JPWO2020149331A1 - 方向性電磁鋼板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2019年1月16日に、日本に出願された特願2019−5201号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
[1]本発明の一態様に係る方向性電磁鋼板は、SiおよびMnを含有する母鋼板と、前記母鋼板の表面上に配され、酸化珪素を主成分とする中間層と、前記中間層の表面上に配された絶縁皮膜と、を備える方向性電磁鋼板であって、
前記母鋼板の表面上に仕上げ焼鈍皮膜が実質的に存在せず、
表層領域において、
前記表層領域よりも深い領域における前記母鋼板の平均Mn含有量よりもMn含有量の低いMn含有量の谷部を有するMn欠乏層を有し、
前記Mn欠乏層よりも前記絶縁皮膜の表面に近い領域に前記Mn含有量の谷部よりもMn含有量の高いMn含有量のピーク部を有するMn濃化層を有する。
[2]上記[1]に記載の方向性電磁鋼板は、前記方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたMnの発光強度および測定時間のデータから、下記式1−1および式1−2を用いて算出されるMn規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、前記Mn規格化発光強度が0.9である点のうち、深さが最大である点を点Aと定めた場合に、
前記表層領域は、前記絶縁皮膜の前記表面〜前記点Aの深さの領域であり、
前記表層領域内に、前記Mn規格化発光強度が0.50以上、且つ、極大である点Bを有し、
前記表層領域内の前記点Aと前記点Bとの間に、前記Mn規格化発光強度が極小である点Cを有し、
前記Mn含有量の谷部は、前記点Cの前後0.1μmの深さの領域であり、
前記Mn含有量のピーク部は、前記点Bの前後0.1μmの深さの領域であり、
前記点Bの深さと前記点Cの深さとの中間の深さを境界深さと定め、前記境界深さにおけるMn規格化発光強度を境界Mn規格化発光強度と定めた場合に、
前記Mn欠乏層は、
前記境界深さ〜点Aの深さの領域であり、
前記Mn濃化層は、
前記点Bより前記絶縁皮膜の前記表面側に存在し、前記境界Mn規格化発光強度と同じMn規格化発光強度を有する点の深さ〜前記境界深さの領域であってもよい。
各測定点の深さdμm=測定終了後の単位μmでの実測深さ/測定終了までの単位秒での時間×測定点の単位秒での測定時間 …式1−1
深さdμmにおけるMn規格化発光強度=深さdμmにおけるMnの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるMnの平均発光強度 …式1−2
[3]上記[2]に記載の方向性電磁鋼板は、前記表層領域内の前記点Bおよび前記点Cが下記式2の関係を満たしてもよい。
点BにおけるMn規格化発光強度−点CにおけるMn規格化発光強度≧0.05 …式2
[4]上記[2]または[3]に記載の方向性電磁鋼板は、下記式3から算出される前記点A〜前記点Bの深さ方向の距離が0〜10.0μmであってもよい。
点A〜点Bの単位μmでの深さ方向の距離=点Bにおける単位μmでの深さ−点Aにおける単位μmでの深さ …式3
[5]上記[2]〜[4]のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板は、前記絶縁皮膜がSiを含有せず、
前記方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたSiの発光強度および測定時間のデータから、下記式2−1および式2−2を用いて算出されるSi規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、前記表層領域に前記Si規格化発光強度が極大である点Dを有し、
下記式4から算出される前記点B〜前記点Dの深さ方向の距離が0〜1.0μmであってもよい。
各測定点の深さdμm=測定終了後の単位μmでの実測深さ/測定終了までの単位秒での時間×測定点の単位秒での測定時間 …式2−1
深さdμmにおけるSi規格化発光強度=深さdμmにおけるSiの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるSiの平均発光強度 …式2−2
点B〜点Dの単位μmでの深さ方向の距離=点Bにおける単位μmでの深さ−点Dにおける単位μmでの深さ …式4
[6]上記[2]〜[4]のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板は、前記絶縁皮膜がSiを含有し、
前記方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたSiの発光強度および測定時間のデータから、下記式2−1および式2−2を用いて算出されるSi規格化発光強度の深さに対するプロファイルと、下記式5−1とを用いて算出されるSi差分商の深さに対するプロファイルにおいて、
前記表層領域において、前記Si差分商が負の値である領域に、前記Si差分商が極小であり、且つ前記Si差分商が−0.5以下である点を点Vと定め、前記Si差分商が極大であり、前記点Vより前記絶縁皮膜の前記表面側に存在し、且つ前記点Vに一番近い点を点Zと定め、
前記Mn規格化発光強度から下記式5−2を用いて算出されるMn差分商の深さに対するプロファイルにおいて、
前記表層領域において、前記Mn差分商が最大である点を点Yと定め、前記Mn差分商が最小である点を点Xと定め、
前記点X〜前記点Yの領域に存在し、前記Mn差分商が0である点を点Wと定めた場合に、
下記式6から算出される前記点W〜前記点Zの深さ方向の距離が0〜1.0μmであり、
前記点YにおけるMn差分商および前記点XにおけるMn差分商が下記式7の関係を満たしてもよい。
各測定点の深さdμm=測定終了後の単位μmでの実測深さ/測定終了までの単位秒での時間×測定点の単位秒での測定時間 …式2−1
深さdμmにおけるSi規格化発光強度=深さdμmにおけるSiの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるSiの平均発光強度 …式2−2
深さdμmにおけるSi差分商={深さdμmにおけるSi規格化発光強度−深さ(d−h)μmにおけるSi規格化発光強度}/hμm …式5−1
深さdμmにおけるMn差分商={深さdμmにおけるMn規格化発光強度−深さ(d−h)μmにおけるMn規格化発光強度}/hμm …式5−2
点W〜点Zの単位μmでの深さ方向の距離=点Wにおける単位μmでの深さ−点Zにおける単位μmでの深さ …式6
点YにおけるMn差分商−点XにおけるMn差分商≧0.015 …式7
ただし、前記式5−1および式5−2において、hは、グロー放電発光分析におけるデータのμmでのサンプリング間隔を示す。
[7]本発明の別の態様に係る方向性電磁鋼板の製造方法は、上記[1]〜[6]のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法であって、
