JPWO2020145296A1 - 表示パネルおよび表示装置 - Google Patents
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Abstract
本開示の一実施形態に係る表示パネルは、可撓性基板（４１）と、複数の自発光素子（４４Ａ）と、可撓性基板（４１）と複数の自発光素子（４４Ａ）との間に設けられた複数のＴＦＴ回路（４３Ａ）と、各ＴＦＴ回路（４３Ａ）を覆う第１無機膜（４３Ｂ）と、各自発光素子（４４Ａ）を覆う第２無機膜（４５）と、第２無機膜（４５）を覆うとともに、第１無機膜（４３Ｂ）のうち少なくとも、第２無機膜（４５）の端縁と接する箇所を覆う樹脂層（４６）とを備えている。第１無機膜（４３Ｂ）は、複数のＴＦＴ回路（４３Ａ）と複数の自発光素子（４４Ａ）との間に設けられており、可撓性基板（４１）の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部（４３Ｃ）を有している。
Description
本開示は、表示パネルおよび表示装置に関する。
有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子などの自発光素子を用いた表示パネルでは、自発光素子の駆動にＴＦＴ(thin-film-transistor)が用いられる。表示パネルの額縁部分には、ＴＦＴ由来の無機膜が存在している（例えば、下記の特許文献１〜５参照）。
ところで、上述した表示パネルにおいて、可撓性の基板を用いることで、表示パネルに可撓性を持たせることが可能である。しかし、表示パネルに可撓性を持たせた場合、表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりしたときに、表示パネルの額縁部分の無機膜にクラックが生じやすい。無機膜にクラックが生じると、そのクラックを介して外部から水分が侵入し、滅点などの表示不良が生じるおそれがある。従って、無機膜に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することの可能な表示パネルおよび表示装置を提供することが望ましい。
本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルは、可撓性基板と、可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、第１主面と複数の自発光素子との間に設けられ、自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ回路とを備えている。第１の表示パネルは、複数のＴＦＴ回路と複数の自発光素子との間に設けられ、各ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、各自発光素子を覆う第２無機膜と、第２無機膜を覆うとともに、第１無機膜のうち少なくとも、第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層とを備えている。
本開示の一実施形態に係る第１の表示装置は、第１の表示パネルと、第１の表示パネルを駆動する駆動部とを備えている。
本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルおよび第１の表示装置では、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部が、各ＴＦＴ回路を覆う第１無機膜に設けられている。これにより、例えば、第１の表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、第１無機膜の端縁にクラックが生じたときには、段差部によって、クラックの延伸が抑制される。また、本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルおよび第１の表示装置では、各自発光素子を覆う第２無機膜が樹脂層によって覆われている。さらに、第１無機膜のうち少なくとも、第２無機膜の端縁と接する箇所も樹脂層によって覆われている。これにより、第１無機膜の端縁に生じたクラックが段差部を超えて延伸してきた場合であっても、第１無機膜および第２無機膜のうち樹脂層によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層によって抑制される。
本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルは、可撓性基板と、可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、第１主面と複数の自発光素子との間に設けられ、自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ回路とを備えている。第２の表示パネルは、さらに、可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、第１主面を覆っており、さらに、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層とを備えている。
本開示の一実施形態に係る第２の表示装置は、第２の表示パネルと、第２の表示パネルを駆動する駆動部とを備えている。
本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルおよび第２の表示装置では、可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部が、可撓性基板の第１主面を覆う無機膜に設けられている。これにより、例えば、第２の表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、無機膜の端縁にクラックが生じたときには、段差部によって、クラックの延伸が抑制される。また、本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルおよび第２の表示装置では、無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所が樹脂層によって覆われている。これにより、無機膜の端縁に生じたクラックが段差部を超えて延伸してきた場合であっても、無機膜のうち樹脂層によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層によって抑制される。
本開示の一実施形態に係る第１の表示パネルおよび第１の表示装置によれば、クラックの延伸を段差部および樹脂層によって抑制するようにしたので、第１の無機膜に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
本開示の一実施形態に係る第２の表示パネルおよび第２の表示装置によれば、クラックの延伸を段差部および樹脂層によって抑制するようにしたので、無機膜に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示装置）
