JPH08208387A - ダイヤモンド部品 - Google Patents
ダイヤモンド部品Info
- Publication number
- JPH08208387A JPH08208387A JP3430595A JP3430595A JPH08208387A JP H08208387 A JPH08208387 A JP H08208387A JP 3430595 A JP3430595 A JP 3430595A JP 3430595 A JP3430595 A JP 3430595A JP H08208387 A JPH08208387 A JP H08208387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- single crystal
- polycrystalline
- film
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学用窓材やセンサーなどに用いられるダイ
ヤモンド部品において、光学的、或いは電気的特性に優
れ、大面積合成が可能なダイヤモンドを有する部品を得
る。 【構成】 光学窓やセンサーとしての機能に優れる面積
が１ｍｍ2以上の単結晶ダイヤモンド１、３の外周を多
結晶ダイヤモンド４が接して取り囲んだ構造のダイヤモ
ンド部品。
ヤモンド部品において、光学的、或いは電気的特性に優
れ、大面積合成が可能なダイヤモンドを有する部品を得
る。 【構成】 光学窓やセンサーとしての機能に優れる面積
が１ｍｍ2以上の単結晶ダイヤモンド１、３の外周を多
結晶ダイヤモンド４が接して取り囲んだ構造のダイヤモ
ンド部品。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセンサー、光学用窓材な
どに用いられるダイヤモンド部品に関するものである。
どに用いられるダイヤモンド部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドはよく知られている高硬
度、高熱伝導率の他、光透過特性、ワイドバンドギャッ
プなどの数多くの優れた性質を有することから、各種工
具、光学部品、半導体、電子部品の材として幅広く用い
られており、今後さらに重要性が増すものと考えられ
る。また、これらの特性のうち複数、例えばワイドバン
ドギャップと高熱伝導率、を用いた用途も期待されてい
る。
度、高熱伝導率の他、光透過特性、ワイドバンドギャッ
プなどの数多くの優れた性質を有することから、各種工
具、光学部品、半導体、電子部品の材として幅広く用い
られており、今後さらに重要性が増すものと考えられ
る。また、これらの特性のうち複数、例えばワイドバン
ドギャップと高熱伝導率、を用いた用途も期待されてい
る。
【０００３】ダイヤモンドは過去には天然に産出するも
のが工業用途に使用されたが、現在では人工合成された
ものが中心である。ダイヤモンド単結晶は現在工業的に
は、全てそれらが安定である数万気圧以上の圧力下で合
成されている。このような高い圧力を発生する超高圧容
器は非常に高価であり、大きさにも制限があるため、高
温高圧法による大型の単結晶合成には限界がある。不純
物として窒素（Ｎ）を含んだ黄色を呈するＩｂ型のダイ
ヤモンドについては１ｃｍ級のものが高圧合成法により
合成、販売されているがこの程度がほぼ限界と考えられ
ている。また、不純物のない無色透明なIIａ型のダイヤ
モンドの大きさは、天然のものを除けば数ｍｍ程度以下
のさらに小さなものに限られている（住友電気工業株式
会社より発売されている）。
のが工業用途に使用されたが、現在では人工合成された
ものが中心である。ダイヤモンド単結晶は現在工業的に
は、全てそれらが安定である数万気圧以上の圧力下で合
成されている。このような高い圧力を発生する超高圧容
器は非常に高価であり、大きさにも制限があるため、高
温高圧法による大型の単結晶合成には限界がある。不純
物として窒素（Ｎ）を含んだ黄色を呈するＩｂ型のダイ
ヤモンドについては１ｃｍ級のものが高圧合成法により
合成、販売されているがこの程度がほぼ限界と考えられ
ている。また、不純物のない無色透明なIIａ型のダイヤ
モンドの大きさは、天然のものを除けば数ｍｍ程度以下
のさらに小さなものに限られている（住友電気工業株式
会社より発売されている）。
【０００４】一方、高圧法と並んでダイヤモンドの合成
法として確立されるに至った方法として気相合成法があ
げられる。この方法によっては数ｃｍ〜１０ｃｍの比較
的大面積のものが人工的に製造されているが、これらは
通常は多結晶膜である。近年、様々な気相合成法が開発
され、気相合成法による多結晶ダイヤモンド膜の膜質は
向上してきている。配向性の高いダイヤモンド膜によ
り、単結晶に近い光透過特性を示すダイヤモンド膜が得
られることをWildら(C.Wild et al. Proc. of 1st Int'
l Conf. on the Application of Diamond Films and Re
lated Waterialspp197-205)が報告している。また、多
結晶ダイヤモンド膜を用いた電子デバイスも報告されて
いる。純度の高い多結晶ダイヤモンドやヘテロエピタキ
シャルダイヤモンド(X. Jiang et al.:Appl. Phys. Let
t 62 (1993) 3438)では単結晶ダイヤモンドに匹敵する
熱伝導率や硬度を示すが、電気的な用途、光学的な用途
では単結晶膜の優位は揺るがないところである。気相合
成法を用いて、単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成
長により得る方法が考えられるが、結晶性のよいダイヤ
モンドの合成面積は多結晶膜に及ばない。
