JPWO2020121651A1 - 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
これに対し、アライメントやプレス技術などの発展も伴い、工程数削減の観点から、回路形成用基板を一括で形成することが検討されている。一括で回路形成用基板を形成する場合、銅張積層板を形成するための1回目のプレス工程が省略され、2回目のプレス工程のみを施して、回路形成用基板を形成する。
厚さが1μm〜80μmのコア樹脂層の両面に、厚さが1μm〜70μmであり且つ前記コア樹脂層から剥離可能な第1の金属層と、第1の絶縁性樹脂層と、第2の金属層と、がこの順に配置された積層体を形成し、前記積層体を一括で加熱加圧して、第1の基板を形成する第1の基板形成工程(a)と、
前記第1の基板の前記第2の金属層にパターンを形成するパターニング工程(b)と、
前記第1の基板の前記第2の金属層表面に、第2の絶縁性樹脂層と、第3の金属層と、をこの順で配置して形成した積層体を加熱加圧して第2の基板を形成する第2の基板形成工程(c)と、
前記コア樹脂層から、前記第1の金属層と前記第1の絶縁性樹脂層と前記第2の金属層と前記第2の絶縁性樹脂層と前記第3の金属層とをこの順で備えた第3の基板を剥離する剥離工程(d)と、
を含む半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
<2> さらに、前記第3の基板の表面に、前記第2の金属層表面に達する非貫通孔を形成し、前記非貫通孔の内壁に電解銅めっき及び/又は無電解銅めっきを施し、前記第2の金属層と、前記第1の金属層及び前記第3の金属層の各々と、を接続させ、前記第3の基板の表面に第4の金属層を形成し、前記第4の金属層にパターンを形成して前記配線導体を形成する配線導体形成工程(e)を含む前記<1>に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
<3> 前記第3の基板の厚さが、5μm〜100μmである前記<1>又は<2>に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
<4> 前記第1の金属層が剥型層を備え、前記積層体は、前記剥型層と前記コア樹脂層とが接するように前記第1の金属層が配置された前記<1>〜<3>のいずれかに記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
<5> 前記第3の金属層がキャリア層を備え、前記第2の基板形成工程(c)において前記第1の基板が加熱加圧された後に、前記第3の金属層から前記キャリア層が除去される前記<1>〜<4>のいずれかに記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
<6> 前記第1の金属層、前記第2の金属層、及び、前記第3の金属層の少なくともいずれか一つが銅箔である前記<1>〜<5>のいずれかに記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
<7> 前記コア樹脂層、第1の絶縁性樹脂層、及び、第2の絶縁性樹脂層の少なくともいずれか一つが、樹脂を基材に含侵したプリプレグである前記<1>〜<6>のいずれかに記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた配線導体と、を備えた半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法であって、
厚さが1μm〜80μmのコア樹脂層の両面に、厚さが1μm〜70μmであり且つ前記コア樹脂層から剥離可能な第1の金属層と、第1の絶縁性樹脂層と、第2の金属層と、がこの順に配置された積層体を形成し、前記積層体を一括で加熱加圧して、第1の基板を形成する第1の基板形成工程(a)と、
前記第1の基板の前記第2の金属層にパターンを形成するパターニング工程(b)と、
前記第1の基板の前記第2の金属層表面に、第2の絶縁性樹脂層と、第3の金属層と、をこの順で配置して形成した積層体を加熱加圧して第2の基板を形成する第2の基板形成工程(c)と、
前記コア樹脂層から、前記第1の金属層と前記第1の絶縁性樹脂層と前記第2の金属層と前記第2の絶縁性樹脂層と前記第3の金属層をこの順で備えた第3の基板を剥離する剥離工程(d)と、
を含む。
以下、本実施形態の製造方法について詳細に記載する。
第1の基板形成工程(a)は、厚さが1μm〜80μmのコア樹脂層の両面に、厚さが1μm〜70μmであり且つ前記コア樹脂層から剥離可能な第1の金属層と、第1の絶縁性樹脂層と、第2の金属層と、がこの順に配置された積層体を形成し、前記積層体を一括で加熱加圧して、第1の基板を形成する工程である。図1を用いて第1の基板(回路形成用基板)の構成について説明する。図1は、本発明の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法の一実施形態を説明するための概略図である。図1(A)及び図1(B)に示すように、回路形成用基板(第1の基板)1は、コア樹脂層2(例えば、プリプレグ)の両面に、第1の金属層3と第1の絶縁性樹脂層4と第2の金属層とが、コア樹脂層2の表面側から順に設けられている。
積層体を形成する積層の方法や条件は、特に限定されるものではないが、例えば、積層体を温度220±2℃、圧力5±0.2MPa、保持時間60分間の条件にて真空プレスを実施することで、第1の基板を形成することができる。また、各金属層とコア樹脂層又は各絶縁性樹脂層との密着力を得るために、各金属層の表面に粗化処理を施してもよい。前記粗化処理は、特に限定されるものではなく、公知の手段を適宜使用でき、例えば、銅表面粗化液を用いる手段が挙げられる。
第1の基板形成工程(a)におけるコア樹脂層としては、特に限定されるものではないが、例えば、ガラスクロス等の基材に熱硬化性樹脂等の絶縁性の樹脂材料(絶縁材料)を含浸させたプリプレグや、絶縁性のフィルム材等を用いることができる。
コア樹脂層の厚さは、1μm〜80μmである。コア樹脂層の厚さが1μm未満であると樹脂の成形不良となり、80μmを超えると、一括にて第1の基板を形成した際に、剥離工程後にコア樹脂層から剥離した第3の基板表面の金属層に皺や凹凸が発生してしまう。コア樹脂層の厚さは、積層成形性の観点から、3μm〜40μmが好ましく、10μm〜25μmがさらに好ましい。
また、硬化促進剤としてはフェノール類を使用することが好ましく、ノニルフェノール、パラクミルフェノールなどの単官能フェノールや、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSなどの二官能フェノール、又は、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多官能フェノールなどを用いることができる。硬化促進剤は、1種類を単独で使用してもよいし、2種類以上を混合して使用してもよい。
第1の金属層は、厚さが1μm〜70μmであり且つ前記コア樹脂層から剥離可能な金属箔が用いられる。第1の金属層の厚さが1μm未満であると第1〜第3の基板が成形不良となり、70μmを超えると、表面不良となってしまう。第1の金属層の厚さは、回路形成性の観点から、1μm〜12μmが好ましく、2μm〜5μmがさらに好ましい。
第1の絶縁性樹脂層としては、上述のコア樹脂層と同様の材料(例えば、プリプレグ)を用いることができる。また、第1の絶縁性樹脂層の厚さは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、10μm〜100μmとすることができ、10μm〜50μmが好ましく、10μm〜30μmが更に好ましい。
第2の金属層としては、例えば、上述の第1の金属層と同様の材料(例えば、銅箔)を用いることができる。第2の金属層の厚さは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、2μm〜70μmとすることができ、2μm〜18μmが好ましく、2μm〜12μmが更に好ましい。
また、第2の金属層としては、例えば、キャリア付の極薄銅箔を使用することができる。この場合、第2の金属層は銅箔等が第2の絶縁性樹脂層と接するように配置され、加熱加圧によって第1の基板を形成した後にキャリアが剥離される。
パターニング工程(b)は、上述した第1の基板(回路形成用基板)の第2の金属層にパターンを形成する工程である。パターニング工程(b)を経ることで、図1(C)に示すように、回路形成用基板1の第2の金属層5にパターンが形成される。第2の金属層のパターンの形成手段は、特に限定されるものではないが、例えば、以下の工程によって形成することができる。
第2の基板形成工程(c)は、前記第1の基板の前記第2の金属層表面に、第2の絶縁性樹脂層と、第3の金属層と、をこの順で配置して形成した積層体を加熱加圧して第2の基板を形成する工程である。第2の基板形成工程(c)を経ることで、図1(D)に示すように、第2の金属層5上に第2の絶縁性樹脂層6と第3の金属層7とが積層された、第2の基板8を得ることができる。
第2の絶縁性樹脂層としては、上述のコア樹脂層と同様の材料(例えば、プリプレグ)を用いることができる。また、第2の絶縁性樹脂層の厚さは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、10μm〜100μmとすることができ、10μm〜50μmが好ましく、10μm〜30μmが更に好ましい。
第3の金属層としては、例えば、上述の第1の金属層と同様の材料(例えば、銅箔)を用いることができる。第3の金属層の厚さは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、2μm〜70μmとすることができ、2μm〜18μmが好ましく、2μm〜5μmが更に好ましい。
また、第3の金属層としては、例えば、キャリア付の極薄銅箔を使用することができる。この場合、第3の金属層は銅箔等が第2の絶縁性樹脂層と接するように配置され、加熱加圧によって第2の基板を形成した後にキャリアが剥離される。
第2の基板を得るために、第2の絶縁性樹脂層及び第3の金属層を積層する方法や条件は、特に限定されるものではないが、例えば、第1の基板に第2の絶縁性樹脂層及び第3の金属層を積層した後、温度220±2℃、圧力5±0.2MPa、保持時間60分間の条件にて真空プレスを実施することで、第2の基板を形成することができる。また、第2の金属層と第2の絶縁樹脂層との密着力を得るために、第2の金属層の表面に粗化処理を施してもよい。
剥離工程(d)は、前記コア樹脂層から、前記第1の金属層と前記第1の絶縁性樹脂層と前記第2の金属層と前記第2の絶縁性樹脂層と前記第3の金属層とをこの順で備えた第3の基板を剥離する工程である。剥離工程(d)を経ると、図1(E)に示すように、第2の基板を、コア樹脂層2と、その両面に配置された第1の金属層3と、の界面で分離することで、第1の金属層3と第1の絶縁性樹脂層4と第2の金属層5と第2の絶縁性樹脂層6と第3の金属層7とをこの順で備えた2つの第3の基板9を得ることができる。
第3の基板の厚さは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、5μm〜400μmとすることができ、5μm〜200μmが好ましく、5μm〜100μmが更に好ましい。
本実施形態の製造方法は、さらに、前記第3の基板の表面に、前記第2の金属層表面に達する非貫通孔を形成し、前記非貫通孔の内壁に電解銅めっき及び/又は無電解銅めっきを施し、前記第2の金属層と、前記第1の金属層及び前記第3の金属層の各々と、を接続させ、前記第3の基板の表面に第4の金属層を形成し、前記第4の金属層にパターンを形成して前記配線導体を形成する配線導体形成工程(e)を含めることができる。配線導体形成工程(e)を経ると、図1(I)に示すように、絶縁層10の両面に配線導体11が形成された半導体素子搭載用パッケージ基板12を得ることができる。なお、絶縁層10は、第1の絶縁性樹脂層4及び第2の絶縁性樹脂層6から構成され、配線導体11は、各々パターニングされた第1の金属層3、第2の金属層5及び第3の金属層7を電解銅めっき及び/又は無電解銅めっきによって層間接続することで形成される。
配線導体形成工程(e)において、第3の基板の表面に、第2の金属層表面に達する非貫通孔を形成する。図1(F)に示すように、非貫通孔13は、第3の基板9の両面に設けられる。すなわち、図1(F)における紙面上側からは、第3の金属層7を介して非貫通孔13が第2の絶縁性樹脂層6に形成される。同様に、図1(F)における紙面下側からは、第1の金属層3を介して非貫通孔13が第1の絶縁性樹脂層4に形成される。
配線導体形成工程(e)においては、図1(G)に示すように、非貫通孔13を形成したのち、電解銅めっき及び/又は無電解銅めっきを施して非貫通孔13の内壁に銅めっき膜を形成し、各々パターニングされた第1の金属層3、第2の金属層5及び第3の金属層7を電気的に接続する。さらに、当該電解銅めっき及び/又は無電解銅めっきによって、第3の基板両面の第1及び第3の金属層の厚みを増加させることで、第4の金属層14が形成される。電解銅めっき及び/無電解めっきを施す方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法を採用することができる。当該銅めっきは、電解銅めっき及び無電解めっきはどちらか一方のみでもよいが、電解銅めっき及び無電解めっきの両方を施すことが好ましい。
配線導体形成工程(e)においては、図1(H)に示すように、電解/無電解銅めっき処理の後、必要に応じて、第4の金属層14が所望の厚さになるようにエッチング処理等の公知の処理を施して、第4の金属層14の膜厚を調整することができる。
調整後の第4の基板の厚さは、所望に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、例えば、5μm〜30μmとすることができ、5μm〜20μmが好ましく、5μm〜12μmが更に好ましい。
配線導体形成工程(e)においては、必要に応じて第4の金属層14の整面を実施した後、ドライフィルムレジスト等をラミネートし、更に、ネガ型マスクを張り合わせた後、露光機にて回路パターンを焼付け、現像液にてドライフィルムレジストを現像し、エッチングレジストを形成することができる。その後、エッチング処理を施し、エッチングレジストのない部分の銅を塩化第二鉄水溶液等で除去した後、レジストを除去することで、図1(I)に示すように、絶縁層10の両面に配線導体11を形成することができる。
本実施形態の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法においては、上述のように半導体素子用パッケージ基板を形成した後に、所望に応じ、例えばベアチップ等の半導体素子を搭載させることができる。
ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(コア樹脂層:厚さ0.087mm:三菱ガス化学製GHPL−830NSF FX64)をその両面に、銅箔厚2μmに剥離層が塗布された銅箔(JX日鉱日石金属(株)製、商品名:PCS)を剥型層面が前記プリプレグと接着するように配置し、さらにその上にビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(厚さ0.025mm:三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF70)を介して、12μmの銅箔(三井金属鉱業(株)製、商品名:3EC−VLP)を真空プレスにて圧力2.5±0.2MPa、温度220±2℃、保持時間60分間の条件にて積層した。
<第1の基板形成工程(a)>
ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(図1(A)におけるコア樹脂層2;厚さ25μm:三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF70)の両面に、銅箔厚2μmに剥離層(JX日鉱日石金属(株)製、商品名:PCS)が塗布された剥型層付銅箔(図1(A)における第1の金属層3)を、剥型層面が前記コア樹脂層と接するように配置し、さらにその上にビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(図1(A)における第1の絶縁性樹脂層4;厚さ0.025mm:三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF70)を介して、12μmの銅箔(図1(A)における第2の金属層5;三井金属鉱業(株)製、商品名:3EC−VLP)を、真空プレスにて圧力2.5±0.2MPa、温度220±2℃、保持時間60分間の条件にて積層し、第1の基板(図1(B)における回路形成用基板(第1の基板)1)を作製した。
次いで、第1の基板表面の整面を実施し、温度110±10℃、圧力0.50±0.02MPaにて第2の金属層表面にドライフィルムレジスト(ニチゴー・モートン(株)製、商品名:NIT225)をラミネートした。その後、ネガ型マスクを張り合わせ、平行露光機にて回路パターンを焼付け、1%炭酸ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを現像してエッチングレジストを形成し、エッチングレジストのない部分の銅を塩化第二鉄水溶液で除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを除去し、第2の金属層5にパターンを形成した(図1(C)参照)。
次いで、パターニングされた第2の金属層5の表面を、銅表面粗化液(メック(株)製、製品名:CZ−8100)を用いて粗化し、回路形成用基板1の両面に設けられた第2の金属層5の表面に対し、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(図1(D)における第2の絶縁性樹脂層6;厚さ0.025mm:三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF70)を介して、18μmのキャリア銅箔付2μm銅箔(図1(D)における第3の金属層7;三井金属鉱業(株)製、商品名:MTEx)を真空プレスにて、圧力2.5±0.2MPa、温度220±2℃、保持時間60分間の条件にて積層した。その後18μmのキャリア銅箔を剥離し、第2の基板(図1(D)における第2の基板8)を作製した。
第2の基板において、剥型層付銅箔(第1の金属層3)とプリプレグ(コア樹脂層2)との境界部に物理的な力を加えて剥離させ、第3の基板(図1(E)における第3の基板9)を得た。剥離面の銅箔表面の凹凸は以下の方法にて測定した。剥離面の銅箔表面の凹凸は、2.25μmであった。
剥離面の銅箔表面の凹凸を測定した。表面凹凸の測定にはマイクロスコープVR−3100(キンエンス社製)を用い、5×5cmにカットしたサンプルについて、1×1cmの範囲を前記装置にて測定しておこなった。
第3の基板の両面に炭酸ガスレーザー加工機(日立ビアメカニクス(株)製、商品名:LC−1C/21)によりビーム照射径Φ0.21mm、周波数500Hz、パルス幅10μsの条件で、1穴ずつ加工し、第3の基板の両面に非貫通孔(図1(F)における非貫通孔13)を形成した。次いで、温度80±5℃、濃度55±10g/Lの過マンガン酸ナトリウム水溶液を用いてデスミア処理を施した。
さらに、無電解銅めっきにて0.4〜0.8μmの厚みとなるようにめっき処理を施した後、電解銅めっきにて8μmの厚みのめっきを実施し第4の金属層を形成した(図1(G)における第4の金属層14)。これにより、第1及び第3の金属層が第2の金属層を介して、非貫通孔によって電気的に接続されたことになる。次に、第4の金属層表面の整面を実施し、温度110±10℃、圧力0.50±0.02MPaにてドライフィルムレジスト(ニチゴー・モートン(株)製、商品名:NIT225)をラミネートした。その後、ネガ型マスクを張り合わせた後、平行露光機にて回路パターンを焼付け、1%炭酸ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを現像してエッチングレジストを形成し、エッチングレジストのない部分の銅を塩化第二鉄水溶液で除去した。その後、水酸化ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを除去し、第4の金属層にパターンを形成し、半導体素子搭載用パッケージ基板(図1(I)における絶縁層10の両面に配線導体11が形成された半導体素子搭載用パッケージ基板12)を作製した。
実施例1においてコア樹脂層2として、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF67;厚さ20μm)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体素子搭載用パッケージ基板を得た。なお、剥離面の銅箔表面の凹凸は実施例1と同様の方法にて測定した。剥離面の銅箔表面の凹凸は1.79μmであった。
実施例1においてコア樹脂層2として、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF74;厚さ30μm)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体素子搭載用パッケージ基板を得た。なお、剥離面の銅箔表面の凹凸は実施例1と同様の方法にて測定した。剥離面の銅箔表面の凹凸は3.15μmであった。
実施例1においてコア樹脂層2として、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(三菱ガス化学製GHPL−830NSF FF78;厚さ35μm)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体素子搭載用パッケージ基板を得た。なお、剥離面の銅箔表面の凹凸は実施例1と同様の方法にて測定した。剥離面の銅箔表面の凹凸は3.32μmであった。
実施例1においてコア樹脂層2として、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)をガラスクロス(ガラス繊維)に含浸させてBステージとしたプリプレグ(三菱ガス化学製GHPL−830NXA;厚さ110μm)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体素子搭載用パッケージ基板を得た。なお、剥離面の銅箔表面の凹凸は実施例1と同様の方法にて測定した。剥離面の銅箔表面の凹凸は6.00μmであり、次工程の回路形成でのレジスト密着性が低下して、製品の歩留まりが低下してしまった。
また、明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
Claims (7)
- 絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた配線導体と、を備えた半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法であって、
厚さが1μm〜80μmのコア樹脂層の両面に、厚さが1μm〜70μmであり且つ前記コア樹脂層から剥離可能な第1の金属層と、第1の絶縁性樹脂層と、第2の金属層と、がこの順に配置された積層体を形成し、前記積層体を一括で加熱加圧して、第1の基板を形成する第1の基板形成工程(a)と、
前記第1の基板の前記第2の金属層にパターンを形成するパターニング工程(b)と、
前記第1の基板の前記第2の金属層表面に、第2の絶縁性樹脂層と、第3の金属層と、をこの順で配置して形成した積層体を加熱加圧して第2の基板を形成する第2の基板形成工程(c)と、
前記コア樹脂層から、前記第1の金属層と前記第1の絶縁性樹脂層と前記第2の金属層と前記第2の絶縁性樹脂層と前記第3の金属層とをこの順で備えた第3の基板を剥離する剥離工程(d)と、
を含む半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。 - さらに、前記第3の基板の表面に、前記第2の金属層表面に達する非貫通孔を形成し、前記非貫通孔の内壁に電解銅めっき及び/又は無電解銅めっきを施し、前記第2の金属層と、前記第1の金属層及び前記第3の金属層の各々と、を接続させ、前記第3の基板の表面に第4の金属層を形成し、前記第4の金属層にパターンを形成して前記配線導体を形成する配線導体形成工程(e)を含む請求項1に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
- 前記第3の基板の厚さが、5μm〜100μmである請求項1又は2に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
- 前記第1の金属層が剥型層を備え、前記積層体は、前記剥型層と前記コア樹脂層とが接するように前記第1の金属層が配置された請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
- 前記第3の金属層がキャリア層を備え、前記第2の基板形成工程(c)において前記第1の基板が加熱加圧された後に、前記第3の金属層から前記キャリア層が除去される請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
- 前記第1の金属層、前記第2の金属層、及び、前記第3の金属層の少なくともいずれか一つが銅箔である請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
- 前記コア樹脂層、第1の絶縁性樹脂層、及び、第2の絶縁性樹脂層の少なくともいずれか一つが、樹脂を基材に含侵したプリプレグである請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335700A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法 |
US20140085833A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Zhen Ding Technology Co., Ltd. | Chip packaging substrate, method for manufacturing same, and chip packaging structure having same |
WO2018003703A1 (ja) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法及び半導体素子実装基板の製造方法 |
WO2018026004A1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 支持基板、支持基板付積層体及び半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4273895B2 (ja) | 2003-09-24 | 2009-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
JP4334005B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2009-09-16 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法及び電子部品実装構造体の製造方法 |
JP4533449B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2010-09-01 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP6054080B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-12-27 | 新光電気工業株式会社 | 支持体及びその製造方法、配線基板の製造方法、電子部品装置の製造方法、配線構造体 |
CN104661810A (zh) | 2012-09-24 | 2015-05-27 | Jx日矿日石金属株式会社 | 附载体金属箔、由树脂制板状载体与金属箔构成的积层体、以及它们的用途 |
KR102419707B1 (ko) * | 2017-04-27 | 2022-07-11 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 지지체 및 그것을 사용한 반도체 소자 실장 기판의 제조 방법 |
-
2019
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- 2019-10-21 CN CN201980081480.XA patent/CN113243146A/zh active Pending
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335700A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | 配線基板の製造方法 |
US20140085833A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-03-27 | Zhen Ding Technology Co., Ltd. | Chip packaging substrate, method for manufacturing same, and chip packaging structure having same |
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