２．変形例（表示装置）
１．実施の形態（表示装置）
２．変形例（表示装置）
＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成例を表したものである。表示装置１は、例えば、表示パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。図２は、表示パネル１０とコントローラ２０およびドライバ３０との接続態様例を表したものである。図３は、表示装置１に設けられた各画素１１の回路構成例を表したものである。
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成例を表したものである。表示装置１は、例えば、表示パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。図２は、表示パネル１０とコントローラ２０およびドライバ３０との接続態様例を表したものである。図３は、表示装置１に設けられた各画素１１の回路構成例を表したものである。
表示パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。複数の画素１１は、表示パネル１０における表示領域１０Ａに設けられている。表示領域１０Ａは、表示パネル１０の映像表示面に相当する。表示パネル１０において、表示領域１０Ａの周囲には、額縁領域１０Ｂが設けられている。額縁領域１０Ｂは、表示領域１０Ａを囲む環形状となっており、額縁領域１０Ｂの一辺には、複数の実装端子５３が設けられている。複数の実装端子５３は、複数の画素１１と、ＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）５２とに電気的に接続されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、制御基板５１に実装されており、ＦＰＣ５２を介して、表示パネル１０（複数の画素１１）と電気的に接続されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎに基づいて、表示パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎに基づく画像を表示領域１０Ａに表示する。表示パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
表示パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎに基づく画像を表示領域１０Ａに表示する。表示パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧の、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧を含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
表示パネル１０に設けられた複数の画素１１には、赤色光を発する画素１１、緑色光を発する画素１１、および青色光を発する画素１１が含まれている。赤色光を発する画素１１、緑色光を発する画素１１、および青色光を発する画素１１は、カラー画像の表示単位である表示画素を構成している。なお、各表示画素には、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する画素１１が含まれていてもよい。また、各表示画素には、例えば、同色の複数の画素１１（例えば、青色光を発する２つの画素１１）が含まれていてもよい。
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
各画素１１は、画素回路１１−１と、有機電界発光素子１１−２とを有している。有機電界発光素子１１−２の構成については、後に詳述する。
画素回路１１−１は、有機電界発光素子１１−２の発光・消光を制御する。画素回路１１−１は、書込走査によって各画素１１に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１１−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
書き込みトランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧の印加を制御する。具体的には、書き込みトランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１１−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１１−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書き込みトランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１１−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧を一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１１−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書き込みトランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
書き込みトランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書き込みトランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子１１−２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子１１−２側の端子に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいし、スタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。
（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧を、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の画素１１を所定の単位ごとに走査する。
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧を、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の画素１１を所定の単位ごとに走査する。
