JP2007518270A5

JP2007518270A5 -

Info

Publication number: JP2007518270A5
Application number: JP2006549310A
Authority: JP
Filing date: 2004-12-21
Publication date: 2008-02-14
Anticipated expiration: 2024-12-21

Claims

フィンを形成するステップと、
前記フィンの第１端部に隣接するソース領域および前記フィンの第２端部に隣接するドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域の上面に、酸化物キャップを形成するステップと、
前記酸化物キャップの形成後、前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域上に、犠牲酸化層を形成するステップと、
前記フィンの表面から損傷部を除去するように前記犠牲酸化層を除去するステップと、
前記フィン上に、第１パターンで、第１材料を含んでいるダミーゲートを形成するステップと、
前記ダミーゲートの側面に隣接する絶縁層を形成するステップと、
前記第１パターンに対応する前記絶縁層中にトレンチを形成するように、前記第１材料を除去するステップと、
前記トレンチ内に露出する前記フィンの表面にゲート絶縁層を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上の前記トレンチ中に金属ゲートを形成するステップと、を含む、
フィン電界効果トランジスタを形成する方法。
前記金属ゲートは、前記フィンの少なくとも３つの表面と接触する、請求項１記載の方法。
前記フィン電界効果トランジスタは、トライゲートフィン電界効果トランジスタを含む、請求項２記載の方法。
前記絶縁層は、テトラエチルオルトシリケートを含む、請求項１記載の方法。
前記ゲート絶縁膜は、SiO、SiO₂、SiN、SiON、HFO₂、ZrO₂、A1₂O₃、HFSiO(x)ZnS、およびMgF₂のうちの少なくとも１つを含む、請求項１記載の方法。
前記第１材料はポリシリコンを含む、請求項１記載の方法。
前記ダミーゲートを形成する前に、前記フィン上にダミー酸化膜を形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
前記ダミーゲートを形成するステップは、
前記フィン上に前記第１材料の層をたい積するステップと、
前記第１パターンで前記ダミーゲートを形成するように、前記第１材料の層をエッチングするステップと、を含む、請求項７記載の方法。
前記金属ゲートを形成するステップは、前記トレンチを充てんするように、金属材料をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
フィンを形成するステップと、
前記フィンの第１端部に隣接するソース領域および前記フィンの第２端部に隣接するドレイン領域を形成するステップと、
前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域の上面に、酸化物キャップを形成するステップと、
前記酸化物キャップの形成後に、前記フィン、ソース領域、およびドレイン領域上に、犠牲酸化層を形成するステップと、
前記フィンの表面から損傷部を除去するように、前記犠牲酸化層を除去するステップと、
前記フィン上にダミー酸化膜を形成するステップと、
前記フィンおよび前記ダミー酸化膜上に第１材料の層をたい積するステップと、
第１パターンでダミーゲートを形成するように、前記第１材料の層をエッチングするステップと、
前記ダミーゲート、前記ソース領域および前記ドレイン領域上に絶縁層をたい積するステップと、
前記ダミーゲートの上面が露出するように、前記絶縁層をプレーナ化するステップと、
前記第１パターンに対応する前記絶縁層中にトレンチを形成するように、前記第１材料を除去するステップと、
前記トレンチ内に露出する前記フィンの表面上の前記トレンチ中に、ゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート絶縁層上の前記トレンチ中に金属ゲートを形成するステップと、を含む、
フィン電界効果トランジスタを形成する方法。
前記金属ゲートは、前記フィンの少なくとも３つの表面と接触する、請求項１０記載の方法。
前記フィン電界効果トランジスタは、トライゲートフィン電界効果トランジスタを含む、請求項１０記載の方法。
前記絶縁層は、テトラエチルオルトシリケートを含む、請求項１０記載の方法。
前記第１材料は、ポリシリコンを含む、請求項１０記載の方法。
金属ゲートを形成するステップは、
前記トレンチを充てんするように金属材料をたい積するステップを含む、請求項１記載の方法。
前記犠牲酸化層を形成するステップは、
前記犠牲酸化層を熱成長させるステップを含み、
前記犠牲酸化層を除去するステップは、前記フィンの側壁から損傷部を除去するように前記犠牲酸化層をエッチングするステップを含む、請求項１記載の方法。