SiおよびMnを含有するスラブを加熱した後、熱間圧延を施して熱間圧延鋼板を得る熱間圧延工程と、
前記熱間圧延鋼板に熱延板焼鈍を施して焼鈍鋼板を得る熱延板焼鈍工程と、
前記焼鈍鋼板に一回または中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延を施して冷間圧延鋼板を得る冷間圧延工程と、
前記冷間圧延鋼板に脱炭焼鈍を施して脱炭焼鈍鋼板を得る脱炭焼鈍工程と、
前記脱炭焼鈍鋼板の表面に、MgO含有量が10質量%〜50質量%である焼鈍分離材を塗布した状態で加熱した後に、前記表面の焼鈍分離材を除去することにより仕上げ焼鈍鋼板を得る仕上げ焼鈍工程と、
前記仕上げ焼鈍鋼板に熱酸化焼鈍を施して前記仕上げ焼鈍鋼板の表面に中間層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層上に絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程と、備え、
前記仕上げ焼鈍工程の冷却過程において、
仕上げ焼鈍温度が1100℃以上の場合はT1を1100℃とし、仕上げ焼鈍温度が1100℃未満の場合はT1を前記仕上げ焼鈍温度として、
前記T1〜500℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.3〜100000の雰囲気下で冷却し、
前記絶縁皮膜形成工程の冷却過程において、
800℃〜600℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.10〜0.30の雰囲気下で、滞留時間を10秒〜60秒として冷却する。
[8]本発明の別の態様に係る方向性電磁鋼板の製造方法は、上記[1]〜[6]のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法であって、
SiおよびMnを含有するスラブを加熱した後、熱間圧延を施して熱間圧延鋼板を得る熱間圧延工程と、
前記熱間圧延鋼板に熱延板焼鈍を施して焼鈍鋼板を得る熱延板焼鈍工程と、
前記焼鈍鋼板に一回または中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延を施して冷間圧延鋼板を得る冷間圧延工程と、
前記冷間圧延鋼板に脱炭焼鈍を施して脱炭焼鈍鋼板を得る脱炭焼鈍工程と、
前記脱炭焼鈍鋼板の表面に、MgO含有量が10質量%〜50質量%である焼鈍分離材を塗布した状態で加熱した後に、前記表面の焼鈍分離材を除去することにより仕上げ焼鈍鋼板を得る仕上げ焼鈍工程と、
前記仕上げ焼鈍鋼板の表面に中間層および絶縁皮膜を一工程で形成する中間層および絶縁皮膜形成工程を有し、
前記仕上げ焼鈍工程の冷却過程において、
仕上げ焼鈍温度が1100℃以上の場合はT1を1100℃とし、仕上げ焼鈍温度が1100℃未満の場合はT1を前記仕上げ焼鈍温度として、
T1〜500℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.3〜100000の雰囲気下で冷却し、
前記中間層および絶縁皮膜形成工程において、
800℃〜1150℃の温度域の雰囲気を、酸化度(PH2O/PH2):0.05〜0.18とし、
前記中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程において、
800℃〜600℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.10〜0.30の雰囲気下で、滞留時間を10秒〜60秒として冷却する。
なお、絶縁皮膜の密着性に優れる(単に、密着性に優れると記載する場合がある)とは、絶縁皮膜と、絶縁皮膜よりも下の層(中間層および母鋼板)との密着性に優れることをいう。
なお、下記説明において数値範囲を「下限値〜上限値」で示す場合には、特に断らない限り「下限値以上、上限値以下」であることを意味する。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、表面上に仕上げ焼鈍皮膜が実質的に存在しない母鋼板表面に酸化珪素を主成分とする中間層を有し、前記中間層表面に絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板である。前記方向性電磁鋼板は、表層領域において、前記表層領域よりも深い領域における前記母鋼板の平均Mn含有量よりもMn含有量の低いMn含有量の谷部を有するMn欠乏層を有し、前記Mn欠乏層よりも前記絶縁皮膜の表面に近い領域に前記Mn含有量の谷部よりもMn含有量の高いMn含有量のピーク部を有するMn濃化層を有する。
なお、母鋼板の平均Mn含有量とは、方向性電磁鋼板の表面から深さ25〜30μmの領域におけるMn含有量の平均値である。
深さdμmにおけるMn規格化発光強度=深さdμmにおけるMnの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるMnの平均発光強度 …式1−2
一般的な方向性電磁鋼板では、フォルステライト(Mg2SiO4)、スピネル(MgAl2O4)、及び/又は、コーディエライト(Mg2Al4Si5O16)などの酸化物で構成される仕上げ焼鈍皮膜を母鋼板と絶縁皮膜との間に介在させ、複雑な界面凹凸によるアンカー効果によって、酸化物膜(仕上げ焼鈍皮膜及び絶縁皮膜)と母鋼板との密着性を確保している。局所的であっても、この仕上げ焼鈍皮膜が存在しない部位があると、その部位では母鋼板と絶縁皮膜との密着性を確保することができない。そのため、仕上げ焼鈍皮膜は、母鋼板の表面の全面を覆う状態で形成される。
Mnが濃化している領域を有する方向性電磁鋼板が、絶縁皮膜の密着性に優れる理由は定かではないが、Mnが偏在することで、中間層と母鋼板との化学的な結合を強化しているためであると考えられる。
1−1.中間層
中間層は、母鋼板表面に形成され、酸化珪素を主成分とする。中間層は、本実施形態において母鋼板と絶縁皮膜とを密着させる機能を有する。
中間層の主成分である酸化珪素は、SiOx(x=1.0〜2.0)が好ましく、SiOx(x=1.5〜2.0)がより好ましい。酸化珪素がより安定するからである。鋼板表面に酸化珪素を形成する熱処理を十分に施せば、シリカ(SiO2)を形成することができる。
絶縁皮膜3は、図1に示すように中間層2B表面に形成される。絶縁皮膜3は、母鋼板1に張力を付与して方向性電磁鋼板の鉄損を低下させる他、方向性電磁鋼板を積層して使用する際に方向性電磁鋼板間の電気的絶縁性を確保する機能を有する。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、母鋼板に接する酸化珪素を主成分とする中間層を有し、表層領域にMn欠乏層が存在し、かつ、Mn欠乏層よりも絶縁皮膜の表面に近い領域にMn濃化層が存在することによって、絶縁皮膜の密着性が向上する。なお、Mn欠乏層およびMn濃化層の定義については後述する。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板の母鋼板の化学組成は、一般的な方向性電磁鋼板における母鋼板の化学組成を用いることができる。母鋼板の化学組成はたとえば、次の元素を含有する。母鋼板の化学組成における各元素の含有量で使用する「%」は、特に断りがない限り、質量%を意味する。「〜」を挟んで記載する数値限定範囲には、下限値および上限値がその範囲に含まれる。
