JPWO2020116534A1 - フラックス残渣の洗浄 - Google Patents

Abstract

一態様において、フラックス除去性に優れる洗浄方法を提供する。
本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法であって、前記洗浄剤組成物は、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、洗浄方法に関する。

Description

本開示は、フラックス残渣の洗浄に用いられる洗浄剤組成物、該洗浄剤組成物を用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。

国際公開第２０１２／００５０６８号（特許文献１）には、水と混合使用するとともに、所定量の水を添加した状態で、白濁状態にて、被洗浄物を洗浄するための洗浄剤組成物用原液等であって、有機溶剤として第１および第２の有機溶剤を含むとともに、第１の有機溶剤が、所定の疎水性グリコールエーテル化合物等であり、第２の有機溶剤が、所定の親水性アミン化合物であり、第２の有機溶剤の配合量を、前記第１の有機溶剤１００重量部に対して、０．３〜３０重量部の範囲内の値とし、かつ、沸点が１９０℃を超えた値である有機溶剤の配合量を、所定の範囲内の値とする洗浄剤組成物用原液が開示されている。
国際公開第２００５／０２１７００号（特許文献２）には、全体量に対して、グリコール化合物の含有量が１重量％未満の場合には、ベンジルアルコールの含有量を７０〜９９．９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１〜３０重量％の範囲とし、グリコール化合物の含有量が１〜４０重量％の場合には、ベンジルアルコールの含有量を１５〜９９重量％の範囲およびアミノアルコールの含有量を０．１〜３０重量％の範囲とすることを特徴とする半田フラックス除去用洗浄剤が開示されている。
特開平７−１７９８９３号公報（特許文献３）には、水０〜３０重量％を含むＮ−メチル−２−ピロリドンとホスフィン類、フェノール類、イミダゾリドン類、イミダゾール類またはフルオレン類の化合物から選ばれた一種以上の化合物からなる洗浄組成物が開示されている。

本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法であって、前記洗浄剤組成物は、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、洗浄方法に関する。

本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法に関する。

本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に洗浄剤として用いるための組成物であって、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、組成物に関する。

近年、半導体パッケージ基板の小型化によって、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなってきている。そして、半田バンプの微小化や接続する部品との隙間が狭くなることで、上記特許文献に開示されている洗浄剤組成物では、フラックス残渣の除去性（フラックス除去性）が不足し、洗浄性が十分であるとは言えなくなっている。

そこで、本開示は、フラックス除去性に優れる洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法及び電子部品の製造方法を提供する。

本開示によれば、一態様において、フラックス除去性に優れる洗浄剤組成物及び洗浄方法を提供できる。

本開示は、特定の溶剤及び特定のアミンを含有する洗浄剤組成物をフラックス残渣除去に用いることにより、従来よりもフラックス残渣の除去性が向上するという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法であって、前記洗浄剤組成物は、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。本開示によれば、一又は複数の実施形態において、被洗浄物のフラックス残渣を効率よく除去できる。
また、本開示は、その他の態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に洗浄剤として用いるための組成物であって、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、組成物（以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう）に関する。本開示によれば、一又は複数の実施形態において、フラックス除去性に優れる洗浄剤組成物が得られうる。さらに、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田金属への腐食等の影響を抑制できる洗浄剤組成物が得られうる。

本開示の洗浄方法及び本開示の洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
すなわち、本開示の洗浄方法及び本開示の洗浄剤組成物では、成分Ａがフラックス並びにリフロー等で劣化したフラックス残渣に浸透し粘度を下げ、流動しやすくするとともに、成分Ｂが作用して、フラックスと塩を形成し、フラックス及びフラックス残渣を分解あるいは親水化し洗浄剤組成物中に溶けやすくする。
また、成分Ｂにより、フラックス及びフラックス残渣の洗浄後のすすぎ工程における水への溶解性が高くなり、すすぎによる除去性を向上でき、洗浄及びすすぎ後の残存を低減できると推測される。
さらに、成分Ｂは成分Ａを含む溶剤中で半田金属に作用して腐食させることなく上記のように洗浄性を向上できるため、半田金属への腐食等の影響を抑制できるフラックス残渣除去用洗浄剤組成物を得られると推測される。
但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

本開示において「フラックス」とは、電極や配線等の金属と半田金属との接続を妨げる酸化物を取り除き、前記接続を促進するために用いられる、半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスやロジンを含まない水溶性フラックス等をいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。本開示において「フラックス残渣」とは、フラックスを用いて半田バンプを形成した後の基板、及び／又はフラックスを用いて半田付けをした後の基板等に残存するフラックス由来の残渣をいう。例えば、回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板等）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフロー等により半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。

［洗浄方法］
本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、フラックス残渣を除去するための洗浄方法である。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物で洗浄する方法、又は、被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法としては、例えば、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。さらに、同様の観点から、本開示の洗浄方法は、国際公開第２００６／０２５２２４号、特公平６−７５７９６号公報、特開２０１４−１４４４７３号公報、特開２００４−２３０４２６号公報、特開２０１３−１８８７６１号公報、特開２０１３−１７３１８４号公報等に記載されているフラックスを用いて半田接続した電子部品に対して使用することが好ましい。本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波の周波数としては、同様の観点から、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。

［洗浄剤組成物］
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に洗浄剤として用いるための組成物であり、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物である。本開示において「フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、一又は複数の実施形態において、フラックス又は半田フラックスを用いて半田バンプを形成及び／又は半田付けした後のフラックス残渣を除去するための洗浄剤組成物を示す。本開示の洗浄剤組成物による洗浄性の顕著な効果発現の点から、半田は錫を含有する鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。

したがって、本開示は、一態様において、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に洗浄剤として用いるための組成物であって、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、組成物に関する。
本開示は、一態様において、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤（成分Ａ）と、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール及び１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジンから選ばれる少なくとも１種のアミン（成分Ｂ）と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
本開示は、一態様において、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する組成物の、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄における使用に関する。

（成分Ａ：有機溶剤）
本開示の洗浄剤組成物における成分Ａは、有機溶剤である。成分Ａは、フラックス除去性向上の観点から、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤であることが好ましい。成分Ａは、１種類、２種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。

Ｒ¹−Ｏ−（ＡＯ）_n−Ｒ² （Ｉ）

上記式（Ｉ）において、フラックス除去性向上の観点から、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数であることが好ましい。

上記式（Ｉ）において、Ｒ¹は、フラックス除去性向上の観点から、フェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基が好ましく、フェニル基又は炭素数４以上６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数４以上６以下のアルキル基がさらに好ましい。Ｒ²は、フラックス除去性向上の観点から、水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基が好ましく、水素原子又は炭素数２以上４以下のアルキル基がより好ましく、水素原子又はｎ−ブチル基がさらに好ましい。また、フラックス除去性向上の観点から、Ｒ¹が炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒ²が炭素数１以上３以下のアルキル基であることが好ましい。ＡＯは、フラックス除去性向上の観点から、エチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基が好ましく、エチレンオキシド基がより好ましい。ｎは、フラックス除去性向上の観点から、１以上３以下の整数が好ましく、１又は２がより好ましく、２がさらに好ましい。

上記式（Ｉ）で表される化合物としては、例えば、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル等のモノフェニルエーテル、炭素数１以上８以下のアルキル基を有するエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル等のモノアルキルエーテル、炭素数１以上８以下のアルキル基及び炭素数１以上４以下のアルキル基を有するエチレングリコールジアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、トリエチレングリコールジアルキルエーテル等のジアルキルエーテル、フェニル基及び炭素数１以上４以下のアルキル基を有するエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、ジエチレングリコールフェニルアルキルエーテル、トリエチレングリコールフェニルアルキルエーテル等のフェニルアルキルエーテル、が挙げられる。上記式（Ｉ）で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル及びトリエチレングリコールジメチルエーテルから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールジブチルエーテルから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル及びジエチレングリコールジメチルエーテルから選ばれる少なくとも１種がさらに好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテルがさらに好ましい。

Ｒ³−ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）

上記式（ＩＩ）において、Ｒ³は、フラックス除去性向上の観点から、フェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基であることが好ましく、フェニル基、シクロヘキシル基又はテトラヒドロフリル基がより好ましく、フェニル基又はテトラヒドロフリル基がさらに好ましく、フェニル基がよりさらに好ましい。

上記式（ＩＩ）で表される化合物としては、例えば、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、シクロヘキサンメタノール、フルフリルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールが挙げられる。上記式（ＩＩ）で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ベンジルアルコール及びテトラヒドロフルフリルアルコールから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、ベンジルアルコールがさらに好ましい。

上記式（ＩＩＩ）において、フラックス除去性向上の観点から、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基であることが好ましく、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷のいずれか一つが炭素数１以上８以下の炭化水素基であることがより好ましく、炭素数１以上６以下の炭化水素基であることがさらに好ましく、メチル基、エチル基、ビニル基のいずれかであることがよりさらに好ましい。

上記式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、例えば、２−ピロリドン、１−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−ビニル−２−ピロリドン、１−フェニル−２−ピロリドン、１−シクロヘキシル−２−ピロリドン、１−オクチル−２−ピロリドン、３−ヒドロキシプロピル−２−ピロリドン、４−ヒドロキシ−２−ピロリドン、４−フェニル−２−ピロリドン及び５−メチル−２−ピロリドン等が挙げられる。上記式（ＩＩＩ）で表される化合物としては、フラックス除去性向上の観点から、２−ピロリドン、１−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、１−ビニル−２−ピロリドン、１−フェニル−２−ピロリドン、１−シクロヘキシル−２−ピロリドン、１−オクチル−２−ピロリドン及び５−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、１−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン及び１−ビニル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、１−メチル−２−ピロリドンがさらに好ましい。

成分Ａは、１種類、２種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。成分Ａが２種類の組合せである場合、成分Ａとしては、例えば、式（Ｉ）で表される化合物と式（ＩＩ）で表される化合物との組合せが挙げられる。

成分Ａとしては、フラックス除去性向上の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種がより好ましい。成分Ａは、ロジン系フラックス除去性向上の観点から、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンが好ましい。

本開示の洗浄剤組成物中の成分Ａの含有量は、フラックス除去性向上の観点から、３５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上がさらに好ましく、そして、９９．５質量％以下が好ましく、９９．３質量％以下がより好ましく、９９質量％以下がさらに好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、３５質量％以上９９．５質量％以下が好ましく、５０質量％以上９９．３質量％以下がより好ましく、７５質量％以上９９質量％以下がさらに好ましい。成分Ａが２種類以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。

（成分Ｂ：アミン）
本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂは、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物である。成分Ｂは、フラックス除去性向上の観点から、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール及び１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジンから選ばれる少なくとも１種のアミンであることが好ましい。成分Ｂは、１種類、２種類の組合せ、又はそれ以上の組合せであってもよい。成分Ｂは、ロジン系フラックス除去性向上の観点から、イミダゾール環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物であることが好ましく、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、及び１−イソブチル−２−メチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種のアミンであることが好ましく、１−メチルイミダゾール及び１，２−ジメチルイミダゾールから選ばれる少なくとも１種のアミンであることがより好ましい。

本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｂの含有量は、フラックス除去性向上の観点から、０．２質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上がさらに好ましく、０．５質量％以上がよりさらに好ましく、そして、半田金属の腐食抑制の観点から、１５質量％以下が好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がより好ましく、８質量％以下がさらに好ましく、５質量％以下がよりさらに好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、０．２質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．３質量％以上１０質量％以下がより好ましく、０．４質量％以上８質量％以下がさらに好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がよりさらに好ましい。成分Ｂが２種類以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物において、成分Ａと成分Ｂとの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、フラックス除去性向上の観点から、８以上が好ましく、１０以上がより好ましく、１５以上がさらに好ましく、そして、２００以下が好ましく、１００以下がより好ましく、２５以下がさらに好ましい。より具体的には、質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、８以上２００以下が好ましく、１０以上１００以下がより好ましく、１５以上２５以下がさらに好ましい。

（成分Ｃ：水）
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、水（成分Ｃ）をさらに含むことができる。成分Ｃとしては、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が使用され得る。本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は、引火点を下げる観点から、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上がさらに好ましく、そして、フラックス除去性向上の観点から、５５質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１２質量％以下がさらに好ましく、１０質量％以下がよりさらに好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は、１質量％以上５５質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、５質量％以上１２質量％以下がさらに好ましく、８質量％以上１０質量％以下がよりさらに好ましい。

本開示の洗浄剤組成物が成分Ｃを含有する場合、安定性向上の観点から、本開示の洗浄剤組成物に含まれる成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルと該ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の他の成分Ａとを併用することが好ましい。

（その他の成分）
本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ〜Ｃ以外に、必要に応じてその他の成分を含有することができる。本開示の洗浄剤組成物中のその他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％以上８質量％以下がより好ましく、０質量％以上５質量％以下がさらに好ましく、０質量％以上２質量％以下がよりさらに好ましい。

本開示の洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、安定性向上の観点から、例えば、界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、アルキルグルコシド、アルキルグリセリルエーテル等の非イオン界面活性剤が好ましく、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、アルキルグリセリルエーテルがより好ましく、アルキルグリセリルエーテルがさらに好ましい。界面活性剤の具体例としては、２−エチルヘキシルグリセリルエーテル等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物中の界面活性剤の含有量は、安定性向上の観点から、０．５質量％以上が好ましく、０．８質量％以上がより好ましく、そして、７質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。より具体的には、界面活性剤の含有量は、０．５質量％以上７質量％以下が好ましく、０．８質量％以上５質量％以下がより好ましい。

さらなるその他の成分として、本開示の洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ｂ以外の塩基性物質、高分子化合物、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、酸化防止剤を適宜含有することができる。

［洗浄剤組成物の製造方法］
本開示の洗浄剤組成物は、例えば、成分Ａ及び成分Ｂ、並びに、必要に応じて上述した成分Ｃ及びその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、少なくとも成分Ａと成分Ｂとを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、一態様において、少なくとも成分Ａ及び成分Ｂを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、及び必要に応じて成分Ｃ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の含有量と同じとすることができる。本開示において「洗浄剤組成物中の各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物を洗浄に使用する時点での前記各成分の含有量をいう。

本開示の洗浄剤組成物は、添加作業、貯蔵及び輸送の観点から、濃縮物として製造及び保管してもよい。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物の希釈倍率としては、例えば、３倍以上３０倍以下が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分Ａ、成分Ｂ、必要に応じて配合される成分Ｃ及びその他の成分が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水（成分Ｃ）で希釈して用いることができる。

［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示の洗浄剤組成物は、フラックス除去性を向上させる点から、アルカリ性であることが好ましく、例えば、ｐＨ８以上ｐＨ１４以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ｂ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。本開示において洗浄剤組成物のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物の使用時（希釈後）のｐＨである。

［被洗浄物］
本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に使用される。フラックス残渣を有する被洗浄物としては、例えば、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられる。被洗浄物の具体例としては、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられ、具体的には、半田付け電子部品及びその製造中間物が挙げられ、より具体的には、部品が半田で半田付けされた電子部品及びその製造中間物、部品が半田を介して接続されている電子部品及びその製造中間物、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物、半田を介して接続されている部品の隙間にフラックス残渣を含む電子部品及びその製造中間物等が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、フラックスを使用した半田付けにより、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品が搭載された回路基板、及び／又は、前記部品を半田接続するための半田バンプが形成された回路基板を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板等）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。

［電子部品の製造方法］
本開示は、一態様において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを本開示の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。フラックスを使用した半田付けは、例えば、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間や半田バンプの周辺等に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。さらに、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間等に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。

［キット］
本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び／又は本開示の電子部品の製造方法に使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。

本開示のキットの一実施形態としては、前記成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されていない状態で含み、第１液と第２液とが使用時に混合されるキット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。したがって、本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、成分Ａを含有する溶液（第１液）と成分Ｂを含有する溶液（第２液）とが相互に混合されていない状態で第１液と第２液とを使用時に混合して洗浄剤組成物を調製する工程を含むことができる。また、本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されていない状態で含むキットを用いて、第１液と第２液とを使用時に混合して洗浄剤組成物を調製する工程を含むことができる。
前記第１液及び第２液には、各々必要に応じて上述した成分Ｃ及びその他の成分が含まれていても良い。前記第１液及び第２液の少なくとも一方は、一又は複数の実施形態において、成分Ｃ（水）の一部又は全部を含有することができる。一又は複数の実施形態において、前記第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｃ（水）で希釈されてもよい。

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞ 下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤（成分Ａ）と、
１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール及び１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジンから選ばれる少なくとも１種のアミン（成分Ｂ）と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
Ｒ¹−Ｏ−（ＡＯ）_n−Ｒ² （Ｉ）
上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
Ｒ³−ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。

上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。

＜２＞ 前記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であって、フェニル基又は炭素数４以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素数４以上６以下のアルキル基がより好ましい、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３＞ 前記式（Ｉ）において、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であって、水素原子又は炭素数２以上４以下のアルキル基が好ましく、水素原子又はｎ−ブチル基がより好ましい、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞ 前記式（Ｉ）において、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であって、エチレンオキシド基が好ましい、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞ 前記式（Ｉ）において、ｎは１以上３以下の整数であって、１又は２が好ましく、２がより好ましい、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞ 前記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基を示し、フフェニル基、シクロヘキシル基又はテトラヒドロフリル基が好ましく、フェニル基又はテトラヒドロフリル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞ 前記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基であって、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷のいずれか一つが炭素数１以上８以下の炭化水素基であることが好ましく、炭素数１以上６以下の炭化水素基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、ビニル基のいずれかであることがさらに好ましい、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞ 成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種がより好ましい、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞ 成分Ａの含有量は、３５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７５質量％以上がさらに好ましい、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞ 成分Ａの含有量は、９９．５質量％以下が好ましく、９９．３質量％以下がより好ましく、９９質量％以下がさらに好ましい、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ 成分Ａの含有量は、３５質量％以上９９．５質量％以下が好ましく、５０質量％以上９９．３質量％以下がより好ましく、７５質量％以上９９質量％以下がさらに好ましい、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞ 成分Ｂの含有量は、０．２質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上がさらに好ましく、０．５質量％以上がよりさらに好ましい、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞ 成分Ｂの含有量は、１５質量％以下が好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がより好ましく、８質量％以下がさらに好ましく、５質量％以下がよりさらに好ましい、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞ 成分Ｂの含有量は、０．２質量％以上１５質量％以下が好ましく、０．３質量％以上１０質量％以下がより好ましく、０．４質量％以上８質量％以下がさらに好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がよりさらに好ましい、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、８以上が好ましく、１０以上がより好ましく、１５以上がさらに好ましい、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、２００以下が好ましく、１００以下がより好ましく、２５以下がさらに好ましい、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞ 成分Ａと成分Ｂとの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）は、８以上２００以下が好ましく、１０以上１００以下がより好ましく、１５以上２５以下がさらに好ましい、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞ 水（成分Ｃ）をさらに含む、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞ 成分Ｃの含有量は、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましく、８質量％以上がさらに好ましい、＜１８＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞ 成分Ｃの含有量は、５５質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１２質量％以下がさらに好ましく、１０質量％以下がよりさらに好ましい、＜１８＞又は＜１９＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞ 成分Ｃの含有量は、１質量％以上５５質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、５質量％以上１２質量％以下がさらに好ましく、８質量％以上１０質量％以下がよりさらに好ましい、＜１８＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞ 界面活性剤をさらに含む、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞ キレート力を持つ化合物、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、増粘剤、分散剤、成分Ｂ以外の塩基性物質、高分子化合物、可溶化剤、防腐剤、殺菌剤、抗菌剤、消泡剤、及び酸化防止剤から選ばれる少なくとも１種をさらに含む、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞ フラックス残渣を有する被洗浄物を＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法。
＜２５＞ 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、＜２４＞に記載の洗浄方法。
＜２６＞ 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを＜２４＞又は＜２５＞に記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。
＜２７＞ ＜２４＞又は＜２５＞に記載の洗浄方法及び／又は＜２６＞に記載の電子部品の製造方法に使用するためのキットであって、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されていない状態で含み、第１液と第２液とが使用時に混合されるキット。
＜２８＞ フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法であって、
前記洗浄剤組成物は、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、洗浄方法。
＜２９＞ 成分Ｂは、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール及び１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジンから選ばれる少なくとも１種のアミンである、＜２８＞に記載の洗浄方法。
＜３０＞ 成分Ａは、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤である、＜２８＞又は＜２９＞に記載の洗浄方法。
Ｒ¹−Ｏ−（ＡＯ）_n−Ｒ² （Ｉ）
上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
Ｒ³−ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）
上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。

上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。
＜３１＞ 前記洗浄剤組成物中の成分Ａの含有量が３５質量％以上９９．５質量％以下である、＜２８＞から＜３０＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３２＞ 前記洗浄剤組成物中の成分Ａと成分Ｂとの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）が８以上２００以下である、＜２８＞から＜３１＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３３＞ 前記洗浄剤組成物が、水（成分Ｃ）をさらに含む、＜２８＞から＜３２＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３４＞ 前記洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は１５質量％以下である、＜３３＞に記載の洗浄方法。
＜３５＞ 前記洗浄剤組成物中の成分Ｂの含有量が０．２質量％以上１５質量％以下である、＜２８＞から＜３４＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３６＞ 成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種である、＜２８＞から＜３５＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３７＞ 前記洗浄剤組成物中の成分Ａ〜Ｃ以外のその他の成分の含有量が０質量％以上１０質量％以下である、＜２８＞から＜３６＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３８＞ 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、＜２８＞から＜３７＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３９＞ 成分Ａを含有する溶液（第１液）と成分Ｂを含有する溶液（第２液）とが相互に混合されていない状態で第１液と第２液とを使用時に混合して洗浄剤組成物を調製する工程を含む、＜２８＞から＜３８＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜４０＞ 超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、又は洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法を用いて被洗浄物を前記洗浄剤組成物で洗浄する、＜２８＞から＜３９＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜４１＞ 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを＜２８＞から＜４０＞のいずれかに記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。
＜４２＞ フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に洗浄剤として用いるための組成物であって、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、組成物。
＜４３＞ 有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する組成物の、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄における使用。

以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。

１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜１６、比較例１〜９）
１００ｍＬガラスビーカーに、下記表１に記載の組成となるように各成分を配合し、下記条件で混合することにより、実施例１〜１６及び比較例１〜９の洗浄剤組成物を調製した。表１中の各成分の数値は、断りのない限り、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
＜混合条件＞
液温度：２５℃
攪拌機：マグネチックスターラー（５０ｍｍ回転子）
回転数：３００ｒｐｍ
攪拌時間：１０分

洗浄剤組成物の成分として下記のものを使用する。
（成分Ａ）
Ａ１：ベンジルアルコール［ランクセス株式会社製］
Ａ２：ジエチレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ブチルジグリコール（ＢＤＧ）］
Ａ３：ジプロピレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ブチルプロピレンジグリコール（ＢＦＤＧ）］
Ａ４：ジエチレングリコールジメチルエーテル［日本乳化剤株式会社製、ジメチルジグリコール（ＤＭＤＧ）］
Ａ５：１−メチル−２−ピロリドン［富士フィルム和光純薬株式会社製］
（成分Ｂ）
Ｂ１：１−メチルイミダゾール［花王株式会社製、カオーライザーＮｏ．１１０］
Ｂ２：１，２−ジメチルイミダゾール［東京化成工業株式会社製］
Ｂ３：１−イソブチル−２−メチルイミダゾール［花王株式会社製、カオーライザーＮｏ．１２０］
Ｂ４：１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジン［花王株式会社製、カオーライザーＮｏ．８］
（非成分Ｂ）
Ｂ５：トリエタノールアミン［株式会社日本触媒製］
Ｂ６：メチルジエタノールアミン［日本乳化剤株式会社製、アミノアルコールＭＤＡ］
Ｂ７：２−エチル−４−メチルイミダゾール［富士フィルム和光純薬株式会社製］
Ｂ８：１，５−ジメチル−２−ピロリドン
（成分Ｃ）
水［オルガノ株式会社製純水装置Ｇ−１０ＤＳＴＳＥＴで製造した１μＳ/ｃｍ以下の純水］
（その他の成分：界面活性剤）
２−エチルヘキシルグリセリルエーテル［下記製造方法にて製造］
２−エチルヘキサノール１３０ｇ及び三フッ化ホウ素エーテル錯体２．８４ｇを、撹拌しながら０℃まで冷却する。温度を０℃に保ちながら、エピクロロヒドリン１３８．８ｇを１時間で滴下する。滴下終了後、減圧下（１３〜２６Ｐａ）、１００℃で余剰のアルコールを留去する。この反応混合物を５０℃まで冷却し、５０℃を保ちながら４８％水酸化ナトリウム水溶液１２５ｇを１時間で滴下し、３時間撹拌した後、２００ｍＬの水を加え、分層させる。水層を除いた後、さらに１００ｍＬの水で２回洗浄して、２０８ｇの粗２−エチルヘキシルグリシジルエーテルを得る。この粗２−エチルヘキシルグリシジルエーテル２０８ｇ、水１０４．８ｇ、ラウリン酸５．８２ｇ及び水酸化カリウム１８．５ｇをオートクレーブに入れ、１４０℃で５時間撹拌する。減圧下（６．６７ｋＰａ）、１００℃で脱水後、ラウリン酸９．７ｇ及び水酸化カリウム２．７２ｇを加え、１６０℃で１５時間反応し、その後減圧蒸留（５３〜６７Ｐａ，１２０〜１２３℃）により精製し、１１０．２ｇの２−エチルヘキシルグリセリルエーテルを得る。
（その他の成分：防錆剤）
ベンゾトリアゾール［東京化成工業株式会社製、１，２，３−ベンゾトリアゾール］

２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜１６及び比較例１〜９の洗浄剤組成物を用いて洗浄性、及び防食性について試験を行い、評価した。

＜テスト基板＞
銅配線プリント基板（１０ｍｍ×１５ｍｍ）上に、スクリーン版を用いて下記ソルダーペーストを塗布する。窒素雰囲気下２５０℃でリフローすることでテスト基板を作製する。

＜フラックスの組成＞
完全水添ロジン（イーストマンケミカル社製、Ｆｏｒａｌ ＡＸ−Ｅ）５８．０質量％
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩（株式会社ワコーケミカル製）０．５質量％
アジピン酸（富士フィルム和光純薬株式会社製）０．５質量％
硬化ヒマシ油（豊国製油株式会社製）６．０質量％
ヘキシルグリコール（日本乳化剤株式会社製）３５．０質量％

＜フラックスの製造方法＞
溶剤のヘキシルグリコールに残りの他の成分を添加して溶解することにより、前記組成のフラックスを得た。

＜ソルダーペーストの製造方法＞
上記のフラックス１１．０ｇとはんだ粉末［千住金属工業株式会社製、Ｍ７０５（Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ＝９６．５／３／０．５）］８９．０ｇを１時間混練して調製した。

＜洗浄試験＞
洗浄試験は、以下の手順にて行った。
まず、超音波洗浄槽、第１リンス槽、第２リンス槽を以下の条件で準備する。超音波洗浄槽は、周波数４０ｋＨｚに設定し出力を２００Ｗとする。５０ｍＬガラスビーカーに各洗浄剤組成物を５０ｇ添加し、超音波洗浄層に入れて、６０℃に加温することにより得た。第１リンス槽及び第２リンス槽は、５０ｍｍ回転子を一つ入れた１００ｍＬガラスビーカーを二つ用意し、それぞれに純水１００ｇを添加し、温浴に入れて、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら４０℃に加温することにより得た。
次に、テスト基板をピンセットで保持して、前記超音波洗浄槽へ挿入し、５分間浸漬する。次に、テスト基板をピンセットで保持して第１リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら３分間浸漬する。
さらに、テスト基板をピンセットで保持して第２リンス槽に挿入し、回転数１００ｒｐｍで攪拌しながら３分間浸漬する。
最後に、テスト基板を窒素パージし乾燥する。

［洗浄性の評価（フラックス除去性）］
洗浄後、テスト基板を卓上顕微鏡 Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ３０３０ （株式会社日立ハイテクノロジーズ製）で観察し、任意の１０ポイントの半田バンプ上に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、フラックス残渣の個数を数えた。結果を表１に示す。
さらに、テスト基板を光学顕微鏡ＶＨＸ−２０００（株式会社キーエンス製）で観察し、半田バンプ近傍に残存するフラックス残渣の有無を目視確認し、半田バンプ近傍にフラックス残渣が残る半田バンプの個数を数えた。結果を表１に示す。

［防食性の評価］
洗浄性（フラックス除去性）の評価を行った後のテスト基板上の半田金属を光学顕微鏡ＶＨＸ-２０００（株式会社キーエンス製）及び卓上顕微鏡 Ｍｉｎｉｓｃｏｐｅ ＴＭ３０３０ （株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて目視観察し、下記の評価基準で半田金属への影響を評価する。その評価結果を表１に示す。
＜評価基準＞
Ａ：半田金属への影響なし
Ｂ：腐食等による半田金属への影響あり

［洗浄性の評価（ロジン酸溶解性）］
フラックスの親和性を確認するため、フラックスの成分として用いられるロジン酸の溶解性を以下の方法で評価した。その評価結果を表１に示す。
５０ｍＬガラスビーカーに洗浄剤組成物１００ｇとロジン酸を１ｇ添加し、超音波洗浄槽を用い、周波数４０ｋＨｚに設定し出力を２００Ｗの条件で、２５℃で１時間超音波処理を行った。ロジン酸が溶解した場合はさらにロジン酸を１ｇ添加し、同様の操作を行った。この操作をロジン酸が未溶解になるまで繰り返し行うことで、溶解度を見積もった。溶解度が高いほど、ロジン系フラックス除去性に優れると評価できる。ロジン系フラックス除去性向上の観点から、溶解度は４０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましいと評価できる。
＜評価基準＞
Ａ：溶解度が６０質量％以上
Ｂ：溶解度が５０質量％以上６０質量％未満
Ｃ：溶解度が４０質量％以上５０質量％未満
Ｄ：溶解度が４０質量％未満

上記表１に示すとおり、成分Ａ及び成分Ｂを含む実施例１〜１６の洗浄剤組成物は、成分Ａ又は成分Ｂを含まない比較例１〜９に比べて、フラックス除去性に優れていた。さらに、実施例１〜１６の洗浄剤組成物は、半田金属への影響が抑制されていた。また、実施例２〜３、６、９〜１１、１３〜１４、１６の洗浄剤組成物は、ロジン酸の溶解度が５０質量％以上と高く、実施例１、４〜５、７〜８、１２、１５に比べて、ロジン系フラックス除去性に優れることが分かった。

本開示を用いることにより、フラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、電子部品の生産性を向上できる。

Claims (16)

1. フラックス残渣を有する被洗浄物を洗浄剤組成物で洗浄する工程を含む、洗浄方法であって、
   前記洗浄剤組成物は、有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、洗浄方法。
2. 成分Ｂは、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール及び１−（２−ジメチルアミノエチル）−４−メチルピペラジンから選ばれる少なくとも１種のアミンである、請求項１に記載の洗浄方法。
3. 成分Ａは、下記式（Ｉ）で表される化合物、下記式（ＩＩ）で表される化合物及び下記式（ＩＩＩ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の溶剤である、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
   Ｒ¹−Ｏ−（ＡＯ）_n−Ｒ² （Ｉ）
   上記式（Ｉ）において、Ｒ¹はフェニル基又は炭素数１以上８以下のアルキル基であり、Ｒ²は水素原子又は炭素数１以上４以下のアルキル基であり、ＡＯはエチレンオキシド基又はプロピレンオキシド基であり、ｎはＡＯの付加モル数であり、１以上３以下の整数である。
   Ｒ³−ＣＨ₂ＯＨ （ＩＩ）
   上記式（ＩＩ）において、Ｒ³はフェニル基、ベンジル基、シクロヘキシル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、フルフリル基又はテトラヒドロフルフリル基である。
   

   

   上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上８以下の炭化水素基、炭素数１以上３以下のヒドロキシアルキル基又は水酸基である。
4. 前記洗浄剤組成物中の成分Ａの含有量が３５質量％以上９９．５質量％以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄方法。
5. 前記洗浄剤組成物中の成分Ａと成分Ｂとの質量比（成分Ａ／成分Ｂ）が８以上２００以下である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄方法。
6. 前記洗浄剤組成物が、水（成分Ｃ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄方法。
7. 前記洗浄剤組成物中の成分Ｃの含有量は１５質量％以下である、請求項６に記載の洗浄方法。
8. 前記洗浄剤組成物中の成分Ｂの含有量が０．２質量％以上１５質量％以下である、請求項１から７のいずれかに記載の洗浄方法。
9. 成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール及び１−メチル−２−ピロリドンから選ばれる少なくとも１種である、請求項１から８のいずれかに記載の洗浄方法。
10. 前記洗浄剤組成物中の成分Ａ〜Ｃ以外のその他の成分の含有量が０質量％以上１０質量％以下である、請求項１から９のいずれかに記載の洗浄方法。
11. 被洗浄物が、半田付け電子部品の製造中間物である、請求項１から１０のいずれかに記載の洗浄方法。
12. 成分Ａを含有する溶液（第１液）と成分Ｂを含有する溶液（第２液）とが相互に混合されていない状態で第１液と第２液とを使用時に混合して洗浄剤組成物を調製する工程を含む、請求項１から１１のいずれかに記載の洗浄方法。
13. 超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、又は洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法を用いて被洗浄物を前記洗浄剤組成物で洗浄する、請求項１から１２のいずれかに記載の洗浄方法。
14. 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板から選ばれる少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、並びに前記部品等を接続するための半田バンプを回路基板上に形成する工程から選ばれる少なくとも１つの工程と、前記部品が搭載された回路基板及び前記半田バンプが形成された回路基板から選ばれる少なくとも１つを請求項１から１３のいずれかに記載の洗浄方法により洗浄する工程とを含む、電子部品の製造方法。
15. フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄に洗浄剤として用いるための組成物であって、
    有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する、組成物。
16. 有機溶剤（成分Ａ）と、イミダゾール環又はピペラジン環の窒素原子に炭素数１以上４以下のアルキル基を有する化合物（成分Ｂ）と、を含有する組成物の、フラックス残渣を有する被洗浄物の洗浄における使用。