JP3666044B2 - ダイヤモンド部品 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はセンサー、光学用窓材などに用いられるダイヤモンド部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤモンドはよく知られている高硬度、高熱伝導率の他、光透過特性、ワイドバンドギャップなどの数多くの優れた性質を有することから、各種工具、光学部品、半導体、電子部品の材として幅広く用いられており、今後さらに重要性が増すものと考えられる。また、これらの特性のうち複数、例えばワイドバンドギャップと高熱伝導率、を用いた用途も期待されている。
【０００３】
ダイヤモンドは過去には天然に産出するものが工業用途に使用されたが、現在では人工合成されたものが中心である。ダイヤモンド単結晶は現在工業的には、全てそれらが安定である数万気圧以上の圧力下で合成されている。このような高い圧力を発生する超高圧容器は非常に高価であり、大きさにも制限があるため、高温高圧法による大型の単結晶合成には限界がある。不純物として窒素（Ｎ）を含んだ黄色を呈するＩｂ型のダイヤモンドについては１ｃｍ級のものが高圧合成法により合成、販売されているがこの程度がほぼ限界と考えられている。また、不純物のない無色透明なIIａ型のダイヤモンドの大きさは、天然のものを除けば数ｍｍ程度以下のさらに小さなものに限られている（住友電気工業株式会社より発売されている）。
【０００４】
一方、高圧法と並んでダイヤモンドの合成法として確立されるに至った方法として気相合成法があげられる。この方法によっては数ｃｍ〜１０ｃｍの比較的大面積のものが人工的に製造されているが、これらは通常は多結晶膜である。近年、様々な気相合成法が開発され、気相合成法による多結晶ダイヤモンド膜の膜質は向上してきている。配向性の高いダイヤモンド膜により、単結晶に近い光透過特性を示すダイヤモンド膜が得られることをWildら(C.Wild et al. Proc. of 1st Int'l Conf. on the Application of Diamond Films and Related Waterials pp197-205)が報告している。また、多結晶ダイヤモンド膜を用いた電子デバイスも報告されている。純度の高い多結晶ダイヤモンドやヘテロエピタキシャルダイヤモンド(X. Jiang et al.:Appl. Phys. Lett 62 (1993) 3438)では単結晶ダイヤモンドに匹敵する熱伝導率や硬度を示すが、電気的な用途、光学的な用途では単結晶膜の優位は揺るがないところである。気相合成法を用いて、単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長により得る方法が考えられるが、結晶性のよいダイヤモンドの合成面積は多結晶膜に及ばない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そのため、大面積合成が可能な多結晶膜の長所と、電気的或いは光学的な特性に優れた単結晶膜の長所とを合わせ持ったダイヤモンド膜が要求されてきている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の情勢を考慮して、発明者らは、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダイヤモンドの特性が必要とされる部分のみに単結晶ダイヤモンドを用い、その周囲を多結晶膜で熱的、機械的に保護する構造に考え至った。
【０００７】
即ち、本発明は、面積が１ｍｍ2以上の単結晶ダイヤモンド、及び、その外周に接して取り込んだ多結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド部品である。
【０００８】
本発明において、多結晶ダイヤモンドは気相から成長させて得ることができるが、単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドともに気相から成長させて得ることもできる。また、多結晶ダイヤモンドが複数の単結晶ダイヤモンドを取り囲む構造とすることもできる。
【０００９】
さらに、ダイヤモンド部品としては、ダイヤモンドの厚さを３０μｍ以上の自立膜とするのが好ましく、また、単結晶ダイヤモンドの面を（００１）面からの面方位ずれを１０度以内とすることが好ましい。
【００１０】
【作用】
前述のようにダイヤモンドは機械的、光学的、熱的、電気的に優れた特性を有しており様々な用途が期待されている。実際の用途では、複数の優れた特性を組み合わせて用いられることが多い。
【００１１】
例えば、強力な放射線を検出するためにダイヤモンド検出器を冷却しながら用いる場合には、耐放射線性、耐熱性、高熱伝導性、電気特性（キャリアが消失しにくいこと）などが要求される。この場合、放射線の検出範囲が限られているならば、高熱伝導性以外の特性は検出範囲にのみ要求され、それ以外の領域はそこで発生する熱を逃がすための熱伝導性のみが要求される。そこで、高度な特性を要求される領域には単結晶ダイヤモンドを、それ以外の領域には多結晶ダイヤモンドを用いても、全てを単結晶で作製した場合と同等の特性が得られる。