（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧を生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧を水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、映像信号Ｄｉｎから得られた制御信号に応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧を生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧を水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、映像信号Ｄｉｎから得られた制御信号に応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
次に、図４、図５を参照して、表示パネル１０の断面構成について説明する。図４は、図３のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。図５は、図３のＢ−Ｂ線での断面構成例を表したものである。
表示パネル１０は、可撓性基板４１と、可撓性基板４１の表面４１Ａ（第１主面）側に複数の有機電界発光素子４４Ａとを有している。可撓性基板４１は、例えば、樹脂製のフィルムやシートによって構成されている。可撓性基板４１は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂によって構成されている。有機電界発光素子４４Ａは、上述の有機電界発光素子１１−２に相当する。
表示パネル１０は、可撓性基板４１の表面４１Ａと複数の有機電界発光素子４４Ａとの間に設けられたＴＦＴ回路４３Ａを有している。ＴＦＴ回路４３Ａは、有機電界発光素子４４Ａを駆動する。ＴＦＴ回路４３Ａは、上述の画素回路１１−１に相当する。
表示パネル１０は、複数のＴＦＴ回路４３Ａと複数の有機電界発光素子４４Ａとの間に設けられた無機絶縁膜４３Ｂ（第１無機膜）を有している。無機絶縁膜４３Ｂは、各ＴＦＴ回路４３Ａを覆っている。無機絶縁膜４３Ｂは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成されている。
無機絶縁膜４３Ｂは、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部４３Ｃを有している。無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所は、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所よりも薄くなっている。可撓性基板４１の端縁と対向する箇所と、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所との厚さの違いによって、段差部４３Ｃが形成されている。段差部４３Ｃは、額縁領域１０Ｂに形成されている。段差部４３Ｃは、少なくとも、各実装端子５３と非対向の位置に形成されており、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺を除く３辺に形成されている。各実装端子５３は、無機絶縁膜４３Ｂの表面のうち、段差部４３Ｃの形成されていない平坦な領域に形成されており、無機絶縁膜４３Ｂの表面に露出している。なお、表示パネル１０が、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する方向にだけ折り曲げ可能に構成されている場合には、段差部４３Ｃは、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する２辺に形成されている。
表示パネル１０は、各有機電界発光素子４４Ａを覆う無機絶縁膜４５（第２無機膜）と、無機絶縁膜４５を覆うとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆う樹脂層４６とを有している。無機絶縁膜４５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成されている。樹脂層４６の端縁が、段差部４３Ｃ上に形成されていてもよい。このとき、樹脂層４６は、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接している。樹脂層４６は、接着層としても機能するものであり、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。樹脂層４６は、例えば、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などによって構成されていてもよい。
表示パネル１０において、複数の有機電界発光素子４４Ａは、開口規定絶縁部４４Ｂによって相互に分離され、輪郭が規定された複数の有機電界発光素子４４Ａが、画素１１に対応して１つずつ配置されている。開口規定絶縁部４４Ｂと、複数の有機電界発光素子４４Ａとは、同一面内に形成されており、ＥＬ素子層４４を構成している。
表示パネル１０は、可撓性基板４１と、複数のＴＦＴ回路４３Ａとの間にＵＣバリア層４２を有している。ＵＣバリア層４２は、可撓性基板４１の表面４１Ａ全体を覆っている。ＵＣバリア層４２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成された無機絶縁膜である。ＵＣバリア層４２は、単層であってもよいし、互いに異なる材料が積層された積層体であってもよい。
表示パネル１０は、可撓性基板４１と対向配置され、樹脂層４６に接する封止層４７を有している。封止層４７は、例えば、エポキシ樹脂や、ビニル系樹脂などの樹脂材料によって形成されている。封止層４７に対して、光学的な機能が付与されていてもよい。封止層４７は、例えば、偏光板であってもよい。
表示パネル１０は、可撓性基板４１の裏面４１Ｂ側に、樹脂層４８および補強層４９を可撓性基板４１の裏面４１Ｂ側からこの順に有している。樹脂層４８は、可撓性基板４１の裏面４１Ｂ全体を覆っている。樹脂層４８は、例えば、可撓性基板４１と補強層４９とを互いに接着する接着層として機能するものであり、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。補強層４９は、表示パネル１０の強度を保つ補強部材であり、かつ、表示パネル１０の背面を保護する保護部材でもある。補強層４９は、例えば、ＰＥＴやＰＩなどの樹脂材料、または、Ａｌ、Ｃｕ、ＳＵＳなどの金属材料などによって形成されている。
図６は、段差部４３Ｃを拡大して表したものである。無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所の厚さをｔｂとし、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所の厚さをｔａとする。また、無機絶縁膜４３Ｂのうち無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所と、無機絶縁膜４３Ｂの端縁との間の長さをＷａとし、段差部４３Ｃと、無機絶縁膜４３Ｂの端縁との間の長さをＷｂとする。このとき、ｔｂは、ｔａの３％以上５０％以下の範囲内の大きさとなっていることが好ましい。また、Ｗａは、狭額縁のパネルにおいて実用的な範囲内となっており、例えば、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下となっている。Ｗｂの下限は、初期に発生したクラックが段差部４３Ｃに到達しない最低限の大きさとなっており、例えば、０．１ｍｍとなっている。Ｗｂの上限は、Ｗａとして採り得る最大値の半分の大きさとなっており、例えば、５ｍｍとなっている。