法として確立されるに至った方法として気相合成法があ
げられる。この方法によっては数ｃｍ〜１０ｃｍの比較
的大面積のものが人工的に製造されているが、これらは
通常は多結晶膜である。近年、様々な気相合成法が開発
され、気相合成法による多結晶ダイヤモンド膜の膜質は
向上してきている。配向性の高いダイヤモンド膜によ
り、単結晶に近い光透過特性を示すダイヤモンド膜が得
られることをWildら(C.Wild et al. Proc. of 1st Int'
l Conf. on the Application of Diamond Films and Re
lated Waterialspp197-205)が報告している。また、多
結晶ダイヤモンド膜を用いた電子デバイスも報告されて
いる。純度の高い多結晶ダイヤモンドやヘテロエピタキ
シャルダイヤモンド(X. Jiang et al.:Appl. Phys. Let
t 62 (1993) 3438)では単結晶ダイヤモンドに匹敵する
熱伝導率や硬度を示すが、電気的な用途、光学的な用途
では単結晶膜の優位は揺るがないところである。気相合
成法を用いて、単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成
長により得る方法が考えられるが、結晶性のよいダイヤ
モンドの合成面積は多結晶膜に及ばない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そのため、大面積合成
が可能な多結晶膜の長所と、電気的或いは光学的な特性
に優れた単結晶膜の長所とを合わせ持ったダイヤモンド
膜が要求されてきている。
が可能な多結晶膜の長所と、電気的或いは光学的な特性
に優れた単結晶膜の長所とを合わせ持ったダイヤモンド
膜が要求されてきている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の情勢を考慮して、
発明者らは、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダ
イヤモンドの特性が必要とされる部分のみに単結晶ダイ
ヤモンドを用い、その周囲を多結晶膜で熱的、機械的に
保護する構造に考え至った。
発明者らは、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダ
イヤモンドの特性が必要とされる部分のみに単結晶ダイ
ヤモンドを用い、その周囲を多結晶膜で熱的、機械的に
保護する構造に考え至った。
【０００７】即ち、本発明は、面積が１ｍｍ2以上の単
結晶ダイヤモンド、及び、その外周に接して取り込んだ
多結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド部品である。
結晶ダイヤモンド、及び、その外周に接して取り込んだ
多結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド部品である。
【０００８】本発明において、多結晶ダイヤモンドは気
相から成長させて得ることができるが、単結晶ダイヤモ
ンドと多結晶ダイヤモンドともに気相から成長させて得
ることもできる。また、多結晶ダイヤモンドが複数の単
結晶ダイヤモンドを取り囲む構造とすることもできる。
相から成長させて得ることができるが、単結晶ダイヤモ
ンドと多結晶ダイヤモンドともに気相から成長させて得
ることもできる。また、多結晶ダイヤモンドが複数の単
結晶ダイヤモンドを取り囲む構造とすることもできる。
【０００９】さらに、ダイヤモンド部品としては、ダイ
ヤモンドの厚さを３０μｍ以上の自立膜とするのが好ま
しく、また、単結晶ダイヤモンドの面を（００１）面か
らの面方位ずれを１０度以内とすることが好ましい。
ヤモンドの厚さを３０μｍ以上の自立膜とするのが好ま
しく、また、単結晶ダイヤモンドの面を（００１）面か
らの面方位ずれを１０度以内とすることが好ましい。
【００１０】
【作用】前述のようにダイヤモンドは機械的、光学的、
熱的、電気的に優れた特性を有しており様々な用途が期
待されている。実際の用途では、複数の優れた特性を組
み合わせて用いられることが多い。
熱的、電気的に優れた特性を有しており様々な用途が期
待されている。実際の用途では、複数の優れた特性を組
み合わせて用いられることが多い。
【００１１】例えば、強力な放射線を検出するためにダ
イヤモンド検出器を冷却しながら用いる場合には、耐放
射線性、耐熱性、高熱伝導性、電気特性（キャリアが消
失しにくいこと）などが要求される。この場合、放射線
の検出範囲が限られているならば、高熱伝導性以外の特
性は検出範囲にのみ要求され、それ以外の領域はそこで
発生する熱を逃がすための熱伝導性のみが要求される。
そこで、高度な特性を要求される領域には単結晶ダイヤ
モンドを、それ以外の領域には多結晶ダイヤモンドを用
いても、全てを単結晶で作製した場合と同等の特性が得
られる。
イヤモンド検出器を冷却しながら用いる場合には、耐放
射線性、耐熱性、高熱伝導性、電気特性（キャリアが消
失しにくいこと）などが要求される。この場合、放射線
の検出範囲が限られているならば、高熱伝導性以外の特
性は検出範囲にのみ要求され、それ以外の領域はそこで
発生する熱を逃がすための熱伝導性のみが要求される。
そこで、高度な特性を要求される領域には単結晶ダイヤ
モンドを、それ以外の領域には多結晶ダイヤモンドを用
いても、全てを単結晶で作製した場合と同等の特性が得
られる。
【００１２】単結晶領域と多結晶領域の境界が一番の問
題点であるが、気相合成による多結晶ダイヤモンドが機
械的、熱的には十分な特性を有していることに着目して
研究を行った結果、単結晶ダイヤモンドのエピタキシャ
ル成長と同時進行する形での多結晶ダイヤモンドの合成
