CN113424656A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开的一种实施方式的显示面板具备:可挠性基板(41),多个自发光元件(44A),设置在可挠性基板(41)与多个自发光元件(44A)之间的多个TFT电路(43A),覆盖各个TFT电路(43A)的第一无机膜(43B),覆盖各个自发光元件(44A)的第二无机膜(45),以及覆盖第二无机膜(45)且覆盖第一无机膜(43B)中至少与第二无机膜(45)的边缘接触的部分的树脂层(46)。第一无机膜(43B)设置在多个TFT电路(43A)与多个自发光元件(44A)之间,并且具有与可挠性基板(41)的边缘相对处部分变薄而产生的段差部(43C)。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在使用有机EL(Electro Luminescence)元件等自发光元件的显示面板中,使用TFT(thin-film-transistor)进行自发光元件的驱动。在显示面板的边框部分,存在着TFT由来的无机膜(例如参照下列专利文献1~5)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-37798号公报
专利文献2:日本特开2007-227875号公报
专利文献3:日本特开2014-220489号公报
专利文献4:日本特开2003-195789号公报
专利文献5:日本特开2010-224426号公报
发明内容
另外,在上述显示面板中,通过使用可挠性的基板,可以使显示面板拥有可挠性。但是,在使显示面板拥有可挠性的情况下,在搬运、有意弯曲显示面板时,显示面板的边框部分的无机膜容易产生裂缝。如果无机膜产生裂缝,那么有可能水分通过该裂缝从外部侵入,从而产生暗点等显示不良。因此,期望提供一种可以抑制起因于无机膜产生的裂缝而发生的暗点等显示不良的显示面板和显示装置。
本公开的一种实施方式的第一显示面板具备:可挠性基板,设置在可挠性基板的第一主面侧的多个自发光元件,以及设置在第一主面与多个自发光元件之间且驱动自发光元件的多个TFT电路。第一显示面板具备第一无机膜、第二无机膜和树脂层。第一无机膜设置在多个TFT电路与多个自发光元件之间,覆盖各个TFT电路,并且具有与可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生的段差部。第二无机膜覆盖各个自发光元件。树脂层覆盖第二无机膜,并且覆盖第一无机膜中至少与第二无机膜的边缘接触的部分。
本公开的一种实施方式的第一显示装置具备第一显示面板和驱动第一显示面板的驱动部。
在本公开的一种实施方式的第一显示面板和第一显示装置中,与可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生的段差部设置在覆盖各个TFT电路的第一无机膜上。由此,例如在搬运、有意弯曲第一显示面板的情况下,如果第一无机膜的边缘产生裂缝,那么通过段差部可以抑制裂缝的延伸。另外,在本公开的一种实施方式的第一显示面板和第一显示装置中,覆盖各个自发光元件的第二无机膜被树脂层覆盖。并且,第一无机膜中至少与第二无机膜的边缘接触的部分也被树脂层覆盖。由此,即使在第一无机膜的边缘产生的裂缝越过段差部延伸的情况下,也可以通过树脂层抑制裂缝向第一无机膜和第二无机膜中被树脂层覆盖的部分延伸。
本公开的一种实施方式的第二显示面板具备:可挠性基板,设置在可挠性基板的第一主面侧的多个自发光元件,以及设置在第一主面与多个自发光元件之间且驱动自发光元件的多个TFT电路。第二显示面板进一步具备无机膜和树脂层。无机膜设置在可挠性基板与多个TFT电路之间,覆盖第一主面,并且具有与可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生的段差部。树脂层覆盖无机膜中部分变薄处以外的部分。
本公开的一种实施方式的第二显示装置具备第二显示面板和驱动第二显示面板的驱动部。
在本公开的一种实施方式的第二显示面板和第二显示装置中,与可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生的段差部设置在覆盖可挠性基板的第一主面的无机膜上。由此,例如在搬运、有意弯曲第二显示面板的情况下,如果无机膜的边缘产生裂缝,那么通过段差部可以抑制裂缝的延伸。另外,在本公开的一种实施方式的第二显示面板和第二显示装置中,无机膜中部分变薄处以外的部分被树脂层覆盖。由此,即使在无机膜的边缘产生的裂缝越过段差部延伸的情况下,也可以通过树脂层抑制裂缝向无机膜中被树脂层覆盖的部分延伸。
根据本公开的一种实施方式的第一显示面板和第一显示装置,因为通过段差部和树脂层抑制了裂缝的延伸,所以能够抑制起因于第一无机膜产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
根据本公开的一种实施方式的第二显示面板和第二显示装置,因为通过段差部和树脂层抑制了裂缝的延伸,所以能够抑制起因于无机膜产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
再有,上述内容是本公开的一个例子。本公开的效果不限定于上述内容,可以是其他不同的效果,也可以进一步包括其他效果。
附图说明
图1是表示本公开的第一实施方式的显示装置的概略结构的一个例图。
图2是表示图1的显示面板与控制器和驱动器的连接样态的一个例图。
图3是表示图1的显示装置的各个像素的电路结构的一个例图。
图4是表示沿着图2的A-A线的截面结构的一个例图。
图5是表示沿着图2的B-B线的截面结构的一个例图。
图6是表示图4的段差部的放大图。
图7是对图6的段差部的设计模型进行说明的图。
图8A是表示图2的显示面板的制造过程的一个例图。
图8B是表示继图8A之后的制造过程的一个例图。
图8C是表示继图8B之后的制造过程的一个例图。
图8D是表示继图8C之后的制造过程的一个例图。
图8E是表示继图8D之后的制造过程的一个例图。
图8F是表示继图8E之后的制造过程的一个例图。
图9A是表示图2的显示面板的制造过程的一个例图。
图9B是表示继图9A之后的制造过程的一个例图。
图9C是表示继图9B之后的制造过程的一个例图。
图9D是表示继图9C之后的制造过程的一个例图。
图9E是表示继图9D之后的制造过程的一个例图。
图9F是表示继图9E之后的制造过程的一个例图。
图9G是表示继图9F之后的制造过程的一个例图。
图9H是表示继图9G之后的制造过程的一个例图。
图10A是表示图2的显示面板的制造过程的一个例图。
图10B是表示继图10A之后的制造过程的一个例图。