図７は、段差部４３Ｃの設計モデルについて説明したものである。図７（Ａ）に示したように、板状の物体を両側から力Ｆで引っ張った場合に、引張方向に直交する断面にかかる応力σ0は、Ｆ／（Ｂｔ）で表される。ここで、Ｂは、物体の幅であり、ｔは、物体の厚さである。また、図７（Ｂ）に示したように、物体に、初期亀裂として楕円状の孔が形成されている場合に、物体を両側から力Ｆで引っ張るとする。このとき、楕円状の孔の長手方向の長さを２ａとし、楕円状の孔の短手方向の長さを２ｂとし、楕円状の孔の先端の曲率半径をρ（＝ｂ2／ａ）とすると、楕円状の孔の先端にかかる応力σmaxは、σ0×（１＋２（ａ／ρ）1/2）で表される。
ここで、σmaxは、１／ｔに比例することから、無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所に楕円状の孔が形成されたときに楕円状の孔の先端にかかる応力σmax1と、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所に楕円状の孔が形成されたときに楕円状の孔の先端にかかる応力σmax2とは、以下の関係となる。
σmax1／σmax2＝ｔ２／ｔ１
σmax1／σmax2＝ｔ２／ｔ１
従って、膜に加わる応力がある限度を超えると亀裂が生じると考えると、例えば、ｔａをｔｂの２倍にした場合には、無機絶縁膜４３Ｂにおいて、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所と比べて、無機絶縁膜４３Ｂにおいて、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所での亀裂の出来にくさを、２倍にすることが可能となる。
[製造方法]
次に、表示パネル１０の製造方法について説明する。図８Ａ〜図８Ｆは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
次に、表示パネル１０の製造方法について説明する。図８Ａ〜図８Ｆは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
まず、大判の支持ガラス１００上に、可撓性基板４１、ＵＣバリア層４２およびＴＦＴ層４３を形成する（図８Ａ）。続いて、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、ＥＬ素子層４４および無機絶縁膜４５を形成する（図８Ａ）。次に、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、無機絶縁膜４５に対して、樹脂層４６を介して封止層４７を貼り合わせる（図８Ｂ）。その後、大判の支持ガラス１００を、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに分断する（図８Ｃ（ａ），図８Ｃ（ｂ））。なお、図８Ｃ（ａ）には、図２のＡ−Ａ線に対応する箇所での断面構成例が表されており、図８Ｃ（ｂ）には、図２のＢ−Ｂ線に対応する箇所での断面構成例が表されている。
次に、封止層４７をマスクとして、ＴＦＴ層４３における無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする（図８Ｄ（ａ），図８Ｄ（ｂ））。これにより、無機絶縁膜４３Ｂに対して段差部４３Ｃを形成する。段差部４３Ｃの形成時（すなわち、封止層４７をマスクとした無機絶縁膜４３Ｂの選択的エッチング時）において、無機絶縁膜４３Ｂを所望の厚さｔｂで残存させるために、例えば、予め取得した無機絶縁膜４３Ｂのエッチングレートからエッチング時間を算定して無機絶縁膜４３Ｂのエッチングを行う。このとき、各実装端子５３の表面が露出する。次に、複数の実装端子５３に対してＦＰＣ５２を実装する（図８Ｅ（ａ），図８Ｅ（ｂ））。そして、最後に、支持ガラス１００を剥離させた後、可撓性基板４１の裏面に補強層４９を樹脂層４８で貼合する（図８Ｆ（ａ），図８Ｆ（ｂ））。このようにして、本実施の形態に係る表示パネル１０が製造される。
表示パネル１０は、上記以外の方法で製造することが可能である。図９Ａ〜図９Ｈは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
まず、大判の支持ガラス１００上に、可撓性基板４１、ＵＣバリア層４２およびＴＦＴ層４３を形成する（図９Ａ）。続いて、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、ＥＬ素子層４４および無機絶縁膜４５を形成する（図９Ａ）。次に、無機絶縁膜４５を含む表面全体に対して、樹脂層１３０を介して支持フィルム１２０を貼り合わせた後、支持ガラス１００を剥離させた（図９Ｂ）。次に、可撓性基板４１の裏面に補強層４９を樹脂層４８で貼合する（図９Ｃ）。
次に、支持フィルム１２０および樹脂層１３０を剥離させた後（図９Ｄ）、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、無機絶縁膜４５に対して、樹脂層４６を介して封止層４７を貼り合わせる（図９Ｅ）。次に、封止層４７をマスクとして、ＴＦＴ層４３における無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする（図９Ｆ）。これにより、無機絶縁膜４３Ｂに対して段差部４３Ｃを形成する。このとき、各実装端子５３の表面が露出する。次に、可撓性基板４１を、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに分断する（図９Ｇ（ａ），図９Ｇ（ｂ））。なお、図９Ｇ（ａ）には、図２のＡ−Ａ線に対応する箇所での断面構成例が表されており、図９Ｇ（ｂ）には、図２のＢ−Ｂ線に対応する箇所での断面構成例が表されている。そして、最後に、複数の実装端子５３に対してＦＰＣ５２を実装する（図９Ｈ（ａ），図９Ｈ（ｂ））。このようにして、本実施の形態に係る表示パネル１０が製造される。
表示パネル１０は、上記以外の方法で製造することが可能である。図１０Ａ〜図１０Ｃは、表示パネル１０の製造過程の一例を表す断面図である。
まず、図９Ａ〜図９Ｃに記載のプロセスと同様のプロセスを実施する。次に、可撓性基板４１を表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに分断する（図１０Ａ（ａ），図１０Ａ（ｂ））。なお、図１０Ａ（ａ）には、図２のＡ−Ａ線に対応する箇所での断面構成例が表されており、図１０Ａ（ｂ）には、図２のＢ−Ｂ線に対応する箇所での断面構成例が表されている。次に、支持フィルム１２０および樹脂層１３０を剥離させた後（図１０Ｂ（ａ），図１０Ｂ（ｂ））、表示パネル１０の大きさに対応する領域ごとに、無機絶縁膜４５に対して、樹脂層４６を介して封止層４７を貼り合わせる（図１０Ｃ（ａ），図１０Ｃ（ｂ））。