シリコン(Si)は、方向性電磁鋼板の電気抵抗を高めて鉄損を低下させる。Si含有量が0.50%未満であれば、この効果が十分に得られない。したがって、Si含有量は0.50%以上であることが好ましい。Si含有量は、より好ましくは1.50%以上であり、さらに好ましくは2.50%以上である。
一方、Si含有量が7.00%を超えると、母鋼板の飽和磁束密度が低下し、方向性電磁鋼板の鉄損が劣化する。したがって、Si含有量は、7.00%以下であることが好ましい。Si含有量は、より好ましくは5.50%以下であり、さらに好ましくは4.50%以下である。
Mnは必須成分であり、母鋼板の電気抵抗を高めて方向性電磁鋼板の鉄損を低下させると共に,母鋼板と酸化珪素との化学結合性を強めて密着性を改善する。Mn含有量が0.05%〜1.00%の範囲内にある場合に、良好な絶縁皮膜の密着性が得られる。このため、Mn含有量は、0.05%〜1.00%とすることが好ましい。Mn含有量は、0.08%以上であることがより好ましく、0.09%以上であることがより一層好ましい。Mn含有量は0.50%以下であることがより好ましく、0.20%以下であることがより一層好ましい。
炭素(C)は、母鋼板中で化合物を形成し、方向性電磁鋼板の鉄損を劣化させる。したがって、C含有量は、0.005%以下であることが好ましい。C含有量は、より好ましくは0.004%以下であり、さらに好ましくは0.003%以下である。
一方、C含有量はなるべく低いほうが好ましいので0%でもよいが、Cは鋼中に不純物として含有される場合がある。したがって、C含有量は、0%超としてもよい。
窒素(N)は、母鋼板中で化合物を形成し、方向性電磁鋼板の鉄損を劣化させる。したがって、N含有量は、0.0050%以下であることが好ましい。N含有量は、より好ましいくは0.0040%以下であり、さらに好ましくは0.0030%以下である。
一方で、N含有量はなるべく低いほうが好ましいので、0%でもよいが、Nは鋼中に不純物として含有される場合がある。したがって、N含有量は、0%超としてもよい。
母鋼板の化学組成は、上記の元素を含有し、残部がFe及び不純物からなることを基本とするが、磁気特性の改善や、製造上の課題解決を目的として、Feの一部に代えて、任意元素を1種または2種以上含有してもよい。Feの一部に代えて含有される任意元素として、たとえば、次の元素が挙げられる。これらの元素は含有させなくてもよいので、下限は0%である。一方、これらの元素の含有量が多すぎると、析出物が生成して方向性電磁鋼板の鉄損が劣化したり、フェライト変態が抑制されて、GOSS方位が十分に得られなかったり、飽和磁束密度が低下したりして、方向性電磁鋼板の鉄損が劣化する。そのため、含有させる場合でも、以下の範囲とすることが好ましい。
酸可溶性Al:0.0065%以下、
S及びSe:合計で0.001%以下、
Bi:0.010%以下、
B:0.0080%以下、
Ti:0.015%以下、
Nb:0.020%以下、
V:0.015%以下、
Sn:0.50%以下、
Sb:0.50%以下、
Cr:0.30%以下、
Cu:0.40%以下、
P:0.50%以下、
Ni:1.00%以下、及び
Mo:0.10%以下。
なお、「S及びSe:合計で0.001%以下」とは、母鋼板がS又はSeのいずれか一方のみを含有し、S又はSeのいずれか一方の含有量が0.001%以下であってもよいし、母鋼板がS及びSeの両方を含有し、S及びSeの含有量が合計で0.001%以下であってもよい。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、表層領域において、表層領域よりも深い領域における母鋼板の平均Mn含有量よりもMn含有量の低い「Mn含有量の谷部」を有するMn欠乏層を有し、Mn欠乏層よりも絶縁皮膜の表面に近い領域に「Mn含有量の谷部」よりもMn含有量の高い「Mn含有量のピーク部」を有するMn濃化層を有する。より具体的には、本実施形態に係る方向性電磁鋼板は、グロー放電発光分析(GDS)により測定されたMnの発光強度および測定時間のデータから、下記式1−1および式1−2を用いて算出されるMn規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、前記Mn規格化発光強度が0.9である点のうち、深さが最大である点を点Aと定めた場合に、前記表層領域は、前記絶縁皮膜の前記表面〜前記点Aの深さの領域であり、前記表層領域内に、前記Mn規格化発光強度が0.50以上、且つ、極大である点Bを有し、前記表層領域内の前記点Aと前記点Bとの間に、前記Mn規格化発光強度が極小である点Cを有し、前記Mn含有量の谷部は、前記点Cの前後0.1μmの深さの領域であり、前記Mn含有量のピーク部は、前記点Bの前後0.1μmの深さの領域であり、且つ前記点Bの深さと前記点Cの深さとの中間の深さを境界深さと定め、前記境界深さにおけるMn規格化発光強度を境界Mn規格化発光強度と定めた場合に、前記Mn欠乏層は、前記境界深さ〜点Aの深さの領域であり、前記Mn濃化層は、前記点Bより前記絶縁皮膜の前記表面側に存在し、前記境界Mn規格化発光強度と同じMn規格化発光強度を有する点の深さ〜前記境界深さの領域である。
深さdμmにおけるMn規格化発光強度=深さdμmにおけるMnの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるMnの平均発光強度 …式1−2
なお、点A〜点Bの深さ方向の距離は下記式3により表される。
絶縁皮膜がSiを含有しない場合には、図3に実線で示すように、Si規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、中間層を示すピークが確認される。なお、Si規格化発光強度とは、特定の深さにおけるSiの発光強度を、方向性電磁鋼板の組成が安定している深さ25μm〜30μmにおけるSiの平均発光強度で除して規格化することにより、Si含有量が異なる方向性電磁鋼板の分析値を比較可能とした値である。
深さdμmにおけるSi規格化発光強度=深さdμmにおけるSiの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるSiの平均発光強度 …式2−2
点B〜点Dの深さ方向の距離(μm)=点Bにおける深さ(μm)−点Dにおける深さ(μm) …式4
絶縁皮膜がSiを含有する場合には、図4に一点鎖線で示すように、Si規格化発光強度の深さ方向に対するプロファイル(Siプロファイル)において、絶縁皮膜と中間層との界面が曖昧にはなるものの、Si規格化発光強度の上昇(母鋼板から見たとき)が緩やかになる部分が存在する。この場合には、図5に示すような、Si規格化発光強度から、Si差分商の深さに対するプロファイルを算出すると、中間層の厚さや位置を求めることが容易になる。Si差分商の深さに対するプロファイル上では明確な極大点Zとして示される。