により、単結晶−多結晶界面に原子結合が生じ、高い特
性の界面が得られることがわかった。
題点であるが、気相合成による多結晶ダイヤモンドが機
械的、熱的には十分な特性を有していることに着目して
研究を行った結果、単結晶ダイヤモンドのエピタキシャ
ル成長と同時進行する形での多結晶ダイヤモンドの合成
により、単結晶−多結晶界面に原子結合が生じ、高い特
性の界面が得られることがわかった。
【００１３】以上のようにして得られた本発明のダイヤ
モンド部品は、光学的、或いは電気的な特性に優れた単
結晶ダイヤモンドが光学窓として、或いは、粒子や光を
検出するためのセンサーとしての機能を発揮し、大面積
合成が可能な多結晶ダイヤモンドが、この単結晶ダイヤ
モンドの外周を囲んで熱的、機械的に保護することにな
る。
モンド部品は、光学的、或いは電気的な特性に優れた単
結晶ダイヤモンドが光学窓として、或いは、粒子や光を
検出するためのセンサーとしての機能を発揮し、大面積
合成が可能な多結晶ダイヤモンドが、この単結晶ダイヤ
モンドの外周を囲んで熱的、機械的に保護することにな
る。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１５】（実施例１）天然のIIａ型ダイヤモンド基
板１を用意した。基板面方位は（００１）であり大きさ
は６ｍｍ×６ｍｍ×０．２ｍｍであった。これを、傷つ
け処理を行った多結晶のシリコン基板２（１５ｍｍ×１
５ｍｍ×５ｍｍ）の中央部に配置し（図１ａ）、μ波プ
ラズマＣＶＤ法を用いて、メタン及び水素ガスから成膜
を行った。成膜条件は、メタン濃度２％、圧力１００To
rr、基材温度９００℃であった。２２０時間成膜を行っ
たところ、単結晶ダイヤモンド基板１上には２９０μｍ
の単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜３が成長し単結
晶基板１を含めて４９０μｍの厚さとなり、また、多結
晶シリコン基板２の上には５２０μｍの多結晶ダイヤモ
ンド膜４が成長した（図１ｂ）。この成長面を研磨して
単結晶及び多結晶の表面を一致させた（図１ｃ）。また
多結晶シリコン基板２を弗硝酸によりエッチング除去し
て、基板側を２０μｍ研磨除去した（図１ｄ）。
板１を用意した。基板面方位は（００１）であり大きさ
は６ｍｍ×６ｍｍ×０．２ｍｍであった。これを、傷つ
け処理を行った多結晶のシリコン基板２（１５ｍｍ×１
５ｍｍ×５ｍｍ）の中央部に配置し（図１ａ）、μ波プ
ラズマＣＶＤ法を用いて、メタン及び水素ガスから成膜
を行った。成膜条件は、メタン濃度２％、圧力１００To
rr、基材温度９００℃であった。２２０時間成膜を行っ
たところ、単結晶ダイヤモンド基板１上には２９０μｍ
の単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜３が成長し単結
晶基板１を含めて４９０μｍの厚さとなり、また、多結
晶シリコン基板２の上には５２０μｍの多結晶ダイヤモ
ンド膜４が成長した（図１ｂ）。この成長面を研磨して
単結晶及び多結晶の表面を一致させた（図１ｃ）。また
多結晶シリコン基板２を弗硝酸によりエッチング除去し
て、基板側を２０μｍ研磨除去した（図１ｄ）。
【００１６】多結晶ダイヤモンド膜４の周囲を１４ｍｍ
φにレーザー加工して、多結晶ダイヤモンドの部分を鑞
付けすることにより、真空フランジ５に接合させた（図
１ｅ）。
φにレーザー加工して、多結晶ダイヤモンドの部分を鑞
付けすることにより、真空フランジ５に接合させた（図
１ｅ）。
【００１７】この真空フランジ５の中央の単結晶ダイヤ
モンドの領域１、３の透過特性を調べたところダイヤモ
ンド特有の良好な透過特性であることがわかった。ま
た、１４ｍｍφの領域全体にわたって、装置内部の様子
を観察することは十分可能であった。
モンドの領域１、３の透過特性を調べたところダイヤモ
ンド特有の良好な透過特性であることがわかった。ま
た、１４ｍｍφの領域全体にわたって、装置内部の様子
を観察することは十分可能であった。
【００１８】（比較例１）天然のIIａ型ダイヤモンド
（００１）基板を用意した。大きさは６ｍｍφ×０．３
ｍｍであった。これを鑞付けにより、真空フランジに接
合させたところ、真空フランジの使用中にクラックを生
じた。
（００１）基板を用意した。大きさは６ｍｍφ×０．３
ｍｍであった。これを鑞付けにより、真空フランジに接
合させたところ、真空フランジの使用中にクラックを生
じた。
【００１９】（比較例２）μ波プラズマＣＶＤ法によ
り、実施例１に記載した条件で、１５ｍｍ×１５ｍｍ×
５００μｍの多結晶ダイヤモンドを成長させた。真空フ
ランジに接合させ、透過特性を評価したところ、３００
ｎｍの波長の光に対して、実施例１の場合に比べて約８
０％の透過率であることがわかった。
り、実施例１に記載した条件で、１５ｍｍ×１５ｍｍ×
５００μｍの多結晶ダイヤモンドを成長させた。真空フ
ランジに接合させ、透過特性を評価したところ、３００
ｎｍの波長の光に対して、実施例１の場合に比べて約８
０％の透過率であることがわかった。
【００２０】（実施例２）直径１３ｍｍ、厚さ１ｍｍの
（００１）単結晶シリコン７に、４ｍｍ×４ｍｍ、深さ
３００μｍの穴をあけた。その穴に４ｍｍ×４ｍｍ、厚
み３００μｍの高圧合成Ｉｂ型（００１）単結晶ダイヤ
モンド６を配置した（図２ａ）。単結晶ダイヤモンド６
上に５００μｍのエピタキシャルダイヤモンド膜８をマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により成長させた（図２
ｂ）。このとき単結晶シリコン７上に同じく成長した多
結晶ダイヤモンド膜９は（１００）配向しており、５０
０μｍ程度成長していた。機械研磨により成長面を鏡面