次に、封止層４７をマスクとして、ＴＦＴ層４３における無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする（図９Ｇ（ａ），図９Ｇ（ｂ））。これにより、無機絶縁膜４３Ｂに対して段差部４３Ｃを形成する。このとき、各実装端子５３の表面が露出する。そして、最後に、複数の実装端子５３に対してＦＰＣ５２を実装する（図９Ｈ（ａ），図９Ｈ（ｂ））。このようにして、本実施の形態に係る表示パネル１０が製造される。
[効果]
次に、本実施の形態に係る表示パネル１０および表示装置１の効果について説明する。
次に、本実施の形態に係る表示パネル１０および表示装置１の効果について説明する。
有機ＥＬ素子などの自発光素子を用いた表示パネルでは、自発光素子の駆動にＴＦＴが用いられる。表示パネルの額縁部分には、ＴＦＴ由来の無機膜が存在している。ところで、このような表示パネルにおいて、可撓性の基板を用いることで、表示パネルに可撓性を持たせることが可能である。しかし、表示パネルに可撓性を持たせた場合、表示パネルを持ち運んだり、意図的に曲げたりしたときに、表示パネルの額縁部分の無機膜にクラックが生じやすい。無機膜にクラックが生じると、そのクラックを介して外部から水分が侵入し、滅点などの表示不良が生じるおそれがある。
一方、本実施の形態では、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部４３Ｃが、各ＴＦＴ回路４３Ａを覆う無機絶縁膜４３Ｂに設けられている。これにより、例えば、表示パネル１０を持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、無機絶縁膜４３Ｂの端縁にクラックが生じたときには、段差部４３Ｃによって、クラックの延伸が抑制される。また、本実施の形態では、各有機電界発光素子４４Ａを覆う無機絶縁膜４５が樹脂層４６によって覆われている。さらに、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所も樹脂層４６によって覆われている。これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｃを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
また、本実施の形態では、樹脂層４６の端縁が、段差部４３Ｃ上に形成されている。このとき、樹脂層４６は、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接している。これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｃを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
また、本実施の形態では、段差部４３Ｃは、少なくとも、各実装端子５３と非対向の位置に形成されている。このように、表示パネル１０のうち意図的な曲げが想定されていない箇所にまで段差部４３Ｃを設けないようにすることにより、各実装端子５３を平坦な箇所に設けることができる。その結果、各実装端子５３に対する、ＦＰＣ５２の接続容易性を確保することができる。
＜２．変形例＞
以下に、上記実施の形態に係る表示パネル１０の変形例について説明する。
以下に、上記実施の形態に係る表示パネル１０の変形例について説明する。
[変形例Ａ]
図１１は、図４のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態において、無機絶縁膜４３Ｂのうち、段差部４３Ｃおよびその近傍が、樹脂層４６で覆われておらず、露出していてもよい。このようにした場合であっても、樹脂層４６は、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆っている。ここで、樹脂層４６の端縁は、無機絶縁膜４３Ｂの表面において、無機絶縁膜４５の端縁と、段差部４３Ｃとの間の領域内で接しており、樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。
図１１は、図４のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態において、無機絶縁膜４３Ｂのうち、段差部４３Ｃおよびその近傍が、樹脂層４６で覆われておらず、露出していてもよい。このようにした場合であっても、樹脂層４６は、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆っている。ここで、樹脂層４６の端縁は、無機絶縁膜４３Ｂの表面において、無機絶縁膜４５の端縁と、段差部４３Ｃとの間の領域内で接しており、樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。
これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｃを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６（さらには段差部４３Ｄ）によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
[変形例Ｂ]
図１２、図１３は、図４のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Ａにおいて、表示パネル１０が、ＵＣバリア層４２と、ＴＦＴ層４３との間に、樹脂層５４およびＵＣバリア層５７を有していてもよい。樹脂層５４は、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。ＵＣバリア層５７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成された無機絶縁膜である。ＵＣバリア層５７は、単層であってもよいし、互いに異なる材料が積層された積層体であってもよい。これにより、例えば、表示パネル１０を持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、ＵＣバリア層４２またはＵＣバリア層５７にクラックが生じたときには、無機絶縁膜４３Ｂや無機絶縁膜４５と、ＵＣバリア層４２との間に樹脂層５４が設けられていることにより、クラックの無機絶縁膜４３Ｂや無機絶縁膜４５への延伸が抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