图10C是表示继图10B之后的制造过程的一个例图。
图11是表示沿着图2的A-A线的截面结构的一个变形例图。
图12是表示沿着图2的A-A线的截面结构的一个变形例图。
图13是表示沿着图2的A-A线的截面结构的一个变形例图。
图14是表示沿着图2的A-A线的截面结构的一个变形例图。
图15是表示沿着图2的A-A线的截面结构的一个变形例图。
图16是表示图4、图11~图15的段差部的一个变形例图。
图17是表示图4的截面结构的一个变形例图。
图18是表示图12的截面结构的一个变形例图。
图19是表示图14的截面结构的一个变形例图。
具体实施方式
下面参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此,在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等,仅仅是一个例子,并不旨在限定本发明。因此,对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素,作为任意的构成要素进行说明。再有,各个附图仅是示意图,图示并不一定严密。另外,在各个附图中,对实质上同一的结构附加同一的符号,并且省略或简化重复的说明。再有,说明按以下的顺序进行。
1.实施方式(显示装置)
2.变形例(显示装置)
<1.实施方式>
[结构]
图1表示本公开的一种实施方式的显示装置1的概略结构例。显示装置1例如具备显示面板10、控制器20和驱动器30。图2表示显示面板10与控制器20和驱动器30的连接样态例。图3表示设置在显示装置1中的各个像素11的电路结构例。
显示面板10具有配置成矩阵形状的多个像素11。多个像素11设置在显示面板10的显示区域10A。显示区域10A相当于显示面板10的映像显示面。在显示面板10中,框架区域10B设置在显示区域10A的周围。框架区域10B呈围绕显示区域10A的环形状,在框架区域10B的一边设置有多个安装端子53。多个安装端子53与多个像素11和FPC(Flexible PrintedCircuits)52电连接。控制器20和驱动器30安装在控制基板51上,并且通过FPC52与显示面板10(多个像素11)电连接。控制器20和驱动器30根据从外部输入的映像信号Din驱动显示面板10(多个像素11)。
(显示面板10)
显示面板10通过由控制器20和驱动器30对各个像素11进行有源矩阵驱动,根据从外部输入的映像信号Din在显示区域10A显示图像。显示面板10具有:在行方向上延伸的多根扫描线WSL,在列方向上延伸的多根信号线DTL和多根电源线DSL,以及配置成矩阵形状的多个像素11。
扫描线WSL用于各个像素11的选择,并且对各个像素11供给选择脉冲,该选择脉冲以每个所定单位(例如像素行)选择各个像素11。信号线DTL用于向各个像素11供给对应于映像信号Din的信号电压,并且向各个像素11供给包含信号电压的数据脉冲。电源线DSL向各个像素11供给电力。
设置在显示面板10中的多个像素11包括发出红色光的像素11、发出绿色光的像素11和发出蓝色光的像素11。发出红色光的像素11、发出绿色光的像素11和发出蓝色光的像素11构成彩色图像的显示单位即显示像素。再有,各个显示像素例如也可以进一步包括发出其他颜色(例如白色、黄色等)的像素11。另外,各个显示像素例如也可以包括同种颜色的多个像素11(例如发出蓝色光的2个像素11)。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器31的输出端。对于每个像素列,例如分配多根信号线DTL中的1根。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪32的输出端。对于每个像素行,例如分配多根扫描线WSL中的1根。各根电源线DSL连接于电源的输出端。对于每个像素行,例如分配多根电源线DSL中的1根。
各个像素11具有像素电路11-1和有机电致发光元件11-2。对于有机电致发光元件11-2的结构,在后面详细叙述。
像素电路11-1控制有机电致发光元件11-2的发光·消光。像素电路11-1具有通过写入扫描来保持写入各个像素11的电压的功能。像素电路11-1例如以包括驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2和储存电容器Cs的方式构成。
写入晶体管Tr2对驱动晶体管Tr1的栅极控制施加对应于映像信号Din的信号电压。具体地说,写入晶体管Tr2对信号线DTL的电压进行采样,并且将采样得到的电压写入驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1串联于有机电致发光元件11-2。驱动晶体管Tr1驱动有机电致发光元件11-2。驱动晶体管Tr1根据由写入晶体管Tr2采样的电压的大小,控制流入有机电致发光元件11-2的电流。储存电容器Cs用于在驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间保持所定的电压。储存电容器Cs具有在所定的期间中使驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间的电压保持一定的功能。再有,像素电路11-1可以是对上述2Tr1C的电路附加各种电容器、晶体管的电路结构,也可以是与上述2Tr1C的电路结构不同的电路结构。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器31的输出端与写入晶体管Tr2的源极或漏极。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪32的输出端与写入晶体管Tr2的栅极。各根电源线DSL连接于电源电路与驱动晶体管Tr1的源极或漏极。
写入晶体管Tr2的栅极连接于扫描线WSL。写入晶体管Tr2的源极或漏极连接于信号线DTL。写入晶体管Tr2的源极和漏极中的未与信号线DTL连接的端子连接于驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接于电源线DSL。驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的未与电源线DSL连接的端子连接于有机电致发光元件11-2的阳极21。储存电容器Cs的一端连接于驱动晶体管Tr1的栅极。储存电容器Cs的另一端连接于驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的有机电致发光元件11-2侧的端子。
驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2由一般的薄膜晶体管(TFT)构成,其结构例如可以是逆交错构造(所谓底栅型),也可以是交错构造(顶栅型),没有特别的限定。
(驱动器30)
驱动器30例如具有水平选择器31和写入扫描仪32。水平选择器31例如对应(同步)控制信号的输入,将从控制器20输入的模拟信号电压施加到各根信号线DTL上。写入扫描仪32以每个所定单位扫描多个像素11。
(控制器20)
其次,对控制器20进行说明。控制器20例如对从外部输入的数字映像信号Din进行所定的补正,并且根据由此获得的映像信号生成信号电压。控制器20例如将生成的信号电压向水平选择器31输出。控制器20例如对应(同步)从映像信号Din获得的控制信号,对驱动器30内的各个电路输出控制信号。
其次,参照图4、图5,对显示面板10的截面结构进行说明。图4表示沿着图3的A-A线的截面结构例。图5表示沿着图3的B-B线的截面结构例。
显示面板10具有:可挠性基板41,以及可挠性基板41的表面41A(第一主面)侧的多个有机电致发光元件44A。可挠性基板41例如由树脂制的膜、片构成。可挠性基板41由例如:聚酰亚胺(PI),以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为代表的甲基丙烯树脂类,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯类,或者聚碳酸酯树酯构成。有机电致发光元件44A相当于上述有机电致发光元件11-2。
显示面板10具有设置在可挠性基板41的表面41A与多个有机电致发光元件44A之间的TFT电路43A。TFT电路43A驱动有机电致发光元件44A。TFT电路43A相当于上述像素电路11-1。
显示面板10具有设置在多个TFT电路43A与多个有机电致发光元件44A之间的无机绝缘膜43B(第一无机膜)。无机绝缘膜43B覆盖各个TFT电路43A。无机绝缘膜43B由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化钛(TiOx)或氧化铝(AlxOy)等吸湿性低的无机材料构成。
无机绝缘膜43B具有与可挠性基板41的边缘相对处部分变薄而产生的段差部43C。在无机绝缘膜43B中,与可挠性基板41的边缘相对处比与多个有机电致发光元件44A相对处薄。由于与可挠性基板41的边缘相对处和与多个有机电致发光元件44A相对处的厚度不同,形成了段差部43C。段差部43C形成在框架区域10B。段差部43C至少形成在与各个安装端子53不相对的位置,例如形成在框架区域10B中的形成有各个安装端子53的一边以外的其他3边。各个安装端子53形成在无机绝缘膜43B表面中的没有形成段差部43C的平坦区域,并且在无机绝缘膜43B的表面露出。再有,在显示面板10以仅可在与框架区域10B中的形成有各个安装端子53的一边正交的方向上折弯的方式构成的情况下,段差部43C形成在例如框架区域10B中的与形成有各个安装端子53的一边正交的2边。
显示面板10具有:覆盖各个有机电致发光元件44A的无机绝缘膜45(第二无机膜),以及覆盖无机绝缘膜45且覆盖无机绝缘膜43B中至少与无机绝缘膜45的边缘接触的部分的树脂层46。无机绝缘膜45由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化钛(TiOx)或氧化铝(AlxOy)等吸湿性低的无机材料构成。树脂层46的边缘也可以形成在段差部43C上。这时,树脂层46与无机绝缘膜45的整个表面接触,并且与无机绝缘膜43B中从与无机绝缘膜45的边缘接触处到段差部43C的部分接触。树脂层46发挥作为粘合层的功能,由例如环氧树脂或丙烯酸树脂等构成。树脂层46也可以由例如热固化型树脂或紫外线固化型树脂等构成。
在显示面板10中,多个有机电致发光元件44A由开口规定绝缘部44B互相分离,对应1个像素11配置有轮廓被规定的多个有机电致发光元件44A中的1个。开口规定绝缘部44B与多个有机电致发光元件44A形成在同一面内,构成EL元件层44。
在显示面板10中,可挠性基板41与多个TFT电路43A之间具有UC阻挡层42。UC阻挡层42覆盖可挠性基板41的整个表面41A。UC阻挡层42是由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化钛(TiOx)或氧化铝(AlxOy)等吸湿性低的无机材料构成的无机绝缘膜。UC阻挡层42可以是单层,也可以是相互不同的材料层积成的层叠体。
显示面板10具有与可挠性基板41对置且与树脂层46接触的密封层47。密封层47由例如环氧树脂、乙烯系树脂等树脂材料形成。也可以对密封层47赋予光学功能。密封层47例如也可以是偏光板。
在显示面板10中,在可挠性基板41的背面41B侧,从可挠性基板41的背面41B侧依次具有树脂层48和加强层49。树脂层48覆盖可挠性基板41的整个背面41B。树脂层48发挥例如作为可挠性基板41与加强层49互相粘合的粘合层的功能,由例如环氧树脂或丙烯酸树脂等构成。加强层49是保持显示面板10的强度的加强部件,并且也是保护显示面板10的背面的保护构件。加强层49由例如PET、PI等树脂材料或Al、Cu、SUS等金属材料等形成。
图6表示段差部43C的放大图。在无机绝缘膜43B中,将与可挠性基板41的边缘相对处的厚度作为tb,将与多个有机电致发光元件44A相对处的厚度作为ta。另外,将无机绝缘膜43B中与无机绝缘膜45的边缘接触的部分与无机绝缘膜43B的边缘之间的长度作为Wa,将段差部43C与无机绝缘膜43B的边缘之间的长度作为Wb。这时,tb优选ta的3%以上且50%以下的范围内的大小。另外,Wa在窄边框的面板的实用范围内,例如为1mm以上且10mm以下。Wb的下限是初始发生的裂缝没有到达段差部43C的最低限度的大小,例如为0.1mm。Wb的上限是可以作为Wa的最大值的一半的大小,例如为5mm。
图7说明段差部43C的设计模型。如图7(A)所示,在从两侧用力F拉伸板状的物体的情况下,施加在与拉伸方向正交的截面上的应力σ0可以用F/(Bt)表示。在此,B是物体的宽度,t是物体的厚度。另外,如图7(B)所示,如果作为初始龟裂在物体上形成椭圆状的孔,那么将从两侧用力F拉伸物体。这时,如果将椭圆状的孔的长方向的长度设为2a,将椭圆状的孔的短方向的长度设为2b,并且将椭圆状的孔的前端的曲率半径设为ρ(=b2/a),那么施加在椭圆状的孔的前端的应力σmax可以用σ0×(1+2(a/ρ)1/2)表示。
在此,因为σmax与1/t成比例,所以在无机绝缘膜43B中,σmax1/σmax2=t2/t1,σmax1是在与可挠性基板41的边缘相对处形成椭圆状的孔时施加于椭圆状的孔的前端的应力,σmax2是在与多个有机电致发光元件44A相对处形成椭圆状的孔时施加于椭圆状的孔的前端的应力。