ただし、上記式5−1において、hはグロー放電発光分析におけるデータのサンプリング間隔を示す。
ただし、上記式5−2において、hはグロー放電発光分析におけるデータのサンプリング間隔を示す。
点YにおけるMn差分商−点XにおけるMn差分商≧0.015 …式7
次に、本実施形態に係る方向性電磁鋼板の製造方法について説明する。
本実施形態に係る方向性電磁鋼板の製造方法は、上述した「A.方向性電磁鋼板」の項目に記載の方向性電磁鋼板の製造方法である。
スラブの化学組成は、一般的な方向性電磁鋼板における母鋼板の化学組成を得るために、スラブから方向性電磁鋼板への製造途中で変化する含有量等も考慮し、たとえば、以下の範囲とすることができる。なお、スラブの化学組成における各元素の含有量で使用する「%」は、特に断りがない限り、質量%を意味する。「〜」を挟んで記載する数値限定範囲には、下限値および上限値がその範囲に含まれる。
Si:0.80〜7.00%、
Mn:0.05%〜1.00%、
C:0.085%以下、
酸可溶性Al:0.010〜0.065%、
N:0.0040〜0.0120%、
Mn:0.05〜1.00%、
S及びSe:合計で0.003〜0.015%、および
残部:Feおよび不純物。
以下、各元素について説明する。
シリコン(Si)は、方向性電磁鋼板の電気抵抗を高めて鉄損を低下させる。Si含有量が0.80%未満であると、仕上げ焼鈍時にγ変態が生じて、方向性電磁鋼板の結晶方位が損なわれてしまう。
一方、Si含有量が7.00%を超えると、冷間加工性が低下して、冷間圧延時に割れが発生しやすくなる。したがって、好ましいSi含有量は0.80〜7.00%である。Si含有量は、より好ましくは2.00%以上であり、さらに好ましくは2.50%以上である。また、Si含有量は、より好ましくは4.50%以下であり、さらに好ましくは4.00%以下である。
マンガン(Mn)はS又はSeと結合して、MnS、又は、MnSeを生成し、インヒビターとして機能する。Mn含有量が0.05〜1.00%の範囲内にある場合に、二次再結晶が安定する。したがって、好ましいMn含有量は、0.05〜1.00%である。Mn含有量は、好ましくは0.06%以上であり、さらに好ましくは0.07%以上である。
また、Mn含有量は、より好ましくは0.50%以下であり、さらに好ましくは0.20%以下である。
炭素(C)は不可避に含有される。Cは、一次再結晶組織の制御に有効な元素であるものの、磁気特性に悪影響を及ぼす。したがって、C含有量は0.085%以下であることが好ましい。C含有量はなるべく低い方が好ましい。
しかしながら、工業生産における生産性を考慮した場合、C含有量は0.020%以上が好ましく、0.040%以上がより好ましい。
Cは後述の脱炭焼鈍工程及び仕上げ焼鈍工程で純化され、仕上げ焼鈍工程後にはC含有量が0.005%以下となる。
酸可溶性アルミニウム(Al)は、Nと結合して(Al、Si)Nとして析出し、インヒビターとして機能する。酸可溶性Alの含有量が0.010〜0.065%である場合に二次再結晶が安定する。したがって、酸可溶性Alの含有量は0.010〜0.065%であることが好ましい。酸可溶性Al含有量は、より好ましくは0.015%以上であり、さらに好ましくは0.020%以上である。二次再結晶の安定性の観点から、酸可溶性Al含有量は、より好ましくは0.045%以下であり、さらに好ましくは0.035%以下である。
酸可溶性Alは、仕上げ焼鈍後に残留すると化合物を形成し、方向性電磁鋼板の鉄損を劣化させる。そのため、仕上げ焼鈍中の純化により、仕上げ焼鈍後の鋼板に含有される酸可溶性Alをできるだけ少なくすることが好ましい。仕上げ焼鈍の条件によっては、仕上げ焼鈍後の鋼板は、酸可溶性Alを含有しないことがある。
窒素(N)は、Alと結合してインヒビターとして機能する。N含有量が0.0040%未満であれば、十分な量のインヒビターが生成しない。N含有量は、より好ましくは0.0050%以上であり、さらに好ましくは0.0060%以上である。
一方、N含有量が0.0120%を超えれば、鋼板中に欠陥の一種であるブリスタが発生しやすくなる。したがって、好ましいN含有量は0.0040〜0.0120%である。N含有量は、より好ましくは0.0110%以下であり、さらに好ましくは0.0100%以下である。
Nは仕上げ焼鈍工程で純化され、仕上げ焼鈍工程後にはN含有量が0.0050%以下となる。
硫黄(S)及びセレン(Se)は、Mnと結合して、MnS又はMnSeを生成し、インヒビターとして機能する。S及びSeの含有量が合計で0.003〜0.015%であれば、二次再結晶が安定する。したがって、好ましいS及びSeの含有量は合計で0.003〜0.015%である。
S及びSeは仕上げ焼鈍後に残留すると化合物を形成し、方向性電磁鋼板の鉄損を劣化させる。そのため、仕上げ焼鈍中の純化により、仕上げ焼鈍後の鋼板に含有されるS及びSeをできるだけ少なくすることが好ましい。仕上げ焼鈍の条件によっては、仕上げ焼鈍後の鋼板は、SおよびSeを含有しないことがある。
スラブの化学組成は、化合物形成によるインヒビター機能の強化や磁気特性への影響を考慮して、Feの一部に代えて、任意元素を1種または2種以上含有してもよい。Feの一部に代えて含有される任意元素として、たとえば、次の元素が挙げられる。これらの元素は任意元素であり、含有させなくてもよいので、その下限は0%である。
Bi:0.010%以下、
B:0.080%以下、
Ti:0.015%以下、
Nb:0.20%以下、
V:0.15%以下、
Sn:0.50%以下、
Sb:0.50%以下、
Cr:0.30%以下、
Cu:0.40%以下、
P:0.50%以下、
Ni:1.00%以下、及び、
Mo:0.10%以下。
以下では、上述した特に特徴となる工程(中間層形成工程および絶縁皮膜形成工程、並びに中間層絶縁皮膜形成工程)以外の工程における条件は、一般的な条件を例として示したものである。そのため、一般的な条件を充足しなかったとしても、本実施形態に係る方向性電磁鋼板の効果を得ることは可能である。なお、上述したように、第一実施形態の製造方法と、第二実施形態の製造方法との間で異なる点は、第一実施形態の製造方法が中間層形成工程および絶縁皮膜形成工程を備えるのに対し、第二実施形態の製造方法は中間層および絶縁皮膜を一工程で形成する中間層および絶縁皮膜形成工程を備える点である。
1.熱間圧延工程
熱間圧延工程においては、上述した化学組成を有するスラブを800℃〜1300℃の温度域で加熱した後、熱間圧延を施して熱間圧延鋼板を得る。スラブは、例えば、上述したスラブの化学組成を有する鋼を転炉または電気炉等により溶製して、必要に応じて真空脱ガス処理し、次いで連続鋳造または造塊後分塊圧延することによって得られる。スラブの厚さは、特に限定されないが、例えば、150mm〜350mmであり、220mm〜280mmであることが好ましい。また、厚さが、10mm〜70mm程度であるスラブ(いわゆる「薄スラブ」)であってもよい。薄スラブを用いる場合は、熱間圧延工程において、仕上げ圧延前の粗圧延を省略できる。
