JP2006505949A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 絶縁体上に、複数の側面および上面を含むフィン構造を形成するステップと、
   前記フィン構造上にゲート材料をたい積するステップと、
   このたい積したゲート材料をプレーナ化するステップと、
   前記プレーナ化したゲート材料上に反射防止膜をたい積するステップと、
   前記反射防止膜を使用して、前記プレーナ化したゲート材料からゲート構造を形成するステップと、を含む、半導体デバイスの製造方法。
2. 前記フィン構造を形成するステップは、シリコン層上に絶縁層をたい積するステップと、シリコン部分および絶縁性のキャップで前記フィン構造を定義するように、前記絶縁層および前記シリコン層をエッチングするステップと、を含む、請求項１記載の方法。
3. 前記シリコン部分の側面上に酸化層を成長させるステップをさらに含む、請求項２記載の方法。
4. 前記ゲート材料をたい積するステップは、前記フィン構造上にポリシリコンをたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
5. 前記プレーナ化するステップは、化学的機械的プロセスによって、前記たい積したゲート材料の上面を研磨するステップを含む、請求項１記載の方法。
6. 前記プレーナ化するステップは、前記フィンに隣接する前記たい積したゲート材料をプレーナ化するステップを含む、請求項１記載の方法。
7. 前記ゲート構造を形成するステップは、前記反射防止膜上にフォトレジスト層をたい積するステップと、前記ゲート構造を定義するように、前記フォトレジスト層をパターン化するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
8. 前記ゲート構造を形成するステップは、前記ゲート構造を形成するように、前記フォトレジスト層および前記ゲート材料を選択的にエッチングするステップを含む、請求項７記載の方法。
9. 前記ゲート構造の最小寸法は、約５０ｎｍ以下である、請求項１記載の方法。
10. 前記フィン構造の端部にソースおよびドレイン領域を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
11. 前記ソースおよびドレイン領域中に不純物を注入するステップと、
    前記ソースおよびドレイン領域を活性化するように、半導体デバイスをアニーリングするステップと、をさらに含む、請求項１０記載の方法。
12. 絶縁体上にフィン構造を形成するステップと、
    前記フィン構造上にポリシリコンをたい積するステップと、
    平らな上面を得るように、前記ポリシリコンを研磨するステップと、
    前記ポリシリコンの前記平らな上面上に反射防止膜をたい積するステップと、
    前記反射防止膜を使用して、前記ポリシリコンからゲート構造を形成するステップと、を含む、半導体デバイスの製造方法。
13. 前記研磨するステップは、前記ポリシリコンを化学的機械的研磨するステップを含む、請求項１２記載の方法。
14. 前記ゲート構造を形成するステップは、前記ゲート構造を定義するステップと、前記定義されたゲート構造の周りから前記ポリシリコンを除去するステップと、を含む、請求項１２記載の方法。
15. 前記ゲート構造を定義するステップは、前記反射防止膜上にフォトレジスト層をたい積するステップと、前記ゲート構造を定義するように、前記フォトレジスト層をパターニングするステップと、を含む、請求項１４記載の方法。
16. 前記フィン構造の端部にソースおよびドレイン領域を形成するステップをさらに含む、請求項１２記載の方法。
17. 前記ゲート構造の最小寸法は、約２０ｎｍから約５０ｎｍである、請求項１２記載の方法。
18. 絶縁体上にフィン構造を形成するステップと、
    前記フィン構造上にポリシリコンをたい積するステップと、
    平らな上面を得るように、前記ポリシリコンを研磨するステップと、
    前記ポリシリコンの前記平らな上面上に反射防止膜をたい積するステップと、
    前記反射防止膜上にフォトレジスト層をたい積するステップと、
    ゲート構造を定義するように、前記フォトレジスト層をパターン化するステップと、
    前記定義されたゲート構造の周りから前記ポリシリコンをエッチングするステップと、を含む、
    半導体デバイスの製造方法。
19. 前記フィン構造は、シリコンチャネルと、境界となる絶縁材料とを含む、請求項１８記載の方法。
20. 前記定義されたゲート構造の最小寸法は、約２０ｎｍから約５０ｎｍである、請求項１８記載の方法。
21. 前記フィン構造は、約３００Åから１５００Åの範囲にある厚みを有しており、
    前記ポリシリコン上の前記反射防止膜は、約１００Åから約５００Åの範囲にある厚みを有している、請求項１ないし２０のいずれかの項記載の方法。