因此,如果考虑施加于膜的应力超过某个限度而产生龟裂,那么在例如ta为tb的2倍的情况下,可以使在无机绝缘膜43B中与多个有机电致发光元件44A相对处产生龟裂的难度是在无机绝缘膜43B中与可挠性基板41的边缘相对处产生龟裂的难度的2倍。
[制造方法]
其次,对显示面板10的制造方法进行说明。图8A~图8F是表示显示面板10的制造过程的一例的剖视图。
首先,在大幅面支撑玻璃100上形成可挠性基板41、UC阻挡层42和TFT层43(图8A)。接着,在每个对应于显示面板10的大小的区域,形成EL元件层44和无机绝缘膜45(图8A)。其次,在每个对应于显示面板10的大小的区域,对无机绝缘膜45隔着树脂层46贴合密封层47(图8B)。之后,以对应于显示面板10的大小的区域分割大幅面支撑玻璃100(图8C(a)、图8C(b))。再有,图8C(a)表示对应于图2的A-A线的部分的截面结构例,图8C(b)表示对应于图2的B-B线的部分的截面结构例。
其次,以密封层47为掩模,对TFT层43的无机绝缘膜43B选择性地刻蚀(图8D(a)、图8D(b))。由此,对无机绝缘膜43B形成段差部43C。在形成段差部43C时(即以密封层47为掩模对无机绝缘膜43B选择性地刻蚀时),为了使无机绝缘膜43B以所望的厚度tb残存,从例如预先取得的无机绝缘膜43B的刻蚀速率算出刻蚀时间,进行无机绝缘膜43B的刻蚀。这时,各个安装端子53的表面露出。其次,对多个安装端子53安装FPC52(图8E(a)、图8E(b))。并且,最后在剥离支撑玻璃100之后,在可挠性基板41的背面用树脂层48贴合加强层49(图8F(a)、图8F(b))。如此,制造了本实施方式的显示面板10。
显示面板10可以用上述以外的方法制造。图9A~图9H是表示显示面板10的制造过程的一例的剖视图。
首先,在大幅面支撑玻璃100上形成可挠性基板41、UC阻挡层42和TFT层43(图9A)。接着,在每个对应于显示面板10的大小的区域,形成EL元件层44和无机绝缘膜45(图9A)。其次,对包括无机绝缘膜45的整个表面隔着树脂层130贴合支撑膜120之后,剥离支撑玻璃100(图9B)。其次,在可挠性基板41的背面用树脂层48贴合加强层49(图9C)。
其次,在剥离支撑膜120和树脂层130之后(图9D),在每个对应于显示面板10的大小的区域,对无机绝缘膜45隔着树脂层46贴合密封层47(图9E)。其次,以密封层47为掩模,对TFT层43的无机绝缘膜43B选择性地刻蚀(图9F)。由此,对无机绝缘膜43B形成段差部43C。这时,各个安装端子53的表面露出。其次,以对应于显示面板10的大小的区域分割可挠性基板41(图9G(a)、图9G(b))。再有,图9G(a)表示对应于图2的A-A线的部分的截面结构例,图9G(b)表示对应于图2的B-B线的部分的截面结构例。并且,最后对多个安装端子53安装FPC52(图9H(a)、图9H(b))。如此,制造了本实施方式的显示面板10。
显示面板10可以用上述以外的方法制造。图10A~图10C是表示显示面板10的制造过程的一例的剖视图。
首先,实施与图9A~图9C所述的工艺同样的工艺。其次,以对应于显示面板10的大小的区域分割可挠性基板41(图10A(a)、图10A(b))。再有,图10A(a)表示对应于图2的A-A线的部分的截面结构例,图10A(b)表示对应于图2的B-B线的部分的截面结构例。其次,在剥离支撑膜120和树脂层130之后(图10B(a)、图10B(b)),在每个对应于显示面板10的大小的区域,对无机绝缘膜45隔着树脂层46贴合密封层47(图10C(a)、图10C(b))。
其次,以密封层47为掩模,对TFT层43的无机绝缘膜43B选择性地刻蚀(图9G(a)、图9G(b))。由此,对无机绝缘膜43B形成段差部43C。这时,各个安装端子53的表面露出。并且,最后对多个安装端子53安装FPC52(图9H(a)、图9H(b))。如此,制造了本实施方式的显示面板10。
[效果]
其次,对本实施方式的显示面板10和显示装置1的效果进行说明。
在使用有机EL元件等自发光元件的显示面板中,用TFT进行自发光元件的驱动。在显示面板的边框部分,存在TFT由来的无机膜。然而,在这样的显示面板中,通过使用可挠性的基板,可以使显示面板拥有可挠性。但是,在使显示面板拥有可挠性的情况下,在搬运、有意弯曲显示面板时,显示面板的边框部分的无机膜容易产生裂缝。如果无机膜产生裂缝,那么有可能水分通过该裂缝从外部侵入,从而产生暗点等显示不良。
另一方面,在本实施方式中,与可挠性基板41的边缘相对处部分变薄而产生的段差部43C设置在覆盖各个TFT电路43A的无机绝缘膜43B上。由此,例如在搬运、有意弯曲显示面板10的情况下,如果无机绝缘膜43B的边缘产生裂缝,那么通过段差部43C可以抑制裂缝的延伸。另外,在本实施方式中,覆盖各个有机电致发光元件44A的无机绝缘膜45被树脂层46覆盖。并且,无机绝缘膜43B中至少与无机绝缘膜45的边缘接触的部分也被树脂层46覆盖。由此,即使在无机绝缘膜43B的边缘产生的裂缝越过段差部43C延伸的情况下,也可以通过树脂层46抑制裂缝向无机绝缘膜43B和无机绝缘膜45中被树脂层46覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于无机绝缘膜43B产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
另外,在本实施方式中,树脂层46的边缘形成在段差部43C上。这时,树脂层46与无机绝缘膜45的整个表面接触,并且与无机绝缘膜43B中从与无机绝缘膜45的边缘接触处到段差部43C的部分接触。由此,即使在无机绝缘膜43B的边缘产生的裂缝越过段差部43C延伸的情况下,也可以通过树脂层46抑制裂缝向无机绝缘膜43B和无机绝缘膜45中被树脂层46覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于无机绝缘膜43B产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
另外,在本实施方式中,段差部43C至少形成在与各个安装端子53不相对的位置。像这样,通过不在显示面板10中无意弯曲的部分设置段差部43C,能够在平坦的部分设置各个安装端子53。其结果是,能够确保FPC52对各个安装端子53易于连接。
<2.变形例>
以下,对上述实施方式的显示面板10的变形例进行说明。
[变形例A]