スラブの加熱温度が低すぎる場合、熱間圧延が困難になって、生産性が低下することがある。そのため、スラブの加熱温度は950℃以上とすることが好ましい。また、スラブ加熱工程そのものを省略して、鋳造後、スラブの温度が下がるまでに熱間圧延を開始することも可能である。
スラブの加熱時間は、40分〜180分とすればよい。
熱間圧延鋼板の板厚は、特に限定されないが、例えば、3.5mm以下とすることが好ましい。
熱延板焼鈍工程においては、熱間圧延鋼板に熱延板焼鈍を施して焼鈍鋼板を得る。熱延板焼鈍条件は、一般的な条件であればよいが、例えば、焼鈍温度(熱延板焼鈍炉での炉温):750℃〜1200℃、焼鈍時間(熱延板焼鈍炉での滞在時間):30秒〜600秒の条件とすることが好ましい。上記条件で保持した後は、急冷するとよい。
冷間圧延工程においては、焼鈍鋼板に一回または中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延を施して冷間圧延鋼板を得る。なお、焼鈍鋼板に対して冷間圧延を実施する前に、焼鈍鋼板に対して酸洗処理を実施してもよい。
脱炭焼鈍工程においては、冷間圧延鋼板に脱炭焼鈍を施して脱炭焼鈍鋼板を得る。具体的には、脱炭焼鈍を施すことで、冷間圧延鋼板に一次再結晶を生じさせ、冷間圧延鋼板中に含まれるCを除去する。脱炭焼鈍は、Cを除去するために、水素および窒素を含有する湿潤雰囲気中で施すことが好ましい。脱炭焼鈍条件は、例えば、脱炭焼鈍温度(脱炭焼鈍を行う炉の温度):800℃〜950℃、脱炭焼鈍時間:30秒〜120秒とすることが好ましい。
仕上げ焼鈍工程においては、脱炭焼鈍鋼板に焼鈍分離材を塗布した状態で加熱する、仕上げ焼鈍を施す。これにより、脱炭焼鈍鋼板において二次再結晶を生じさせる。
中間層形成工程においては、仕上げ焼鈍鋼板に対し熱酸化焼鈍を行う。これにより、仕上げ焼鈍鋼板表面に、酸化珪素を主成分とする中間層を形成する。
中間層は、上述した「A.方向性電磁鋼板 1−1.中間層」の項目に記載された厚さ(2nm〜400nm)に形成することが好ましい。
熱酸化焼鈍温度(熱酸化焼鈍を行う炉の温度):600℃〜1150℃
熱酸化焼鈍時間(熱酸化焼鈍を行う炉内での滞在時間):10秒〜60秒
雰囲気の酸化度(PH2O/PH2):0.0005〜0.2
中間層を2〜400nmの厚さに成膜する観点から、熱酸化焼鈍は、650℃〜1000℃の温度域で15秒〜60秒保持することが好ましく、700℃〜900℃の温度域で25秒〜60秒保持することがより好ましい。
絶縁皮膜形成工程においては、中間層表面にコーティング溶液を塗布して焼き付けた後、窒素および水素ガスの混合雰囲気下で加熱することにより、中間層表面に絶縁皮膜を形成する。
また、コロイド状シリカを含むコーティング溶液としては、例えば、燐酸または燐酸塩、コロイド状シリカ、および無水クロム酸またはクロム酸塩を含むコーティング溶液があげられる。燐酸塩としては、たとえば、Ca、Al、MgおよびSr等の燐酸塩が挙げられる。クロム酸塩としては、例えば、Na、K、Ca、Sr等のクロム酸塩が挙げられる。コロイド状シリカについては特に限定はなく、その粒子サイズも適宜使用することができる。
雰囲気の酸化度(PH2O/PH2):0.001〜0.1
保持温度:800℃〜1150℃
保持時間:10秒〜30秒
第一実施形態の製造方法は、一般的に方向性電磁鋼板の製造方法において行われる工程をさらに有するものでもよい。脱炭焼鈍の開始から、仕上げ焼鈍における二次再結晶の発現までの間に、脱炭焼鈍鋼板のN含有量を増加させる窒化処理を施す窒化処理工程をさらに有してもよい。一次再結晶領域と二次再結晶領域との境界部分の鋼板に与える温度勾配が低くても、方向性電磁鋼板の磁束密度を安定して向上できるためである。窒化処理としては、一般的な処理であればよいが、例えば、アンモニア等の窒化能のあるガスを含有する雰囲気中で焼鈍する処理、MnN等の窒化能のある粉末を含む焼鈍分離材を塗布した脱炭焼鈍鋼板を仕上げ焼鈍する処理等が挙げられる。
第二実施形態の製造方法は、第一実施形態の製造方法における、中間層を形成する工程と絶縁皮膜を形成する工程とを、一工程で行うものである。中間層および絶縁皮膜を一工程で形成すること以外に、第一実施形態の製造方法と違いは無い。そのため、以下、中間層および絶縁皮膜を一工程で形成する、中間層および絶縁皮膜形成工程についてのみ説明する。
コーティング溶液の焼き付け中に、熱酸化による中間層の形成および絶縁皮膜の形成を同時に進行させるには、加熱温度を800℃〜1150℃の温度域とし、酸化度(PH2O/PH2):0.05〜0.18の雰囲気とすることが好ましい。800℃〜1150℃の温度域での保持時間は、10秒〜120秒とすればよい。雰囲気の酸化度は、0.10〜0.15とすることが好ましい。
コーティング溶液、雰囲気中のガスは、第一実施形態の製造方法と同様とすればよい。
(皮膜構造の観察)
方向性電磁鋼板の皮膜構造については、TEM(透過電子顕微鏡)で皮膜の断面を観察して、中間層および絶縁皮膜(絶縁皮膜全体)の状態を観察した。
グロー放電発光分析によるMnの発光強度及びSiの発光強度は、方向性電磁鋼板の表面から板厚方向に向かって、株式会社リガク製のGDA750を用いて、測定径3mmで測定した。得られたMnの発光強度およびSiの発光強度から、Mn規格化発光強度の深さに対するプロファイル(Mnプロファイル)、Mn差分商の深さに対するプロファイル、Si規格化発光強度の深さに対するプロファイル(Siプロファイル)およびSi差分商の深さに対するプロファイルを得た。これらのプロファイルから、点Aの深さ、点Bの深さ、点BにおけるMn規格化発光強度、点B〜点Cの深さ方向の距離、点A〜点Bの深さ方向の距離、点B〜点Dの深さ方向の距離、点W〜点Zの深さ方向の距離および点Y〜点Xの深さ方向の距離を得た。なお、上述した式を用いてこれらの値を算出した。
なお、比較例では、方向性電磁鋼板の表層領域内に、Mn規格化発光強度が0.50以上、且つ、極大である点Bが存在しなかったが(極大点のMn規格化発光強度が0.50未満であったため)、表層領域内の極大点を仮に点Bと定義して、表中に点Bの深さ等を記載した。
絶縁皮膜の密着性試験は、JIS K 5600−5−1(1999)の耐屈曲性試験に準じて実施した。方向性電磁鋼板から、圧延方向に80mm、圧延垂直方向に40mmの試験片を採取した。採取した試験片を直径16mmのマンドレルに巻きつけた。密着性試験には、JIS K 5600−5−1(1999)の耐屈曲性試験に記載されたタイプ1の試験装置を用いて、180°曲げを行った。曲げた後の試験片の曲げ内面について、絶縁皮膜が残存した部分の面積率を測定した。絶縁皮膜の残存率が40%以上の場合を、密着性に優れるとして合格と判定した。絶縁皮膜の残存率が40%未満の場合を、密着性に劣るとして不合格と判定した。
母鋼板の化学組成は、スパーク放電発光分析法:Spark−OES(Spark optical emission spectrometry)を用いて測定した。また、含有量が微量の場合には、必要に応じてICP−MS(Inductively Coupled Plasma−Mass Spectrometry)を用いて測定した。なお、酸可溶性Alは、試料を酸で加熱分解した後の濾液を用いてICP−MSによって測定した。また、CおよびSは燃焼−赤外線吸収法を用い、Nは不活性ガス融解−熱伝導度法を用いて測定した。