【００１２】
単結晶領域と多結晶領域の境界が一番の問題点であるが、気相合成による多結晶ダイヤモンドが機械的、熱的には十分な特性を有していることに着目して研究を行った結果、単結晶ダイヤモンドのエピタキシャル成長と同時進行する形での多結晶ダイヤモンドの合成により、単結晶−多結晶界面に原子結合が生じ、高い特性の界面が得られることがわかった。
【００１３】
以上のようにして得られた本発明のダイヤモンド部品は、光学的、或いは電気的な特性に優れた単結晶ダイヤモンドが光学窓として、或いは、粒子や光を検出するためのセンサーとしての機能を発揮し、大面積合成が可能な多結晶ダイヤモンドが、この単結晶ダイヤモンドの外周を囲んで熱的、機械的に保護することになる。
【００１４】
【実施例】
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【００１５】
（実施例１）
天然のIIａ型ダイヤモンド基板１を用意した。基板面方位は（００１）であり大きさは６ｍｍ×６ｍｍ×０．２ｍｍであった。これを、傷つけ処理を行った多結晶のシリコン基板２（１５ｍｍ×１５ｍｍ×５ｍｍ）の中央部に配置し（図１ａ）、μ波プラズマＣＶＤ法を用いて、メタン及び水素ガスから成膜を行った。成膜条件は、メタン濃度２％、圧力１００Torr、基材温度９００℃であった。２２０時間成膜を行ったところ、単結晶ダイヤモンド基板１上には２９０μｍの単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜３が成長し単結晶基板１を含めて４９０μｍの厚さとなり、また、多結晶シリコン基板２の上には５２０μｍの多結晶ダイヤモンド膜４が成長した（図１ｂ）。この成長面を研磨して単結晶及び多結晶の表面を一致させた（図１ｃ）。また多結晶シリコン基板２を弗硝酸によりエッチング除去して、基板側を２０μｍ研磨除去した（図１ｄ）。
【００１６】
多結晶ダイヤモンド膜４の周囲を１４ｍｍφにレーザー加工して、多結晶ダイヤモンドの部分を鑞付けすることにより、真空フランジ５に接合させた（図１ｅ）。
【００１７】
この真空フランジ５の中央の単結晶ダイヤモンドの領域１、３の透過特性を調べたところダイヤモンド特有の良好な透過特性であることがわかった。また、１４ｍｍφの領域全体にわたって、装置内部の様子を観察することは十分可能であった。
【００１９】
（比較例１）
μ波プラズマＣＶＤ法により、実施例１に記載した条件で、１５ｍｍ×１５ｍｍ×５００μｍの多結晶ダイヤモンドを成長させた。真空フランジに接合させ、透過特性を評価したところ、３００ｎｍの波長の光に対して、実施例１の場合に比べて約８０％の透過率であることがわかった。
【００２０】
（実施例２）
直径１３ｍｍ、厚さ１ｍｍの（００１）単結晶シリコン７に、４ｍｍ×４ｍｍ、深さ３００μｍの穴をあけた。その穴に４ｍｍ×４ｍｍ、厚み３００μｍの高圧合成Ｉｂ型（００１）単結晶ダイヤモンド６を配置した（図２ａ）。単結晶ダイヤモンド６上に５００μｍのエピタキシャルダイヤモンド膜８をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により成長させた（図２ｂ）。このとき単結晶シリコン７上に同じく成長した多結晶ダイヤモンド膜９は（１００）配向しており、５００μｍ程度成長していた。機械研磨により成長面を鏡面研磨し、また基板の単結晶シリコン７、単結晶ダイヤモンド６も研磨除去した（図２ｃ）。その結果、（１００）配向した多結晶ダイヤモンド９に囲まれた気相合成単結晶ダイヤモンド８が得られた。
【００２１】
一方側に１０００ｐｐｍの硼素をドープしたダイヤモンド１０を、他方側にチタン１１をそれぞれ１μｍ成長させ、単結晶ダイヤモンド膜８以外の部分についた硼素ドープ膜、チタン膜はアルゴン−酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチング、酸によるエッチングにより除去した（図２ｄ）。
【００２２】
チタン１１側が正極、硼素ドープダイヤモンド１０側が負極となるようにバイアス電圧をかけ、ガンマ線を硼素ドープダイヤモンド１０側から照射したところガンマ線の強さに比例した電流が得られた。
【００２３】
（実施例３）
３０ｍｍ×１５ｍｍの長方形のシリコン（厚さ３ｍｍ）の上に７ｍｍ×７ｍｍのＩｂ型の人工ダイヤモンド（厚さ１００μｍ）を２ｍｍの間隔をあけて並べて配置した。単結晶上にはエピタキシャル膜を、またシリコン上には多結晶膜を成長させた。その後、成長面を鏡面研磨し、基板ダイヤモンド及びシリコンを除去した。その結果、３０ｍｍ×１５ｍｍ全体にわたって波長５００ｎｍの光は６８％以上透過し、２つのエピタキシャルダイヤモンド領域は２５０ｎｍの光に対しても６５％以上の透過率を示した。
【００２４】
【発明の効果】