图11表示沿着图4的A-A线的截面结构的一个变形例。在上述实施方式中,无机绝缘膜43B中段差部43C及其附近也可以不被树脂层46覆盖而露出。即使在这样做的情况下,树脂层46也覆盖无机绝缘膜43B中至少与无机绝缘膜45的边缘接触的部分。在此,树脂层46的边缘与无机绝缘膜45的边缘和段差部43C之间的区域内的无机绝缘膜43B的表面接触,并且在树脂层46的边缘与无机绝缘膜43B的表面接触的部分形成段差部43D。
由此,即使在无机绝缘膜43B的边缘产生的裂缝越过段差部43C延伸的情况下,也可以通过树脂层46(进一步为段差部43D)抑制裂缝向无机绝缘膜43B和无机绝缘膜45中被树脂层覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于无机绝缘膜43B产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
[变形例B]
图12、图13表示沿着图4的A-A线的截面结构的一个变形例。在上述实施方式和变形例A中,在显示面板10的UC阻挡层42与TFT层43之间,也可以具有树脂层54和UC阻挡层57。树脂层54由例如环氧树脂或丙烯酸树脂等构成。UC阻挡层57是由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化钛(TiOx)或氧化铝(AlxOy)等吸湿性低的无机材料构成的无机绝缘膜。UC阻挡层57可以是单层,也可以是相互不同的材料层积成的层叠体。由此,例如在搬运、有意弯曲显示面板10的情况下,如果UC阻挡层42或UC阻挡层57产生裂缝,那么通过在无机绝缘膜43B、无机绝缘膜45与UC阻挡层42之间设置树脂层54,可以抑制裂缝向无机绝缘膜43B、无机绝缘膜45延伸。其结果是,能够抑制起因于无机绝缘膜43B产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
[变形例C]
图14表示沿着图4的A-A线的截面结构的一个变形例。在图14中,表示图12所述的截面结构的一个变形例。在上述变形例B中,段差部43C设置在无机绝缘膜43B上。但是,在上述变形例B中,也可以如图14所示,在无机绝缘膜43B上没有设置段差部43C,而作为该替代,在UC阻挡层42上设置有段差部42A。
在本变形例中,无机绝缘膜43B端部的表面没有段差部43C,大致平坦。另一方面,UC阻挡层42具有与可挠性基板41的边缘相对处部分变薄而产生的段差部42A。在UC阻挡层42中,与可挠性基板41的边缘相对处比与多个有机电致发光元件44A相对处薄。由于与可挠性基板41的边缘相对处和与多个有机电致发光元件44A相对处的厚度不同,形成了段差部42A。段差部42A形成在框架区域10B。段差部42A至少形成在与各个安装端子53不相对的位置,例如形成在框架区域10B中的形成有各个安装端子53的一边以外的其他3边。各个安装端子53形成在UC阻挡层42表面中的与没有形成段差部42A的平坦区域相对的部分。再有,在显示面板10以仅可在与框架区域10B中的形成有各个安装端子53的一边正交的方向上折弯的方式构成的情况下,段差部42A形成在例如框架区域10B中的与形成有各个安装端子53的一边正交的2边。
在本变形例中,树脂层54覆盖UC阻挡层42中部分变薄处以外的部分。树脂层54的边缘也可以形成在段差部42A上。这时,树脂层54与UC阻挡层42中从与多个TFT电路43A相对处到段差部42A的部分接触。树脂层54由例如聚酰亚胺、环氧树脂或丙烯酸树脂等构成。
由此,即使在UC阻挡层42的边缘产生的裂缝越过段差部42A延伸的情况下,也可以通过树脂层54抑制裂缝向UC阻挡层42中被树脂层54覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于UC阻挡层42产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
进一步说,在本变形例中,如图15所示,TFT层43中段差部42A附近的端部也可以不被树脂层46覆盖而露出。即使在这样做的情况下,树脂层46也覆盖无机绝缘膜43B中至少与无机绝缘膜45的边缘接触的部分。在此,树脂层46的边缘与无机绝缘膜45的边缘和无机绝缘膜43B的端部之间的区域内的无机绝缘膜43B的表面接触,并且在树脂层46的边缘与无机绝缘膜43B的表面接触的部分形成段差部43D。
由此,即使在无机绝缘膜43B的边缘产生裂缝的情况下,也可以通过树脂层46(进一步为段差部43D)抑制裂缝向无机绝缘膜43B和无机绝缘膜45中被树脂层46覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于无机绝缘膜43B产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
以上,虽然列举实施方式及其变形例说明了本公开,但是本公开并不限定于实施方式等,可以做出各种变化。再有,本说明书所记载的效果仅为例示。本公开的效果并不限定于本说明书所记载的效果。本公开也可以具有本说明书所记载的效果以外的效果。
[变形例D]
图16表示UC阻挡层42和无机绝缘膜43B的段差部42A,43C的放大图。在上述实施方式和变形例A,B,C中,UC阻挡层42和无机绝缘膜43B的构成段差部42A,43C的底面的部分的绝缘材料与构成段差部42A,43C的侧面的绝缘材料也可以为互相不同的构造。在上述实施方式和变形例A,B,C中,UC阻挡层42和无机绝缘膜43B也可以如图16所示,以包括构成段差部42A,43C的底面的绝缘膜55和构成段差部42A,43C的侧面的绝缘膜56的方式构成。这时,绝缘膜55相比绝缘膜56,也可以由对所定的蚀刻气或所定的蚀刻液刻蚀速率慢的无机材料构成。例如在使用氟类气体的干蚀刻的情况下,因为氮化硅膜的刻蚀速率比氧化硅膜的刻蚀速率大,所以例如绝缘膜56由氮化硅(SiNx)构成,绝缘膜55由氧化硅(SiOx)构成。在如此情况下,在上述实施方式和变形例A,B,C中,在选择性地刻蚀UC阻挡层42和无机绝缘膜43B时,绝缘膜55发挥作为刻蚀停止层的功能。其结果是,在制造过程中,可以精密地控制段差部42A,43C的高度。
[变形例E]
图17表示图4中所述的截面结构的一个变形例。图18表示图12所述的截面结构的一个变形例。在上述实施方式和变形例B中,树脂层46也可以如图17、图18所示,形成为:与无机绝缘膜45的整个表面接触,并且不仅与无机绝缘膜43B中从与无机绝缘膜45的边缘接触处到段差部43C的部分接触,而且覆盖段差部43C。这时,树脂层46的边缘以与无机绝缘膜43B中无机绝缘膜43B的边缘与段差部43C之间的部分接触的方式形成。在树脂层46的边缘与无机绝缘膜43B的表面接触的部分形成段差部43D。例如在通过以不同于偏光板47的层作为掩模的TFT层43的选择刻蚀形成段差部43C之后,再通过以覆盖段差部43C的大小的偏光板47作为掩模的树脂层46的选择刻蚀形成段差部43D,由此形成这样的结构。
