JPWO2020240459A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020240459A5 JPWO2020240459A5 JP2021556380A JP2021556380A JPWO2020240459A5 JP WO2020240459 A5 JPWO2020240459 A5 JP WO2020240459A5 JP 2021556380 A JP2021556380 A JP 2021556380A JP 2021556380 A JP2021556380 A JP 2021556380A JP WO2020240459 A5 JPWO2020240459 A5 JP WO2020240459A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- truncated
- scd
- grown
- shape
- laboratory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1907817.9A GB2584351B (en) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | Manufacture of synthetic diamonds |
GB1907817.9 | 2019-05-31 | ||
PCT/IB2020/055065 WO2020240459A1 (fr) | 2019-05-31 | 2020-05-28 | Fabrication de diamants cultivés en laboratoire |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022534642A JP2022534642A (ja) | 2022-08-03 |
JPWO2020240459A5 true JPWO2020240459A5 (fr) | 2023-04-19 |
Family
ID=67385812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021556380A Pending JP2022534642A (ja) | 2019-05-31 | 2020-05-28 | 実験室成長ダイヤモンドの製造 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220081801A1 (fr) |
EP (1) | EP3976863A1 (fr) |
JP (1) | JP2022534642A (fr) |
CN (1) | CN113853456A (fr) |
CA (1) | CA3140758A1 (fr) |
GB (1) | GB2584351B (fr) |
IL (1) | IL288131A (fr) |
SG (1) | SG11202111113QA (fr) |
WO (1) | WO2020240459A1 (fr) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4069894A4 (fr) * | 2019-12-08 | 2023-12-06 | Plasmability, LLC | Procédé de croissance de diamant monocristallin assisté par croissance de diamant polycristallin |
CN113463065A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-10-01 | 湖南良诚新材料科技有限公司 | 一种化学气相沉积钻石的设备 |
GB2609023A (en) * | 2021-07-18 | 2023-01-25 | Lusix Ltd | Growing of diamonds |
CN114016005B (zh) * | 2021-10-28 | 2023-10-13 | 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 | 一种单晶金刚石多片共同生长的制备方法 |
WO2023240026A1 (fr) * | 2022-06-06 | 2023-12-14 | Plasmability, LLC. | Système à chambres multiples destiné au dépôt chimique en phase vapeur par plasma de diamant et de matériaux associés |
US20240209498A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | Great Lakes Crystal Technologies, Inc. | Variable-temperature vapor deposition process |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3666044B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2005-06-29 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド部品 |
CN106048719A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-26 | 武汉大学 | 一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法 |
JP6843989B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2021-03-17 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | 厚い単結晶ダイヤモンド材料の化学気相成長による合成 |
CN107059120B (zh) * | 2017-05-09 | 2019-06-21 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法 |
-
2019
- 2019-05-31 GB GB1907817.9A patent/GB2584351B/en active Active
-
2020
- 2020-05-28 CA CA3140758A patent/CA3140758A1/fr active Pending
- 2020-05-28 JP JP2021556380A patent/JP2022534642A/ja active Pending
- 2020-05-28 EP EP20742902.8A patent/EP3976863A1/fr active Pending
- 2020-05-28 WO PCT/IB2020/055065 patent/WO2020240459A1/fr unknown
- 2020-05-28 CN CN202080037018.2A patent/CN113853456A/zh active Pending
- 2020-05-28 SG SG11202111113QA patent/SG11202111113QA/en unknown
-
2021
- 2021-11-15 IL IL288131A patent/IL288131A/en unknown
- 2021-11-25 US US17/535,626 patent/US20220081801A1/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101481928B1 (ko) | 합성 다이아몬드 물질의 도핑을 제어하는 방법 | |
CN104812946B (zh) | 用于散热应用的厚聚晶合成金刚石晶片以及微波等离子体化学气相沉积合成技术 | |
JP2022534642A (ja) | 実験室成長ダイヤモンドの製造 | |
CN110578171B (zh) | 一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的制造方法 | |
US5895526A (en) | Process for growing single crystal | |
JP2014503458A (ja) | 合成ダイヤモンド製造のためのマイクロ波プラズマ反応器及び基板 | |
KR101447476B1 (ko) | 탄화규소 단결정 제조 장치 | |
JP5026794B2 (ja) | 化学蒸着によって形成される自立型炭化ケイ素製品及びそれらを製造するための方法 | |
RU2013118642A (ru) | Способ производства монокристаллических алмазов белого цвета | |
JPWO2020240459A5 (fr) | ||
WO2016035249A1 (fr) | Four de réaction pour la production de silicium polycristallin, appareil et procédé de production de silicium polycristallin, et barreau ou lingot de silicium polycristallin | |
CN114959891B (zh) | 一种单晶金刚石及其mpcvd制备方法 | |
CN110042469B (zh) | 一种花色碳化硅宝石的制备方法 | |
Chen et al. | Effects of gas flow rate on diamond deposition in a microwave plasma reactor | |
RU2021133402A (ru) | Производство лабораторно-выращенных алмазов | |
JP2023086900A (ja) | 多結晶ダイヤモンド成長によって支援される、単結晶ダイヤモンドを成長させる方法 | |
CN115216842A (zh) | 一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法 | |
CN114016005A (zh) | 一种单晶金刚石多片共同生长的制备方法 | |
KR102258334B1 (ko) | 기상화학증착법을 이용한 입자형 다이아몬드 단결정 제조 방법 | |
Kostadinov et al. | Nucleation and growth of diamond particles from the vapor phase | |
JP5831339B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
CN208685106U (zh) | 一种制备大尺寸化合物块晶的装置 | |
RU2819979C2 (ru) | Производство лабораторно-выращенных алмазов | |
CN116988144B (zh) | 降低碳化硅单晶内部位错并提高生长效率的方法 | |
WO2023187882A1 (fr) | Substrat monocristallin d'aln |