９から排気さ
れる。ウェーハ７が処理される間に、ウェーハ７の温度
は、熱伝対１１により検出される。
載され、そのボート６は、内部反応管２の中に収納され
ている。ボート６には、処理されるウェーハ７が水平姿
勢で多段に装填されているが、ボート６の下方の領域に
おいては、特定の枚数の断熱板４が同様に水平姿勢で多
段に装填されている。この場合、シールキャップ５は、
下方を不図示のボートエレベータによって支えられてい
る。内部反応管２の下方における炉口フランジ３の一部
にガス導入ノズル８が配置されている。ガス導入ノズル
８から導入されるガスは、内部反応管２に導入され、ウ
ェーハ７の処理を行った後に、内部反応管２と外部反応
管１との間の円筒状の空間を通り、排気管９から排気さ
れる。ウェーハ７が処理される間に、ウェーハ７の温度
は、熱伝対１１により検出される。
【００１１】上述の処理としては、例えば、シリコンウ
ェーハにＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する場合がある。その
場合の条件としては、 （ａ）成膜温度：５３０℃〜６２０℃ （ｂ）圧力：０〜数Torr（１０００Ｐａ前後） （ｃ）ガス：ＳｉＨ４（数十ｃｃｍ〜数千ｃｃｍ（リッ
トル／ｍｉｎ））とし、成膜を行う。
ェーハにＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する場合がある。その
場合の条件としては、 （ａ）成膜温度：５３０℃〜６２０℃ （ｂ）圧力：０〜数Torr（１０００Ｐａ前後） （ｃ）ガス：ＳｉＨ４（数十ｃｃｍ〜数千ｃｃｍ（リッ
トル／ｍｉｎ））とし、成膜を行う。
【００１２】ボート６に装填されているウェーハ７の成
膜処理が完了して、新しいウェーハ７が装填されたボー
ト６と交換する場合、ガス導入ノズル８から不活性ガス
を供給し、反応管１，２の中の処理ガスを不活性ガスに
置換し、常圧に復帰させた後に、ボートエレベータがボ
ート６を下降させ、新しいボートとの交換処理が行われ
る。新しいボートとの交換処理が完了すると、シールキ
ャップ５の上には新しいボート６が搭載されているの
で、ボートエレベータは、新しいボート６を搭載したシ
ールキャップ５を再び上昇させ、ボートを内部反応管２
の中に収納して、上述の処理と同様な処理を繰り返す。
膜処理が完了して、新しいウェーハ７が装填されたボー
ト６と交換する場合、ガス導入ノズル８から不活性ガス
を供給し、反応管１，２の中の処理ガスを不活性ガスに
置換し、常圧に復帰させた後に、ボートエレベータがボ
ート６を下降させ、新しいボートとの交換処理が行われ
る。新しいボートとの交換処理が完了すると、シールキ
ャップ５の上には新しいボート６が搭載されているの
で、ボートエレベータは、新しいボート６を搭載したシ
ールキャップ５を再び上昇させ、ボートを内部反応管２
の中に収納して、上述の処理と同様な処理を繰り返す。
【００１３】上述の基板処理装置において、熱電対１１
は、図２に示すような構造としている。すなわち、熱電
対１１は、熱電対ケース１１ａと、その内部に配置され
た温度検出部１１ｂと、温度検出部１１ｂを支持してい
る支持部１１ｃと、輻射遮断カバー１１ｄとから構成さ
れている。熱電対１１の温度検出部分１１ｂの前面はウ
ェーハ７の方向を向き、後面はヒータ１０の方向を向い
ている。そこで、熱電対１１の温度検出部１１ｂの後面
に、ヒータ１０からの輻射を遮断する輻射遮断カバー１
１ｄを配置している。したがって、熱電対１１は、ヒー
タ１０の輻射の悪影響を受けずにウェーハ７の温度を正
確に検出できる。
は、図２に示すような構造としている。すなわち、熱電
対１１は、熱電対ケース１１ａと、その内部に配置され
た温度検出部１１ｂと、温度検出部１１ｂを支持してい
る支持部１１ｃと、輻射遮断カバー１１ｄとから構成さ
れている。熱電対１１の温度検出部分１１ｂの前面はウ
ェーハ７の方向を向き、後面はヒータ１０の方向を向い
ている。そこで、熱電対１１の温度検出部１１ｂの後面
に、ヒータ１０からの輻射を遮断する輻射遮断カバー１
１ｄを配置している。したがって、熱電対１１は、ヒー
タ１０の輻射の悪影響を受けずにウェーハ７の温度を正
確に検出できる。
【００１４】図３に示された熱電対１１の輻射遮断カバ
ー１１ｅは、上方からの輻射も防止できるように上端が
水平に曲げられている。図４に示されるカバー１１ｆ
は、表面に反射膜が形成されているので、後面からくる
輻射を効率よく遮断するとともに、ウェーハ７の方向か
らくる輻射も反射する。このように、熱電対１１に輻射
遮断カバー１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ等を設けることによ
り、温度検出部１１ｂは、輻射の悪影響を受けずに、正
確にウェーハの温度を検出することができる。これによ
り、基板処理装置は、処理する基板の歩留まりや品質を
向上させることができる。なお、上述の実施の形態にお
いては、ＣＶＤ装置を例として説明したが、基板処理装
置としては、拡散装置やアニール装置であってもよいこ
とはいうまでもない。
ー１１ｅは、上方からの輻射も防止できるように上端が
水平に曲げられている。図４に示されるカバー１１ｆ
は、表面に反射膜が形成されているので、後面からくる
輻射を効率よく遮断するとともに、ウェーハ７の方向か
らくる輻射も反射する。このように、熱電対１１に輻射
遮断カバー１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ等を設けることによ
り、温度検出部１１ｂは、輻射の悪影響を受けずに、正
確にウェーハの温度を検出することができる。これによ
り、基板処理装置は、処理する基板の歩留まりや品質を