由此,即使在无机绝缘膜43B的边缘产生的裂缝越过段差部43D延伸的情况下,也可以通过树脂层46抑制裂缝向无机绝缘膜43B和无机绝缘膜45中被树脂层46覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于无机绝缘膜43B产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
[变形例F]
图19表示图14所述的截面结构的一个变形例。在上述变形例C中,树脂层54也可以如图19所示,形成为:覆盖UC阻挡层42中与各个有机电致发光元件44A相对的区域的整个表面,并且覆盖UC阻挡层42的段差部42A。这时,树脂层54的边缘以与UC阻挡层42中UC阻挡层42的边缘与段差部42A之间的部分接触的方式形成。在树脂层54的边缘与UC阻挡层42的表面接触的部分形成段差部42B。例如在通过以不同于偏光板47的层作为掩模的UC阻挡层42的选择刻蚀形成段差部42A之后,再通过以覆盖段差部42A的大小的偏光板47作为掩模的树脂层54的选择刻蚀形成段差部42B,由此形成这样的结构。
由此,即使在UC阻挡层42的边缘产生的裂缝越过段差部42A延伸的情况下,也可以通过树脂层54抑制裂缝向UC阻挡层42中被树脂层54覆盖的部分延伸。其结果是,能够抑制起因于UC阻挡层42产生的裂缝而发生的暗点等显示不良。
另外,例如本公开也能够采用以下结构。
(1)
一种显示面板,具备:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
第一无机膜,设置在多个所述TFT电路与多个所述自发光元件之间,覆盖各个所述TFT电路,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;
第二无机膜,覆盖各个所述自发光元件;以及
树脂层,覆盖所述第二无机膜,并且覆盖所述第一无机膜中至少与所述第二无机膜的边缘接触的部分。
(2)
所述(1)所述的显示面板,其中,
所述树脂层的边缘形成在所述段差部上。
(3)
所述(1)所述的显示面板,其中,
所述树脂层以覆盖所述段差部的方式形成。
(4)
所述(1)至所述(3)中的任一项所述的显示面板,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子接合,
所述段差部形成在所述第一无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
(5)
一种显示面板,具备:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
无机膜,设置在所述可挠性基板与多个所述TFT电路之间,覆盖所述第一主面,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;以及
树脂层,覆盖所述无机膜中部分变薄处以外的部分。
(6)
所述(5)所述的显示面板,其中,
所述树脂层的边缘形成在所述段差部上。
(7)
所述(5)所述的显示面板,其中,
所述树脂层以覆盖所述段差部的方式形成。
(8)
所述(5)至所述(7)中的任一项所述的显示面板,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子接合,
所述段差部形成在所述无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
(9)
一种显示装置,具备:
显示面板;以及
驱动部,驱动所述显示面板,
所述显示面板具有:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
第一无机膜,设置在多个所述TFT电路与多个所述自发光元件之间,覆盖各个所述TFT电路,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;
第二无机膜,覆盖各个所述自发光元件;以及
树脂层,覆盖所述第二无机膜,并且覆盖所述第一无机膜中至少与所述第二无机膜的边缘接触的部分。
(10)
所述(9)所述的显示装置,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子和所述驱动部接合,
所述段差部形成在所述第一无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
(11)
一种显示装置,具备:
显示面板;以及
驱动部,驱动所述显示面板,
所述显示面板具有:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
无机膜,设置在所述可挠性基板与多个所述TFT电路之间,覆盖所述第一主面,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;以及
树脂层,覆盖所述无机膜中部分变薄处以外的部分。
(12)
所述(11)所述的显示装置,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子和所述驱动部接合,
所述段差部形成在所述无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
本公开含有涉及在2019年1月9日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2019-001931中公开的主旨,其全部内容包含在此,以供参考。
本领域的技术人员应该理解,虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改,组合,子组合和可替换项,但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。
Claims (12)
1.一种显示面板,具备:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
第一无机膜,设置在多个所述TFT电路与多个所述自发光元件之间,覆盖各个所述TFT电路,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;
第二无机膜,覆盖各个所述自发光元件;以及
树脂层,覆盖所述第二无机膜,并且覆盖所述第一无机膜中至少与所述第二无机膜的边缘接触的部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