研磨し、また基板の単結晶シリコン７、単結晶ダイヤモ
ンド６も研磨除去した（図２ｃ）。その結果、（１０
０）配向した多結晶ダイヤモンド９に囲まれた気相合成
単結晶ダイヤモンド８が得られた。
（００１）単結晶シリコン７に、４ｍｍ×４ｍｍ、深さ
３００μｍの穴をあけた。その穴に４ｍｍ×４ｍｍ、厚
み３００μｍの高圧合成Ｉｂ型（００１）単結晶ダイヤ
モンド６を配置した（図２ａ）。単結晶ダイヤモンド６
上に５００μｍのエピタキシャルダイヤモンド膜８をマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により成長させた（図２
ｂ）。このとき単結晶シリコン７上に同じく成長した多
結晶ダイヤモンド膜９は（１００）配向しており、５０
０μｍ程度成長していた。機械研磨により成長面を鏡面
研磨し、また基板の単結晶シリコン７、単結晶ダイヤモ
ンド６も研磨除去した（図２ｃ）。その結果、（１０
０）配向した多結晶ダイヤモンド９に囲まれた気相合成
単結晶ダイヤモンド８が得られた。
【００２１】一方側に１０００ｐｐｍの硼素をドープし
たダイヤモンド１０を、他方側にチタン１１をそれぞれ
１μｍ成長させ、単結晶ダイヤモンド膜８以外の部分に
ついた硼素ドープ膜、チタン膜はアルゴン−酸素の混合
ガスを用いたプラズマエッチング、酸によるエッチング
により除去した（図２ｄ）。
たダイヤモンド１０を、他方側にチタン１１をそれぞれ
１μｍ成長させ、単結晶ダイヤモンド膜８以外の部分に
ついた硼素ドープ膜、チタン膜はアルゴン−酸素の混合
ガスを用いたプラズマエッチング、酸によるエッチング
により除去した（図２ｄ）。
【００２２】チタン１１側が正極、硼素ドープダイヤモ
ンド１０側が負極となるようにバイアス電圧をかけ、ガ
ンマ線を硼素ドープダイヤモンド１０側から照射したと
ころガンマ線の強さに比例した電流が得られた。
ンド１０側が負極となるようにバイアス電圧をかけ、ガ
ンマ線を硼素ドープダイヤモンド１０側から照射したと
ころガンマ線の強さに比例した電流が得られた。
【００２３】（実施例３）３０ｍｍ×１５ｍｍの長方形
のシリコン（厚さ３ｍｍ）の上に７ｍｍ×７ｍｍのＩｂ
型の人工ダイヤモンド（厚さ１００μｍ）を２ｍｍの間
隔をあけて並べて配置した。単結晶上にはエピタキシャ
ル膜を、またシリコン上には多結晶膜を成長させた。そ
の後、成長面を鏡面研磨し、基板ダイヤモンド及びシリ
コンを除去した。その結果、３０ｍｍ×１５ｍｍ全体に
わたって波長５００ｎｍの光は６８％以上透過し、２つ
のエピタキシャルダイヤモンド領域は２５０ｎｍの光に
対しても６５％以上の透過率を示した。
のシリコン（厚さ３ｍｍ）の上に７ｍｍ×７ｍｍのＩｂ
型の人工ダイヤモンド（厚さ１００μｍ）を２ｍｍの間
隔をあけて並べて配置した。単結晶上にはエピタキシャ
ル膜を、またシリコン上には多結晶膜を成長させた。そ
の後、成長面を鏡面研磨し、基板ダイヤモンド及びシリ
コンを除去した。その結果、３０ｍｍ×１５ｍｍ全体に
わたって波長５００ｎｍの光は６８％以上透過し、２つ
のエピタキシャルダイヤモンド領域は２５０ｎｍの光に
対しても６５％以上の透過率を示した。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明のダイヤモンド部
品によれば、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダ
イヤモンドの特質が必要とされる部分のみに単結晶ダイ
ヤモンドを用い、その周囲を多結晶ダイヤモンド膜で熱
的、機械的に保護する構造により、大面積合成が可能な
多結晶膜の長所と、特性に優れた単結晶膜の長所を合わ
せ持ったダイヤモンド膜が得られ、光学用窓材やセンサ
ーとして有効に利用することができる。
品によれば、光学的、或いは電気的な用途など単結晶ダ
イヤモンドの特質が必要とされる部分のみに単結晶ダイ
ヤモンドを用い、その周囲を多結晶ダイヤモンド膜で熱
的、機械的に保護する構造により、大面積合成が可能な
多結晶膜の長所と、特性に優れた単結晶膜の長所を合わ
せ持ったダイヤモンド膜が得られ、光学用窓材やセンサ
ーとして有効に利用することができる。
【図１】本発明のダイヤモンド部品を用いた真空フラン
ジの作製行程を示す図である。
ジの作製行程を示す図である。
【図２】本発明のダイヤモンド部品を用いた放射線セン
サーの作業行程の一部を示す図である。
サーの作業行程の一部を示す図である。
１ 天然IIａダイヤモンド基板 ２ 多結晶シリコン基板 ３ 単結晶エピタキシャルダイヤモンド膜 ４ 多結晶ダイヤモンド膜 ５ 真空フランジ ６ 高圧合成Ｉｂ（００１）単結晶ダイヤモンド ７ （００１）単結晶シリコン ８ エピタキシャルダイヤモンド膜 ９ （１００）配向した多結晶ダイヤモンド膜 １０ 硼素ドープダイヤモンド １１ チタン
Claims (8)
- 【請求項１】 面積が１ｍｍ2以上の単結晶ダイヤモン
ド、及び、その外周に接して取り囲んだ多結晶ダイヤモ
ンドを含むことを特徴とするダイヤモンド部品。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、多結晶ダイヤモンドが気相から成長させたダイヤモ
ンドであることを特徴とするダイヤモンド部品。 - 【請求項３】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドがともに
気相から成長させたダイヤモンドであることを特徴とす
るダイヤモンド部品。 - 【請求項４】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、多結晶ダイヤモンドが複数の単結晶ダイヤモンドを