以上のように、本発明のダイヤモンド部品によれば、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダイヤモンドの特質が必要とされる部分のみに単結晶ダイヤモンドを用い、その周囲を多結晶ダイヤモンド膜で熱的、機械的に保護する構造により、大面積合成が可能な多結晶膜の長所と、特性に優れた単結晶膜の長所を合わせ持ったダイヤモンド膜が得られ、光学用窓材やセンサーとして有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイヤモンド部品を用いた真空フランジの作製行程を示す図である。
【図２】本発明のダイヤモンド部品を用いた放射線センサーの作業行程の一部を示す図である。
【符号の説明】
１ 天然IIａダイヤモンド基板
２ 多結晶シリコン基板
３ 単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜
４ 多結晶ダイヤモンド膜
５ 真空フランジ
６ 高圧合成Ｉｂ（００１）単結晶ダイヤモンド
７ （００１）単結晶シリコン
８ エピタキシャルダイヤモンド膜
９ （１００）配向した多結晶ダイヤモンド膜
１０ 硼素ドープダイヤモンド
１１ チタン
【産業上の利用分野】
本発明はセンサー、光学用窓材などに用いられるダイヤモンド部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤモンドはよく知られている高硬度、高熱伝導率の他、光透過特性、ワイドバンドギャップなどの数多くの優れた性質を有することから、各種工具、光学部品、半導体、電子部品の材として幅広く用いられており、今後さらに重要性が増すものと考えられる。また、これらの特性のうち複数、例えばワイドバンドギャップと高熱伝導率、を用いた用途も期待されている。
【０００３】
ダイヤモンドは過去には天然に産出するものが工業用途に使用されたが、現在では人工合成されたものが中心である。ダイヤモンド単結晶は現在工業的には、全てそれらが安定である数万気圧以上の圧力下で合成されている。このような高い圧力を発生する超高圧容器は非常に高価であり、大きさにも制限があるため、高温高圧法による大型の単結晶合成には限界がある。不純物として窒素（Ｎ）を含んだ黄色を呈するＩｂ型のダイヤモンドについては１ｃｍ級のものが高圧合成法により合成、販売されているがこの程度がほぼ限界と考えられている。また、不純物のない無色透明なIIａ型のダイヤモンドの大きさは、天然のものを除けば数ｍｍ程度以下のさらに小さなものに限られている（住友電気工業株式会社より発売されている）。
【０００４】
一方、高圧法と並んでダイヤモンドの合成法として確立されるに至った方法として気相合成法があげられる。この方法によっては数ｃｍ〜１０ｃｍの比較的大面積のものが人工的に製造されているが、これらは通常は多結晶膜である。近年、様々な気相合成法が開発され、気相合成法による多結晶ダイヤモンド膜の膜質は向上してきている。配向性の高いダイヤモンド膜により、単結晶に近い光透過特性を示すダイヤモンド膜が得られることをWildら(C.Wild et al. Proc. of 1st Int'l Conf. on the Application of Diamond Films and Related Waterials pp197-205)が報告している。また、多結晶ダイヤモンド膜を用いた電子デバイスも報告されている。純度の高い多結晶ダイヤモンドやヘテロエピタキシャルダイヤモンド(X. Jiang et al.:Appl. Phys. Lett 62 (1993) 3438)では単結晶ダイヤモンドに匹敵する熱伝導率や硬度を示すが、電気的な用途、光学的な用途では単結晶膜の優位は揺るがないところである。気相合成法を用いて、単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長により得る方法が考えられるが、結晶性のよいダイヤモンドの合成面積は多結晶膜に及ばない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そのため、大面積合成が可能な多結晶膜の長所と、電気的或いは光学的な特性に優れた単結晶膜の長所とを合わせ持ったダイヤモンド膜が要求されてきている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の情勢を考慮して、発明者らは、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダイヤモンドの特性が必要とされる部分のみに単結晶ダイヤモンドを用い、その周囲を多結晶膜で熱的、機械的に保護する構造に考え至った。
【０００７】
即ち、本発明は、面積が１ｍｍ2以上の単結晶ダイヤモンド、及び、その外周に接して取り込んだ多結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド部品である。
【０００８】
本発明において、多結晶ダイヤモンドは気相から成長させて得ることができるが、単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドともに気相から成長させて得ることもできる。また、多結晶ダイヤモンドが複数の単結晶ダイヤモンドを取り囲む構造とすることもできる。
【０００９】