図１２、図１３は、図４のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Ａにおいて、表示パネル１０が、ＵＣバリア層４２と、ＴＦＴ層４３との間に、樹脂層５４およびＵＣバリア層５７を有していてもよい。樹脂層５４は、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。ＵＣバリア層５７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料によって構成された無機絶縁膜である。ＵＣバリア層５７は、単層であってもよいし、互いに異なる材料が積層された積層体であってもよい。これにより、例えば、表示パネル１０を持ち運んだり、意図的に曲げたりした場合に、ＵＣバリア層４２またはＵＣバリア層５７にクラックが生じたときには、無機絶縁膜４３Ｂや無機絶縁膜４５と、ＵＣバリア層４２との間に樹脂層５４が設けられていることにより、クラックの無機絶縁膜４３Ｂや無機絶縁膜４５への延伸が抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
[変形例Ｃ]
図１４は、図４のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。図１４には、図１２に記載の断面構成の一変形例が示されている。上記変形例Ｂでは、段差部４３Ｃが無機絶縁膜４３Ｂに設けられていた。しかし、上記変形例Ｂにおいて、例えば、図１４に示したように、無機絶縁膜４３Ｂには段差部４３Ｃが設けられておらず、その代わりに、段差部４２ＡがＵＣバリア層４２に設けられていてもよい。
図１４は、図４のＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表したものである。図１４には、図１２に記載の断面構成の一変形例が示されている。上記変形例Ｂでは、段差部４３Ｃが無機絶縁膜４３Ｂに設けられていた。しかし、上記変形例Ｂにおいて、例えば、図１４に示したように、無機絶縁膜４３Ｂには段差部４３Ｃが設けられておらず、その代わりに、段差部４２ＡがＵＣバリア層４２に設けられていてもよい。
本変形例では、無機絶縁膜４３Ｂの端部の表面は、段差部４３Ｃのない、概ね平坦となっている。一方、ＵＣバリア層４２は、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部４２Ａを有している。ＵＣバリア層４２において、可撓性基板４１の端縁と対向する箇所は、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所よりも薄くなっている。可撓性基板４１の端縁と対向する箇所と、複数の有機電界発光素子４４Ａと対向する箇所との厚さの違いによって、段差部４２Ａが形成されている。段差部４２Ａは、額縁領域１０Ｂに形成されている。段差部４２Ａは、少なくとも、各実装端子５３と非対向の位置に形成されており、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺を除く３辺に形成されている。各実装端子５３は、ＵＣバリア層４２の表面のうち、段差部４２Ａの形成されていない平坦な領域と対向する箇所に形成されている。なお、表示パネル１０が、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する方向にだけ折り曲げ可能に構成されている場合には、段差部４２Ａは、例えば、額縁領域１０Ｂのうち、各実装端子５３の形成された一辺と直交する２辺に形成されている。
本変形例では、樹脂層５４は、ＵＣバリア層４２うち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆っている。樹脂層５４の端縁が、段差部４２Ａ上に形成されていてもよい。このとき、樹脂層５４は、ＵＣバリア層４２のうち、複数のＴＦＴ回路４３Ａと対向する箇所から段差部４２Ａにかけて接している。樹脂層５４は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などによって構成されている。
これにより、ＵＣバリア層４２の端縁に生じたクラックが段差部４２Ａを超えて延伸してきた場合であっても、ＵＣバリア層４２のうち樹脂層５４によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層５４によって抑制される。その結果、ＵＣバリア層４２に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
さらに、本変形例において、例えば、図１５に示したように、ＴＦＴ層４３のうち、段差部４２Ａの近傍の端部が、樹脂層４６で覆われておらず、露出していてもよい。このようにした場合であっても、樹脂層４６は、無機絶縁膜４３Ｂのうち少なくとも、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所を覆っている。ここで、樹脂層４６の端縁は、無機絶縁膜４３Ｂの表面において、無機絶縁膜４５の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの端部との間の領域内で接しており、樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。
これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁にクラックが生じた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６（さらには段差部４３Ｄ）によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
[変形例Ｄ]
図１６は、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂにおける段差部４２Ａ，４３Ｃを拡大して表したものである。上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂは、段差部４２Ａ，４３Ｃの底面を構成する箇所の絶縁材料と、段差部４２Ａ，４３Ｃの側面を構成する絶縁材料とが互いに異なる構造となっていてもよい。上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂは、例えば、図１６に示したように、段差部４２Ａ，４３Ｃの底面を構成する絶縁膜５５と、段差部４２Ａ，４３Ｃの側面を構成する絶縁膜５６とを含んで構成されていてもよい。このとき、絶縁膜５５は、絶縁膜５６と比べて、所定のエッチングガス、または、所定にエッチング液に対してエッチングレートの遅い無機材料によって構成されていてもよい。例えば、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン酸化膜のエッチングレートよりもシリコン窒化膜のエッチングレートの方が大きいので、例えば、絶縁膜５６が窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で構成され、絶縁膜５５は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で構成されている。このようにした場合には、上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする際に、絶縁膜５５がエッチングストップ層として機能する。その結果、製造過程において、段差部４２Ａ，４３Ｃの高さを精密に制御することが可能となる。