後述する実施例1〜16の母鋼板は、Si:0.80%〜7.00%およびMn:0.05%〜1.00%、C:0.005%以下、並びに、N:0.0050%以下を含有し、残部がFeおよび不純物からなるものであった。
表1の実施例1〜8、比較例1〜4は、Siを含有しない絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板の実験例である。これらの実験例のうち、実施例1〜4、実施例7〜8および比較例1〜4は、中間層の形成と絶縁皮膜の形成とを一工程で実施した実験例(第二実施形態の製造方法の実験例)であり、実施例5および6は、中間層の形成と絶縁皮膜の形成とを別工程で実施した実験例(第一実施形態の製造方法の実験例)である。
Si:3.30%、C:0.050%、酸可溶性Al:0.030%、N:0.008%、Mn:0.10%、ならびに、SおよびSe:合計で0.005%を含有し、残部がFeおよび不純物からなる化学組成のスラブを用いた。このスラブを1150℃で60分均熱した後、加熱後のスラブに熱間圧延を施して、板厚が2.8mmの熱間圧延鋼板を得た(熱間圧延工程)。次に、熱間圧延鋼板を、900℃で120秒保持した後、急冷する熱延板焼鈍を施して、焼鈍鋼板を得た(熱延板焼鈍工程)。次に、焼鈍鋼板を酸洗後、冷間圧延を施し、最終板厚が0.23mmの冷間圧延鋼板を得た(冷間圧延工程)。
その後、冷却過程では、酸化度(PH2O/PH2):1000の雰囲気下で、1100℃から500℃まで10時間かけて冷却した。冷却後、ブラシを用いて表面から焼鈍分離材を除去することによって二次再結晶が完了した仕上げ焼鈍鋼板を得た(仕上げ焼鈍工程)。
以上の方法により、実施例1の方向性電磁鋼板を得た。
中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度を、表1に示した条件に変更したこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例2〜4の方向性電磁鋼板を得た。
実施例5および6では、中間層の形成と絶縁皮膜の形成とを別工程で実施した。具体的には、実施例1と同様の方法により得た仕上げ焼鈍鋼板に対して、酸化度(PH2O/PH2):0.01の雰囲気で、870℃まで加熱して60秒間保持することで中間層を形成した。次に、中間層を形成した仕上げ焼鈍鋼板に対して、ホウ酸およびアルミナゾルを含むコーティング溶液(コロイド状シリカを含まないコーティング溶液)を塗布し、酸化度(PH2O/PH2):0.1の雰囲気下で800℃まで加熱した。加熱した仕上げ焼鈍鋼板を、800℃で30秒間保持して絶縁皮膜を焼き付けた後、表1の「中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度」に記載の雰囲気で600℃まで冷却した(実施例5および6については、実際は「絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度」である)。なお、800℃〜600℃の滞留時間は10秒〜60秒であった。
仕上げ焼鈍工程の冷却過程における酸化度、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度、中間層形成時の加熱温度、及び、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度を、表1に示した条件に変更したこと以外は実施例1と同様の方法により、実施例7および8の方向性電磁鋼板を得た。
仕上げ焼鈍工程の冷却過程における酸化度、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度、中間層形成時の加熱温度、及び、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度を、表1に示した条件に変更したこと以外は実施例1と同様にして、比較例1〜4の方向性電磁鋼板を得た。
表2の実施例9〜16、比較例5〜8は、Siを含有する絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板の実験例である。これらの実験例のうち、実施例9〜12、実施例15〜16および比較例5〜8は、中間層の形成と絶縁皮膜の形成とを一工程で実施した実験例(第二実施形態の製造方法の実験例)であり、実施例13および14は、中間層の形成と絶縁皮膜の形成とを別工程で実施した実験例(第一実施形態の製造方法の実験例)である。
仕上げ焼鈍鋼板に塗布するコーティング溶液の組成を変更したこと以外は、実施例1と同様の方法により、実施例9の方向性電磁鋼板を製造した。コーティング溶液は、Alの燐酸塩、コロイド状シリカおよび無水クロム酸を含むコーティング溶液を使用した。
中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度を、表2に示した条件に変更したこと以外は実施例9と同様の方法により、実施例10〜12の方向性電磁鋼板を得た。
実施例13および14では、中間層の形成と絶縁皮膜の形成とを別工程で実施した。具体的には、実施例9と同様の方法により得た仕上げ焼鈍鋼板に対して、酸化度(PH2O/PH2):0.01の雰囲気で、870℃まで加熱して60秒間保することで中間層を形成した。次に、中間層を形成した仕上げ焼鈍鋼板に対して、Alの燐酸塩、コロイド状シリカおよび無水クロム酸を含むコーティング溶液を塗布し、酸化度(PH2O/PH2):0.1の雰囲気800℃まで加熱した。加熱した鋼板を、当該温度で30秒間保持して絶縁皮膜を焼き付けた後、表2の「中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度」に記載の雰囲気で600℃まで冷却した(実施例13および14については、実際は「絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度」である)。なお、800℃〜600℃の滞留時間は10秒〜60秒であった。
仕上げ焼鈍工程の冷却過程における酸化度、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度、中間層形成時の加熱温度、及び、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度を、表2に示した条件に変更したこと以外は実施例9と同様の方法により、実施例15および16の方向性電磁鋼板を得た。
仕上げ焼鈍工程の冷却過程における酸化度、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度、中間層形成時の加熱温度、及び、中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度を、表2に示した条件に変更したこと以外は実施例9と同様の方法により、比較例5〜8の方向性電磁鋼板を得た。