所述树脂层的边缘形成在所述段差部上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
所述树脂层以覆盖所述段差部的方式形成。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的显示面板,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子接合,
所述段差部形成在所述第一无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
5.一种显示面板,具备:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
无机膜,设置在所述可挠性基板与多个所述TFT电路之间,覆盖所述第一主面,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;以及
树脂层,覆盖所述无机膜中部分变薄处以外的部分。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,
所述树脂层的边缘形成在所述段差部上。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其中,
所述树脂层以覆盖所述段差部的方式形成。
8.根据权利要求5至权利要求7中的任一项所述的显示面板,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子接合,
所述段差部形成在所述无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
9.一种显示装置,具备:
显示面板;以及
驱动部,驱动所述显示面板,
所述显示面板具有:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
第一无机膜,设置在多个所述TFT电路与多个所述自发光元件之间,覆盖各个所述TFT电路,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;
第二无机膜,覆盖各个所述自发光元件;以及
树脂层,覆盖所述第二无机膜,并且覆盖所述第一无机膜中至少与所述第二无机膜的边缘接触的部分。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子和所述驱动部接合,
所述段差部形成在所述第一无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
11.一种显示装置,具备:
显示面板;以及
驱动部,驱动所述显示面板,
所述显示面板具有:
可挠性基板;
多个自发光元件,设置在所述可挠性基板的第一主面侧;
多个TFT(Thin Film Transistor)电路,设置在所述第一主面与多个所述自发光元件之间,驱动所述自发光元件;
无机膜,设置在所述可挠性基板与多个所述TFT电路之间,覆盖所述第一主面,并且具有段差部,所述段差部由于与所述可挠性基板的边缘相对处部分变薄而产生;以及
树脂层,覆盖所述无机膜中部分变薄处以外的部分。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
进一步具备:
多个安装端子,与多个所述TFT电路电连接;以及
FPC(Flexible Printed Circuits),与多个所述安装端子和所述驱动部接合,所述段差部形成在所述无机膜中与各个所述安装端子不相对的位置。
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---|---|---|---|---|
WO2005068214A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Sakura Color Products Corporation | 筆記具 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157544A (zh) * | 2010-01-12 | 2011-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置 |
CN104012173A (zh) * | 2012-07-26 | 2014-08-27 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置 |
CN104183619A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 新日铁住金化学株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
US20150195915A1 (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2015173078A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置と有機el表示装置の製造方法 |
CN206116400U (zh) * | 2016-11-03 | 2017-04-19 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示屏和柔性显示装置 |
CN206849868U (zh) * | 2017-06-30 | 2018-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN107731754A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
CN108153017A (zh) * | 2016-12-06 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN108400150A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板与显示装置 |
CN109065577A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3813508B2 (ja) | 2001-12-28 | 2006-08-23 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、複合アクティブマトリクス基板、並びにこれを用いた表示装置および検出装置 |
US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
JP5344360B2 (ja) | 2006-01-24 | 2013-11-20 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜回路装置、電子機器及び製造方法 |
JP5296343B2 (ja) | 2007-07-31 | 2013-09-25 | 住友化学株式会社 | バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法 |
JP5547901B2 (ja) | 2009-03-25 | 2014-07-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI611582B (zh) | 2013-04-10 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9544994B2 (en) * | 2014-08-30 | 2017-01-10 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same |
KR102405257B1 (ko) | 2015-01-28 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102381285B1 (ko) | 2015-08-06 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2017182987A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP6872343B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2021-05-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP6777558B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2020-10-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN107706214B (zh) * | 2017-09-13 | 2019-11-22 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置的模组结构和柔性触控显示装置 |
CN108054188B (zh) | 2017-12-20 | 2020-11-20 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108258149B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-05-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-01-08 JP JP2020565175A patent/JP7064157B2/ja active Active
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- 2020-01-08 CN CN202080007988.8A patent/CN113424656A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157544A (zh) * | 2010-01-12 | 2011-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置 |
CN104012173A (zh) * | 2012-07-26 | 2014-08-27 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置 |
CN104183619A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 新日铁住金化学株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
US20150195915A1 (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2015173078A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置と有機el表示装置の製造方法 |
CN206116400U (zh) * | 2016-11-03 | 2017-04-19 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示屏和柔性显示装置 |
CN108153017A (zh) * | 2016-12-06 | 2018-06-12 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN206849868U (zh) * | 2017-06-30 | 2018-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN107731754A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置 |
CN108400150A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板与显示装置 |
CN109065577A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-21 | 厦门天马微电子有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220123258A1 (en) | 2022-04-21 |
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US11943958B2 (en) | 2024-03-26 |
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