JPWO2020247184A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 基板の表面に配置された又は基板の表面と一体化したナノ構造の１つ以上のアレイを有する少なくとも１つの光学装置であって、前記ナノ構造の各々が、
前記ナノ構造の幅によって画定される、１０００ナノメートル（ｎｍ）未満の装置限界寸法；及び
隣接するナノ構造間の距離として画定される装置間隙
を有する、少なくとも１つの光学装置、並びに
各光学装置の周囲に配置された中間領域によって画定される補助領域であって、該補助領域が、前記基板の前記表面に配置された又は前記基板の前記表面と一体化した補助構造の１つ以上のアレイを有し、前記補助構造の各々が、
前記補助構造の幅によって画定される補助限界寸法；及び
隣接する補助構造間の距離として画定される補助間隙
を有する、補助領域
を含む、光学的な装置。 - 各光学装置及び前記補助領域の部分が、互いに実質的に同一の前記装置間隙及び前記補助間隙を有する、請求項１に記載の装置。
- 各光学装置及び前記補助領域の前記部分が、前記補助限界寸法より小さい前記装置限界寸法を有する、請求項２に記載の装置。
- 各光学装置及び前記補助領域の前記部分が、前記補助限界寸法に実質的に等しい前記装置限界寸法を有する、請求項２に記載の装置。
- 少なくとも前記ナノ構造又は前記補助構造が、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムをドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）、フッ素をドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）、スズ酸カドミウム（酸化スズ）（ＣＴＯ）、スズ酸亜鉛（酸化スズ）（ＳｎＺｎＯ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、又はケイ素含有材料のうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の装置。
- 前記ナノ構造及び前記補助構造が、実質的に同じ材料からなる、請求項１に記載の装置。
- 基板の表面に配置された又は基板の表面と一体化したナノ構造の１つ以上のアレイを有する少なくとも１つの光学装置であって、前記ナノ構造の各々が、
前記ナノ構造の幅によって画定される、１０００ナノメートル（ｎｍ）未満の装置限界寸法；及び
隣接するナノ構造間の距離として画定される装置間隙
を有する、少なくとも１つの光学装置、並びに
各光学装置を取り囲む中間領域であって、該中間領域が、前記基板の補助領域と各光学装置との間の露出距離に対応する前記基板の前記表面を露出し、前記補助領域が、前記基板の前記表面に配置された又は前記基板の前記表面と一体化した暗視野マスクを有する、中間領域
を含む、光学的な装置。 - 前記暗視野マスクが、前記基板の前記表面に配置された補助構造の上に配置されたフォトレジスト又はハードマスクのうちの少なくとも１つである、請求項７に記載の装置。
- 前記ハードマスクが、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、又は炭素（Ｃ）含有材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の装置。
- 前記ナノ構造及び前記補助構造が実質的に同じ材料からなる、請求項８に記載の装置。
- 前記基板の前記補助領域と各光学装置との間の露出距離が一定である、請求項７に記載の装置。
- 前記基板の前記補助領域と各光学装置との間の露出距離が変化する、請求項７に記載の装置。
- 前記ナノ構造が、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムをドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）、フッ素をドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）、スズ酸カドミウム（酸化スズ）（ＣＴＯ）、スズ酸亜鉛（酸化スズ）（ＳｎＺｎＯ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、又はケイ素含有材料のうちの１つ以上を含む、請求項７に記載の装置。
- 光学的な装置を作製するための方法であって、
基板の表面に構造材料層を配置すること；
前記構造材料層の上にパターン化されたフォトレジストを配置することであって、前記パターン化されたフォトレジストが、
少なくとも１つの装置部分、及び
少なくとも１つの補助部分
を有し、各装置部分及び各補助部分が前記構造材料層のマスキングされていない部分を露出する、フォトレジストを配置すること；並びに
各装置部分及び各補助部分に対応する前記構造材料層の前記マスキングされていない部分をエッチングすることであって、前記マスキングされていない部分をエッチングすることにより、
少なくとも１つの装置部分の前記マスキングされていない部分に対応する装置構造を有する少なくとも１つの光学装置、及び
少なくとも１つの補助部分の前記マスキングされていない部分に対応する補助構造を有する少なくとも１つの補助領域
が形成される、エッチングすること
を含む、方法。 - 前記マスキングされていない部分の幅が、前記少なくとも１つの装置部分及び前記少なくとも１つの補助部分の両方で実質的に同じである、請求項１４に記載の方法。
- 前記装置構造の装置限界寸法が、前記補助構造の補助限界寸法に実質的に等しい、請求項１５に記載の方法。
- 前記補助部分の前記マスキングされていない部分の幅が、前記少なくとも１つの装置部分の前記マスキングされていない部分の幅より大きい、請求項１４に記載の方法。
- 前記補助構造の補助限界寸法が、前記装置構造の装置限界寸法より大きい、請求項１７に記載の方法。
- 前記構造材料層が、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、アルミニウムをドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）、フッ素をドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）、スズ酸カドミウム（酸化スズ）（ＣＴＯ）、スズ酸亜鉛（酸化スズ）（ＳｎＺｎＯ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、及びケイ素ａ－Ｓｉ含有材料のうちの１つ以上を含む、請求項１４に記載の方法。
- 前記マスキングされていない部分をエッチングすることが、イオン注入、イオンエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、指向性ＲＩＥ、プラズマエッチング、及び湿式エッチングのうちの１つ以上を含む、請求項１４に記載の方法。
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