評価結果を表1及び表2にまとめた。なお、表1の実施例5および6、表2の実施例13および14については、「中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度」の欄に、「絶縁皮膜形成工程の冷却過程における酸化度」を記載している。
また、図2に実施例1(Siを含有しない絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板)のMn規格化発光強度の深さに対するプロファイル(Mnプロファイル)を示し、図4に実施例14(Siを含有する絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板)のMn規格化発光強度の深さに対するプロファイル(Mnプロファイル)及びSi規格化発光強度の深さに対するプロファイル(Siプロファイル)を示し、図5に実施例14(Siを含有する絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板)のMn差分商の深さに対するプロファイル及びSi差分商の深さに対するプロファイルを示す。
(1)表層領域内の点Aと点Bとの間に存在する、Mn規格化発光強度が極小である点Cと、点Bとが式2(点BにおけるMn規格化発光強度−点CにおけるMn規格化発光強度≧0.05)を満たす。
(2)点A〜点Bの深さ方向の距離が0〜10.0μmである。
(3)Siを含有しない絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板の実施例(すなわち実施例1〜8)については、方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたSiの発光強度および測定時間のデータから得られる、Si規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、表層領域にSi規格化発光強度が極大値である点Dを有し、点B〜点Dの深さ方向の距離が0〜1.0μmである。
(4)Siを含有する絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板の実施例(すなわち実施例9〜16)については、Si規格化発光強度から得られるSi差分商の深さに対するプロファイルにおいて、表層領域において、Si差分商が極小であり、且つSi差分商が−0.5以下である点を点Vと定め、Si差分商が極大であり、点Vより絶縁皮膜の表面側に存在し、且つ点Vに一番近い点を点Zと定め、Mn規格化発光強度から得られるMn差分商の深さに対するプロファイルにおいて、表層領域において、Mn差分商が極大値である点を点Yと定め、Mn差分商が最小である点を点Xと定め、点X〜点Yの領域に存在し、Mn差分商が0である点を点Wと定めた場合に、点W〜点Zの深さ方向の距離が0〜1.0μmであり、点YにおけるMn差分商および点XにおけるMn差分商が式7(点YにおけるMn差分商−点XにおけるMn差分商≧0.015)の関係を満たす。
即ち、母鋼板が化学成分としてSiおよびMnを含有し、母鋼板表面に仕上げ焼鈍皮膜が実質的に存在せず、母鋼板表面に酸化珪素を主成分とする中間層を有し、中間層表面に絶縁皮膜を有する方向性電磁鋼板であるものの、方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたMnの発光強度および測定時間のデータから得られるMn規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、Mn規格化発光強度が0.9である点のうち、深さが最大である点を点Aと定め、絶縁皮膜の表面〜点Aの深さの領域を表層領域と定めた場合に、表層領域内に、Mn規格化発光強度が0.50以上、且つ、極大である点Bを有しない方向性電磁鋼板は、絶縁皮膜の密着性が十分ではなかった。
スラブの化学組成を表3に示す化学組成に変更し、表4に示す条件により方向性電磁鋼板を得た。なお、表3に示す条件以外の条件は実施例1と同様とした。
なお、実施例17〜20の母鋼板は、Si:0.80%〜7.00%およびMn:0.05%〜1.00%、C:0.005%以下、並びに、N:0.0050%以下を含有し、残部がFeおよび不純物からなるものであった。
2A 仕上げ焼鈍皮膜
2B 中間層
3 絶縁皮膜
a ピーク部
b 谷部
Claims (8)
- SiおよびMnを含有する母鋼板と、
前記母鋼板の表面上に配され、酸化珪素を主成分とする中間層と、
前記中間層の表面上に配された絶縁皮膜と、を備える方向性電磁鋼板であって、
前記母鋼板の表面上に仕上げ焼鈍皮膜が実質的に存在せず、
表層領域において、
前記表層領域よりも深い領域における前記母鋼板の平均Mn含有量よりもMn含有量の低いMn含有量の谷部を有するMn欠乏層を有し、
前記Mn欠乏層よりも前記絶縁皮膜の表面に近い領域に前記Mn含有量の谷部よりもMn含有量の高いMn含有量のピーク部を有するMn濃化層を有する
ことを特徴とする方向性電磁鋼板。 - 前記方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたMnの発光強度および測定時間のデータから、下記式1−1および式1−2を用いて算出されるMn規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、前記Mn規格化発光強度が0.9である点のうち、深さが最大である点を点Aと定めた場合に、
前記表層領域は、前記絶縁皮膜の前記表面〜前記点Aの深さの領域であり、
前記表層領域内に、前記Mn規格化発光強度が0.50以上、且つ、極大である点Bを有し、
前記表層領域内の前記点Aと前記点Bとの間に、前記Mn規格化発光強度が極小である点Cを有し、
前記Mn含有量の谷部は、前記点Cの前後0.1μmの深さの領域であり、
前記Mn含有量のピーク部は、前記点Bの前後0.1μmの深さの領域であり、
前記点Bの深さと前記点Cの深さとの中間の深さを境界深さと定め、前記境界深さにおけるMn規格化発光強度を境界Mn規格化発光強度と定めた場合に、
前記Mn欠乏層は、
前記境界深さ〜点Aの深さの領域であり、
前記Mn濃化層は、
前記点Bより前記絶縁皮膜の前記表面側に存在し、前記境界Mn規格化発光強度と同じMn規格化発光強度を有する点の深さ〜前記境界深さの領域である
ことを特徴とする請求項1に記載の方向性電磁鋼板。
各測定点の深さdμm=測定終了後の単位μmでの実測深さ/測定終了までの単位秒での時間×測定点の単位秒での測定時間 …式1−1
深さdμmにおけるMn規格化発光強度=深さdμmにおけるMnの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるMnの平均発光強度 …式1−2 - 前記表層領域内の前記点Bおよび前記点Cが下記式2の関係を満たすことを特徴とする請求項2に記載の方向性電磁鋼板。
点BにおけるMn規格化発光強度−点CにおけるMn規格化発光強度≧0.05 …式2 - 下記式3から算出される前記点A〜前記点Bの深さ方向の距離が0〜10.0μmであることを特徴とする請求項2又は3に記載の方向性電磁鋼板。