図１６は、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂにおける段差部４２Ａ，４３Ｃを拡大して表したものである。上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂは、段差部４２Ａ，４３Ｃの底面を構成する箇所の絶縁材料と、段差部４２Ａ，４３Ｃの側面を構成する絶縁材料とが互いに異なる構造となっていてもよい。上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂは、例えば、図１６に示したように、段差部４２Ａ，４３Ｃの底面を構成する絶縁膜５５と、段差部４２Ａ，４３Ｃの側面を構成する絶縁膜５６とを含んで構成されていてもよい。このとき、絶縁膜５５は、絶縁膜５６と比べて、所定のエッチングガス、または、所定にエッチング液に対してエッチングレートの遅い無機材料によって構成されていてもよい。例えば、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン酸化膜のエッチングレートよりもシリコン窒化膜のエッチングレートの方が大きいので、例えば、絶縁膜５６が窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で構成され、絶縁膜５５は酸化シリコン（ＳｉＯｘ）で構成されている。このようにした場合には、上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ,Ｃにおいて、ＵＣバリア層４２および無機絶縁膜４３Ｂを選択的にエッチングする際に、絶縁膜５５がエッチングストップ層として機能する。その結果、製造過程において、段差部４２Ａ，４３Ｃの高さを精密に制御することが可能となる。
[変形例Ｅ]
図１７は、図４に記載の断面構成の一変形例を表したものである。図１８は、図１２に記載の断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Ｂにおいて、樹脂層４６が、例えば、図１７、図１８に示したように、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接しているだけでなく、さらに、段差部４３Ｃを覆うように形成されていてもよい。このとき、樹脂層４６の端縁が、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４３Ｂの端縁と段差部４３Ｃとの間の箇所に接して形成されている。樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。このような構成は、例えば、偏光板４７とは異なる層をマスクとするＴＦＴ層４３の選択エッチングにより段差部４３Ｃを形成した後、段差部４３Ｃを覆う大きさの偏光板４７をマスクとする樹脂層４６の選択エッチングにより段差部４３Ｄを形成することにより形成される。
図１７は、図４に記載の断面構成の一変形例を表したものである。図１８は、図１２に記載の断面構成の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Ｂにおいて、樹脂層４６が、例えば、図１７、図１８に示したように、無機絶縁膜４５の表面全体に接するとともに、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４５の端縁と接する箇所から段差部４３Ｃにかけて接しているだけでなく、さらに、段差部４３Ｃを覆うように形成されていてもよい。このとき、樹脂層４６の端縁が、無機絶縁膜４３Ｂのうち、無機絶縁膜４３Ｂの端縁と段差部４３Ｃとの間の箇所に接して形成されている。樹脂層４６の端縁と、無機絶縁膜４３Ｂの表面とが接する箇所には、段差部４３Ｄが形成されている。このような構成は、例えば、偏光板４７とは異なる層をマスクとするＴＦＴ層４３の選択エッチングにより段差部４３Ｃを形成した後、段差部４３Ｃを覆う大きさの偏光板４７をマスクとする樹脂層４６の選択エッチングにより段差部４３Ｄを形成することにより形成される。
これにより、無機絶縁膜４３Ｂの端縁に生じたクラックが段差部４３Ｄを超えて延伸してきた場合であっても、無機絶縁膜４３Ｂおよび無機絶縁膜４５のうち樹脂層４６によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層４６によって抑制される。その結果、無機絶縁膜４３Ｂに生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
[変形例Ｆ]
図１９は、図１４に記載の断面構成の一変形例を表したものである。上記変形例Ｃにおいて、樹脂層５４が、例えば、図１９に示したように、ＵＣバリア層４２のうち各有機電界発光素子４４Ａと対向する領域の表面全体を覆うとともに、ＵＣバリア層４２の段差部４２Ａを覆うように形成されていてもよい。このとき、樹脂層５４の端縁が、ＵＣバリア層４２のうち、ＵＣバリア層４２の端縁と段差部４２Ａとの間の箇所に接して形成されている。樹脂層５４の端縁と、ＵＣバリア層４２の表面とが接する箇所には、段差部４２Ｂが形成されている。このような構成は、例えば、偏光板４７とは異なる層をマスクとするＵＣバリア層４２の選択エッチングにより段差部４２Ａを形成した後、段差部４２Ａを覆う大きさの偏光板４７をマスクとする樹脂層５４の選択エッチングにより段差部４２Ｂを形成することにより形成される。
図１９は、図１４に記載の断面構成の一変形例を表したものである。上記変形例Ｃにおいて、樹脂層５４が、例えば、図１９に示したように、ＵＣバリア層４２のうち各有機電界発光素子４４Ａと対向する領域の表面全体を覆うとともに、ＵＣバリア層４２の段差部４２Ａを覆うように形成されていてもよい。このとき、樹脂層５４の端縁が、ＵＣバリア層４２のうち、ＵＣバリア層４２の端縁と段差部４２Ａとの間の箇所に接して形成されている。樹脂層５４の端縁と、ＵＣバリア層４２の表面とが接する箇所には、段差部４２Ｂが形成されている。このような構成は、例えば、偏光板４７とは異なる層をマスクとするＵＣバリア層４２の選択エッチングにより段差部４２Ａを形成した後、段差部４２Ａを覆う大きさの偏光板４７をマスクとする樹脂層５４の選択エッチングにより段差部４２Ｂを形成することにより形成される。
これにより、ＵＣバリア層４２の端縁に生じたクラックが段差部４２Ａを超えて延伸してきた場合であっても、ＵＣバリア層４２のうち樹脂層５４によって覆われている箇所へのクラックの延伸が、樹脂層５４によって抑制される。その結果、ＵＣバリア層４２に生じたクラックに起因して滅点などの表示不良が発生するのを抑制することができる。
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
を備えた
表示パネル。
（２）
前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（３）