さらに、ダイヤモンド部品としては、ダイヤモンドの厚さを３０μｍ以上の自立膜とするのが好ましく、また、単結晶ダイヤモンドの面を（００１）面からの面方位ずれを１０度以内とすることが好ましい。
【００１０】
【作用】
前述のようにダイヤモンドは機械的、光学的、熱的、電気的に優れた特性を有しており様々な用途が期待されている。実際の用途では、複数の優れた特性を組み合わせて用いられることが多い。
【００１１】
例えば、強力な放射線を検出するためにダイヤモンド検出器を冷却しながら用いる場合には、耐放射線性、耐熱性、高熱伝導性、電気特性（キャリアが消失しにくいこと）などが要求される。この場合、放射線の検出範囲が限られているならば、高熱伝導性以外の特性は検出範囲にのみ要求され、それ以外の領域はそこで発生する熱を逃がすための熱伝導性のみが要求される。そこで、高度な特性を要求される領域には単結晶ダイヤモンドを、それ以外の領域には多結晶ダイヤモンドを用いても、全てを単結晶で作製した場合と同等の特性が得られる。
【００１２】
単結晶領域と多結晶領域の境界が一番の問題点であるが、気相合成による多結晶ダイヤモンドが機械的、熱的には十分な特性を有していることに着目して研究を行った結果、単結晶ダイヤモンドのエピタキシャル成長と同時進行する形での多結晶ダイヤモンドの合成により、単結晶−多結晶界面に原子結合が生じ、高い特性の界面が得られることがわかった。
【００１３】
以上のようにして得られた本発明のダイヤモンド部品は、光学的、或いは電気的な特性に優れた単結晶ダイヤモンドが光学窓として、或いは、粒子や光を検出するためのセンサーとしての機能を発揮し、大面積合成が可能な多結晶ダイヤモンドが、この単結晶ダイヤモンドの外周を囲んで熱的、機械的に保護することになる。
【００１４】
【実施例】
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【００１５】
（実施例１）
天然のIIａ型ダイヤモンド基板１を用意した。基板面方位は（００１）であり大きさは６ｍｍ×６ｍｍ×０．２ｍｍであった。これを、傷つけ処理を行った多結晶のシリコン基板２（１５ｍｍ×１５ｍｍ×５ｍｍ）の中央部に配置し（図１ａ）、μ波プラズマＣＶＤ法を用いて、メタン及び水素ガスから成膜を行った。成膜条件は、メタン濃度２％、圧力１００Torr、基材温度９００℃であった。２２０時間成膜を行ったところ、単結晶ダイヤモンド基板１上には２９０μｍの単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜３が成長し単結晶基板１を含めて４９０μｍの厚さとなり、また、多結晶シリコン基板２の上には５２０μｍの多結晶ダイヤモンド膜４が成長した（図１ｂ）。この成長面を研磨して単結晶及び多結晶の表面を一致させた（図１ｃ）。また多結晶シリコン基板２を弗硝酸によりエッチング除去して、基板側を２０μｍ研磨除去した（図１ｄ）。
【００１６】
多結晶ダイヤモンド膜４の周囲を１４ｍｍφにレーザー加工して、多結晶ダイヤモンドの部分を鑞付けすることにより、真空フランジ５に接合させた（図１ｅ）。
【００１７】
この真空フランジ５の中央の単結晶ダイヤモンドの領域１、３の透過特性を調べたところダイヤモンド特有の良好な透過特性であることがわかった。また、１４ｍｍφの領域全体にわたって、装置内部の様子を観察することは十分可能であった。
【００１９】
（比較例１）
μ波プラズマＣＶＤ法により、実施例１に記載した条件で、１５ｍｍ×１５ｍｍ×５００μｍの多結晶ダイヤモンドを成長させた。真空フランジに接合させ、透過特性を評価したところ、３００ｎｍの波長の光に対して、実施例１の場合に比べて約８０％の透過率であることがわかった。
【００２０】
（実施例２）
直径１３ｍｍ、厚さ１ｍｍの（００１）単結晶シリコン７に、４ｍｍ×４ｍｍ、深さ３００μｍの穴をあけた。その穴に４ｍｍ×４ｍｍ、厚み３００μｍの高圧合成Ｉｂ型（００１）単結晶ダイヤモンド６を配置した（図２ａ）。単結晶ダイヤモンド６上に５００μｍのエピタキシャルダイヤモンド膜８をマイクロ波プラズマＣＶＤ法により成長させた（図２ｂ）。このとき単結晶シリコン７上に同じく成長した多結晶ダイヤモンド膜９は（１００）配向しており、５００μｍ程度成長していた。機械研磨により成長面を鏡面研磨し、また基板の単結晶シリコン７、単結晶ダイヤモンド６も研磨除去した（図２ｃ）。その結果、（１００）配向した多結晶ダイヤモンド９に囲まれた気相合成単結晶ダイヤモンド８が得られた。
【００２１】
一方側に１０００ｐｐｍの硼素をドープしたダイヤモンド１０を、他方側にチタン１１をそれぞれ１μｍ成長させ、単結晶ダイヤモンド膜８以外の部分についた硼素ドープ膜、チタン膜はアルゴン−酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチング、酸によるエッチングにより除去した（図２ｄ）。
【００２２】
チタン１１側が正極、硼素ドープダイヤモンド１０側が負極となるようにバイアス電圧をかけ、ガンマ線を硼素ドープダイヤモンド１０側から照射したところガンマ線の強さに比例した電流が得られた。
【００２３】
（実施例３）
３０ｍｍ×１５ｍｍの長方形のシリコン（厚さ３ｍｍ）の上に７ｍｍ×７ｍｍのＩｂ型の人工ダイヤモンド（厚さ１００μｍ）を２ｍｍの間隔をあけて並べて配置した。単結晶上にはエピタキシャル膜を、またシリコン上には多結晶膜を成長させた。その後、成長面を鏡面研磨し、基板ダイヤモンド及びシリコンを除去した。その結果、３０ｍｍ×１５ｍｍ全体にわたって波長５００ｎｍの光は６８％以上透過し、２つのエピタキシャルダイヤモンド領域は２５０ｎｍの光に対しても６５％以上の透過率を示した。
【００２４】
【発明の効果】
以上のように、本発明のダイヤモンド部品によれば、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダイヤモンドの特質が必要とされる部分のみに単結晶ダイヤモンドを用い、その周囲を多結晶ダイヤモンド膜で熱的、機械的に保護する構造により、大面積合成が可能な多結晶膜の長所と、特性に優れた単結晶膜の長所を合わせ持ったダイヤモンド膜が得られ、光学用窓材やセンサーとして有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイヤモンド部品を用いた真空フランジの作製行程を示す図である。
【図２】本発明のダイヤモンド部品を用いた放射線センサーの作業行程の一部を示す図である。
【符号の説明】
１ 天然IIａダイヤモンド基板
２ 多結晶シリコン基板
３ 単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜
４ 多結晶ダイヤモンド膜
５ 真空フランジ
６ 高圧合成Ｉｂ（００１）単結晶ダイヤモンド
７ （００１）単結晶シリコン
８ エピタキシャルダイヤモンド膜
９ （１００）配向した多結晶ダイヤモンド膜
１０ 硼素ドープダイヤモンド
１１ チタン
Claims (7)
- 面積が１ｍｍ2以上の単結晶ダイヤモンド、及び、その外周に接して取り囲んだ多結晶ダイヤモンドを含むことを特徴とするダイヤモンド部品。
- 請求項１記載のダイヤモンド部品であって、多結晶ダイヤモンドが気相から成長させたダイヤモンドであることを特徴とするダイヤモンド部品。
- 請求項１記載のダイヤモンド部品であって、単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドがともに気相から成長させたダイヤモンドであることを特徴とするダイヤモンド部品。
- 請求項１記載のダイヤモンド部品であって、多結晶ダイヤモンドが複数の単結晶ダイヤモンドを取り囲んでいることを特徴とするダイヤモンド部品。
- 請求項１記載のダイヤモンド部品であって、ダイヤモンドが厚み３０μｍ以上の自立膜であることを特徴とするダイヤモンド部品。
- 請求項１記載のダイヤモンド部品であって、単結晶ダイヤモンドが光学窓としての機能を有することを特徴とするダイヤモンド部品。
- 請求項１記載のダイヤモンド部品であって、単結晶ダイヤモンドが、粒子もしくは光を検出するためのセンサーとしての機能を有していることを特徴とするダイヤモンド部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03430595A JP3666044B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | ダイヤモンド部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03430595A JP3666044B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | ダイヤモンド部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208387A JPH08208387A (ja) | 1996-08-13 |
| JP3666044B2 true JP3666044B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=12410454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03430595A Expired - Fee Related JP3666044B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | ダイヤモンド部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3666044B2 (ja) |
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-
1995
- 1995-01-30 JP JP03430595A patent/JP3666044B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08208387A (ja) | 1996-08-13 |
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