点A〜点Bの単位μmでの深さ方向の距離=点Bにおける単位μmでの深さ−点Aにおける単位μmでの深さ …式3 - 前記絶縁皮膜がSiを含有せず、
前記方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたSiの発光強度および測定時間のデータから、下記式2−1および式2−2を用いて算出されるSi規格化発光強度の深さに対するプロファイルにおいて、前記表層領域に前記Si規格化発光強度が極大である点Dを有し、
下記式4から算出される前記点B〜前記点Dの深さ方向の距離が0〜1.0μmである
ことを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板。
各測定点の深さdμm=測定終了後の単位μmでの実測深さ/測定終了までの単位秒での時間×測定点の単位秒での測定時間 …式2−1
深さdμmにおけるSi規格化発光強度=深さdμmにおけるSiの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるSiの平均発光強度 …式2−2
点B〜点Dの単位μmでの深さ方向の距離=点Bにおける単位μmでの深さ−点Dにおける単位μmでの深さ …式4 - 前記絶縁皮膜がSiを含有し、
前記方向性電磁鋼板に対するグロー放電発光分析により測定されたSiの発光強度および測定時間のデータから、下記式2−1および式2−2を用いて算出されるSi規格化発光強度の深さに対するプロファイルと、下記式5−1とを用いて算出されるSi差分商の深さに対するプロファイルにおいて、
前記表層領域において、前記Si差分商が負の値である領域に、前記Si差分商が極小であり、且つ前記Si差分商が−0.5以下である点を点Vと定め、前記Si差分商が極大であり、前記点Vより前記絶縁皮膜の表面側に存在し、且つ前記点Vに一番近い点を点Zと定め、
前記Mn規格化発光強度から下記式5−2を用いて算出されるMn差分商の深さに対するプロファイルにおいて、
前記表層領域において、前記Mn差分商が最大である点を点Yと定め、前記Mn差分商が最小である点を点Xと定め、
前記点X〜前記点Yの領域に存在し、前記Mn差分商が0である点を点Wと定めた場合に、
下記式6から算出される前記点W〜前記点Zの深さ方向の距離が0〜1.0μmであり、
前記点YにおけるMn差分商および前記点XにおけるMn差分商が下記式7の関係を満たす
ことを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板。
各測定点の深さdμm=測定終了後の単位μmでの実測深さ/測定終了までの単位秒での時間×測定点の単位秒での測定時間 …式2−1
深さdμmにおけるSi規格化発光強度=深さdμmにおけるSiの発光強度/深さ25μm〜30μmにおけるSiの平均発光強度 …式2−2
深さdμmにおけるSi差分商={深さdμmにおけるSi規格化発光強度−深さ(d−h)μmにおけるSi規格化発光強度}/hμm …式5−1
深さdμmにおけるMn差分商={深さdμmにおけるMn規格化発光強度−深さ(d−h)μmにおけるMn規格化発光強度}/hμm …式5−2
点W〜点Zの単位μmでの深さ方向の距離=点Wにおける単位μmでの深さ−点Zにおける単位μmでの深さ …式6
点YにおけるMn差分商−点XにおけるMn差分商≧0.015 …式7
ただし、前記式5−1および式5−2において、hは、グロー放電発光分析におけるデータのμmでのサンプリング間隔を示す。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法であって、
SiおよびMnを含有するスラブを加熱した後、熱間圧延を施して熱間圧延鋼板を得る熱間圧延工程と、
前記熱間圧延鋼板に熱延板焼鈍を施して焼鈍鋼板を得る熱延板焼鈍工程と、
前記焼鈍鋼板に一回または中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延を施して冷間圧延鋼板を得る冷間圧延工程と、
前記冷間圧延鋼板に脱炭焼鈍を施して脱炭焼鈍鋼板を得る脱炭焼鈍工程と、
前記脱炭焼鈍鋼板の表面に、MgO含有量が10質量%〜50質量%である焼鈍分離材を塗布した状態で加熱した後に、前記表面の焼鈍分離材を除去することにより仕上げ焼鈍鋼板を得る仕上げ焼鈍工程と、
前記仕上げ焼鈍鋼板に熱酸化焼鈍を施して前記仕上げ焼鈍鋼板の表面に中間層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層上に絶縁皮膜を形成する絶縁皮膜形成工程と、備え、
前記仕上げ焼鈍工程の冷却過程において、
仕上げ焼鈍温度が1100℃以上の場合はT1を1100℃とし、仕上げ焼鈍温度が1100℃未満の場合はT1を前記仕上げ焼鈍温度として、
前記T1〜500℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.3〜100000の雰囲気下で冷却し、
前記絶縁皮膜形成工程の冷却過程において、
800℃〜600℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.10〜0.30の雰囲気下で、滞留時間を10秒〜60秒として冷却する
ことを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の方向性電磁鋼板の製造方法であって、
SiおよびMnを含有するスラブを加熱した後、熱間圧延を施して熱間圧延鋼板を得る熱間圧延工程と、
前記熱間圧延鋼板に熱延板焼鈍を施して焼鈍鋼板を得る熱延板焼鈍工程と、
前記焼鈍鋼板に一回または中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延を施して冷間圧延鋼板を得る冷間圧延工程と、
前記冷間圧延鋼板に脱炭焼鈍を施して脱炭焼鈍鋼板を得る脱炭焼鈍工程と、
前記脱炭焼鈍鋼板の表面に、MgO含有量が10質量%〜50質量%である焼鈍分離材を塗布した状態で加熱した後に、前記表面の焼鈍分離材を除去することにより仕上げ焼鈍鋼板を得る仕上げ焼鈍工程と、
前記仕上げ焼鈍鋼板の表面に中間層および絶縁皮膜を一工程で形成する中間層および絶縁皮膜形成工程を有し、
前記仕上げ焼鈍工程の冷却過程において、
仕上げ焼鈍温度が1100℃以上の場合はT1を1100℃とし、仕上げ焼鈍温度が1100℃未満の場合はT1を前記仕上げ焼鈍温度として、
T1〜500℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.3〜100000の雰囲気下で冷却し、
前記中間層および絶縁皮膜形成工程において、
800℃〜1150℃の温度域の雰囲気を、酸化度(PH2O/PH2):0.05〜0.18とし、
前記中間層および絶縁皮膜形成工程の冷却過程において、
800℃〜600℃の温度域を、酸化度(PH2O/PH2):0.10〜0.30の雰囲気下で、滞留時間を10秒〜60秒として冷却する
ことを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
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