前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（４）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（５）
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
を備えた
表示パネル。
（６）
前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
（５）に記載の表示パネル。
（７）
前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
（５）に記載の表示パネル。
（８）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（５）から（７）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（９）
表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
を有する
表示装置。
（１０）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（９）に記載の表示装置。
（１１）
表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
を有する
表示装置。
（１２）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（１１）に記載の表示装置。
（１）
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
を備えた
表示パネル。
（２）
前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（３）
前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（４）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（５）
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
を備えた
表示パネル。
（６）
前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
（５）に記載の表示パネル。
（７）
前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
（５）に記載の表示パネル。
（８）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（５）から（７）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（９）
表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
を有する
表示装置。
（１０）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（９）に記載の表示装置。
（１１）
表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
を有する
表示装置。
（１２）
複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
（１１）に記載の表示装置。
本出願は、日本国特許庁において２０１９年１月９日に出願された日本特許出願番号第２０１９−００１９３１号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
Claims (12)
- 可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
を備えた
表示パネル。 - 前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
請求項１に記載の表示パネル。 - 前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
請求項１に記載の表示パネル。 - 複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の表示パネル。 - 可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
を備えた
表示パネル。 - 前記樹脂層の端縁が、前記段差部上に形成されている
請求項５に記載の表示パネル。 - 前記樹脂層は、前記段差部を覆うように形成されている
請求項５に記載の表示パネル。 - 複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の表示パネル。 - 表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
複数の前記ＴＦＴ回路と複数の前記自発光素子との間に設けられ、各前記ＴＦＴ回路を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する第１無機膜と、
各前記自発光素子を覆う第２無機膜と、
前記第２無機膜を覆うとともに、前記第１無機膜のうち少なくとも、前記第２無機膜の端縁と接する箇所を覆う樹脂層と
を有する
表示装置。 - 複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記第１無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
請求項９に記載の表示装置。 - 表示パネルと、
前記表示パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記表示パネルは、
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１主面側に設けられた複数の自発光素子と、
前記第１主面と複数の前記自発光素子との間に設けられ、前記自発光素子を駆動する複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路と、
前記可撓性基板と複数の前記ＴＦＴ回路との間に設けられ、前記第１主面を覆っており、さらに、前記可撓性基板の端縁と対向する箇所が部分的に薄くなっていることにより生じる段差部を有する無機膜と、
前記無機膜のうち、部分的に薄くなっている箇所以外の箇所を覆う樹脂層と
を有する
表示装置。 - 複数の前記ＴＦＴ回路と電気的に接続された複数の実装端子と、
複数の前記実装端子と前記駆動部とに接合されたＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）と
を更に備え、
前記段差部は、前記無機膜のうち、各前記実装端子と非対向の位置に形成されている
請求項１１に記載の表示装置。
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