取り囲んでいることを特徴とするダイヤモンド部品。 - 【請求項５】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、ダイヤモンドが厚み３０μｍ以上の自立膜であるこ
とを特徴とするダイヤモンド部品。 - 【請求項６】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、単結晶ダイヤモンドの面が（００１）面からの面方
位ずれが１０度以内であることを特徴とするダイヤモン
ド部品。 - 【請求項７】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、単結晶ダイヤモンドが光学窓としての機能を有する
ことを特徴とするダイヤモンド部品。 - 【請求項８】 請求項１記載のダイヤモンド部品であっ
て、単結晶ダイヤモンドが、粒子もしくは光を検出する
ためのセンサーとしての機能を有していることを特徴と
するダイヤモンド部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03430595A JP3666044B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | ダイヤモンド部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03430595A JP3666044B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | ダイヤモンド部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208387A true JPH08208387A (ja) | 1996-08-13 |
| JP3666044B2 JP3666044B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=12410454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03430595A Expired - Fee Related JP3666044B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | ダイヤモンド部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3666044B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005010245A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-03 | Element Six Limited | Method of manufacturing diamond substrates |
| JP2006096643A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP2006111500A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP2006273592A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP2006335637A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板およびその製造方法 |
| JP2007500439A (ja) * | 2003-07-30 | 2007-01-11 | エレメント シックス リミテッド | ダイヤモンド基体の製造方法 |
| US7390695B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-06-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond substrate and manufacturing method thereof |
| JP2008179498A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板 |
| AU2005269257B2 (en) * | 2004-08-02 | 2011-03-10 | Termortar Pty Ltd | Termite proof mortar and method of termite proofing a structure |
| WO2012152661A1 (en) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Element Six N.V. | Composite diamond assemblies |
| WO2014152598A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Nanocrystalline diamond three-dimensional films in patterned semiconductor substrates |
| EP2955323A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-16 | Services Petroliers Schlumberger | Diamond window assembly for optical logging |
| CN110857467A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种金刚石复合片及其制备方法 |