向上させることができる。なお、上述の実施の形態にお
いては、ＣＶＤ装置を例として説明したが、基板処理装
置としては、拡散装置やアニール装置であってもよいこ
とはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】本発明の基板処理装置は、以上において
説明したように構成されているので、熱電対が、加熱源
であるヒータなどの輻射の悪影響を受けずに基板の温度
を正確に検出でき、ひいては、製造する半導体の歩留ま
り向上や品質向上に寄与することができる。
説明したように構成されているので、熱電対が、加熱源
であるヒータなどの輻射の悪影響を受けずに基板の温度
を正確に検出でき、ひいては、製造する半導体の歩留ま
り向上や品質向上に寄与することができる。
【図１】本発明による基板処理装置の実施の形態を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】（ａ）は、図１の基板処理装置に用いられてい
る熱電対の構造および熱電対とウェーハとの関係を示す
拡大断面図である。（ｂ）は、（ａ）の熱電対のライン
Ａ−Ａから見た断面図である。
る熱電対の構造および熱電対とウェーハとの関係を示す
拡大断面図である。（ｂ）は、（ａ）の熱電対のライン
Ａ−Ａから見た断面図である。
【図３】図２に示された熱電対の変形例である。
【図４】図２に示された熱電対の変形例である。
【図５】基板処理装置の従来例を示すブロック図であ
る。
る。
【図６】（ａ）は、図５の基板処理装置に用いられてい
る熱電対の構造および熱電対とウェーハとの関係を示す
拡大断面図である。（ｂ）は、（ａ）の熱電対のライン
Ａ−Ａから見た断面図である。
る熱電対の構造および熱電対とウェーハとの関係を示す
拡大断面図である。（ｂ）は、（ａ）の熱電対のライン
Ａ−Ａから見た断面図である。
１ 外部反応管、２ 内部反応管、３ 炉口フランジ、
４ 断熱板、５ シールキャップ、６ ボート、７ ウ
ェーハ、８ ガス導入ノズル、９ 排気管、１０ ヒー
タ、１１ 熱電対、１１ａ 熱電対ケース、１１ｂ 温
度検出部、１１ｃ 支持部、１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ
輻射遮断カバー、１００ 基板処理装置
４ 断熱板、５ シールキャップ、６ ボート、７ ウ
ェーハ、８ ガス導入ノズル、９ 排気管、１０ ヒー
タ、１１ 熱電対、１１ａ 熱電対ケース、１１ｂ 温
度検出部、１１ｃ 支持部、１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ
輻射遮断カバー、１００ 基板処理装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 GA13 KA04 KA05 KA24 KA39 5F045 AA03 AB03 AC01 AD09 AD10 AE02 AE03 AE05 AE07 AE09 AE11 AE13 AE15 AE17 AE19 AE21 AF03 DP19 DQ05 EK06 GB05
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を処理する反応室内部に、基板の温
度を検出する熱電対を設けたホットウォール型の基板処
理装置において、 前記熱電対が前記基板と対向する側の反対側に前記熱電
対に対する輻射を遮断する輻射遮断カバーを設けたこと
を特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001054950A JP2002261022A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001054950A JP2002261022A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261022A true JP2002261022A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18915210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001054950A Pending JP2002261022A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261022A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113272940A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-17 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001054950A patent/JP2002261022A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113272940A (zh) * | 2019-01-07 | 2021-08-17 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元 |
| CN113272940B (zh) * | 2019-01-07 | 2024-03-26 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051109 |
|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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