| CN111655911A (zh) * | 2017-11-03 | 2020-09-11 | 二A 科技有限公司 | 嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法 |
| WO2020240459A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Lusix Ltd. | Manufacture of lab grown diamonds |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP03430595A patent/JP3666044B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007500439A (ja) * | 2003-07-30 | 2007-01-11 | エレメント シックス リミテッド | ダイヤモンド基体の製造方法 |
| JP4938449B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2012-05-23 | エレメント シックス リミテッド | 単結晶ダイヤモンド基体を処理する方法で用いるためのダイヤモンドウェーハ組立体 |
| WO2005010245A1 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-03 | Element Six Limited | Method of manufacturing diamond substrates |
| US7837793B2 (en) | 2003-07-30 | 2010-11-23 | Element Six Limited | Method of manufacturing diamond substrates |
| AU2005269257B2 (en) * | 2004-08-02 | 2011-03-10 | Termortar Pty Ltd | Termite proof mortar and method of termite proofing a structure |
| JP2006096643A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP2006111500A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP4691952B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-06-01 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP2006335637A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板およびその製造方法 |
| US7390695B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-06-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond substrate and manufacturing method thereof |
| JP2006273592A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP4631499B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-02-16 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド基板及びその製造方法 |
| JP2008179498A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド基板 |
| WO2012152661A1 (en) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Element Six N.V. | Composite diamond assemblies |
| WO2014152598A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Nanocrystalline diamond three-dimensional films in patterned semiconductor substrates |
| EP2955323A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-16 | Services Petroliers Schlumberger | Diamond window assembly for optical logging |
| WO2015188922A3 (en) * | 2014-06-11 | 2016-09-09 | Services Petroliers Schlumberger | Diamond window assembly for optical logging |
| CN111655911A (zh) * | 2017-11-03 | 2020-09-11 | 二A 科技有限公司 | 嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法 |
| JP2021501734A (ja) * | 2017-11-03 | 2021-01-21 | トゥーエイ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 多結晶ダイヤモンド構造に埋め込まれた単結晶ダイヤモンド及びそれを成長させる方法 |
| CN110857467A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种金刚石复合片及其制备方法 |
| WO2020240459A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Lusix Ltd. | Manufacture of lab grown diamonds |
| CN113853456A (zh) * | 2019-05-31 | 2021-12-28 | 路赛斯有限公司 | 实验培育钻石的制造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3666044B2 (ja) | 2005-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3666044B2 (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| US5474021A (en) | Epitaxial growth of diamond from vapor phase | |
| JP5717518B2 (ja) | 単結晶ダイヤモンド | |
| JPH0375298A (ja) | 高圧相物質単結晶の製造方法 | |
| JPH111392A (ja) | 単結晶ダイヤモンドの製造方法および製造装置 | |
| JP5601634B2 (ja) | 大面積ｃｖｄダイヤモンド単結晶の製造方法、及びこれによって得られた大面積ｃｖｄダイヤモンド単結晶 | |
| CN102337587A (zh) | SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶 | |
| US3664867A (en) | Composite structure of zinc oxide deposited epitaxially on sapphire | |
| KR102372706B1 (ko) | β-Ga₂O₃계 단결정 기판 | |
| JP3350992B2 (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JP2006290697A (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | |
| JP2003321298A (ja) | ＳｉＣ単結晶及びその製造方法，エピタキシャル膜付きＳｉＣウエハ及びその製造方法，並びにＳｉＣ電子デバイス | |
| JPH06107494A (ja) | ダイヤモンドの気相成長法 | |
| EP1249521B1 (en) | SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING THE SAME | |
| Leone et al. | Growth of smooth 4H-SiC epilayers on 4° off-axis substrates with chloride-based CVD at very high growth rate | |
| JP3498326B2 (ja) | ダイヤモンド及びその製造方法 | |
| JPH0769791A (ja) | 高配向性ダイヤモンド放熱基板 | |
| JPH07131067A (ja) | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 | |
| JP4423903B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| US20220127751A1 (en) | Large area single crystal diamond | |
| JPH0797299A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| Klemenz et al. | Defect structure of langasite-type crystals: a challenge for applications | |
| JPH0925198A (ja) | エピタキシャル被覆半導体ウエハー及びその製造方法 | |
| JPS6218072A (ja) | 半導体歪検出器 | |
| JP4513421B2 (ja) | ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ結晶の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040325 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041124 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050120 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20050315 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20050328 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120415 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |